Eletronica Uniube

lOMoARcPSD|32334808
Eletrônica - Uniube
Eletrônica Analógica I (Universidade de Uberaba)
A Studocu não é patrocinada ou endossada por nenhuma faculdade ou universidade

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)
lOMoARcPSD|32334808
Eletrônica
Virgílio de Melo Langoni
Franco Michel Almeida Caixeta

lOMoARcPSD|32334808
© 2017 by Universidade de Uberaba
Todos os direitos reservados. Nenhuma parte desta publicação poderá ser

reproduzida ou transmitida de qualquer modo ou por qualquer outro meio, eletrônico
ou mecânico, incluindo fotocópia, gravação ou qualquer outro tipo de sistema de
armazenamento e transmissão de informação, sem prévia autorização, por escrito,
da Universidade de Uberaba.
Universidade de Uberaba
Reitor
Marcelo Palmério
Pró-Reitor de Educação a Distância

Fernando César Marra e Silva
Coordenação de Graduação a Distância

Sílvia Denise dos Santos Bisinotto
Projeto da capa
Agência Experimental Portfólio
Edição
Universidade de Uberaba
Av. Nenê Sabino, 1801 – Bairro Universitário
Catalogação elaborada pelo Setor de Referência da Biblioteca Central Uniube
Langoni, Virgílio de Melo.

L267e Eletrônica / Virgílio de Melo Langoni, Franco Michel Almeida
Caixeta. – Uberaba: Universidade de Uberaba, 2017.
192 p. : il.
Programa de Educação a Distância – Universidade de Uberaba.

Inclui bibliografia.
ISBN 978-85-7777-693-1
1. Eletrônica. 2. Engenharia elétrica. I. Caixeta, Franco Michel

Almeida. II. Universidade de Uberaba. Programa de Educação a
Distância. III. Título.
CDD 621.381

lOMoARcPSD|32334808
Sobre os autores
Mestre em Engenharia Elétrica pela Universidade de Uberlândia (2004). Graduado

em Engenharia Elétrica pela Universidade de Uberlândia (2001). É docente
na Universidade de Uberaba com ênfase em circuitos elétricos, magnéticos e
eletrônicos.
Graduado em Engenharia de Computação pela Universidade de Uberaba (2008).

Com experiência na área da docência como professor no Colégio Uberaba
Técnico.

lOMoARcPSD|32334808

lOMoARcPSD|32334808
Sumário
Apresentação ................................................................................................ VII
Capítulo 1 Dispositivos semicondutores: diodo de junção e transistor

bipolar de junção ...........................................................................1
Diodos de junção: características gerais .............................................................................4
1.1 Construção e operação do diodo de junção ...............................................................4
1.1.1 Materiais extrínsecos dos tipos P e N ..................................................................4
1.1.2 O diodo semicondutor ..........................................................................................6
1.1.3 Equação de um diodo ........................................................................................10
1.1.4 Efeitos da temperatura ....................................................................................... 11
1.2 Valores de resistência ...............................................................................................12
1.2.1 Resistência CC ou estática ................................................................................13
1.2.2 Resistência CA ou dinâmica...............................................................................15
1.2.3 Resistência CA média ........................................................................................17
1.3 Circuitos equivalentes do diodo ................................................................................18
1.3.1 Circuito equivalente linear por partes .................................................................18
1.3.2 Circuito equivalente simplificado ........................................................................19
1.3.3 Circuito equivalente ideal ...................................................................................20
1.4 Diodo zener e diodo emissor de luz (LED) ...............................................................21
1.4.1 Diodo zener ........................................................................................................21
1.4.2 Diodo emissor de luz (LED) ...............................................................................23
Aplicações do diodo de junção ..........................................................................................23
1.5 Análise por reta de carga ..........................................................................................24
1.6 Configurações em série, em paralelo e em série-paralelo de diodos
com alimentação CC ...............................................................................................28
1.7 Retificadores monofásicos com carga resistiva ...........................................................31
1.7.1 Transformadores ................................................................................................31
1.7.2 Retificador monofásico de meia onda ................................................................33
1.7.3 Retificadores monofásicos de onda completa....................................................36
1.8 Uso do filtro capacitivo em retificadores ...................................................................41
1.9 Exemplos do uso de diodos zener em circuitos CC .................................................45
1.9.1 Circuito com Vi e RL fixos ...................................................................................46

lOMoARcPSD|32334808
VI UNIUBE
1.9.2 Circuito com Vi fixo e RL variável ........................................................................48

1.9.3 Circuito com Vi variável e RL fixo ........................................................................50
Transistor bipolar de junção (TBJ) ....................................................................................52
1.10 Construção do transistor bipolar de junção ............................................................52
1.11 Operação do transistor bipolar de junção ................................................................53
Capítulo 2 Configurações, regiões de operação e circuitos de polarização

dc do transistor bipolar de junção................................................57
Configurações dos transistores bipolares de junção e regiões de operação ....................59
2.1 Configuração base-comum .......................................................................................59
2.2 Configuração emissor-comum ..................................................................................65
2.3 Configuração coletor-comum ....................................................................................71
2.4 Algumas características das configurações com relação à amplificação .................72
2.4.1 Configuração base-comum ................................................................................72
2.4.2 Configuração emissor-comum ...........................................................................72
2.4.3 Configuração coletor-comum .............................................................................73
Circuitos de polarização ....................................................................................................74
2.5 Circuito de polarização fixa .......................................................................................76
2.6 Circuito de polarização estável do emissor ..............................................................85
Capítulo 3 Circuitos de polarização dc do transistor bipolar de junção ........95

3.1 Circuito de chaveamento transistorizado ..................................................................96
3.2 Circuito de polarização por divisão de tensão ........................................................104
3.2.1 Análise exata ....................................................................................................105
3.2.2 Análise aproximada .......................................................................................... 115
3.3 Circuito de polarização dc com realimentação de tensão ......................................125
3.3.1 Outro circuito de polarização dc com realimentação de tensão.......................131
Capítulo 4 Transistores de efeito de campo (FETs) ....................................135

Transistor de unijunção ...................................................................................................137
4.1 Características básicas ...........................................................................................137
4.2 Construção e operação básica do transistor unijunção ..........................................138
Transistores de efeito de campo de junção .....................................................................147
4.3 Tipos de FETs .........................................................................................................147
4.4 Características dos FETs .......................................................................................148
4.5 Características dos MOSFETs ................................................................................152
Polarização dos FETs ......................................................................................................155
4.6 Circuito de polarização fixa .....................................................................................156
4.7 Circuito de polarização por divisor de tensão .........................................................165

lOMoARcPSD|32334808
Apresentação
Caro(a) aluno(a),
A eletrônica é um dos ramos da engenharia elétrica que compreende os circuitos

constituídos por componentes elétricos e eletrônicos. Possui o objetivo geral de
representação, captação, armazenamento e transmissão de informações, assim
como o controle de processos. Neste sentido, temos como exemplos os circuitos
internos dos computadores que possuem a função de armazenamento e proces-
samento de informações; os sensores e transdutores, que possuem informações
na forma de sinais elétricos; e, por fim, os sistemas de telecomunicações que,
possuem a função de transmissão de informações. Com esses exemplos, acre-
ditamos que você reconheça a importância dos conhecimentos de eletrônica na
atuação profissional do engenheiro eletricista. Assim, organizamos este livro para
orientá-lo em seus estudos acerca da temática exposta anteriormente. Ele consiste
em quatro capítulos, cujo conteúdo programático está descrito a seguir:
No primeiro capítulo, intitulado “Dispositivos semicondutores: diodo de junção e

transistor bipolar de junção”, você iniciará seus estudos sobre importantes con-
ceitos da eletrônica: diodo de junção e transistor. Verá as características gerais
de uma junção PN, os conceitos de polarização direta e polarização reversa em
um diodo de junção PN, a operação de um diodo a partir da análise de sua curva
característica e da reta de carga de um circuito. Poderá compreender o funcio-
namento do diodo quando aplicado a circuitos CC ou a circuitos CA, identificar
as características construtivas de um transistor bipolar de junção e explicar a
operação de um transistor bipolar de junção.
O segundo capítulo, intitulado “Configurações, regiões de operação e circui-

tos de polarização dc do transistor bipolar de junção”, dará continuidade aos

lOMoARcPSD|32334808
VIII UNIUBE
estudos aprofundando em às diversas configurações de transistores com suas

características e distinções.
No terceiro capítulo, intitulado “Circuitos de polarização DC do transistor bipolar

de junção”, continuaremos em busca por um circuito de polarização que seja
independente das variações em βCC. Neste sentido, você estudará o circuito de
polarização por divisão de tensão e o circuito de polarização com realimentação
de tensão, ambos pouco sensíveis às variações em βCC.
No quarto capítulo, intitulado “Transistores de efeito de campo (FETs)”, você

aprenderá como são construídos os transistores de efeito de campo, conhecidos
mais comumente como FETs, e suas formas de utilização. Aprenderá também
sobre os circuitos de segunda ordem, um pouco mais complexos que os de
primeira ordem já vistos anteriormente, e que são de fundamental importância
para nos dar uma base técnica e matemática para disciplinas futuras.
Esperamos que os capítulos de estudos propostos o auxilie na construção de

seus conhecimentos acadêmicos e profissionais.
Bons estudos.

lOMoARcPSD|32334808
Dispositivos
Capítulo Fonética: a sonoridade
1 semicondutores: diodo
da língua inglesa
de junção e transistor
bipolar de junção
Newton Gonçalves Garcia / Renata de Oliveira

Introdução
Introdução
Iniciamos, aqui, parte fundamental da sua formação como professor de
língua inglesa:
No século a fonética.
passado, Porém,
pôde-se além adeimensa
observar se dedicar ao estudo
evolução dessa
ocorrida na
importante faceta da língua, você deve se preparar para ensiná-la
física dos semicondutores. A “era do silício”, por alguns assim denomi- ao
seu
nada,grupo de alunos.o surgimento de vários equipamentos e aparelhos
proporcionou
eletrônicos como, por exemplo, os osciloscópios digitais e os celulares,
Você que já iniciou ou inicia agora seus estudos da língua inglesa
sem esquecer, é claro, os computadores pessoais.
certamente já teve dificuldades com a pronúncia desse idioma. Isso
é
O algo esperado
uso dos de ocorrer
chamados já que de
dispositivos se estado
trata desólido
um idioma com origens
e a miniaturização
na
doslíngua anglo-saxã,
componentes em portanto,
pastilhas,com características
chamados distintas
de circuitos de nosso
integrados
idioma deaorigem
(CIs), dá latina.
ideia de que não há limites para a eletrônica. Dois desses
dispositivos de estado sólido merecem destaque, pois representam a
Apesar desse aspecto, por meio do estudo da fonética, é possível con-
base de toda a eletrônica hoje conhecida. São eles: o diodo de junção
seguir uma pronúncia inteligível aos falantes nativos e não nativos do
PN e o transistor bipolar de junção (TBJ). Neste capítulo, propõe-se
idioma, como frisa Underhill (200?, p.92) em:
o estudo desses dois dispositivos.
The aim of pronunciation teaching can no longer be to get stu-
O diodo é o dispositivo em estado sólido mais simples que existe e o seu
dents to sound [...] like native speakers, or more like the teacher
uso é bastante amplo. Suas aplicações são as mais variadas como, por
[…]. The primary aim must be to help learners to communicate
exemplo, em retificadores não controlados ou parcialmente controlados,
successfully when they listen or speak in English, often with
conversores dc-dc, diodo de roda livre (elemento que fornece caminho para
other non-native speakers.
dissipação de energia) e várias outros. Existem hoje vários tipos de diodos
noobjetivo
O mercado,docada qualda
ensino com suas características
pronúncia não pode serparticulares
mais fazerde aplicação
com que
e funcionamento.
os No entanto,
alunos soem como o estudo
falantes nativos doou
diodo deseu
como junção irá proporcionar
professor. O obje-
a base, caso seja necessário para estudar qualquer outro
tivo primário deve ser ajudar os aprendizes a se comunicar com tipo de diodo.

lOMoARcPSD|32334808
2 UNIUBE
Outro componente semicondutor de grande importância no estudo da

eletrônica é o transistor bipolar de junção. Esse componente, inicial-
mente concebido para ser o substituto das válvulas como elemento
amplificador, ganhou outras aplicações como, por exemplo, o seu uso
como chave de estado sólido. Após a sua invenção, vários outros tipos
de transistores foram desenvolvidos, mas sua simplicidade tanto no que
diz respeito à construção quanto à operação, faz do transistor bipolar
de junção um estudo básico de transistores.
Objetivos
Ao término dos estudos propostos neste capítulo, esperamos que você
esteja apto(a) a:
• explicar as características gerais de uma junção PN;

• aplicar os conceitos de polarização direta e polarização reversa
em um diodo de junção PN;
• explicar a operação de um diodo a partir da análise de sua curva
característica e da reta de carga de um circuito;
• explicar o funcionamento do diodo quando aplicado a circuitos
CC ou a circuitos CA;
• apontar as características construtivas de um transistor bipolar
de junção;
• explicar a operação de um transistor bipolar de junção.
Esquema
Diodos de junção: características gerais
1.1 Construção e operação do diodo de junção

1.1.1 Materiais extrínsecos dos tipo P e N
1.1.2 O diodo semicondutor
1.1.3 Equação de um diodo
1.1.4 Efeitos da temperatura

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 3
1.2 Valores de resistência

1.2.1 Resistência CC ou estática
1.2.2 Resistência CA ou dinâmica
1.2.3 Resistência CA média
1.3 Circuitos equivalentes do diodo
1.3.1 Circuito equivalente linear por partes
1.3.2 Circuito equivalente simplificado
1.3.3 Circuito equivalente ideal
1.4 Diodo zener e diodo emissor de luz (LED)
1.4.1 Diodo zener
1.4.2 Diodo emissor de luz (LED)
Aplicações do diodo de junção
1.5 Análise por reta de carga
1.6 Configurações em série, em paralelo e em série-paralelo de diodos
com alimentação CC
1.7 Retificadores monofásicos com carga resistiva
1.7.1 Transformadores
1.7.2 Retificador monofásico de meia onda
1.7.3 Retificadores monofásicos de onda completa
1.7.3.1 Retificador monofásico de onda completa em
ponte
1.7.3.2 Retificador monofásico de onda completa usando
transformador com derivação central
1.8 Uso do filtro capacitivo em retificadores
1.9 Exemplos do uso de diodos zener em circuitos CC
1.9.1 Circuito com Vi e RL fixos
1.9.2 Circuito com Vi fixo e RL variável
1.9.3 Circuito com Vi variável e RL fixo
Transistor bipolar de junção (TBJ)
1.10 Construção do transistor bipolar de junção
1.11 Operação do transistor bipolar de junção

lOMoARcPSD|32334808
4 UNIUBE
Diodos de junção: características gerais
Antes de estudar as aplicações dos diodos de junção, é importante compre-

endermos alguns aspectos básicos quanto à construção e operação desses
dispositivos. Isso facilitará a compreensão da funcionalidade de um diodo em
um circuito.
1.1 Construção e operação do diodo de junção
Como já citado anteriormente, o diodo é o dispositivo semicondutor mais simples

que existe e isso se deve tanto às suas características construtivas quanto às
suas características operacionais. Neste ponto, será feita uma breve revisão
dos conceitos relacionados à física dos semicondutores.
1.1.1 Materiais extrínsecos dos tipos P e N
Segundo Boylestad (2004, p. 3), “um semicondutor é, portanto, o material que tem
um nível de condutividade entre os extremos de um isolante e de um condutor”.
Pela descrição dada, os semicondutores apresentam características interme-

diárias entre os isolantes e os condutores, sendo utilizados em benefício da
eletrônica. No entanto, os materiais semicondutores não são utilizados da forma
como são encontrados na natureza; precisam, antes, passar por processos
industriais de purificação até que possam ser “transformados” em dispositivos
eletrônicos como o diodo, por exemplo. Após o processo de purificação, os
materiais semicondutores recebem a denominação de materiais intrínsecos.
Na tabela periódica, pode-se observar que existem, na natureza, sete elementos

semicondutores. Contudo, dois desses elementos merecem destaque pelo seu
uso em dispositivos eletrônicos: o germânio e o silício. Quando comparados,
o silício possui uma utilização mais ampla que o germânio, em virtude de os
dispositivos de silício suportarem correntes maiores e também por operarem a
temperaturas superiores às do germânio. Dessa forma, este estudo tomará o
silício como elemento semicondutor padrão, salvo indicação contrária.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 5
As características apresentadas pelos materiais semicondutores são de grande

interesse na eletrônica. No entanto, para que tais características possam ser
utilizadas, os materiais semicondutores precisam passar antes por um processo
denominado dopagem, por meio do qual impurezas são adicionadas à rede
cristalina dos materiais intrínsecos.
Considerando que o silício possui em sua última camada de valência 4 elétrons,

ou seja, o silício é um elemento tetravalente, podemos ter duas situações em
relação à dopagem:
1. um elemento trivalente é adicionado à rede cristalina do silício, que através

de uma ligação covalente com o átomo trivalente ficará com 7 elétrons e uma
lacuna em sua última camada;
2. um elemento pentavalente é adicionado à rede cristalina do silício, que através

de uma ligação covalente com o átomo pentavalente ficará com a sua última
camada completa (8 elétrons).
Para a primeira situação, a lacuna dará à rede uma característica positiva, de-
vido à ausência de uma carga negativa, e irá aceitar um elétron livre. Por esse
motivo, as impurezas trivalentes são chamadas de átomos aceitadores.
Após o processo de dopagem do semicondutor com uma impureza aceitadora,

o material passa a ser chamado de material tipo P. Devido à sua característica
positiva. A Figura 1, a seguir, ilustra o material do tipo P.
Figura 1: Material do tipo P.

Fonte: Adaptado de Boylestad (2004).
Na segunda situação, o elétron excedente do processo de dopagem do semi-

condutor com uma impureza pentavalente está fracamente ligado ao seu átomo

lOMoARcPSD|32334808
6 UNIUBE
e possui certa mobilidade dentro da rede cristalina. Como há um excesso de

elétrons, a rede terá uma característica negativa, daí o material passar a ser
chamado de material tipo N. Como o átomo pentavalente cedeu um átomo à
rede, tal átomo é chamado de doador. A Figura 2, a seguir, ilustra o material do
tipo N.
Figura 2: Material do tipo N.

Após o processo de dopagem, seja com átomos aceitadores ou com átomos

doadores, o material passa a ter a denominação de extrínseco. Para o material
do tipo P, como há um excesso de cargas positivas, diz-se que os portadores
majoritários são as lacunas e os portadores minoritários são os elétrons. Já
para o material do tipo N, há um excesso de elétrons e, portanto, os portadores
majoritários são os elétrons e os portadores minoritários são as lacunas.
1.1.2 O diodo semicondutor
O diodo semicondutor é formado pela união dos dois materiais extrínsecos

apresentados, um do tipo P e o outro do tipo N, formados em uma mesma base,
seja de silício ou de germânio.
Uma vez que o diodo tenha sido construído, tem-se acesso aos materiais se-
micondutores por meio de terminais externos que são ligados aos materiais
extrínsecos. O comportamento do diodo, a partir de agora, será decorrente de
como uma fonte de tensão externa será ligada a ele. Esse processo ganha o
nome de polarização, sendo possíveis para o diodo três situações:
1. na primeira situação, nenhuma fonte externa é aplicada ao diodo, ou seja,

o diodo está sem polarização. Nesse caso, em torno da junção, formar-se-á

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 7
uma região denominada de região de depleção, região esta formada pela

combinação de elétrons e lacunas. O uso da palavra depleção é justificado,
uma vez que faltam portadores livres próximos à região da junção. A Figura
3, a seguir, ilustra a condição de um diodo sem polarização;
Região de
depleção
Figura 3: Diodo sem polarização externa.

2. na segunda situação, uma fonte externa é ligada ao diodo com o terminal

positivo da fonte ligado ao material do tipo P e o terminal negativo ligado
ao material do tipo N. Nessa condição, chamada de polarização direta,
as lacunas no material P serão repelidas em direção à região de depleção,
acontecendo o mesmo com os elétrons no material N. No lado P, as lacunas
irão se recombinar com os íons negativos e, no lado N, os elétrons irão se
recombinar com os íons positivos. Esse processo de recombinação em am-
bos os lados fará com que a região de depleção diminua, permitindo que o
fluxo de portadores majoritários aumente. Assim que a região de depleção
diminui, as lacunas repelidas pelo potencial positivo ligado ao material P serão
fortemente atraídas pelo potencial negativo ligado ao material N. O mesmo
acontece com os elétrons no material N, que serão fortemente atraídos pelo
potencial positivo no material P.
Na medida em que a tensão de polarização aumenta, o fluxo de portadores

majoritários aumenta de forma exponencial. Vale ressaltar que há um fluxo de
cargas, contrário ao fluxo dos portadores majoritários, formado pelos porta-
dores minoritários. Normalmente, esse fluxo é constante; e, para dispositivos

lOMoARcPSD|32334808
8 UNIUBE
semicondutores de baixa potência, não supera os microampères. A esse

fluxo de portadores minoritários, dá-se o nome de corrente de saturação
reversa (IS). O fluxo resultante (ID) é a diferença entre o fluxo de portadores
majoritários e o fluxo de portadores minoritários. A Figura 4 ilustra a situação
de polarização direta;
Região de depleção
diminuída
Figura 4: Diodo com polarização direta.

3. por fim, a última situação é o inverso da polarização direta, ou seja, é uma

polarização reversa – ou inversa. Nesse caso, o terminal positivo da fonte
estará ligado ao material do tipo N e o terminal negativo ligado ao material
do tipo P. No material N, os elétrons serão atraídos para o terminal positivo
da fonte, ocorrendo o mesmo com as lacunas no material P, atraídas pelo
terminal negativo da fonte. O resultado será que, em cada material, haverá
um aumento no número de íons não combinados próximos à região de de-
pleção, fazendo com que a largura dessa região cresça, impedindo, assim,
o fluxo de portadores majoritários. A Figura 5, a seguir, ilustra a situação de
polarização reversa.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 9
Região de depleção
aumentada
Figura 5: Diodo com polarização reversa.

Vale lembrar que na situação de polarização reversa ainda existirá um pequeno

fluxo de portadores que conseguirão passar pela região de depleção, agora,
ampliada. Esse fluxo é formado pelos portadores minoritários e é o mesmo fluxo
citado na situação de polarização direta, sendo de pequena amplitude – alguns
microampères, para dispositivos de baixa potência – podendo chegar a miliam-
pères para dispositivos de alta potência.
AGORA É A SUA VEZ
Faça, agora, a atividade indicada a seguir.
Atividade 1
a) Quais os tipos de materiais extrínsecos que formam um diodo e quais são os

seus portadores majoritários e minoritários?
b) Explique como um diodo pode ser polarizado reversamente e qual a dinâmica

das cargas nessa situação.
c) Explique como um diodo pode ser polarizado diretamente e qual a dinâmica das
cargas nessa situação.

lOMoARcPSD|32334808
10 UNIUBE
1.1.3 Equação de um diodo
A equação que descreve as características de um diodo, tanto na condição de

polarização direta quanto na condição de polarização reversa, é:
 kT⋅VD 
I D =⋅
I S  e K − 1 Equação I
 
 
Em que:
• ID é a corrente no diodo;
• IS é a corrente de saturação reversa;

11600
• k é uma função do coeficiente de emissão (h) e vale , com 1 ≤ h ≤ 2 ;
h
• TK é a temperatura em Kelvin (TK = TºC + 273º).
O gráfico da Figura 6, a seguir, ilustra a equação I:
Figura 6: Curva característica de um diodo de silício.

Fonte: Adaptado de Boylestad (2004, p. 12).

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 11
O diodo possui duas regiões de operação: a região de polarização direta e a

região de polarização reversa.
Na região de polarização direta pode ser observado que a curva característica

cresce exponencialmente após atingir a região denominada de joelho da curva.
Observe atentamente, que mesmo antes da tensão de joelho (aproximadamente
0,7V para diodos de silício e 0,3V para diodos de germânio) há corrente direta
pelo diodo e que esta corrente cresce rapidamente após este valor de tensão.
Na região de polarização reversa é observado, como citado anteriormente, que

há uma pequena corrente que circula pelo diodo, denominada de corrente de
saturação reversa. Essa corrente se mantém praticamente constante, à medida
que a tensão reversa no diodo cresce. O diodo irá suportar uma tensão reversa
até o ponto em que haverá uma diferença de potencial tão grande sobre ele que
fará com que um processo denominado de avalanche ocorra. O processo de
avalanche fará com que a corrente reversa cresça, mais rapidamente do que na
polarização direta, o que irá danificar o dispositivo. A região onde o processo de
avalanche ocorre é denominada de região de ruptura reversa ou região zener.
1.1.4 Efeitos da temperatura
A seção anterior tratou da equação do diodo, que define as características nas

condições de polarização direta e reversa. Essas características podem ser mo-
dificadas pela variação da temperatura à qual o diodo é submetido. Por exemplo,
segundo Boylestad (2004, p. 12), “a corrente de saturação reversa IS terá sua
amplitude praticamente dobrada para cada aumento de 10ºC na temperatura.”
O gráfico da Figura 7, a seguir, ilustra as variações que podem ocorrer nas

curvas características dos diodos de silício e de germânio, quando há variação
na temperatura.

lOMoARcPSD|32334808
12 UNIUBE
Figura 7: Efeitos da temperatura na curva característica do diodo.

Como pôde ser observado no gráfico, um aumento na temperatura irá causar um

adiantamento na condução direta do diodo, ou seja, o diodo irá entrar em condu-
ção a uma temperatura menor. Na polarização reversa, o que pode ser observado
é que um aumento na temperatura fará com que o diodo conduza uma corrente
reversa maior e atingirá a região de ruptura a uma tensão maior. Os efeitos con-
trários podem ser observados quando há uma diminuição na temperatura.
IMPORTANTE!
Lembre-se de que o diodo é formado a partir de materiais semicondutores e que estes

possuem coeficiente de temperatura positivo, ainda que os efeitos observados sejam
com referência na curva característica na temperatura ambiente.
1.2 Valores de resistência
Normalmente, o diodo é submetido a um de dois tipos de tensão: tensão CC ou

tensão CA. Uma vez que a característica do diodo em condução direta é não
linear (exponencial), à medida que o ponto de operação do diodo se move sobre

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 13
a curva característica, a sua resistência irá variar. A variação no tempo do sinal

aplicado ao diodo irá definir a variação do ponto de operação. Serão definidos
três níveis de resistência para o diodo ao longo deste tópico: a resistência CC
ou estática, a resistência CA ou dinâmica e a resistência CA média.
Veja-os, a seguir.
1.2.1 Resistência CC ou estática
A resistência CC ou estática é a resistência apresentada por um diodo quando

este é submetido a uma tensão contínua VD, ou seja, cujo valor não se altera
com o tempo. Uma vez que a tensão aplicada não varia com o tempo, o ponto
de operação do diodo também não irá variar e, portanto, a resistência apresen-
tada terá valor fixo. A tensão aplicada irá estabelecer uma corrente ID pelo diodo,
corrente esta que também terá um valor fixo. Dessa forma, pode-se determinar
o valor da resistência estática RD da seguinte forma:
VD
RD =
ID
A representação da curva característica, com o respectivo ponto de operação,
pode ser observada na Figura 8, a seguir.
Figura 8: Ponto de operação fixo sobre a curva determinando uma

resistência estática.
Fonte: Boylestad (2004, p. 15).

lOMoARcPSD|32334808
14 UNIUBE
Exemplo 1
Dado o gráfico da Figura 9, determine o valor de RD para os seguintes valores

de VD.
Figura 9: Resistência estática.

Resoluções
a) VD = 0,5V
Pelo gráfico, para uma tensão de 0,5V tem-se uma corrente de, aproximada-
mente, 5mA, ou pouco acima de 5mA (≈5,5mA). Assim, tem‑se:
0,5V
=
RD @ 91W
5,5mA
b) VD = 0,8V
Pelo gráfico, para uma tensão de 0,8V tem-se uma corrente de 40mA. Assim,
tem-se:
0,8V
RD= = 20W
40mA
c) VD = -10V

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 15
Pelo gráfico, para uma tensão de -10V (onde o sinal negativo indica apenas
polarização reversa) tem-se uma corrente de -1mA (onde o sinal negativo indica
apenas corrente reversa). Assim, tem-se:
−10V
=
RD = 10 M W
−1m A
Observe que na polarização direta, à medida que a tensão de polarização
cresce, a corrente aumenta e a resistência diminui, ambas de forma rápida. Já
na polarização reversa, a resistência aumenta substancialmente.
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 2
Com base no gráfico da figura 7, determine a resistência CC para uma tensão de

0,7V para as curvas características a 25ºC e a 100ºC. Faça o mesmo para VD = -30V.
1.2.2 Resistência CA ou dinâmica
Ao contrário da resistência estática, quando um sinal de tensão alternado é

aplicado ao diodo, haverá uma variação na amplitude da tensão aplicada e,
portanto, uma variação da corrente que irá percorrer o diodo. Uma vez que há
tanto variação de tensão quanto variação de corrente, a resistência será dinâmica
e dependerá da variação das grandezas tensão e corrente. Observe a parte da
curva característica mostrada na Figura 10, a seguir.

lOMoARcPSD|32334808
16 UNIUBE
Característica
do diodo
Linha tangente
Ponto Q
(Operação cc)
Ponto Q
∆Vd
Figura 10: Características da resistência CA ou dinâmica.

As variações que ocorrem na tensão e na corrente são finitas, por isso o uso
do símbolo ∆ junto às grandezas. Observe que a variação da tensão é de baixa
amplitude, tal que é possível traçar uma reta tangente ao ponto de operação
Q (definido por um valor CC). Assim, pode-se determinar o valor da resistência
CA (rd), como sendo:
∆Vd
rd =
∆I d
Exemplo 2
Considerando a curva característica da figura 7, para T = 25ºC, calcule a re-

sistência CA do diodo para um ponto Q, situado em ID = 10mA, determinado
em operação CC. Considere uma amplitude de 2mA, para cima e para baixo,
escolhida de forma conveniente.
Resolução
Com base no gráfico, tem-se uma variação de tensão de, aproximadamente, 1,4V
– 1,2V = 0,2V, e uma variação de corrente de 12mA – 8mA = 4mA, resultando em:
0, 2V
rd= = 50W
4mA

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 17
A resistência dinâmica foi determinada graficamente. Contudo, uma boa aproxima-

ção para a resistência dinâmica é obtida a partir da equação do diodo. A equação I
pode ser derivada em relação a VD e, após algumas operações básicas do cálculo
diferencial e algumas considerações, a equação, a seguir, é determinada.
26mV
rd =
ID Si , Ge
A equação descrita é precisa somente na região de aumento vertical da curva

característica do diodo e também foi calculada considerando a temperatura
ambiente (25ºC). Não foram consideradas nem a resistência do material se-
micondutor nem a resistência que há entre os contatos metálicos e o material
semicondutor, ou seja, somente a resistência da junção foi considerada. Para
uma resposta completa, deve-se acrescentar o que é denominada de resistên-
cia de corpo (rB).
1.2.3 Resistência CA média
O conceito da resistência CA média (rAV) é semelhante ao da resistência dinâ-

mica, com a diferença de que a amplitude do sinal de tensão aplicado ao diodo
agora é grande. Observe o gráfico da Figura 11 mostrado, a seguir.
ID(mA)
20
15
∆Id 10
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 VD (V)
∆Vd
Figura 11: Exemplo de resistência CA média. Observe

a variação ponto a ponto da corrente.

lOMoARcPSD|32334808
18 UNIUBE
Observe que, agora, tem-se uma variação maior da tensão, o que proporciona
uma variação ainda maior da corrente, denominada de variação ponto a ponto.
Uma de suas características é que não é possível traçar uma reta tangente de-
vido à grande variação sofrida pela corrente. A resistência CA média pode ser
calculada da seguinte forma:
∆Vd
rAV =
∆I d ponto a ponto
Para a figura 11, tem-se:

VD = 0, 725 − 0, 65 = 0, 075V  0, 075V
 → rAV = =
5W
I D = 17 mA − 2mA = 15mA  15mA
Nota: exemplo retirado de Boylestad (2004, p. 18).
1.3 Circuitos equivalentes do diodo
Segundo Boylestad (2004, p. 18), “um circuito equivalente é uma combinação de

elementos corretamente selecionados para melhor representar as características
reais de um dispositivo, um sistema ou uma região específica de operação”.
Dessa forma, pode-se afirmar que o circuito equivalente de um diodo irá pro-
porcionar uma melhor compreensão de seu funcionamento em um circuito,
facilitando o emprego de técnicas tradicionais de análise de circuitos. Deve-se
ressaltar que, devido ao uso de circuitos equivalentes, a resposta obtida a par-
tir de técnicas de análise de circuitos será uma resposta aproximada, que irá
depender do circuito onde o dispositivo estiver inserido.
1.3.1 Circuito equivalente linear por partes
O circuito equivalente linear por partes se propõe a aproximar a curva caracte-

rística do diodo a partir do uso de segmentos de reta, daí seu nome, linear por
partes. Esse circuito equivalente é uma primeira aproximação para o funciona-
mento do dispositivo. Observe a Figura 12, a seguir.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 19
Figura 12: Circuito equivalente linear por partes.

As letras A e K representam, respectivamente, ânodo (P) e cátodo (N).
Observe que pelo circuito equivalente linear por partes, o diodo é representado
por uma fonte VT, contrária à polarização VD aplicada, representando a queda
direta no diodo, uma resistência rAV responsável pela inclinação na curva do
diodo e pelo símbolo do diodo ideal, indicando o sentido único de condução. Os
três elementos citados foram corretamente selecionados e dispostos de modo
a representar o funcionamento do diodo. Tenha em mente que se trata apenas
de uma representação simbólica do dispositivo com o objetivo de análise, e não
uma substituição real do dispositivo em um circuito.
1.3.2 Circuito equivalente simplificado
Na maioria dos circuitos onde o diodo será empregado, a resistência média da

junção do diodo será muito menor do que a resistência apresentada pelo restante
do circuito, ou seja, pode-se, com uma boa precisão, desprezar a resistência
média do diodo nos cálculos do circuito. Assim, a representação do diodo pelo
seu circuito equivalente simplificado fica, segundo ilustrado na Figura 13 a seguir.

lOMoARcPSD|32334808
20 UNIUBE
Figura 13: Circuito equivalente simplificado.

Observe que a curva característica, agora, é ilustrada como tendo rAV = 0W e,

ainda, que, ao atingir a tensão VT, o diodo irá conduzir instantaneamente. Esse
circuito equivalente é o mais utilizado nas análises de circuitos elétricos envol-
vendo diodos.
1.3.3 Circuito equivalente ideal
Por meio de uma análise semelhante à realizada com rAV, a queda de tensão
apresentada pelo diodo na polarização direta também pode ser desprezada em
aplicações em que as tensões envolvidas no circuito onde o diodo está inserido
são muito maiores do que a queda de tensão direta VT. Dessa forma, assim que
o diodo for polarizado diretamente, a condução de corrente será instantânea. A
Figura 14, a seguir, ilustra o circuito equivalente ideal.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 21
Figura 14: Circuito equivalente ideal.

AGORA É A SUA VEZ
Atividade 3
Explique quais as aproximações realizadas no circuito equivalente linear por partes,

para se chegar ao circuito equivalente ideal.
1.4 Diodo zener e diodo emissor de luz (LED)
Existem vários tipos de diodos utilizados nas mais diversas aplicações. Con-
tudo, dois desses diodos merecem destaque na eletrônica: o diodo zener e o
diodo emissor de luz (LED – do inglês Light‑Emitting Diode).
1.4.1 Diodo zener
Quando estudamos a curva característica do diodo, mencionamos que ao au-

mentar o nível de tensão reversa aplicada ao diodo até certo ponto, uma corrente
reversa muito alta surgiria no diodo, na direção contrária à da polarização direta.

lOMoARcPSD|32334808
22 UNIUBE
Por meio de uma manipulação (no caso, um aumento) no nível de dopagem

dos materiais extrínsecos é possível fazer com que a curva da corrente reversa
se aproxime do eixo vertical. A tensão, na qual a alta corrente reversa flui, é
chamada de tensão zener e a região da curva onde o diodo passa a trabalhar
é denominada de região zener. Dessa forma, os diodos do tipo zener são es-
pecialmente projetados para trabalharem reversamente polarizados na região
de ruptura (zener). Quando diretamente polarizados, o seu comportamento é
idêntico ao de um diodo comum.
A Figura 15, a seguir, ilustra a região de operação do diodo zener, assim como
mostra o seu símbolo elétrico com polarização conveniente.
Figura 15: Região zener e símbolo elétrico do diodo zener.

A máxima corrente reversa suportada por um diodo zener deverá ser calculada
com base na informação fornecida pelo fabricante sobre a máxima potência
(PZM) que o zener poderá dissipar. Caso a corrente máxima (IZM) seja excedida,
o zener poderá ser danificado permanentemente.
Como pode ser observado pelo gráfico, como a curva da corrente reversa é
praticamente paralela ao eixo vertical, significa que mesmo que a corrente pelo
zener aumente, a tensão VZ será mantida constante.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 23
1.4.2 Diodo emissor de luz (LED)
Como explicado no início do estudo sobre diodos, ao longo de todo o material

semicondutor, elétrons e lacunas estão constantemente recombinando-se,
principalmente próximo à junção. Quando um elétron se recombina com uma
lacuna, a energia que estava armazenada naquele elétron é liberada sob duas
formas: na forma de calor e na forma de luz (fóton).
Em materiais como o silício e o germânio, a principal forma como a energia é

liberada é o calor, sendo a liberação de luz praticamente inexistente. Contudo,
existem materiais cuja emissão de luz é bastante significante, sendo esta pro-
priedade utilizada na fabricação de componentes sinalizadores.
O LED é um exemplo desses componentes e seu uso é bastante difundido como,

por exemplo, em televisores, monitores de computador, faróis de alguns carros
(LEDs de alto brilho) e vários outros. A Figura 16, a seguir, ilustra o símbolo
elétrico, assim como a polarização de um LED.
Figura 16: Símbolo elétrico do LED e polarização direta.

Para que um LED emita luz, ele precisa ser polarizado diretamente, sendo que
a corrente que irá percorrer o componente deverá ser limitada a um valor conve-
niente, normalmente pela utilização de um resistor ligado em série com o LED.
Aplicações do diodo de junção
As características construtivas e operacionais do diodo foram apresentadas na

primeira parte deste estudo e servirão de base para as análises que seguirão.

lOMoARcPSD|32334808
24 UNIUBE
O diodo basicamente funciona como uma chave semicondutora que não pode ser
controlada, ou seja, quando está polarizado diretamente é uma chave fechada e
quando está reversamente polarizado, uma chave aberta. As afirmações feitas
quanto à semelhança do diodo com uma chave são verdadeiras considerando
o circuito equivalente ideal do diodo. A Figura 17, a seguir, ilustra as situações
de chave fechada e chave aberta, respectivamente.
Figura 17: Comparação do diodo operando como chave.

Antes de analisarmos algumas aplicações do diodo, faremos uma análise do

ponto de operação do diodo em um circuito relativo à carga do circuito. Essa
análise é denominada de análise por reta de carga.
1.5 Análise por reta de carga
A operação de um diodo em um circuito é influenciada pela carga aplicada ao

circuito, ou seja, o ponto de operação do diodo (leia-se coordenadas I DQ e VDQ) é
alterado se a carga for alterada. Observe o circuito da Figura 18, a seguir.
Figura 18: Circuito básico para análise por reta de carga.


lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 25
A corrente ID que passa pelo diodo é a mesma que passa pela carga R. Aplicando
a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha, tem-se:
E − VD − VR =0 → E =VD + I D ⋅ R
Como para se traçar uma reta são necessários dois pontos, podemos adotar um
ponto sobre o eixo de VD (ID = 0A) e outro sobre o eixo de ID (VD = 0V), ou seja:
Para I D = 0 A, tem-se: E = VD + 0 ⋅ R → VD = E I
D =0 A
E
Para VD =0V , tem-se: E =0 + I D ⋅ R → I D =
R VD =0V
Traçando a reta encontrada no mesmo gráfico da curva característica do diodo,

tem-se o resultado ilustrado na Figura 19, a seguir.
Figura 19: Reta de carga e ponto de operação.

Pelo gráfico, pode-se observar que o ponto que marca a intersecção entre a reta
de carga do circuito e a curva característica do diodo é justamente o ponto de
operação (ponto Q) do diodo. Com o auxílio do gráfico, determinam-se os valores
de ID e VD. O índice Q colocado junto às coordenadas do ponto de operação é
justamente para indicar que os valores são relativos ao ponto Q.

lOMoARcPSD|32334808
26 UNIUBE
Uma vez que para VD = 0V a corrente vale E/R, se o valor da carga do circuito
for alterado, o ponto sobre o eixo de ID também será alterado, alterando conse-
quentemente o ponto Q.
Exemplo 3
Dado o circuito da Figura 20 e o gráfico da Figura 21, a seguir, determine os

valores de VDQ , I DQ e VR .
Figura 20: Exemplo de análise por reta de carga.

Figura 21: Curva característica do diodo.

Resolução
Primeiramente, serão determinados os dois pontos extremos da reta de carga.

E 12
VD =E → VD =12V e ID = → ID = =5mA
R 2, 4k

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 27
Em segundo, a reta de carga é traçada, definindo o ponto Q na intersecção com

a curva característica, permitindo que as leituras de I DQ e VDQ , no gráfico, sejam
realizadas. A Figura 22, a seguir, ilustra o procedimento descrito.
Figura 22: Determinação do ponto Q, graficamente.

Assim, a corrente, tanto no diodo quanto na carga, vale, aproximadamente,

4,6mA. A tensão na carga vale:
VR =E − VDQ =12 − 0,9 =11,1V ou VR @ 4, 6m ⋅ 2, 4k =11, 04V
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 4
4,8kW.
Refaça o exemplo 3, agora, considerando que a carga dobrou, ou seja, é R = 4,8k

lOMoARcPSD|32334808
28 UNIUBE
1.6 Configurações em série, em paralelo e em série‑paralelo de

diodos com alimentação CC
Para as análises seguintes, será utilizado o circuito equivalente simplificado do

diodo, ou seja, tomando como base o diodo de silício, se diretamente polarizado
com uma tensão de, pelo menos, 0,7V, o diodo entra imediatamente em con-
dução e, se reversamente polarizado, o diodo opera como um circuito aberto.
Como já mencionado, para que um diodo entre em condução direta é necessário

que a tensão aplicada ao ânodo seja mais positiva do que a tensão aplicada ao
cátodo. Nos circuitos em corrente contínua, em geral, o diodo estará diretamente
polarizado se o sentido de circulação da corrente convencional no circuito coin-
cidir com a seta do símbolo do diodo.
Exemplo 4
Determine o valor da corrente ID e da tensão VR no circuito da Figura 20. Con-

sidere o diodo como sendo de silício.
Resolução
Como VD = 0,7V, tem-se:
12 − 0, 7
E = VD + I D ⋅ R → 12 = 0, 7 + I D ⋅ 2, 4k → I D = @ 4, 71mA
2, 4k
VR =E − VD =12 − 0, 7 =11,3V
VR =E − VD =I D ⋅ R → 
VR = I D ⋅ R = 4, 71m ⋅ 2, 4k @ 11,3V
Caso o diodo esteja invertido em relação ao sentido de circulação da corrente

estabelecida pela fonte, configura-se uma situação de polarização reversa e o
diodo irá operar como um circuito aberto. Para o caso de uma configuração série,
como não há corrente circulando pelo circuito não haverá queda de tensão na
carga e toda a tensão da fonte estará aplicada nos terminais do diodo.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 29
Para configurações nas quais um diodo está ligado em paralelo com outro(s)
diodo(s), ocorrerá uma divisão da corrente entre os diodos ligados em paralelo.
Observe o exemplo 5, da Figura 23, a seguir.
Exemplo 5
Determine o valor da tensão VO e das correntes ID1, ID2, I1 e I2 no circuito, a seguir.
Figura 23: Exemplo de configuração em paralelo de diodos.

Resolução
Uma vez que o diodo esteja diretamente polarizado, a tensão sobre ele será de
0,7V e, uma vez que VO é a tensão sobre o resistor R2, que está em paralelo
com os diodos D1 e D2, VO também será igual a 0,7V. Assim, a corrente I2 pode
ser calculada como segue:
VO 0, 7
=
I2 = = 0, 7 mA ou 700 m A
R2 1k
Pelo circuito, vê-se que I1 é a corrente total do circuito e vale:
E − VD 12 − 0, 7
=I1 = = 41,85mA
R1 270
Uma vez que foi indicado que D1 e D2 são ambos de silício, será assumido que
ID1 e ID2 serão iguais. Portanto:
41,85m − 0, 7 m
I=
D1 I=
D2 @ 20,57 mA
2

lOMoARcPSD|32334808
30 UNIUBE
IMPORTANTE!
Deve ficar claro que a suposição de que ID1 e ID2 são iguais é um caso ideal, visto que
apenas diodos com curvas características idênticas terão a mesma corrente quando
ligados em paralelo. Caso contrário, aquele diodo que possuir uma tensão de pola-
rização direta menor irá conduzir uma corrente maior, fato comprovado através da
análise da curva característica do diodo.
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 5
Dado o circuito da Figura 24, a seguir, determine o valor de I e o valor de VO. Para a
análise dos diodos, utilize o circuito equivalente simplificado.
Figura 24: Diodos ligados em paralelo.


lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 31
1.7 Retificadores monofásicos com carga resistiva
A palavra retificar significa “tornar reto, alinhar” e é justamente esta a ideia dos
circuitos retificadores que serão estudados.
A maioria das cargas industriais e uma parte das cargas residenciais necessitam
de corrente alternada (CA) para funcionarem. Contudo, em algumas aplicações,
uma corrente contínua (CC) é requerida e, nesse caso, o retificador é parte cons-
tituinte de uma fonte de alimentação CC. Uma vez que a alimentação de tensão,
seja na indústria ou na residência, é feita em corrente alternada, a maneira mais
simples de se obter a corrente contínua é fazer uma conversão CA-CC.
O uso de diodos como elementos retificadores talvez seja a aplicação mais co-
nhecida desses componentes. Retificadores que utilizam apenas diodos como
elementos de retificação são conhecidos como retificadores não controlados.
Existem outros tipos de retificadores como os controlados, que empregam
chaves semicondutoras controladas e os retificadores semicontrolados, que
misturam diodos e chaves semicondutoras controladas.
Na indústria, a maioria das cargas alimentadas por retificadores terá caracterís-

tica indutiva, ou seja, serão cargas RL. Neste estudo, serão consideradas apenas
cargas resistivas em sistemas monofásicos, ficando o estudo com cargas RL e
o sistema trifásico a cargo da eletrônica de potência.
Nas análises que seguem, o diodo será considerado ideal, ou seja, quando
diretamente polarizado não há queda de tensão e reversamente polarizador,
funciona como uma chave aberta, bloqueando totalmente a corrente reversa.
Antes do estudo dos circuitos retificadores, será realizada uma breve explanação
sobre transformadores.
1.7.1 Transformadores
Os transformadores são elementos utilizados para adequar o nível de uma

alimentação CA condizente com o nível desejado em um determinado circuito.
Se tomado como referência o valor eficaz de uma tensão, sabe-se que esse

lOMoARcPSD|32334808
32 UNIUBE
valor fornecido pela rede elétrica é fixo e pode ser aumentado, diminuído ou
mesmo mantido igual para ser utilizado em um projeto por meio do uso de um
transformador. Observe a ilustração da Figura 25, a seguir.
Figura 25: Exemplo de um transformador simples.
Em que:
• V1 e V2 são, respectivamente, a tensão eficaz no primário e a tensão eficaz

no secundário;
• N1 e N2 são, respectivamente, o número de espiras no primário e o número

de espiras no secundário;
• I1 e I2 são, respectivamente, a corrente no primário e a corrente no secundário;
Os parâmetros descritos se relacionam como mostrado, a seguir.

V1 N1 I 2
= =
V2 N 2 I1
Assim, pode-se ajustar o nível de tensão desejado na saída do transformador
através da relação de espiras. Observe o seguinte exemplo:
Exemplo 6
Qual a tensão no secundário de um transformador simples sabendo que a tensão

no primário é de 127V e que a relação de espiras é de, aproximadamente, 10,6:1?
Resolução
V1 Nüüüüü
Tem-se que: = → = → V2 = @ 12V
V2 N 2 V2 1 10, 6

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 33
Outro tipo de transformador é o com derivação central, ou, com tap central. A
Figura 26, a seguir, ilustra tal transformador.
Figura 26: Transformador de derivação central.
Observe que este transformador possui, em seu secundário, uma derivação

no centro do enrolamento. Isso faz com que a saída no secundário tenha duas
tensões possíveis: V2, tomada da derivação até uma das extremidades, ou 2×V2,
tomada de extremidade a extremidade.
Ainda com relação ao transformador com derivação central, quando no primário

há o semiciclo positivo ou o semiciclo negativo, o mesmo semiciclo aparecerá
no secundário, entre a derivação e as extremidades. Esse fato será importante
quando da análise do retificador que utiliza este transformador.
1.7.2 Retificador monofásico de meia‑onda
O retificador de meia-onda é assim chamado por ter como característica princi-

pal o fato de que apenas um semiciclo é retificado, ou seja, apenas metade da
onda senoidal será aproveitada e, ainda, por utilizar apenas um diodo em seu
circuito. Se for realizada uma análise energética, será constatado que o retifi-
cador de meia-onda despreza metade da energia carregada pelo sinal senoidal
em um período de condução. A Figura 27, a seguir, ilustra um circuito retificador
de meia-onda.

lOMoARcPSD|32334808
34 UNIUBE
Figura 27: Circuito retificador de meia onda.
Durante o semiciclo positivo do primário, uma onda de mesma polaridade será

induzida no secundário do transformador, polarizando diretamente o diodo D.
Assim, a tensão V2 será aplicada à carga RL durante metade do período de
condução. No semiciclo negativo, o diodo D estará reversamente polarizado,
operando como uma chave aberta e, portanto, não circulará corrente pela carga
e a tensão VO será igual a zero durante a outra metade do período de condução.
Toda essa operação está ilustrada na Figura 28 a seguir, que mostra as formas
de onda da entrada (primário) e sobre a carga (VO).
Figura 28: Formas de onda no primário e sobre a carga em um retificador

de meia-onda.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 35
As tensões Vm1 e Vm2 são, respectivamente, a tensão de pico no primário e a

tensão de pico no secundário. O diodo foi considerado ideal, devendo ser des-
contada a queda de tensão direta no diodo, caso seja desejado um resultado
mais preciso.
Como pode ser observado, há tensão na carga apenas metade do período de

condução, contudo, a frequência do sinal retificado permanece inalterada com
relação à frequência do sinal no primário. Com a retificação, o valor médio da
tensão na carga se torna diferente de zero, o que pode ser demonstrado pelo
cálculo do valor médio. Para o sinal de tensão retificado, o valor médio da ten-
são fica igual a:
Vm 2
VO= = 0,318 ⋅ Vm 2
avg
π
Considerando o circuito equivalente simplificado do diodo de silício:
VOavg =
(Vm 2 − 0, 7 ) = 0,318 ⋅ (Vm 2 − 0, 7 )
π
AGORA É A SUA VEZ
Faça, agora, as atividades indicadas a seguir.
Atividade 6
Demonstre que o valor médio da tensão retificada em meia-onda vale 0,318×Vm2.
Atividade 7
Com base no circuito da Figura 27, desenhe a forma de onda no diodo D para dois
períodos do sinal no primário.
Um dado importante para projeto é conhecer a tensão de pico inversa (PIV –

Peak Inverse Voltage) do diodo que será empregada no circuito retificador. Esse
dado informa a máxima tensão reversa que o diodo poderá ser submetido sem

lOMoARcPSD|32334808
36 UNIUBE
que atinja a região de ruptura reversa (região zener). O diodo retificador deverá
ter uma PIV ≥ Vm2 para que não corra o risco de ser danificado. A relação entre
a PIV e Vm2 pode ser deduzida aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões ao
longo da malha do secundário do transformador, considerando o diodo rever-
samente polarizado.
1.7.3 Retificadores monofásicos de onda completa
Os retificadores de onda completa, como o próprio nome sugere, utilizam os

dois semiciclos do sinal alternado, o que em comparação com os retificadores
de meia-onda, representa um ganho energético. Os retificadores de onda com-
pleta possuem dois circuitos básicos: o retificador de onda completa em ponte
e o retificador de onda completa usando transformador com derivação central.
As diferenças básicas entre os dois circuitos retificadores de onda completa

são a estrutura apresentada por cada um e o número de diodos empregados
na retificação.
1.7.3.1 Retificador monofásico de onda completa em ponte
A estrutura de um retificador de onda completa em ponte é apresentada na

Figura 29, a seguir.
Figura 29: Estrutura do retificador de onda completa em ponte.

Como pode ser observado, o retificador de onda completa em ponte tem em

sua estrutura quatro diodos retificadores. Durante a operação de retificação, em

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 37
cada semiciclo, apenas dois diodos estarão diretamente polarizados enquanto

os outros dois estarão reversamente polarizados. A seguir, a Figura 30 ilustra,
respectivamente, o semiciclo positivo e o semiciclo negativo.
Figura 30: Etapas de retificação em um retificador de onda completa em ponte.

Uma vez que para os dois semiciclos o sentido de circulação de corrente na

carga é o mesmo, as formas de onda terão a mesma polaridade. A Figura 31
mostra a forma de onda no primário e na carga.
Figura 31: Formas de onda para um retificador de onda completa em ponte.

lOMoARcPSD|32334808
38 UNIUBE
O período da onda retificada é a metade do período do sinal no primário, portanto,

a frequência do sinal retificado é o dobro da frequência da onda no primário.
Outra observação importante é em relação à PIV. Pode ser observado na Figura
30 que cada diodo reversamente polarizado está em paralelo com a carga R,
sendo esta submetida a uma tensão máxima Vm2. Portanto, assim como no caso
do retificador de meia‑onda, a PIV do diodo deve ser: PIV ≥ Vm2.
Uma vez que os dois semiciclos foram retificados, deduz-se que a tensão média
do sinal retificado será o dobro daquela obtida para o retificador de meia-onda,
ou seja:
2 ⋅ Vm 2
=
VOavg = 0, 636 ⋅ Vm 2
π
Não esquecendo que, caso seja necessário considerar a queda de tensão direta
no diodo, deverão ser considerados dois diodos, ou seja:
VOavg = 0, 636 ⋅ (Vm 2 − 1, 4 )
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 8
Demonstre que o valor médio da tensão retificada em onda completa vale 0,636
0,636×Vm2.
1.7.3.2 Retificador monofásico de onda completa usando transformador com

derivação central
O retificador de onda completa usando transformador com derivação central (ou

tap central) está ilustrado na Figura 32, a seguir. Observe que em sua estrutura
são utilizados apenas dois diodos e, para este exemplo, a relação de espirais
do transformador é de 1:2.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 39
Figura 32: Estrutura de um retificador de onda completa

usando transformador com derivação central.
Uma vez que o transformador possui a relação de espirais de 1:2, caso seja
medida a tensão total no secundário, leria-se 2×V1. Se a medição fosse feita a
partir da derivação até uma das extremidades, leria-se apenas V1. Na Figura
33, estão ilustradas as etapas de retificação.
Figura 33: Etapas de retificação em um retificador de onda completa usando

transformador com derivação central.
Observe que o diodo que fica reversamente polarizado, ilustrado como um

circuito aberto, ficará submetido a todo o potencial do secundário e, portanto,
deverá ter uma PIV ≥ 2×Vm2. Para este exemplo, Vm2 = Vm1 devido à relação de
transformação. A forma de onda retificada será a mesma do retificador de onda
completa em ponte, possuindo ainda, o mesmo valor médio.

lOMoARcPSD|32334808
40 UNIUBE
Exemplo 7
Um sinal de tensão alternada senoidal foi retificado em onda e apresenta como

saída a onda ilustrada na Figura 34, a seguir. Considere, nos cálculos, o circuito
equivalente simplificado para o diodo.
Figura 34: Onda retificada completa.
Sabendo que a amplitude (valor de pico) do sinal antes de ser retificado é de 17V,
determine o tipo de retificador de onda completa utilizado. Justifique a resposta.
Resolução
O tipo de retificador utilizado é o do tipo circuito retificador de onda completa

em ponte.
Informou-se que a amplitude do sinal, antes da retificação, é de 17V e que a

queda de tensão direta no diodo é de 0,7V (circuito equivalente simplificado).
Dessa forma, pelo gráfico, verifica-se que a amplitude da onda retificada é de,
aproximadamente, 15,6V, o que dá uma diferença aproximada 1,4V do valor de
pico da onda antes da retificação. O valor da diferença é exatamente a queda
em dois diodos, portanto, conclui-se que o retificador é na estrutura em ponte.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 41
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 9
Com relação à Figura 34, responda: qual o valor da tensão média do sinal retificado?
1.8 Uso do filtro capacitivo em retificadores
Como estudado no item anterior, a retificação visa converter um sinal alternado,

no caso senoidal, em um sinal contínuo. No entanto, o sinal retificado ainda
não é contínuo e, portanto, não pode ser aplicado a uma grande quantidade de
circuitos como, por exemplo, os circuitos digitais. Uma forma de tornar o sinal
retificado mais próximo de um sinal contínuo é por meio da utilização de um
capacitor ligado em paralelo com a carga. Uma vez que o sinal resultante da
retificação possui apenas uma polaridade (a corrente percorre a carga em apenas
um sentido), o capacitor eletrolítico é o utilizado em tais aplicações. Suponha
o caso de um capacitor ser conectado em paralelo à resistência de carga do
retificador de meia onda como ilustrado na Figura 35, a seguir.
Figura 35: Retificador de meia onda usando filtro capacitivo.
Quando o semiciclo positivo da tensão é aplicado, o diodo D ficará diretamente

polarizado, o que quer dizer que sua resistência é muito pequena. Assim, o ca-
pacitor será carregado na mesma “velocidade” com que a tensão no secundário
do transformador cresce. Isto se deve ao fato de que o capacitor será carregado
por meio da resistência do diodo (lembrando do estudo de circuitos elétricos

lOMoARcPSD|32334808
42 UNIUBE
que t = R×C). Assim que a tensão no secundário do transformador atingir seu

valor máximo (Vm2), a tensão no capacitor também será Vm2. À medida que
a tensão V2 começar a diminuir, o capacitor tentará descarregar sua energia
na carga RL, contudo, a constante de tempo t agora será grande uma vez que
RL >> rAV, fazendo com que o capacitor descarregue a energia bem devagar.
Isso quer dizer que a tensão no ânodo do diodo ficará menor que a tensão do
cátodo, o que resulta em um diodo reversamente polarizado. O circuito resul-
tante está ilustrado na Figura 36, a seguir. Entenda que, com o diodo “aberto”,
o capacitor irá descarregar sua energia na carga RL. A forma de onda resultante
está ilustrada na Figura 37, logo mais adiante.
Figura 36: Diodo aberto e capacitor descarregando sobre a carga.
A energia armazenada no capacitor será descarregada na carga e cai exponen-

cialmente com o tempo.
Figura 37: Onda resultante do uso de filtro capacitivo em circuito retificador

de meia onda.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 43
Na simulação do circuito foi utilizado uma fonte com 17V de pico, um capacitor de
15mF e uma carga de 1kW. Observe as figuras 38 e 39, nas quais foram utilizados
capacitores de 60mF e 1mF, respectivamente. Atente-se ao fato de que quanto
maior o capacitor, se mantida a carga, menor a oscilação do sinal filtrado. Essa
oscilação recebe o nome de ripple.
Figura 38: Sinal filtrado com C = 60mF.
Figura 39: Sinal filtrado com C = 1mF.

lOMoARcPSD|32334808
44 UNIUBE
O mesmo filtro capacitivo pode ser utilizado em circuitos retificadores de onda

completa. Uma vez que os dois semiciclos são aproveitados na retificação de
onda completa, pode-se dizer que um filtro de menor capacitância terá um efeito
melhor em um retificador de onda completa do que em um retificador de meia-
-onda. A Figura 40 ilustra a onda resultante se o retificador de meia-onda utilizado
até então fosse substituído por um retificador de onda completa em ponte. Um
capacitor de 15mF foi utilizado.
Figura 40: Onda completa após filtragem capacitiva.
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 10
Responda: quais são as vantagens do uso dos filtros capacitivos em retificadores?

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 45
1.9 Exemplos do uso de diodos zener em circuitos CC
Nas análises de circuitos contendo diodos, realizadas até o momento, o primeiro

passo dado foi a determinação do estado do diodo, ou seja, foi necessário de-
terminar se o diodo estava diretamente polarizado (chave fechada) ou se estava
reversamente polarizado (chave aberta). Nas análises que seguirão para os
diodos zener, será adotada a mesma estratégia, ou seja, será necessário de-
terminar se o diodo zener estará operando com a tensão fixa em VZ, se o diodo
está aberto ou se o diodo está operando como um diodo comum.
Como citado anteriormente, o diodo zener é projetado para operar na região

zener e, para tanto, deve ser polarizado reversamente. Caso o nível de tensão
reversa aplicada ao zener seja suficiente para fazer com que ele opere na re-
gião zener (V ≥ VZ), o resultado será que o zener irá apresentar uma queda de
tensão igual a VZ. Se a tensão reversa aplicada ao zener for menor do que VZ (V
< Vz), o diodo não alcançará a região zener e, em uma boa aproximação, será
considerado como um circuito aberto. Por fim, caso o zener seja diretamente
polarizado, ele irá operar como um diodo comum, apresentando uma pequena
queda direta de tensão.
Dessa forma, é apresentado o circuito da Figura 41, a seguir, que servirá de

base para o estudo do diodo zener em circuitos CC.
Figura 41: Circuito para análise de diodo zener.


lOMoARcPSD|32334808
46 UNIUBE
O resistor Rs é um resistor utilizado para limitar a corrente I, RL representa uma

carga, sendo o diodo zener ligado em paralelo com a carga, em que VZ é a tensão
zener e PZM é a máxima potência que o zener pode dissipar. Dividindo-se PZM
por VZ determina-se IZM, que é a corrente máxima que pode circular pelo diodo
zener. De acordo com o circuito da Figura 41, têm-se três possibilidades: Vi e
RL são fixos, Vi é fixo e RL é variável ou Vi é variável e RL é fixo.
1.9.1 Circuito com Vi e RL fixos
Para o caso de Vi e RL fixos, o circuito fica como mostrado na Figura 41 e o

primeiro passo será determinar o estado do diodo zener. Para isso, será utili-
zado o teorema de Thévenin para determinar a tensão entre os pontos a e b.
Mentalmente, o diodo zener será desconectado do circuito e a tensão Vab será
calculada como segue:
RL
= Vab ⋅ Vi
Rs + RL
Perceba que a tensão Vab é a tensão sobre a resistência de carga que forma um
divisor de tensão com Rs. Agora, existem duas possibilidades;
Vab < Vz → zener desligado
Vab ≥ Vz → zener ligado
Se o zener estiver “desligado” (Vab < VZ), ele estará operando como uma chave
aberta e não haverá corrente circulando por ele (IZ = 0A) e, como consequência,
PZ = 0W. O circuito resultante será formado pela fonte Vi em série com Rs + RL.
Contudo, se o zener estiver “ligado”, ele fixará a tensão em VZ, o que resultará
em VL = VZ. Assim:
VL VZ
=
IL =
RL RL
Do lado esquerdo de Rs, a tensão vale Vi e, do lado direito, VZ (pois o zener está
ligado), o que resulta em uma diferença de potencial de Vi - VZ. Assim:
VRs Vi − Vz
=
I =
Rs Rs

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 47
Dessa forma, determina-se a corrente IZ, como sendo: I Z = I − I L
Deve-se comparar o valor de IZ encontrado com o valor de IZM, pois IZ deve ser
menor ou igual a IZM.
Exemplo 8
Para o circuito da Figura 41, determine VL, IZ e PZ.
Dados: Vi =
12V , Rs =
100W , RL =W
1k , VZ =
9V e PZM =
500mW
Resolução
Primeiramente, deve-se determinar o estado do diodo zener, ou seja, verificar

se ele está ligado ou se está desligado. Para isso, determina-se a tensão entre
os pontos a-b (tensão de Thévenin) e compara-se com separar a tensão VZ.
RL 1k
=
Vab = ⋅ Vi ⋅12 @ 10,91V → Vab ≥ VZ → Portanto, o zener está ligado.
Rs + RL 100 + 1k
Como o zener está ligado, ele irá fixar a tensão em 9V, que é a tensão zener.
Como a carga está ligada em paralelo com o diodo zener, tem-se:
VL VZ 9
VL = VZ = 9V → I L = = → IL = = 9mA
RL RL 1k
Para o resistor Rs, pode-se dizer que há uma diferença de potencial de Vi - VZ,
ou seja, VRs = 3V. Assim, tem-se:
VRs 3
=
I = = 30mA , o que resulta em: I Z =I − I L =30m − 9m =21mA
Rs 100
A corrente máxima que pode circular pelo zener é calculada a partir de sua
potência máxima, ou seja:
PZM 500m
I ZM = = = 55,56mA → I Z < I ZM → PZ < PZM
VZ 9
Dessa forma, pode-se afirmar que o zener está operando dentro de seus limites.

lOMoARcPSD|32334808
48 UNIUBE
1.9.2 Circuito com Vi fixo e RL variável
No primeiro caso, tanto Vi quanto RL eram fixos. Agora, será considerada uma
carga variável. Este fato irá alterar o funcionamento do circuito uma vez que será
necessário determinar uma faixa de valores os quais a carga poderá assumir, ou
seja, será necessário determinar um RLmin e um RLmax. Deve-se considerar que
dentro dessa faixa de RL, o zener está ligado e operando dentro de seus limites.
No entanto, quais as implicações de RL assumir um valor fora do intervalo defi-

nido? Pode-se imaginar que RL assuma um valor abaixo de RLmin. Nesse caso,
deve-se observar que para se determinar o estado do diodo zener é necessário
calcular a tensão Vab, que é justamente a tensão sobre a carga, quando o zener
está desconectado do circuito. Caso RL seja muito baixo, a tensão Vab será menor
do que VZ, não ligando o zener, ou seja, existe um valor mínimo que RL deve ter
tal que o zener ligue para aquele valor (RLmin). Por outro lado, na medida em que
RL cresce, supondo que o zener já esteja ligado, a tensão sobre a carga será
fixa, mas como RL está crescendo, a corrente IL estará diminuindo. Uma vez que
Vi, VZ e Rs são fixos, pode-se afirmar que I também será fixa.
No entanto, IL está diminuindo, já que RL está crescendo. Para onde está indo
o excesso de corrente? Para o diodo zener.
Chega-se, portanto, à conclusão de que há um valor máximo que RL poderá

assumir tal que, naquele valor (RLmax), a corrente circulando pelo zener será IZM.
O circuito da Figura 42 ilustra o caso exposto e as equações que se seguem
são as representações matemáticas das análises realizadas para RL variável.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 49
Figura 42: Circuito com zener: Vi fixo e RL variável.

RL
Para que o diodo zener esteja ligado: Vab ≥ VZ → V= ⋅ Vi
Rs + RL
ab
RLmin
O zener irá ligar exatamente em RLmin, ou =
seja: VZ ⋅ Vi
Rs + RLmin
Note que Vab foi substituído por VZ, já que o cálculo está sendo realizado para
RL = RLmin. Resolvendo para RLmin, tem-se:
VZ
=
RL min ⋅ Rs
Vi − VZ
Quando o zener acaba de ligar (RL = RLmin), considera-se que a corrente que
passa pelo diodo é praticamente zero ou vale zero.
Agora, para o cálculo de RLmax, deve-se considerar que a corrente que irá circular
pelo zener, quando RL = RLmax, será IZM. Nesta situação, tem-se:
I L =−
I I ZM → Neste caso, I L pode ser chamada de I Lmin , o que resulta em:
VZ VZ
R= =
I L min I − I ZM
L max

lOMoARcPSD|32334808
50 UNIUBE
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 11
Para o circuito da Figura 42, determine a faixa de valores que RL poderá assumir, tal
que o zener esteja ligado e operando dentro de seus limites.
Dados: Vi =
=12V , Rs==100
W W , V=Z =9V e P=ZM =50mW
1.9.3 Circuito com Vi variável e RL fixo
Como último caso, tem-se a tensão de entrada variável para uma carga fixa. O
mesmo tipo de análise realizada para o caso anterior pode ser realizado aqui.
Primeiramente, determina-se em qual situação o diodo estará ligado e então
determina-se a condição máxima, quando IZ = IZM. A Figura 43 ilustra um circuito
com Vi variável e RL fixo.
Figura 43: Circuito com Vi variável e RL fixo.


lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 51
Se for considerada uma tensão Vi muito baixa, o diodo zener não estará ligado.
Portanto, deve-se determinar uma tensão Vimin, tal que o zener ligue com essa
tensão, ou seja:
RL RL
=Vab ⋅ Vi →=
VZ ⋅ Vi min
Rs + RL Rs + RL
=
Vi min
( Rs + RL ) ⋅V
Z
RL
A partir do valor de Vimin, o diodo estará ligado.
Uma vez que o diodo zener esteja ligado, a tensão aplicada à carga estará fixa
em VZ e sendo RL fixo, a corrente IL também será fixa. Como Vi está aumentando,
a diferença de potencial sobre Rs está aumentando. Uma vez que Rs é fixo, a
corrente I está aumentando e fazendo com que IZ também aumente. Quando IZ
atingir o seu valor máximo, IZM, aquele valor de Vi será também o máximo que
a fonte poderá assumir, ou seja, Vimax.
Vi −−VZ V −− VZ
I= = →→Quando:
Q uando : I Z= = I ZM →→ I= = I ZM++ I L →→ V= i = Vi max →→ I= = i max
Rs − Rs
V −− = → = → = + → = → =
++ = =
Vi max − VZ
I ZM + I L =
Rs
Vi max= ( I ZM + I L ) ⋅ Rs + VZ
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 12
Para o circuito da Figura 43, determine a faixa de valores que Vi poderá assumir, tal
que o zener esteja ligado e operando dentro de seus limites.
Rs=
Dados: Rs =
=
= W
WW
100 W , RR
=W
=W
LL =W
=W
1kk ==
, VVZZ =
=
9VV==ee PPZM
ZM =
=50mW
mW

lOMoARcPSD|32334808
52 UNIUBE
Transistor bipolar de junção (TBJ)
Existem várias aplicações na eletrônica em que os sinais presentes são de

baixa amplitude e precisam ser amplificados de tal forma que seu manuseio se
torne mais fácil. Antes da década de 1950, a válvula era o dispositivo eletrônico
mais utilizado quando se necessitava amplificar um sinal. Contudo, apresentava
alguns inconvenientes como fragilidade, tamanho e alta dissipação de calor.
No final do ano de 1947, Walter H. Brattain e John Bardeen demonstraram o
funcionamento do transistor nos laboratórios da Bell Telephone. A partir desse
momento, a eletrônica sofreria uma revolução.
1.10 Construção do transistor bipolar de junção
O transistor foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada nos diodos de jun-

ção PN, sendo adicionada uma terceira camada e mais um terminal, ou seja, o
transistor é um dispositivo de três camadas e três terminais. Das três camadas,
duas são iguais e uma é diferente, ou seja, tem-se um transistor com duas ca-
madas N e uma P (NPN) ou um transistor com duas camadas P e uma N (PNP).
A Figura 44, a seguir, ilustra os dois transistores.
Figura 44: Tipos de Transistores Bipolares de Junção.

Como podem ser observados, os terminais foram designados por letras maiúscu-
las que significam Emissor (E), base (B) e coletor (C). O porquê da denominação
de cada terminal ficará evidente a partir do estudo da operação do transistor.
A base, camada central da estrutura, é a mais estreita das três camadas e tam-
bém a menos dopada. Essas características influenciarão em sua capacidade

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 53
de condução de portadores. O emissor e o coletor são do mesmo tipo de mate-

rial, contudo, o emissor é a camada mais dopada e o coletor possui dopagem
intermediária. Ainda com relação ao coletor, trata-se da camada com maior
área, o que se justifica por ser nesta camada que ocorre a quase totalidade da
dissipação de potência do dispositivo.
1.11 Operação do transistor bipolar de junção
Para entender a operação de um transistor bipolar de junção é necessário ana-

lisar como suas junções estão polarizadas, pois, de acordo com as polarizações
das junções é que se dará o fluxo de cargas (portadores). A análise que será
apresentada aqui, terá como base o transistor PNP, sendo que a mesma análise
poderá ser estendida ao transistor NPN, desde que alteradas as polarizações
e as funções dos portadores. Inicialmente, o transistor será apresentado com
apenas uma polarização, como ilustrado na Figura 45, a seguir.
Figura 45: Junção PN diretamente polarizada.

A junção PN (E-B) foi diretamente polarizada e, como resultado, a região de

depleção é bastante reduzida, permitindo que um fluxo denso de portadores
majoritários do emissor (lacunas) seja injetado na base (material N). Observe
que esta operação é idêntica a de um diodo diretamente polarizado. Já a Figura
46, a seguir, ilustra a operação da outra junção PN.

lOMoARcPSD|32334808
54 UNIUBE
Figura 46: Junção PN reversamente polarizada.

Agora, a junção PN (C-B) está reversamente polarizada e, por isso, a região

de depleção aumenta bastante, impedindo que portadores majoritários da base
(elétrons) atravessem para o coletor. Contudo, assim como nos diodos, há fluxo
reverso de cargas e são os portadores minoritários do material N (lacunas) res-
ponsáveis por tal fluxo.
A operação completa do transistor é a junção das duas operações apresentadas

separadamente. Quando a junção E-B foi polarizada diretamente, uma grande
quantidade de portadores majoritários do emissor foi injetado na base, contudo,
uma vez que a base (N) é de material oposto ao do emissor (P), os portadores
majoritários se tornam, na base, portadores minoritários. A junção C-B está
reversamente polarizada, permitindo que apenas portadores minoritários a
atravessem. Dessa forma, haverá dois fluxos de portadores minoritários: um
pequeno e um denso. O fluxo pequeno é devido aos portadores minoritários que
já existiam na base e o fluxo denso é devido aos portadores majoritários vindos
do emissor que se tornaram minoritários ao caírem na base. Esses dois fluxos
serão responsáveis por formarem a corrente de coletor. Na verdade, haverá um
pequeno desvio de corrente que sairá pelo terminal da base, chamada corrente
de base. Esse fluxo é bastante pequeno se comparado à corrente de emissor

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 55
ou à corrente de coletor. O baixo valor desse fluxo se deve ao fato de que a

base é fracamente dopada (baixa dopagem à poucos portadores livres à alta
resistência). Essa característica da base contribui para o funcionamento do tran-
sistor, pois permite que a maior parte do fluxo vindo do emissor atravesse para o
coletor. A operação com as duas polarizações é ilustrada na Figura 47, a seguir.
Figura 47: Operação completa do transistor bipolar de junção tipo PNP.

Uma análise da figura anterior permite que a lei de Kirchhoff para correntes seja
aplicada, resultando em:
I=
E IC + I B
Uma vez que a corrente de coletor é formada tanto por portadores majoritários
como por portadores minoritários, pode-se escrever para IC:
=I C I Cmajoritários + I CO
Em que:
ICO é a corrente de coletor com emissor aberto.

lOMoARcPSD|32334808
56 UNIUBE
Resumo
Neste capítulo enfocamos o estudo do diodo de junção, um dos principais com-

ponentes semicondutores utilizados em circuitos elétricos e eletrônicos. O diodo
foi estudado a partir da composição dos materiais semicondutores chamados
extrínsecos do tipo P e do tipo N. Apresentamos suas características de condu-
ção direta e de bloqueio reverso, além dos tipos de resistências apresentadas
pelo diodo e do efeito da temperatura e sua curva característica. Também, neste
capítulo, foi feita uma introdução ao estudo do transistor bipolar de junção (TBJ),
que, juntamente com o diodo de junção, é um componente semicondutor de
amplas aplicações, assim como, a construção e a operação dos TBJs.
Referência
BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2004.

lOMoARcPSD|32334808
Configurações, regiões
Capítulo de operação e circuitos
2 de polarização dc do
transistor bipolar de
junção
Introdução
No capítulo anterior, “Dispositivos semicondutores: diodo de junção e
transistor bipolar de junção”, foram abordados os conceitos básicos a
respeito dos dois principais dispositivos semicondutores que compõem
os equipamentos eletrônicos de forma geral. Foi visto que o diodo de
junção PN e o transistor bipolar de junção possuem muito em comum,
uma vez que os materiais base de ambos são os semicondutores e que
o funcionamento de ambos os dispositivos está baseado na polarização
direta e na polarização reversa das junções PN. Com relação aos TBJs
foram vistos dois tópicos: a construção e a operação do TBJ.
Agora, você terá a oportunidade de estudar um pouco mais sobre este

dispositivo tão importante na eletrônica. Neste capítulo propomos o es-
tudo das três configurações básicas dos transistores bipolares de junção,
incluindo as respostas gráficas para cada configuração e as relações
entre correntes e tensões decorrentes de cada configuração. Estudare-
mos também a respeito das regiões de operação do transistor e quais
as consequências de trabalhar em uma ou em outra região de operação.
Vimos que o transistor foi inicialmente desenvolvido com o objetivo de
substituir a válvula como elemento amplificador, objetivo alcançado com
enorme sucesso. Antes de se estudar um circuito amplificador, é neces-
sário que você compreenda e saiba identificar os circuitos de polarização

lOMoARcPSD|32334808
58 UNIUBE
em corrente contínua. Estudaremos dois destes circuitos de polarização

dc: o circuito de polarização fixa e o circuito de polarização com
emissor estável. Contudo, as aplicações para o transistor superaram as
expectativas e, como veremos, o transistor se mostrou um componente
eletrônico com outra grande utilidade além de elemento amplificador, o
de uma chave eletrônica. Entretanto, os circuitos de chaveamento tran-
sistorizados serão estudados em outra oportunidade.
Objetivos
esteja apto(a) a:
• identificar as diversas configurações de transistores;

• distinguir comparativamente características de configurações de
transistores;
• diferenciar uma região de operação e suas características das
demais regiões de operação;
• distinguir circuitos de polarização dc;
• concluir que a análise de um circuito contendo um transistor bi-
polar de junção é feita da mesma forma que nos circuitos antes
estudados, ou seja, empregando-se os métodos e teoremas de
análise de circuitos, chega-se à resolução de um circuito que
empregue um TBJ.
Esquema
Configurações dos transistores bipolares de junção e regiões
de operação
2.1 Configuração base-comum
2.2 Configuração emissor-comum
2.3 Configuração coletor-comum
2.4 Algumas características das configurações com relação à
amplificação

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 59
2.4.1 Configuração base-comum

2.4.2 Configuração emissor-comum
2.4.3 Configuração coletor-comum
Circuitos de polarização
2.5 Circuito de polarização fixa
2.6 Circuito de polarização estável do emissor
Configurações dos transistores bipolares de junção e regiões de operação
O transistor bipolar de junção foi inicialmente concebido para substituir a válvula

como elemento amplificador. O ganho proporcionado por um transistor consiste
em uma pequena variação na tensão ou na corrente, de entrada irá gerar na
saída uma grande variação na tensão ou na corrente. Contudo, você pode estar
se perguntando: qual entrada e qual saída? Uma vez que o transistor possui três
terminais (emissor, base e coletor), podemos assumir que se a configuração,
ou a forma como um circuito está ligado ao transistor, terá um desses terminais
em comum (referência), teremos então três configurações possíveis: emissor-
-comum, base-comum e coletor-comum.
A palavra comum vem justamente do fato de que aquele terminal é comum

tanto ao sinal de entrada quanto ao sinal de saída, ou ainda que aquele terminal
possua um potencial de terra, ou está mais próximo do potencial de terra.
Uma vez que os transistores são dispositivos de três terminais, para se des-
crever o comportamento de uma determinada configuração serão necessários
dois conjuntos de características: um conjunto que caracteriza a entrada e outro
conjunto que caracteriza a saída.
2.1 Configuração base‑comum
A configuração base-comum, como o próprio nome indica, possui o terminal

de base como referência aos sinais de entrada e de saída. Observe a Figura 1
a seguir.

lOMoARcPSD|32334808
60 UNIUBE
Figura 1: Configuração base-comum.

Fonte: Adaptado de Bogart Jr. (2001).
Os símbolos utilizados para os transistores são chamados de símbolos elétri-

cos. Observe que apenas uma seta diferencia o transistor NPN do transistor
PNP. Tecnicamente falando, a seta indica o sentido de circulação da corrente
do emissor, como pode ser comprovado pela Figura 1. Uma forma prática de
diferenciar o tipo de transistor por meio de seu símbolo elétrico, é lembrar que
tanto o transistor NPN quanto o transistor PNP são formados por duas junções
PN e a seta no símbolo sempre aponta para o material do tipo N, e claro, a
outra ponta da seta é o material P. Verifique como é fácil, retorne à Figura 1 e
faça um teste.
Para a configuração base-comum, o conjunto de características de entrada

mostra a relação entre a corrente de entrada (IE) e a tensão de entrada (VBE)
para diferentes valores de tensão de saída (VCB).
Tendo como base um transistor NPN, pode ser observado pela Figura 1 que a
entrada é tomada entre a junção base-emissor (B-E) e, de acordo com as po-
laridades indicadas, a junção B-E está polarizada diretamente. Assim, o gráfico
dos parâmetros de entrada será semelhante ao gráfico de um diodo polarizado
diretamente. A Figura 2 ilustra o conjunto de características de entrada.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 61
Figura 2: Gráfico dos parâmetros de entrada para

a configuração base-comum.
Pode ser visto pelo gráfico que para uma mesma tensão VBE, quanto maior a
tensão VCB, maior será a corrente IE. Isto decorre do fato de que um aumento
em VCB (tensão de polarização reversa) irá ocasionar um aumento na corrente
de coletor para emissor, o que ocasionará um aumento na corrente de emissor.
Suponha agora que uma tensão VCB tenha sido fixada. Aplicando o método linear
por partes nesta curva, obtemos a aproximação ilustrada na Figura 3, a seguir:
Figura 3: Curva VCB linearizada.


lOMoARcPSD|32334808
62 UNIUBE
Uma vez que a resistência da junção polarizada diretamente é pequena o

suficiente para ser ignorada, a inclinação da reta desaparece e temos como
resultado o gráfico da Figura 4.
Figura 4: Curva VCB aproximada.

De acordo com a Figura 4, a tensão base-emissor (VBE) pode ser considerada

aproximadamente igual a 0,7V. Essa aproximação é utilizada nos estudos que se
seguirão sempre que o transistor estiver conduzindo, ou seja, no estado “ligado”.
VBE @ 0,7V
Até o momento pôde ser observado que a junção B-E do transistor está pola-
rizada diretamente e que a junção B-C está reversamente polarizada. Quando
o transistor possui suas junções polarizadas das formas antes mencionadas,
dizemos que o transistor opera em uma região denominada de região ativa,
sendo sua principal aplicação em amplificadores lineares.
O conjunto das características de saída para uma configuração base-comum é

ilustrado na Figura 5, a seguir.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 63
Figura 5: Gráfico dos parâmetros de saída para a configuração base-comum.

Pode ser observado pelo gráfico apresentado na Figura 5 que a corrente de

emissor cresce, enquanto a tensão VCB é negativa e para pequenos acréscimos
nessa mesma tensão. A corrente de coletor acompanha este crescimento e, a
partir do momento em que VCB se torna positiva, a corrente de emissor pratica-
mente não é mais influenciada pelo aumento da tensão VCB.
Pelo gráfico dos parâmetros de saída da configuração base-comum, qual a relação

entre IC e IE?
Por meio do gráfico apresentado, pode ser observada região ativa antes mencio-
nada. Observamos ainda outras duas regiões de operação: a região de corte e a
região de saturação. A região de corte é definida como aquela em que a corrente
de coletor é praticamente igual a zero. Se observarmos a Figura 5 veremos que a
região de corte está indicada abaixo da linha onde IE = 0 mA. Quando temos esta
condição, a corrente de coletor (IC) será devida apenas à corrente de saturação
reversa designada por ICBO ou ICO, que é a corrente de coletor para base com

lOMoARcPSD|32334808
64 UNIUBE
emissor aberto. A corrente ICBO é muito pequena se comparada à IC que podemos

aproximar essa corrente como estando na mesma linha horizontal de IC = 0mA.
IMPORTANTE!
A característica principal da região de corte é o fato de que as junções B-E e B-C

estão ambas reversamente polarizadas, o que indica que o transistor apresenta uma
altíssima resistência à passagem de corrente. Lembre-se desse fato, pois no estudo
do circuito de chaveamento transistorizado essa característica terá grande importância.
Por outro lado, temos também a região de saturação, definida à esquerda de

VCB = 0V. Observe que a corrente de coletor cresce exponencialmente nessa
região até um valor máximo, a partir do qual seu valor praticamente não é mais
alterado. A região de saturação possui como característica principal o fato de
que ambas as junções B-E e B-C estão diretamente polarizadas, o que indica
que o transistor apresenta uma resistência muito baixa à passagem de corrente
elétrica. Lembre-se: esse é outro fato que deve ser memorizado, pois irá comple-
mentar o estudo do circuito de chaveamento transistorizado do posteriormente.
Uma observação realizada foi a de que a corrente de coletor e a corrente de

emissor são aproximadamente iguais.
IC @ I E
Essa aproximação será utilizada em toda a análise que se segue para os tran-
sistores bipolares de junção. Observe que se trata apenas de uma aproximação,
pois na realidade essas duas correntes possuem uma leve diferença que é justa-
mente a corrente da base (IB). Existe um parâmetro conhecido como parâmetro
alfa (a), que mede quão próximos IC e IE (apenas portadores majoritários) são,
ou seja:
IC
a CC =
IE

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 65
O índice CC que acompanha o parâmetro alfa é para indicar que se trata de uma
relação entre valores em corrente contínua, uma vez que existe esse mesmo
parâmetro para valores em corrente alternada (aCA).
Exemplo 1
Calcule o valor de aCC para um transistor que possui IE = 4mA e IC = 3,98mA.
Resolução
I C 3,98m
a CC
= = = 0,995
IE 4m
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 1
Considerando os dados do Exemplo 1, se o valor da corrente de saturação reversa

(ICBO) for de 10 A, calcule o valor da corrente de coletor devido aos portadores ma-
10mA,
joritários e aos portadores minoritários.
2.2 Configuração emissor‑comum
A configuração emissor-comum, como o próprio nome indica, possui o terminal

do emissor como referência aos sinais de entrada e saída. Observe a Figura 6
a seguir:

lOMoARcPSD|32334808
66 UNIUBE
Figura 6: Configuração emissor-comum.

Fonte: Adaptado de Bogart (1994).
A configuração emissor-comum é a mais utilizada das três configurações para

transistores, assim deve ser dada uma atenção maior por parte do aluno a essa
configuração, principalmente às curvas da característica de saída.
Tomando como base a primeira imagem da Figura 6, podemos observar que

o conjunto de características de entrada é a corrente IB versus a tensão VBE,
para uma faixa de valores de tensão de saída VCE. A Figura 7 ilustra as curvas
características para a entrada.
Figura 7: Gráfico dos parâmetros de entrada para

a configuração emissor-comum.
Uma vez que a entrada da configuração emissor-comum é a junção base-emissor

(junção PN), era de se esperar que o conjunto de curvas de características da

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 67
entrada fosse semelhante às curvas de um diodo diretamente polarizado. Pode

ser observado na Figura 7 que para um valor fixo de VBE, a corrente IB cresce
na medida em que VCE diminui. Por outro lado, pode ser verificado, por meio da
lei das tensões de Kirchhoff que VCB = VCC - VBB, e que se VCE aumentar, implica
que VCB também aumentará. Esse aumento na polarização reversa C-B, implica
uma redução da região da base uma vez que a região de depleção irá crescer.
O resultado é que haverá uma diminuição na corrente da base devido a uma
redução no número de portadores que irão se recombinar, como pode ser ob-
servado pelo eixo de IB que está em uma escala de micro ampères. Resumindo:
um aumento em VCE reduz IB.
Assim como na configuração base-comum, aqui podemos utilizar a aproximação

VBE = 0,7V, resultando em um gráfico semelhante ao da Figura 4, com a diferença
que a corrente de entrada é IB.
Já as características de saída da configuração emissor-comum mostram a

corrente de saída IC versus a tensão de saída VCE, para diferentes valores da
corrente de entrada IB como mostra a Figura 8, a seguir:
(Região de corte)
Figura 8: Gráfico dos parâmetros de saída para a configuração

emissor-comum.

lOMoARcPSD|32334808
68 UNIUBE
Podemos observar as três regiões anteriormente citadas: ativa, saturação e corte.

A região ativa, novamente, é aquela região de operação utilizada em amplifica-
dores lineares, ou seja, não distorcidos. Vale lembrar que quando operando na
região ativa, a junção B-E estará diretamente polarizada enquanto a junção B-C
estará reversamente polarizada.
A região de saturação é definida como aquela região à esquerda de um valor

denominado de VCEsat. Este valor de tensão aparecerá entre os terminais C-E
quando o transistor estiver operando na saturação, ou seja, as junções B-E e B-C
estarão ambas diretamente polarizadas. Normalmente, este valor de tensão é
aproximado para 0V e é utilizado em projetos que não requerem grande precisão.
A região de corte, por sua vez, é definida como aquela região abaixo da curva de
IB = 0mA. Pelo gráfico, podemos ver que essa região é definida por uma corrente
denominada de ICEO, que significa corrente de coletor para emissor com a base
aberta (IB = 0mA). Observe o equacionamento a seguir:
I C = a I E + I CBO → I C = a ( I C + I B ) + I CBO → I C = a I C + a I B + I CBO
a IB I a (0) I I CBO
I C ⋅ (1 − a=
) a I B + ICBO → I= + CBO → I= + CBO=
C
(1 − a ) (1 − a ) C
(1 − a ) (1 − a ) (1 − a )
I CBO
I CEO =
(1 − a ) I B =0 m A
O índice CC foi omitido em a, mas está claro que estamos tratando de valores em
corrente contínua.
 1 
Podemos escrever ICEO da seguinte forma:=
I CEO   ⋅ I CBO
1−a  
Você deve estar lembrado que a é um valor próximo da unidade. Dessa forma,
1 – a resultará em um valor próximo de zero, o que fará com que o quociente seja
um valor relativamente alto. Por exemplo, se assumirmos a = 0,996, teremos:

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 69
 1 
I CEO =  ⋅ I CBO =250 ⋅ I CBO
 1 − 0,996 
O resultado indica, para este exemplo, que a corrente de fuga na configuração

emissor-comum é 250 vezes maior do que a corrente de fuga na configuração
base-comum.
Observemos que no equacionamento anterior, onde foi definido ICEO, a parcela

que multiplica a corrente da base IB vale: a (1 − a ) . Essa parcela relaciona as
correntes IC e IB e é conhecida como parâmetro b (beta). Novamente, utiliza-se o
índice CC para distinguir do parâmetro b em corrente alternada. Este parâmetro
é comumente chamado de ganho em corrente contínua do transistor, já que
indica quantas vezes maior a corrente IC será em relação a IB. Normalmente, as
folhas de dados trazem este parâmetro com o nome de hFE, derivado dos que
são conhecidos como parâmetros híbridos do transistor. Note que o índice
FE está em maiúsculo para diferenciar do seu semelhante quando em operação
com pequenos sinais (ca), hfe.
Ainda com relação às curvas apresentadas na Figura 8, pode ser observado

que as curvas de IB não são tão horizontais como as curvas de IE na configu-
ração base-comum, indicando que a tensão VCE influencia no valor da corrente
de coletor (IC).
Agora, analise a sequência de equações, a seguir. Preste bastante atenção,

pois essas equações nos serão úteis futuramente, quando trabalharmos com
os circuitos de polarização dos transistores.
I E = I C + I B ; I C = bCC ⋅ I B ⇒ I E = bCC ⋅ I B + I B
∴ I E = I B ⋅ ( bCC + 1)
Exemplo 2
Supondo que a corrente de coletor para base com emissor aberto vale 2mA e
que a = 0,996, determine o valor da corrente de coletor para emissor com a
base aberta.

lOMoARcPSD|32334808
70 UNIUBE
Resolução
2m A
Corrente de coletor para base com o emissor aberto: ⇒ ICBO =
Corrente de coletor para emissor com a base aberta: ⇒ ICEO
I 2 ⋅ 10−6
Logo, tem-se:=
I CEO =
CBO
= 500m A ou 0,5mA
(1 − a ) 1 − 0, 996
Novamente, concluímos que a corrente de fuga na configuração emissor-comum

é muito maior do que a corrente de fuga na configuração base-comum.
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 2
O anexo A, disponível no final deste capítulo, traz o datasheet, disponibilizado pela

Fairchild Semiconductor Corporation, do transistor de uso geral BC548 (NPN). Com
base nas informações contidas no datasheet, responda:
a) Calcule a máxima corrente contínua de coletor que pode circular pelo transistor a 25ºC.
b) À 25ºC, calcule a máxima dissipação de potência do transistor.
c) À 25ºC, calcule o valor da corrente de coletor para base com o emissor aberto.
d) Com base no valor mínimo do ganho em corrente contínua indicado no datasheet

para o transistor BC548C, calcule o valor esperado para a corrente de coletor
para emissor com a base aberta.
Atividade 3
Com base no gráfico da Figura 8, calcule o valor aproximado de bCC para VCE = 10V
e IB = 40mA.
Atividade 4
Dado o valor de bCC = 250, determine o valor correspondente de aCC.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 71
2.3 Configuração coletor‑comum
A configuração coletor-comum, a última das três configurações, como o próprio

nome indica, possui o terminal do coletor como referência aos sinais de entrada
e saída. Observe a Figura 9 a seguir:
Figura 9: Configuração coletor-comum.

Fonte: Adaptado de Bogart (1994).
Você pode constatar que o coletor está conectado ao terra e que as polaridades
das tensões e os sentidos das correntes foram indicados de forma coerente.
Tomando como base a primeira imagem da Figura 9, o conjunto de características

de entrada para a configuração coletor-comum é dado pela corrente IB versus
a tensão VCB, para uma faixa de valores da tensão VCE. Já o conjunto de carac-
terísticas de saída para a configuração coletor-comum é dado pela corrente IE
versus a tensão VCE, para uma faixa de valores da corrente IB.
Quando se trata de projeto, os dados necessários que se referem às caracte-

rísticas de entrada e às características de saída para a configuração coletor-
-comum podem ser obtidos analisando-se as curvas características de entrada
e de saída da configuração emissor-comum (observe que os circuitos das
duas configurações são muito parecidos). Na prática, as curvas de saída da
configuração coletor-comum são idênticas às curvas de saída da configuração
emissor-comum, com a diferença que a corrente de saída no eixo vertical, na
configuração coletor-comum, é IE.

lOMoARcPSD|32334808
72 UNIUBE
2.4 Algumas características das configurações com relação à

amplificação
2.4.1 Configuração base‑comum
A configuração base-comum possui um bom ganho de tensão (Av). Contudo, o

seu ganho de corrente (Ai) é inferior à unidade (menor do que 1). Com relação
ao ganho de potência (Ap), pode-se dizer que esta configuração possui um ga-
nho intermediário, ou seja, menor do que o ganho de potência da configuração
emissor-comum, porém maior do que o da configuração coletor-comum.
Com relação à fase do sinal amplificado, nesta configuração não há inversão de

fase. Se imaginarmos um amplificador formado apenas pela configuração base-
-comum, poderíamos afirmar que o sinal amplificado estaria em fase com o sinal
na entrada do amplificador. Contudo, os amplificadores são formados por vários
estágios de amplificação e, normalmente, são utilizadas mais de uma configu-
ração. Desta forma, o correto é afirmarmos que em um sistema amplificador, a
fase do sinal de saída de um estágio que use a configuração base-comum não
é alterada em relação à fase do sinal na entrada daquele estágio.
Outra característica importante a ser citada é com relação à impedância apre-

sentada na entrada e na saída das configurações. A configuração base-comum
apresenta uma impedância de entrada muito baixa e uma impedância de
saída muito alta. Suponha que a fonte geradora do sinal a ser amplificado não
consiga prover corrente, ao ligarmos a esta fonte um estágio amplificador em
base-comum, o que irá acontecer é que esta fonte será sobrecarregada devido
à baixa impedância daquela configuração.
2.4.2 Configuração emissor‑comum
A configuração emissor-comum possui altos ganhos de tensão e de corrente.

Como consequência, o ganho de potência é bastante alto, sendo o maior das
três configurações.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 73
Com relação à fase do sinal amplificado, esta configuração é a única que irá
inverter a fase do sinal na saída em relação à fase do sinal na entrada.
As impedâncias são semelhantes às da configuração base-comum, ou seja,

baixa impedância na entrada e alta impedância na saída.
2.4.3 Configuração coletor‑comum
A configuração coletor-comum apresenta um alto ganho de corrente e um ganho

de tensão próximo à unidade (< 1). O ganho de potência é o menor das três
configurações.
Assim como a configuração base-comum, não há inversão de fase do sinal na

saída em relação à fase do sinal na entrada.
Com relação às impedâncias, esta configuração apresenta uma alta impedância

na entrada, enquanto apresenta uma baixa impedância na saída.
As características da configuração coletor-comum são bastante interessantes

do ponto de vista de um estágio de entrada de um sistema amplificador. Anali-
semos, então. Começando pela característica de alta impedância de entrada,
podemos afirmar que isso é bastante desejável, uma vez que significa que o
estágio amplificador não irá sobrecarregar a fonte geradora do sinal a ser am-
plificado, pois não tentará drenar uma alta corrente. Agora, analisemos o ganho
de tensão próximo da unidade. Isso quer dizer que o sinal que sai do estágio
em coletor-comum é praticamente o mesmo que entra, sofrendo apenas uma
leve atenuação. Complementando, a impedância de saída baixa proporciona
um casamento de impedância com uma das outras configurações, que possuem
baixa impedância de entrada. E, por fim, não há inversão de fase no sinal de
saída. Devido a esse conjunto de características o estágio em coletor-comum
é normalmente utilizado como estágio de entrada de um sistema amplificador,
sendo este estágio conhecido como seguidor de emissor, uma vez que para
esse estágio, o sinal de saída “segue” o sinal de entrada.

lOMoARcPSD|32334808
74 UNIUBE
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 5
Suponha um sistema amplificador. Explique qual a importância de que o estágio de

entrada desse sistema seja em uma configuração que ofereça alta impedância de
entrada.
Atividade 6
Explique por que um estágio em coletor-comum é chamado de seguidor de emissor.
Circuitos de polarização
Quando falamos em amplificação, normalmente estamos nos referindo a ampli-

ficar um sinal alternado, como por exemplo, nossa voz. O transistor bipolar de
junção pode ser utilizado para realizar essa amplificação do sinal, contudo, ele
apenas não consegue gerar a energia necessária para tal feito. Neste ponto deve
ser introduzida uma fonte contínua que forneça ao transistor tensão e corrente
que serão utilizadas para amplificar um dado sinal. Neste momento você pode
ter chegado à conclusão que, então, exista um circuito ligado ao transistor. Você
está certo!
Como foi estudado, existem três regiões de interesse em que o transistor pode
operar, cada uma com suas características:
junção B-E diretamente polarizada e junção B-C

Região ativa
reversamente polarizada
Região de saturação junções B-E e B-C diretamente polarizadas
Região de corte junções B-E e B-C reversamente polarizadas

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 75
Operar em uma dessas regiões, ou ainda, definir o ponto de operação do transis-

tor em uma dessas regiões (polarizar o TBJ), significa estabelecer no transistor
tensões dc que o façam dar como resposta de saída, valores fixos de tensão e
corrente condizentes com a região onde se deseja que ele opere. Por se tratar
da configuração mais utilizada, os circuitos de polarização em emissor-comum
serão os objetos de nossos estudos. Uma vez compreendidos os estudos de
polarização dc realizados nessa configuração, o estudante não encontrará
dificuldades de se aventurar nas outras configurações, caso seja necessário.
Os circuitos de polarização dc servem, por assim dizer, para preparar o tran-

sistor para amplificar um sinal. Dessa forma, uma vez estabelecido o ponto de
operação do transistor espera-se que esse ponto não seja alterado. Por isso, o
ponto de operação é conhecido como ponto quiescente, ou ponto Q.
Novamente, você pode ter chegado à conclusão que, então, será necessário
um circuito de polarização que estabilize o ponto de operação do transistor, ou
seja, que seja imune às possíveis variações que possam fazer com que o ponto
Q saia de sua posição. Mas uma pergunta pode surgir: quais seriam essas va-
riações? O principal problema é o ganho em corrente contínua, ou seja, o bCC.
Vimos que o gráfico das características de saída da configuração emissor-comum

(Figura 8) é formado pela corrente de saída IC versus a tensão de saída VCE para
uma faixa de valores da corrente de entrada IB. Vimos também que bCC é justa-
mente a relação entre IC e IB, ou seja: =I C bCC ⋅ I B . Por essa relação podemos
perceber que se o valor do ganho alterar, a corrente de saída será modificada.
Veremos ainda que, com a alteração de IC, VCE também será alterada. Mas qual
o problema em se alterar IC e VCE? O problema é que esses valores são justa-
mente as coordenadas do ponto Q, ou seja, quando falamos em polarizar um
transistor, basicamente estamos falando em estabelecer um valor para IC e um
valor para VCE. Voltando ao ganho em corrente contínua (bCC), suponha que você
tome 100 transistores do tipo BC548, todos de um mesmo lote de fabricação. É
quase certo que você não encontrará dois transistores com ganhos idênticos.
Outro problema é a variação da temperatura. O fator é que bCC é sensível à

lOMoARcPSD|32334808
76 UNIUBE
temperatura e isso quer dizer que variando a temperatura onde o transistor está
inserido, o bCC irá variar.
PARADA PARA REFLEXÃO
Agora uma pergunta para você: o que aconteceria com o ponto de operação se, após
projetarmos e montarmos um circuito de polarização que não fosse imune às variações
em bCC, o transistor se danificasse e fosse necessário substituí-lo por outro transistor?
Fica óbvio a necessidade de encontrarmos um circuito de polarização que seja

imune às variações de bCC se o nosso objetivo é a estabilidade do ponto Q.
Assim, iremos caminhar a partir de um circuito de polarização simples – e nada
estável – até chegarmos a um circuito que seja imune às variações do ganho
em corrente contínua. Em nosso estudo usaremos o transistor NPN como base,
sendo que uma análise semelhante pode ser estendida ao transistor PNP, apenas
ajustando-se os sentidos das correntes e polaridades das tensões.
Não é possível estudarmos todos os circuitos ou situações possíveis onde um

transistor possa ser empregado. Acredite, estudante, são muitos. Assim, o obje-
tivo principal aqui é que você compreenda as formas de analisar um circuito de
polarização (emprego dos métodos e teoremas de análise de circuitos), as ca-
I C b CC ⋅ I B , por exemplo) e que use sua criatividade.
racterísticas do transistor (=
O circuito de polarização fixa é bastante simples, mas serve para um estudo

inicial. A Figura 10 a seguir ilustra o circuito em questão.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 77
Figura 10: Circuito de polarização fixa incluindo capacitores.

Como estamos interessados apenas na análise dc e os capacitores C1 e C2,

em corrente contínua, irão operar como circuitos abertos, podemos visualizar o
circuito da Figura 10 como ilustrado na Figura 11.
Figura 11: Circuito de polarização fixa.

Observe que o terminal ligado a RB foi desconectado, contudo, a indicação da

tensão VCC continua. Este terminal é comumente denominado de VBB, o que quer
dizer que neste exemplo VBB = VCC.

lOMoARcPSD|32334808
78 UNIUBE
Vamos começar nossa análise (lei de Kirchhoff para tensões) em VBB (VBB =
VCC), passando por RB e pela junção B-E, até chegarmos ao terminal de terra,
ou seja, vamos aplicar a LKT na malha base-emissor.
VCC − VRB − VBE =0 → VCC − I B ⋅ RB − VBE =0 (equação 2.1.1)
Vamos resolver a equação 2.1.1 para a corrente da base, uma vez que de acordo
com o gráfico dos parâmetros de saída da configuração emissor-comum, IB é o
parâmetro de entrada.
VCC − VBE
VCC − I B ⋅ RB − VBE = 0 → I B = (equação 2.1.2)
RB
De posse da tensão VCC e da resistência RB, por meio da equação 2.1.2 encon-
tramos a corrente da base. Lembre-se de que VBE = 0,7V.
Neste ponto é bom esclarecer que a notação com índice duplo indica uma dife-
rença de potencial, que no caso de VBE é VB – VE. A notação com índice simples
indica que é um valor de tensão com relação ao potencial de terra, ou seja, VE,
por exemplo, indica a tensão do terminal emissor para o terminal terra. Observe
que no circuito de polarização fixa o emissor está conectado diretamente ao
potencial de terra, ou seja, VE = 0V, portanto:
VBE =
VB − VE → VBE =
VB − 0V → VBE =
VB (equação 2.1.3)
A equação 2.1.3 nos mostra que, no circuito de polarização fixa, a tensão

medida da base para o potencial de terra é igual à diferença de potencial da
junção B-E.
IMPORTANTE!
Observe que VB não é a tensão sobre o resistor RB, assim como veremos adiante
que VC não é a tensão sobre o resistor RC. Analise a Figura 11 e chegará a essas
conclusões.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 79
Continuando nossa análise do circuito, falta determinarmos as coordenadas do

ponto de operação, ou seja, IC e VCE (parâmetros de saída). A corrente de coletor
(IC) pode ser determinada por meio da relação entre IC e IB, ou seja:
I C bCC ⋅ I B
= (equação 2.1.4)
Para determinarmos VCE vamos aplicar a lei de Kirchhoff para tensões na malha
coletor-emissor, começando em VCC, passando por RC e VCE até chegarmos ao
terminal de terra.
VCC − VRC − VCE =0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE =0 (equação 2.1.5)
Resolvendo a equação 2.1.5 para VCE, fica:
VCE = VCC − I C ⋅ RC (equação 2.1.6)
Agora estamos de posse dos dois valores que determinam o ponto de operação
do transistor. Uma vez que estes dois valores indicam a localização do ponto Q,
é prática colocarmos o índice Q para que isso fique evidente, ou seja, I CQ e VCEQ . A
Figura 12 ilustra o ponto Q em algum lugar da região ativa.
Figura 12: Ponto de Operação definido por ICQ e VCEQ.


lOMoARcPSD|32334808
80 UNIUBE
Observe que pelo ponto Q passa uma curva de IB (também identificado pelo
índice Q) cujo valor foi determinado pela equação 2.1.2.
Exemplo 3
Dado o circuito de polarização fixa da Figura 13 a seguir, determine e plote o

seu ponto de operação incluindo a corrente da base.
Figura 13: Exemplo de circuito de polarização fixa.

Resolução
De acordo com o circuito da Figura 13, temos as seguintes correntes e tensões

de interesse ilustradas na Figura 14:
Figura 14: Correntes e tensões de interesse.


lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 81
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões na malha base-emissor, temos:
V − VBE
VCC − VRB − VBE =0 → VCC − I B ⋅ RB − VBE =0 → I B = CC
RB
12 − 0, 7
=IB @ 16, 62 m A
680k
A corrente de coletor é encontrada multiplicando a corrente de base pelo ganho

em corrente contínua, ou seja:
I C = bCC ⋅ I B → I C = 100 ⋅16, 62m @ 1, 66mA
Agora, aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha coletor-

-emissor, temos:
VCC − VRC − VCE = 0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE = 0 → VCE = VCC − I C ⋅ RC
VCE =
12 − 1, 66m ⋅ 2, 7k @ 7,52V
 I B = 16, 62 m A
 Q

Assim, temos:  I CQ = 1, 66mA

VCEQ = 7,52V
Graficamente, temos a Figura 15 a seguir:
VCE (V)
Figura 15: Ponto de operação do transistor.

lOMoARcPSD|32334808
82 UNIUBE
Continuando nossos estudos, vamos utilizar um conceito já estudado e que nos

será bastante útil que é a reta de carga. Para traçarmos a reta de carga preci-
samos de dois pontos, um sobre o eixo IC e outro sobre o eixo VCE. Analisemos
a equação 2.1.6: VCE = VCC − I C ⋅ RC . Sobre o eixo IC qualquer ponto terá VCE =
0V, ou seja:
VCC
VCE = VCC − I C ⋅ RC → 0 = VCC − I C ⋅ RC → I C = (equação 2.1.7)
RC
Antes de prosseguirmos é bom lembrar que considerar VCE = 0V é uma apro-

ximação, pois pelas curvas apresentadas na Figura 8, vimos que na saturação
há uma pequena queda de tensão entre coletor-emissor. Contudo, para uma
determinação rápida do valor da corrente IC na saturação, a equação 2.1.7 ofe-
rece uma excelente aproximação.
Foi citada a região de saturação, pois é justamente onde o ponto de operação

se encontra em tal situação, ou seja:
VCC
Saturação ⇒ I Csat =
RC V
CE = 0V
Observe que foi adicionado o índice sat para indicar que não se trata de uma corrente
de coletor qualquer, mas sim da corrente de saturação.
Vimos que na saturação, as junções B-C e B-E estão diretamente polarizadas

e, portanto, oferecem baixíssima resistência. Confrontando esta afirmação com
a situação de um ponto de operação na saturação, podemos concluir que há
coerência entre elas, pois se a resistência oferecida pelas duas junções polari-
zadas diretamente é muito baixa, aproximadamente um curto-circuito, a tensão
só pode ser de 0V. Portanto, pode-se visualizar entre coletor-emissor um curto-
-circuito, como ilustrado na Figura 16 a seguir:

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 83
Figura 16: Aproximação para um curto-circuito entre

coletor-emissor.
Para o Exemplo 3, temos que ICsat vale:
VCC 12
I=
Csat = = 4, 44mA
RC 2,7 k
Outro ponto a ser determinado está sobre o eixo VCE. Isto implica em IC = 0A e,
novamente recorrendo à equação 2.1.6, temos:
VCE = VCC − I C ⋅ RC → VCE = VCC − 0 ⋅ RC → VCE = VCC (equação 2.1.8)
A equação 2.1.8 nos diz que, quando a corrente coletor for igual a zero a queda
de tensão entre coletor-emissor será igual à tensão da fonte VCC. Sabemos que
a corrente de coletor dificilmente será igual a zero, pois mesmo que a corrente
de base seja igual a zero, ainda assim teremos a corrente ICEO (corrente de
fuga) que determinará uma pequena queda de tensão em RC. Como resultado,
temos que VCE será ligeiramente menor do que VCC. Contudo, novamente, é
uma excelente aproximação afirmarmos que se IC = 0A, VCE = VCC. Pelo gráfico
da Figura 8, podemos ver que nesta situação, o ponto de operação se encontra
na região de corte, ou seja:
Corte ⇒ VCEcorte =
VCC I =0 A
C
Sabemos que no corte as junções B-C e B-E estão reversamente polarizadas o

que implica em uma altíssima resistência entre coletor-emissor. Se aproximarmos
esta altíssima resistência para um circuito aberto, teremos a situação descrita

lOMoARcPSD|32334808
84 UNIUBE
para um ponto de operação na região de corte. Para o Exemplo 3, portanto,

temos:
VCEcorte =
VCC → VCEcorte =
12V
Podemos agora plotar o ponto Q e ainda a reta de carga. A Figura 17 ilustra um

caso geral e a Figura 18 ilustra o caso do Exemplo 3.
Figura 17: Ponto Q e reta de carga para o circuito de polarização fixa.
Figura 18: Ponto Q e reta de carga para o exemplo 3.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 85
Observe que a reta de carga intercepta a curva de IB exatamente no ponto de ope-

ração do transistor, semelhante ao caso do diodo estudado no capítulo anterior.
AGORA É A SUA VEZ
Faça, agora, a atividade indicada a seguir:
Atividade 7
Projetar um circuito de polarização fixa que corresponda ao gráfico da Figura 19.
Instrução: Usar Transistor NPN.
Figura 19: Gráfico circuito de polarização fixa.
2.6 Circuito de polarização estável do emissor
Caminhando na direção de encontrarmos um circuito que seja independente

de bCC, chegamos ao circuito de polarização estável do emissor. Como você
irá perceber, estruturalmente, a diferença deste circuito de polarização para o
circuito de polarização fixa é de apenas um resistor inserido entre o emissor e
o terra. A Figura 20 ilustra o circuito de polarização estável do emissor.

lOMoARcPSD|32334808
86 UNIUBE
Figura 20: Circuito de polarização estável do emissor,

incluindo capacitores.
Novamente, o circuito é apresentado incluindo os capacitores C1 e C2 que, para

o nosso estudo, não são considerados. Isto se deve ao fato de que para a pola-
rização em corrente contínua, os capacitores se apresentam como um circuito
aberto. A Figura 21 apresenta o circuito sem os capacitores:
Figura 21: Circuito de polarização

sem os capacitores.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 87
Nossa análise do circuito será realizada seguindo os mesmos passos do cir-

cuito de polarização fixa. Primeiramente, aplicaremos a lei de Kirchhoff para as
tensões ao longo da malha base-emissor.
VCC − VRB − VBE − VRE =0 → VCC − I B ⋅ RB − VBE − I E ⋅ RE =0 (equação 2.2.1)
Vale lembrar que para nossas análises temos considerado VBB = VCC.
Como feito anteriormente, vamos resolver esta equação para a corrente da base
(IB), pois esta corrente é o parâmetro de entrada da configuração em emissor-
-comum. Contudo, diferentemente da situação anterior, temos agora duas cor-
rentes na equação, IB e IE. Para resolvermos esse impasse vamos nos lembrar
da lei de Kirchhoff aplicada às três correntes no transistor, ou seja: I=
E IC + I B .
Agora, relembremos da relação entre as correntes IB e IC, que afirma: =I C b CC ⋅ I B
. Pronto, agora vamos substituir a relação entre as correntes IB e IC na igualdade
entre as três correntes:
I E =I C + I B → I E =bCC ⋅ I B + I B → I E =I B ⋅ ( bCC + 1) (equação 2.2.2)
Substituindo a equação 2.2.2 na equação 2.2.1, tem-se:
VCC − I B ⋅ RB − VBE − I E ⋅ RE = 0 → VCC − I B ⋅ RB − VBE − I B ⋅ ( bCC + 1) ⋅ RE = 0
VCC − I B ⋅  RB + ( bCC + 1) ⋅ RE  − VBE =

0
Resolvendo para IB, temos:
VCC − VBE
IB = (equação 2.2.3)
RB + ( bCC + 1) ⋅ RE
Como bCC é muito maior do que 1, podemos aproximar a equação 2.2.3 para:
VCC − VBE
RB + bCC ⋅ RE
Observe que pela equação 2.2.3 (ou, pela equação 2.2.4), a resistência do
emissor aparece no circuito da corrente da base, só que multiplicada pelo fator
(bCC + 1). A este fato chamamos de resistência refletida, pois apesar de a

lOMoARcPSD|32334808
88 UNIUBE
resistência estar no emissor, a corrente da base percebe aquela resistência, só

que aumentada.
A equação 2.2.4 é a equação de um circuito como o ilustrado a seguir na Figura 22:
Figura 22: Circuito correspondente à

equação 2.2.3.
Uma vez determinada a corrente da base, encontramos a corrente do coletor

por meio de:
I C bCC ⋅ I B
= (equação 2.2.5)
Neste ponto, você pode estar questionando: o que ganhamos inserindo um resistor
no emissor, se ainda dependo de bCC?
Analisando a equação 2.2.4, percebemos que, diferentemente da equação

2.1.2, a corrente da base, agora, é também dependente de bCC. Note que o
ganho em corrente contínua está no denominador, ou seja, a corrente da base
é inversamente proporcional às variações no ganho. Assim, podemos dizer que
há uma realimentação, pois se o ganho aumentar, a corrente da base irá diminuir
e o produto bCC×IB, que é IC irá aumentar, mas não na mesma proporção que o
ganho. Por outro lado, se o ganho diminuir, a corrente da base irá aumentar e
o produto bCC×IB irá diminuir, mas, novamente, não na mesma proporção que o

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 89
ganho. Isto indica que, embora exista certa estabilidade em relação às variações
em bCC, contudo, ainda não é uma independência.
Continuando a análise do circuito, vamos agora aplicar a lei de Kirchhoff para

tensões na malha coletor-emissor e, então, determinar a tensão VCE.
VCC − VRC − VCE − VRE =0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE − I E ⋅ RE =0 (equação 2.2.6)
Antes de resolvermos a equação 2.2.6, vamos substituir IE por IC, pois sabemos
que é uma boa aproximação afirmarmos que IC @ IE e, assim, ficamos com ape-
nas uma corrente na equação final. Assim, temos:
VCC − I C ⋅ RC − VCE − I E ⋅ RE = 0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0
VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) − VCE =
0
Resolvendo para VCE, temos:
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) (equação 2.2.7)
PARADA OBRIGATÓRIA
Chamamos sua atenção novamente, ao fato de que é comum a utilização do índice

Q em IC e em VCE, para indicar que são os valores do ponto de operação.
A equação 2.2.7 se difere da equação 2.1.6 apenas no fato de que há uma queda
de tensão a mais na malha, ou seja, IC×RE. Outro fato que podemos perceber
neste circuito de polarização é que, uma vez que o emissor não está diretamente
ligado ao terra, não podemos afirmar que VB será igual a VBE. Vejamos então
como fica agora.
VBE =VB − VE → VB =VE + VBE (equação 2.2.8)

lOMoARcPSD|32334808
90 UNIUBE
Da mesma forma, podemos concluir para VC:
VCE =VC − VE → VC =VE + VCE (equação 2.2.9)
Passamos agora à análise da saturação e do corte. No corte, vimos que não

há corrente de coletor (IC = 0A), pois entre coletor e emissor há uma altíssima
resistência. Assim, recorrendo à equação 2.2.7, temos:
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → VCE = VCC − 0 ⋅ ( RC + RE ) → VCE = VCC (equação 2.2.10)
Podemos escrever então:
Corte ⇒ VCEcorte =
VCC I =0 A
C
Agora, na saturação sabemos que entre coletor e emissor há uma baixíssima

resistência (aproximadamente um curto-circuito) à passagem da corrente de
coletor, tal que podemos afirmar que VCE = 0V. Assim, recorrendo à equação
2.2.7, temos:
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → 0 = VCC − I C ⋅ ( RC + RE )
VCC
IC = (equação 2.2.10)
( RC + RE )
Portanto, escrevemos que:
V
Saturação ⇒ I C sat =CC
( RC + RE ) VCE = 0V
Exemplo 4
Dado o circuito apresentado na Figura 23:
a) Determine o ponto de operação do transistor.
b) Levante a reta de carga do circuito e plote o ponto de operação do transistor,

incluindo a curva de IB.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 91
Figura 23: Circuito de polarização estável

do emissor – Exemplo 4.
Observe que neste exemplo, VBB ≠ VCC.
Resolução
a) Primeiramente vamos equacionar a malha base-emissor para determinarmos

a corrente da base.
5 − I B ⋅ 470k − 0, 7 − I E ⋅1k = 0 → 5 − I B ⋅ 470k − 0, 7 − I B ⋅ ( 350 ) ⋅1k = 0
5 − 0, 7
=IB @ 5, 24 m A
470k + 350k
Note que não foi usado (bCC + 1), e sim bCC.
Agora, será calculado IC:
350 ⋅ 5, 24m @ 1,83mA

IC =
Por fim, será calculado VCE por meio da malha coletor-emissor:
18 − 1,83m ⋅ 3, 3k − VCE − 1,83m ⋅1k =→

0 18 1,83m ⋅ ( 3, 3k + 1k )
VCE =−
VCE @ 10,13V

lOMoARcPSD|32334808
92 UNIUBE
Pelos valores calculados do ponto Q, percebemos que o transistor está

operando na região ativa.
 I CQ = 1,83mA
Ponto Q = 
VCEQ = 10,13V
b) Para levantarmos a reta de carga precisaremos calcular ICsat e VCEcorte.
No corte, vimos que VCE = VCC, portanto:

VCEcorte = 18V
Na saturação, temos:
VCC 18
=
I Csat = @ 4,19mA
RC + RE 3,3k + 1k
O gráfico com a reta de carga e o ponto de operação, incluindo a curva

de IB, fica:
Figura 24: Gráfico da reta de carga e do ponto de

operação do transistor.
IMPORTANTE!
Existem algumas situações quando estamos projetando um circuito em que será ne-
cessário adotar um valor de resistor ou de tensão para que consigamos chegar a um
circuito que satisfaça uma determinada condição. É o caso do circuito de polarização

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 93
estável do emissor e também do circuito de polarização por divisão de tensão, como

1
veremos mais adiante. Uma regra de projeto diz que podemos adotar V= E = ⋅ VCC⋅ ,
10
caso não seja possível trabalharmos com o valor exato. Esse procedimento é utilizado
em projetos, caso você tenha que analisar um circuito com os valores das fontes já
definidos e também os valores dos resistores, é melhor verificar o valor de VE antes
de supor que seja um décimo de VCC.
AGORA É A SUA VEZ
Faça, agora, a atividade indicada, a seguir:
Atividade 8
Projete um circuito de polarização estável do emissor que corresponda ao gráfico

apresentado na Figura 25.
1
Instruções: Use Transistor NPN e adote V=
E = ⋅ VCC⋅ .
10
Figura 25: Gráfico ilustrativo da Atividade 8.

lOMoARcPSD|32334808
94 UNIUBE
PESQUISANDO NA WEB
Para obter informações a respeito dos componentes vistos neste capítulo, visite o site
<http://www.datasheetcatalog.com> e busque seus datasheets.
Resumo
Neste capítulo abordamos as configurações dos transistores bipolares de junção

(TBJ), destacando algumas das propriedades apresentadas pelas configurações
quando da utilização do transistor como elemento amplificador. Analisamos,
também, as regiões de operação do transistor e suas principais características,
o que nos levará à concluir sobre certas aproximações utilizadas em futuros cál-
culos em circuitos contendo TBJs. Por fim, estudamos dois circuitos em corrente
contínua utilizados para polarizar um transistor bipolar de junção, acompanhados
das análises sobre a estabilidade do ponto de operação do transistor.
Referências
BOGART JR., Theodore F. Dispositivos e circuitos eletrônicos. São Paulo: Makron Books,
2001. v. 1 e 2.
BOYLESTAD, R. L. Introdução à análise de circuitos elétricos. 8. ed. Rio de Janeiro:

Pearson Education, 2004.

lOMoARcPSD|32334808
Circuitos de
Capítulo polarização dc do
3 transistor bipolar de
junção
Introdução
No capítulo “Configurações, regiões de operação e circuitos de polariza-
ção dc do transistor bipolar de junção”, foram estudadas as configura-
ções em que os transistores podem se apresentar, suas características
de entrada e de saída, assim como as regiões de operação do transistor.
Foram estudados ainda os circuitos de polarização fixa e de polarização
estável do emissor.
Um dos objetivos no estudo dos circuitos de polarização dc é encontrar

um circuito que possa ser considerado independente das variações em
bCC. Essa independência é necessária, pois se deseja que uma vez
polarizado o transistor, seu ponto de operação permaneça inalterado.
Assim, continuando nossa busca por um circuito de polarização que

seja independente das variações em bCC, estudaremos o circuito de
polarização por divisão de tensão e o circuito de polarização com re-
alimentação de tensão, ambos pouco sensíveis às variações em bCC.
Iremos iniciar nossos estudos com um emprego muito comum do transis-

tor, o de uma chave eletrônica, sendo os circuitos que fazem tal uso do
transistor chamados de circuitos de chaveamento transistorizados.
Um componente que exemplifica os circuitos de chaveamento transis-
torizados é o processador. Apesar de não serem transistores bipolares
de junção, os transistores presentes nos processadores operam como

lOMoARcPSD|32334808
96 UNIUBE
chaves, ou seja, ora estão ligados, ora estão desligados. Mas, o que isso
quer dizer: “ligados” e “desligados”? Responderemos a essa questão
matematicamente e também utilizando a reta de carga.
Objetivos
esteja apto(a) a:
• identificar os circuitos de polarização dc estudados;

• diferenciar a operação do transistor nas regiões de saturação,
de corte e ativa;
• aplicar a lei de Kirchhoff para tensões na análise dos circuitos
de polarização;
• diferenciar o uso das análises exata e aproximada dos circuitos
de polarização por divisão de tensão;
• diferenciar as modificações realizadas nos circuitos de polari-
zação fixa e estável do emissor para se ter uma realimentação
de tensão.
Esquema
3.1 Circuito de chaveamento transistorizado
3.2 Circuito de polarização por divisão de tensão
3.2.1 Análise exata
3.2.2 Análise aproximada
3.3 Circuito de polarização dc com realimentação de tensão
3.3.1 Outro circuito de polarização dc com realimentação de tensão
3.1 Circuito de chaveamento transistorizado
Quando estudamos o diodo, vimos que ele pode ser comparado a uma chave,
uma vez que possui dois estados: o de condução (polarizado diretamente) e o
de não condução (polarizado reversamente). Contudo, não há controle quanto

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 97
ao momento de conduzir e o de não conduzir, ficando a cargo da polarização à

qual o diodo está submetido.
Agora veremos o uso do transistor bipolar de junção (TBJ) como chave eletrônica
que, diferentemente do diodo, pode ser controlado para conduzir ou para não
conduzir. Observe o circuito da Figura 1:
Figura 1: Circuito típico de chaveamento.
Se recordamos nosso estudo, saberemos que este circuito trata-se de um circuito

de polarização fixa. Contudo, vimos apenas o transistor operar na região ativa.
Agora vamos polarizá-lo para operar ora na saturação, ora no corte. Analisemos
o circuito da Figura 2:
Figura 2: Circuito no corte.
Nesta situação (VBB = 0V), não há corrente de base (IB), de onde podemos
deduzir que:
I C= b CC ⋅ I B → I C= b CC ⋅ 0= 0 A

lOMoARcPSD|32334808
98 UNIUBE
O resultado é que a corrente de coletor também será igual a zero, elevando a

tensão no coletor (VC) para VCC. Lembre-se que no circuito de polarização fixa,
VC = VCE.
VCC − VRC − VCE = 0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE = 0 → VCE = VCC − I C ⋅ RC

VCE= VCC − 0 ⋅ RC → VCE= VCC
Essa situação (IC = 0A, VC = VCCV) indica que o transistor está operando no
corte. Podemos dizer que o transistor está desligado, uma vez que não está
conduzindo corrente (IC = 0A).
Agora, precisamos aplicar uma tensão VBB (como na Figura 1), tal que o tran-
sistor ligue, ou seja, passe a operar na saturação. Para que isso aconteça, a
corrente de base deve tal que:
VCC
I C = bCC ⋅ I B → I C ≥ I Csat → I C ≥
RC
IMPORTANTE!
Não se deve confundir a corrente de saturação com a máxima corrente que o transistor
suporta. A primeira é decorrente da configuração de um circuito, a segunda é uma
característica inerente ao componente, normalmente informada nas folhas de dados.
Uma vez que uma tensão VBB apropriada seja aplicada, uma corrente de base irá
aparecer, dando origem também a uma corrente de coletor, tal que matematica-
mente IC ≥ ICsat. A palavra matematicamente foi utilizada, pois apenas em cálculos
podemos encontrar uma corrente de coletor maior do que ICsat. Vamos analisar.
À medida que IC aumentar, a tensão em RC também irá aumentar, fazendo com

que a tensão VCE diminua (lei de Kirchhoff para tensões). Chegará um momento
onde toda a tensão VCC estará aplicada sobre RC, ou seja:
VCC
I C ⋅ RC = VCC ⇒ VCE = 0V e I C = I Csat , pois: I C =
RC

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 99
Como IC = bCC×IB, podemos pensar da seguinte forma: para que IC seja igual
à ICsat, será necessário que o transistor apresente um valor de bCC, tal que
bCC×IB = ICsat (supondo um circuito com valores de resistores predefinidos).
Podemos chamar esse ganho de bCCsat, sendo este o ganho máximo ao qual
o transistor irá responder. Para melhor compreender, vamos a um exemplo.
Exemplo 1
Analise o circuito da Figura 3, ou seja, determine seu comportamento de acordo

com o sinal de entrada.
Figura 3: Exemplo de circuito de chaveamento transistorizado.
Resolução
Podemos ver que o sinal de controle possui dois níveis: 0V e +5V. De imediato
sabemos que quando VBB = 0V, o transistor irá para o corte e a tensão VC será
igual a VCC. Agora, resta-nos analisar o circuito quando VBB = 5V. Vamos aplicar
a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha B-E:
V −V
VBB − VRB − VBE =0 → VBB − I B ⋅ RB − VBE =0 → I B = BB BE −
− − = → − ⋅ − RB = → =
−
= = m 5 − 0, 7
= I B = 430 m A
10k
De onde encontramos:
I C = b CC ⋅ I B → I C = 100 ⋅ 430 m = 43mA

lOMoARcPSD|32334808
100 UNIUBE
V 10
O valor de ICsat pode ser calculado do circuito: I Csat =CC → I Csat = =10mA
RC 1k
Observe que a corrente IC calculada é mais de 4 vezes o valor de ICsat. Assim,
se utilizássemos um amperímetro para medir a corrente de coletor, mediríamos
10mA e não 43mA. Nesse caso, a tensão VC cai a zero.
Algo importante a ser observado, é que este circuito funciona como um circuito
inversor:
• Entra baixo (VBB) à sai alto (VC)
• Entra alto (VBB) à sai baixo (VC)
Não se preocupe quanto ao fato de estarmos exigindo mais corrente de coletor

do que aquela que o transistor consegue fornecer. Isso não irá danificá-lo. O im-
portante é que a corrente que esteja circulando no coletor não seja maior do que
o valor máximo suportado pelo transistor, conforme indicado nas folhas de dados.
Para o Exemplo 1, qual o ganho efetivo do transistor? Lembre-se: IC = bCC×IB
Vamos a outro exemplo.
Exemplo 2
Dado o circuito da Figura 4, calcule os valores dos resistores, de modo que o

transistor opere como uma chave.
Figura 4: Circuito para o exemplo 2.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 101
Resolução
Primeiramente, quando VBB = 0V, não há corrente de base e, portanto, não há

corrente de coletor. Conclui-se que o LED está apagado. Por outro lado, pre-
cisamos calcular RB e RC tal que, quando VBB = 5V, o LED acenda. Sabemos
que quando o transistor estiver saturado (IC = ICsat e VCE = 0V) VCC ficará dividido
entre RC e o LED. Segundo as informações do LED, a tensão sobre ele deve
ser de 2V e a corrente de 10mA. Assim, podemos assumir que ICsat = 10mA, e
que VRC = 8V. Daí, calculamos:
VR 8
VRC =I C ⋅ RC → RC = C → RC = = 0,8k W
IC 10m
Para calcularmos RB, vamos calcular primeiro IB:
IC 10m
IB = → IB = = 66, 67 m A
bCC 150
 VBB − VBE
VBB − VRB − VBE =0 → VBB − I B ⋅ RB − VBE =0 → RB = I
 B
Portanto: 
 R = 5 − 0, 7 @ 64,5k W


B
66, 67 m
O circuito fica:
Figura 5: Circuito projetado.
Quando VBB = 5V, a corrente no coletor será de 10mA (ICsat) e o LED acenderá.

lOMoARcPSD|32334808
102 UNIUBE
Apesar do transistor do circuito da Figura 5 operar como chave, o que aconte-

ceria se, por exemplo, ele queimasse e fosse substituído por outro com bCC =
120? Vejamos.
A condição de corte não seria alterada, contudo, a saturação sim. Façamos

a seguinte análise: como RB não foi alterado, a malha B-E não foi modificada
e, portanto, IB continua o mesmo. Contudo, uma vez que o ganho diminuiu, IC
também diminuirá. Vamos fazer os cálculos?
I C = b CC ⋅ I B → I C = 120 ⋅ 66, 67 m = 8mA
Veja que a corrente de coletor realmente diminuiu, como havíamos concluído

antes. Você poderia argumentar que a corrente não diminuiu muito e, portanto, o
LED continuará aceso. Você está certo, ou parcialmente certo. O LED continuará
aceso, mas com um brilho menos intenso e, com a diminuição da corrente IC,
implica que a tensão VC aumentou e que o ponto Q saiu da saturação. Observe
a Figura 6 a seguir:
Figura 6: Ilustração da movimentação do ponto Q.
Não é desejável que um circuito que foi projetado para operar como chave, passe
a não operar como chave. Novamente, o problema é a variação em bCC. Uma
forma de se evitar esse problema é supor um valor bem pequeno para o ganho.
Um valor prático adotado em projetos é bCC = 10. Mas por que adotar um valor

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 103
tão baixo para o ganho sendo que na verdade ele é bem maior? Vamos refazer
o Exemplo 2, agora supondo que bCC = 10.
O valor de RC não será alterado e, portanto: =

RC 0,8k W
A corrente da base agora passa a valer:
IC 10m
IB = → IB = = 1mA
bCC 10
Observe que utilizamos não o valor real do ganho (bCC = 150), e sim o valor de
projeto. Vamos recalcular RB:
VBB − VBE 5 − 0, 7
RB = → RB = = 4,3k W
IB 1m
Veja que o valor de RB diminuiu bastante.
Qual a finalidade de trabalharmos com um ganho tão pequeno na fase de projeto?

Vamos aos cálculos? Já sabemos que IB = 1mA. Mas, e o valor de IC?
I C = b CC ⋅ I B → I C = 150 ⋅1m = 150mA
O circuito está tentando drenar 150mA, mas satura em 10mA. Suponha que
o transistor queime e seja substituído por um com um ganho de 100. A nova
corrente de coletor fica:
I C = b CC ⋅ I B → I C = 100 ⋅1m = 100mA
Ainda assim o transistor estará saturado. Essa é a finalidade de trabalharmos

com um ganho tão pequeno na fase de projeto.

lOMoARcPSD|32334808
104 UNIUBE
AGORA É A SUA VEZ
Resolva, agora, a atividade indicada a seguir:
Atividade 1
Polarize um transistor para operar como chave (calcule RC e RB). Dados: VCC = 15V,
ICsat = 30mA, bCC = 350 e VBB = sinal digital (0V ou +5V).
3.2 Circuito de polarização por divisão de tensão
Foram estudados até o momento dois circuitos de polarização: o de polarização

fixa e o de polarização estável do emissor. Ambos são bastante sensíveis às
variações do ganho, como se pôde verificar através das análises desenvolvi-
das e também através das atividades realizadas. Passamos agora à análise
do circuito de polarização por divisão de tensão (PDT) e iremos perceber que
este circuito é bem menos sensível às variações em bCC se bem projetado, ou
seja, se os seus parâmetros forem corretamente calculados. A Figura 7 ilustra
o circuito PDT, incluindo os capacitores C1 e C2:
Figura 7: Circuito de polarização por divisão de tensão,

incluindo capacitores.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 105
Uma vez que nossa análise está baseada apenas em corrente contínua, o circuito
que iremos trabalhar não contempla os capacitores, como ilustra a Figura 8:
Figura 8: Circuito PDT para análise, incluindo

correntes e polaridades.
Comparando este circuito com o circuito de polarização estável do emissor,

iremos perceber que a diferença é que foi incluindo um resistor (R2) à esquerda
do terminal da base, formando com RB (agora R1) um divisor de tensão.
Existem duas análises que podem ser realizadas no circuito de polarização por
divisão de tensão: uma conhecida como análise exata e outra conhecida como
análise aproximada.
3.2.1 Análise exata
A análise exata, como o próprio nome sugere, pode ser aplicada a qualquer cir-
cuito de polarização por divisão de tensão. A análise inicia determinando o circuito
equivalente de Thévenin à esquerda do terminal da base. Observe a Figura 9:

lOMoARcPSD|32334808
106 UNIUBE
Figura 9: Circuito a ser determinado o equivalente de Thévenin.

O circuito a ser determinado o equivalente de Thévenin foi redesenhado de

modo a facilitar a visualização do circuito e também a nossa análise.
Primeiro vamos determinar a resistência equivalente de Thévenin e, para isso,

levamos o efeito da fonte VCC a zero, simbolicamente ilustrado como um curto-
-circuito como mostra a Figura 10:
Figura 10: Determinação da resistência equivalente de Thévenin.

Podemos observar que as resistências R1 e R2 são vistas em paralelo e, portanto,

podemos escrever.
R1 ⋅ R2
R= R1 / / R2 → R= (Resistência de Thévenin)
R1 + R2
Th Th
Agora, voltamos o efeito da fonte VCC para, então, determinarmos a tensão de

Thévenin como ilustrado na Figura 11:

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 107
Figura 11: Determinação da tensão de Thévenin.

A tensão de Thévenin é a tensão aplicada na base do transistor que, como po-

demos ver, é a mesma tensão aplicada ao resistor R2. Portanto, temos:
R2
ETh =VR2 → ETh = ⋅ VCC (Tensão de Thévenin)
R1 + R2
Uma vez que foram determinadas a resistência e a tensão de Thévenin, pode-
mos substituir o circuito à esquerda do terminal da base pelo seu equivalente,
como ilustrado na Figura 12.
Figura 12: Substituição pelo equivalente de Thévenin.

O circuito resultante (Figura 12) já é conhecido por nós. Consegue identificá-lo?

lOMoARcPSD|32334808
108 UNIUBE
A resolução deste circuito segue os mesmos caminhos da resolução do circuito

de polarização estável do emissor. Vamos aplicar a lei de Kirchhoff para tensões
nas malhas B-E e C-E.
Malha B −– EE:: ETh − VRTh − VBE − VE =0 → ETh − I B ⋅ RTh − VBE − I E ⋅ RE =0

− − − − = → − ⋅ − − ⋅ =
− ⋅ −V − b ⋅ I ⋅ R = 0 → E −V − I ⋅( R + b ⋅ R ) = 0
ETh − I B ⋅ RTh − VBE − bCC ⋅ I B ⋅ RE = 0 → ETh − VBE − I B ⋅ ( RTh + bCC ⋅ RE ) = 0
ETh − VBE
RTh + bCC ⋅ RE
Observe que a equação 2.1.1 é semelhante à equação da corrente de base

para o circuito de polarização estável do emissor, com a diferença dos valores
de Thévenin.
A corrente de coletor fica: I C b CC ⋅ I B

= (equação 2.1.2)
PARADA PARA REFLEXÃO
Você deve estar se perguntando: “Mas ainda dependo do ganho?”
Aparentemente sim, mas observe que a corrente da base também depende do ganho
(que está em seu denominador) e de RTh. Mas qual a influência de RTh na estabilidade
do circuito?
Antes de responder ao questionamento, vamos terminar nossa análise e levantar

a reta de carga do circuito, incluindo o ponto Q e a curva de IB. A malha C-E é
idêntica à do circuito de polarização estável do emissor e, portanto, fica:
Malha C –− E E:: VCC − VRC − VCE − VE =0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE − I E ⋅ RE =0
− ⋅ − − V −−I ⋅ R− = 0−→ V = −→V − I− ⋅ ( R⋅ +−R ) − ⋅ =
VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0 → VCC − VCE − I C ⋅ ( RC + RE )

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 109
Da mesma forma, podemos concluir que o corte e a saturação também serão

semelhantes, ou seja:
Corte ⇒ VCEcorte = VCC I =0 A

 C
Reta de carga =  VCC

 Saturação ⇒ I Csat =
 RC + RE VCE = 0V
O gráfico da reta de carga do circuito, incluindo o ponto Q e a curva de IB, fica

como ilustrado na Figura 13 a seguir:
Figura 13: Reta de carga e ponto Q para o circuito PDT.
Voltemos à pergunta: qual a influência de RTh na estabilidade do circuito?
Podemos perceber que se RTh for mantido muito menor do que bCC . RE, a
resistência de Thévenin praticamente não irá influenciar no denominador e,
consequentemente, também não irá influenciar em IB. Quanto maior RTh em
comparação a bCC . RE, maior a sensibilidade do circuito às variações no ganho.
Vamos a um exemplo? Primeiro resolveremos o circuito como explicado ante-

riormente e, depois, iremos supor que o ganho caiu pela metade, de tal forma
que você possa perceber como o circuito é praticamente independente de bCC.
Por último consideraremos o ganho inicial, mas alterando R1 e R2.

lOMoARcPSD|32334808
110 UNIUBE
Exemplo 3
a) Dado o circuito da Figura 14, levante sua reta de carga incluindo o ponto
de operação e a curva de IB.
b) Repita o exercício proposto na letra a), considerando agora um ganho de

125.
c) Repita o exercício proposto na letra a), considerando agora R1 = 250kW e

R2 = 50kW.
Figura 14: Circuito PDT para o Exemplo 3.
Resolução
a)
Primeiramente, vamos determinar os parâmetros de Thévenin (RTh e ETh) e,

então, substituir o circuito à esquerda do terminal da base pelo seu equivalente
de Thévenin.
 56k ⋅ 5, 6k
 R=Th R1 / / R2 → R= Th
56k + 5, 6k
@ 5, 09k W
Parâmetros de Thévenin = 
= 5, 6k
R2 5,6 k W → =
ETh V= ETh ⋅ 24 @ 2,18V
 56k + 5, 6k

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 111
O circuito resultante fica segundo ilustrado na Figura 15.
Figura 15: Circuito resultante com o equivalente de Thévenin.
Agora, aplicamos a lei de Kirchhoff para tensões ao longo das malhas B-E e C-E
para determinarmos o ponto de operação.
ETh − VRTh − VBE − VE =0 → ETh − I B ⋅ RTh − VBE − bCC ⋅ I B ⋅ RE =0

ETh − VBE 2,18 − 0, 7
=IB = → IB @ 5,8m A
RTh + bCC ⋅ RE 5, 09k + 250 ⋅1k
A corrente de coletor fica: I C = bCC ⋅ I B → I C = 250 ⋅ 5,8m = 1, 45mA
VCC − VRC − VCE − VE = 0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0

VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → VCE = 24 − 1, 45m ⋅ ( 3, 7 k + 1k ) @ 17,19V
 I CQ = 1, 45mA

Ponto Q = 
V = 17,19V
 CEQ
VCEcorte = 24V

Para a reta de carga temos:  VCC 24
=
 I Csat → I Csat
= @ 5,11mA
 RC + RE 3, 7 k + 1k

lOMoARcPSD|32334808
112 UNIUBE
O gráfico resultante fica conforme ilustrado na Figura 16, a seguir:
Figura 16: Reta de carga e ponto de operação para o Exemplo 3.
b)
O procedimento se repete, alterando apenas o valor do ganho. Como os parâ-
metros de Thévenin não são alterados ao se alterar o ganho, RTh, ETh e o circuito
resultante são mantidos iguais aos da letra a). A reta de carga também não é
modificada ao se alterar o ganho e, portanto, também permanece como na letra
a) Passemos, então, aos cálculos de IB, IC e VCE:
ETh − VBE 2,18 − 0, 7

= − = → IB @ 11,38m A
5, 09k +−125 ⋅1k @
IB
= RTh + b−CC ⋅ R= E → m
= +b ⋅ = → +− ⋅ @ m
I = b +⋅ Ib → ⋅ I = 125 ⋅11,38m @+1, 42⋅mA
I C = bCC ⋅ I B → I C = 125 ⋅11,38m @ 1, 42mA
= =b ⋅ − → ⋅ ( += ) ⋅→ m =@ − ⋅( + )@
V = V − I ⋅ ( R + R ) → V = 24 − 1, 42m ⋅ ( 3, 7 k + 1k ) @ 17,33V
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → VCE = 24 − 1, 42m ⋅ ( 3, 7 k + 1k ) @ 17,33V
Observe que os valores do ponto Q são praticamente os mesmos, com alteração

significativa apena na corrente de base. Por esse motivo, o gráfico resultante
ficará praticamente como o ilustrado na Figura 16.
Vale ressaltar que mesmo com uma variação grande no ganho, o ponto de
operação permaneceu quase inalterado, demonstrando que o circuito PDT é
realmente pouco sensível às variações no ganho, uma vez escolhido correta-
mente os parâmetros do circuito.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 113
c)
Agora, os parâmetros do nosso circuito foram alterados, conforme ilustra a

Figura 17.
Figura 17: Circuito PDT com parâmetros alterados.
 250k ⋅ 50k
 R=Th R1 / / R2 → R= Th
250k + 50k
@ 41, 7 k W
Parâmetros de Thévenin = 
= 50k
ETh VR=2 50 k W → =
ETh ⋅ 24 @ 4V
 250k + 50k
O novo circuito resultante fica como ilustrado na Figura 18 a seguir:
Figura 18: Circuito resultante após as modificações em R1 e em R2.

lOMoARcPSD|32334808
114 UNIUBE
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo das malhas B-E e C-E, temos:
ETh − VBE 4 − 0, 7
=IB − = → IB @ 11,31m A
= RTh + bCC ⋅ R= E → 41, 7 k −+ 250 ⋅1k @ m
+ b− ⋅ −+ ⋅
== b ⋅ →= =
→ ⋅ m@ @ m
I C = bCC +⋅ IbB →⋅ I C = 250 ⋅11,31m @+ 2,83⋅mA
= − ⋅( + ) → = − ⋅( + )@
= =b ⋅ − → ⋅ ( += ) ⋅→ m =@ − ⋅( + )@
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → VCE = 24 − 2,83m ⋅ ( 3, 7 k + 1k ) @ 10, 7V
Observe como os valores se alteraram. O novo gráfico fica segundo ilustrado

na Figura 19:
Figura 19: Variação sofrida pelo ponto Q ao se alterar os parâmetros do circuito.
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 2
Dado o circuito da Figura 20, determine o seu ponto de operação.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 115
Figura 20: Circuito PDT para Atividade 2.
3.2.2 Análise aproximada
A análise exata, como dito anteriormente, pode ser aplicada a qualquer circuito
de polarização por divisão de tensão. Contudo, sob certas condições, a chamada
análise aproximada pode ser aplicada na resolução de circuitos PDT.
No circuito apresentado na Figura 8, temos as correntes I1, I2 e IB, de onde pode-

mos escrever: I1 = IB + I2. O circuito para essa expressão pode ser visto segundo
ilustrado na Figura 21 a seguir:
Figura 21: Representação da seção de entrada

do divisor de tensão.

lOMoARcPSD|32334808
116 UNIUBE
Pelo circuito apresentado na Figura 21, podemos perceber que o valor de IB é

dependente de bCC . RE. Para um valor fixo de RE, quanto maior o valor do ganho,
menor será IB. Dessa forma, podemos escrever:
Se b CC ⋅ RE >>R 2 então I B → 0 A, I1 @ I 2
A afirmação anterior fica mais clara se lembrarmos que a corrente elétrica sempre
“procura” por um caminho de menor resistência. Mas, vem a pergunta: muito
maior quanto? Podemos utilizar um fator de 10 vezes, no mínimo, ou seja:
Se b CC ⋅ RE ≥ 10 ⋅ R 2 então I B → 0 A, I1 @ I 2 (Condição necessária)
Caso a condição necessária seja satisfeita, a análise aproximada poderá ser

aplicada ao circuito PDT com um mínimo de erro. Supondo a condição satisfeita,
podemos afirmar que VB = VR2, como ilustra a Figura 22:
Figura 22: Condição satisfeita: I1 @ I2 e VB = VR2.

Matematicamente, a tensão na base fica:
R2
VB = VR2 → VB = ⋅ VCC (equação 2.1.4)
R1 + R2
A tensão no emissor pode ser encontrada de acordo com a equação a seguir:
VBE =VB − VE → VE =VB − VBE (equação 2.1.5)
Uma vez que a tensão do emissor foi determinada, podemos calcular a corrente
do emissor:

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 117
VE
IE = (equação 2.1.6)
RE
Agora, podemos utilizar a relação entre IC e IE, que diz:
IC @ I E
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões na malha C-E, temos:
VCC − VRC − VCE − VE = 0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0 → VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) − VCE = 0
Podemos concluir que pela análise aproximada a corrente da base é conside-

rada mínima, se não, igual a zero. Lembrando de que se trata apenas de uma
aproximação.
Quanto à reta de carga, os valores de corte e saturação permanecem inaltera-

dos, ou seja:
 C

 RC + RE V =0V
CE
Vamos a um exemplo?
Exemplo 4
Repita a letra a) do Exemplo 3, agora através da análise aproximada.
Resolução
Antes de tudo vamos verificar se a condição necessária é satisfeita. Se não for,

não poderemos utilizar a análise aproximada, pois os erros obtidos nos resulta-
dos seriam consideráveis. Assim, verifiquemos:
bCC ⋅ RE ≥ 10 ⋅ R2 → 250 ⋅1k ≥ 10 ⋅ 5, 6k → 250k W ≥ 56k W

lOMoARcPSD|32334808
118 UNIUBE
A condição foi satisfeita e, portanto, podemos utilizar a análise aproximada.
Vamos calcular VB:

R2 5, 6k
=
VB ⋅VCC → =
VB ⋅=
24 2,18V
R1 + R2 56k + 5, 6k
Observe que utilizando a análise aproximada, a tensão VB fica igual a ETh da
análise exata.
A corrente IC fica:
VE V − VBE 2,18 − 0, 7
=IE , como : I C @ I E → I C @ B → I C @ = 1, 48mA
RE RE 1k
A tensão VCE fica:
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → VCE = 24 − 1, 48m ⋅ ( 3, 7k + 1k ) @ 17, 04V
Portanto, o ponto de operação encontrado pela análise aproximada fica:
 I CQ = 1, 48mA

Ponto de operação = 
V = 17, 04V
 CEQ
Compare esses valores obtidos com aqueles obtidos através da análise exata.
Os valores do corte e da saturação não são alterados e, portanto, temos o se-

guinte gráfico, com a reta de carga e o ponto Q, ilustrado na Figura 23:
Figura 23: Reta de carga e ponto de operação através da análise

aproximada.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 119
Como a corrente de base foi considerada nula em nossa análise, sua curva não
foi mostrada no gráfico.
Exemplo 5
Dado o circuito PDT da Figura 24, determine seu ponto de operação (ICQ e VCEQ)
através das análises exata e aproximada. Compare os resultados obtidos.
Figura 24: Circuito PDT para análises

exata e aproximada.
Resolução
Começando pela análise exata, vamos encontrar o circuito equivalente de Thévenin

para o circuito à esquerda do terminal da base.
80k ⋅ 8k
RTh = R1 / / R2 → RTh = = 7, 27 k W
80k + 8k
8k
ETh = VR2 → ETh = ⋅18= 1, 64V
80k + 8k
O circuito resultante é ilustrado na Figura 25 a seguir:

lOMoARcPSD|32334808
120 UNIUBE
Figura 25: Circuito resultante com o equivalente de Thévenin.
ETh − VBE 1, 64 − 0, 7
=
Calculando IB, temos: IB = → IB @ 10, 77 m A
RTh + bCC ⋅ RE 7, 27 k + 100 ⋅ 0,8k
 I C = bCC ⋅ I B → I C = 100 ⋅10, 77 m @ 1, 08mA

Ponto Q = 
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) → VCE = 18 − 1, 08m ⋅ ( 5, 6k + 0,8k ) @ 11, 09V
Agora, vamos à análise aproximada. Primeiro, vamos verificar a condição ne-
cessária.
b CC ⋅ RE ≥ 10 ⋅ R2 → 100 ⋅ 0,8k ≥ 10 ⋅ 8k → 80k W ≥ 80k W OK
Apesar de a condição ter sido satisfeita, veja que estamos no limite! Bom, vamos
aos cálculos.
8k
VB = VR2 → VB = ⋅18= 1, 64V
80k + 8k
 1, 64 − 0, 7
 I C @ 0,8k @ 1,18mA
Ponto Q = 
V =−
 CE 18 1,18m ⋅ ( 5, 6k + 0,8k ) @ 10, 45V
Vamos montar um quadro comparativo entre os resultados obtidos das duas

análises (Tabela 1).

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 121
Tabela 1: Comparação entre as análises exata e aproximada.
Análise ICQ (mA) VCEQ (V)
Exata 1,08 11,09
Aproximada 1,18 10,45
Pode ser observado na Tabela 1 que os resultados obtidos através da análise

aproximada se diferenciaram dos resultados obtidos pela análise exata e que
essa diferença é significante. À medida que bCC . RE cresce em relação a 10 . R2,
a diferença fica cada vez menor.
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 3
Dado o circuito da Figura 26, determine o seu ponto de operação e desenhe sua reta
de carga, incluindo o ponto Q.
Figura 26: Circuito PDT para Atividade 3.

lOMoARcPSD|32334808
122 UNIUBE
Exemplo 6
Projetar um circuito de polarização por divisão de tensão, tal que o transistor

esteja operando no meio da reta de carga. Considere que a condição necessária
esteja satisfeita. Dados: ICsat = 10mA e VCEcorte = 24V.
Resolução
Vamos começar esboçando o circuito a ser projetado. Lembre-se de que isso

facilita nosso trabalho. A Figura 27 é o esboço do nosso circuito:
Figura 27: Esboço do circuito PDT a ser projetado.
Sabemos os valores de ICsat e de VCEcorte, sendo que este último é igual a VCC.
Foi estipulado que o ponto de operação deve ser na metade da reta de carga,
portanto:
 I CQ =0,5 ⋅ I Csat → I CQ =0,5 ⋅10m =5mA


Ponto Q = 
V = 0,5 ⋅ VCEcorte → VCEQ = 0,5 ⋅ 24 = 12V
 CEQ
Como não temos mais nenhuma informação que nos permita, por exemplo,
determinar uma tensão em algum ponto do circuito, iremos adotar a tensão VE
como sendo um décimo da tensão VCC. Dessa forma, temos:
1 1
VE = ⋅ VCC → VE = ⋅ 24 = 2, 4V
10 10

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 123
Uma vez que conhecemos a corrente de coletor, podemos usar IC @ IE para

encontrarmos RE:
2, 4
I C @ I E → VE = RE ⋅ I E → RE = = 480W
5m
A corrente de saturação nos dá:
VCC V 24
I Csat = → RC = CC − RE → RC = − 480 = 1,92k W
RC + RE I Csat 10m
Falta agora determinarmos R1 e R2. Uma vez que conhecemos VE, podemos
encontrar VB:
VBE =VB − VE → VB =VE + VBE → VB = 2, 4 + 0, 7 = 3,1V
A tensão na base é a tensão no resistor R2, resultante do divisor de tensão entre

R1 e R2, ou seja:
R2
VB = VR2 → VB = ⋅ VCC
R1 + R2
Portanto, podemos substituir VB e VCC e encontrarmos uma relação entre R1 e R2.
R2 R2 24
=
VB ⋅ VCC → 3,1
= ⋅ 24 → R1 + =
R2 R2 ⋅ → R1 @ 6, 74 ⋅ R2
R1 + R2 R1 + R2 3,1
Apenas com os dados disponíveis não é possível calcularmos um valor exato
para R1 e R2. Uma dica para encontrarmos valores coerentes para R1 e R2 é nos
basearmos na condição necessária para a análise aproximada. Sabemos que:
bCC ⋅ RE ≥ 10 ⋅ R2 → Condição necessária
Daíencontramosque: b CC ⋅ RE ≥ 10 ⋅ R2 → b CC ⋅ 480 ≥ 10 ⋅ R2 → R2 ≤ 48 ⋅ b CC
Supondo que o transistor que estamos utilizando seja um BC548, segundo as

folhas de dados, o ganho mínimo é de 110 e o máximo de 800. Vamos supor
um ganho de 300 e fazer os cálculos.
R2 ≤ 48 ⋅ b CC → R2 ≤ 48 ⋅ 300 → R2 ≤ 14, 4k W

lOMoARcPSD|32334808
124 UNIUBE
Temos agora uma ideia de valores que podem ser adotados. Não é usual tra-
balhar com valores de R2 muito baixos, por isso vamos ficar com valores acima
de 1kW. Analisando circuitos práticos, perceberemos uma das seguintes ordens
de grandeza dos resistores:
R≥1 ≥ R>2 > R>

C > RE ou
u R1 > >
RC > >
R2 > >
RE
Se trabalharmos com a primeira ordem, teremos: 1,92k W ≤ R2 ≤ 14, 4k W
Como se trata apenas de um exemplo, este circuito não está inserido em nenhum
circuito maior e, portanto, não há outros dados disponíveis que poderiam existir
como, por exemplo, em um sistema amplificador. Para resolver este exemplo,
vamos supor um valor intermediário ao intervalo antes determinado:
14, 4k − 1,92k
=
R2 = 6, 24k W
2
Através da relação antes determinada entre R1 e R2, temos:
R1 = 6, 74 ⋅ R2 → R1 = 6, 74 ⋅ 6, 2k @ 41,8k W
Para finalizar o projeto, poderíamos procurar pelos valores comerciais de resisto-

res mais próximos dos valores calculados. A Figura 28 ilustra o circuito projetado:
Figura 28: Circuito projetado do Exemplo 6.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 125
Por fim, a potência dissipada por um transistor pode ser calculada através dos
valores que definem o ponto de operação, ou seja:
=
PQ VCEQ ⋅ I CQ
Importante: A potência dissipada por um transistor em um circuito dc é calculada

sempre levando em conta os valores do ponto de operação.
3.3 Circuito de polarização dc com realimentação de tensão
Através do estudo do circuito de polarização por divisão de tensão, pudemos

perceber que aquele circuito apresenta uma sensibilidade muito menor às
variações do ganho em corrente contínua, se comparado aos circuitos de po-
larização antes estudados. Agora iremos estudar outro circuito de polarização,
denominado de circuito de polarização dc com realimentação de tensão, o
qual também apresenta uma sensibilidade muito pequena às variações de bCC.
Analise o circuito apresentado na Figura 29 a seguir:
Figura 29: Circuito de polarização dc com realimentação de tensão.

O circuito da Figura 29 apresenta os capacitores C1 e C2 que, para o estudo de

polarização dc, aparecem como altas impedâncias. Sendo assim, nosso circuito
para estudo se apresenta com mostra a Figura 30 a seguir:

lOMoARcPSD|32334808
126 UNIUBE
Figura 30: Circuito considerado para estudo.

Observe que este circuito de polarização dc é semelhante ao circuito de pola-

rização estável do emissor, diferenciando-se apenas na ligação de VBB. Passe-
mos à análise do circuito aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da
malha B-E.
VCC − VRC − VRB − VBE − VE =0 → VCC − I C' ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE − I E ⋅ RE =0
Veja que a corrente no resistor RC não é IC, e sim IĆ, onde: I=

'
C IC + I B
Em nossos estudos dos circuitos de polarização, pôde ser percebido que a

corrente de coletor (IC) sempre se apresentou muito maior do que a corrente de
base (IB). Assim, podemos afirmar que: Se I C >> I B , então I C' @ I C
Ainda, sabemos que IC = bCC . IB e, portanto: I C' @ bCC ⋅ I B
E, por fim, podemos também utilizar a aproximação: IE @ IC
Observe que podemos substituir as correntes IĆ e IE, ficando apenas em função
da corrente de base. Façamos então.
VCC − I C' ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE − I E ⋅ RE = 0 → VCC − bCC ⋅ I B ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE − bCC I B ⋅ RE = 0
VCC − I B ⋅  RB + bCC ⋅ ( RC + RE )  − VBE =
0

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 127
VCC − VBE
IB = (equação 3.1)
RB + bCC ⋅ ( RC + RE )
Vamos comparar a equação 3.1 com as equações de IB para os circuitos de po-

larização fixa e de polarização estável do emissor. Vejamos a Tabela 2, a seguir:
Tabela 2: Comparação das equações para IB.
Circuito de polarização Equação
VCC − VBE
Fixa IB = (I)
RB
VCC − VBE
Estável do emissor IB = (II)
RB + bCC ⋅ RE
VCC − VBE
IB =
RB + bCC ⋅ ( RC + RE )
Com realimentação de tensão (III)
Observe que após a inserção do resistor no emissor, no circuito de polarização

fixa, houve a reflexão daquela resistência por bCC e, dessa forma, a corrente da
base passou a ser dependente também do ganho, o que proporcionou àquele
circuito uma sensibilidade às variações no ganho um pouco menor. Agora, com
VBB ligado a VC, a resistência do coletor também foi refletida por bCC.
Podemos comparar essa situação àquela do circuito de polarização por divisão

de tensão, onde a resistência RTh praticamente não influenciava no denominador
da equação de IB. Para o circuito de polarização dc com realimentação de tensão,
quanto maior bCC . (RC + RE) for em relação à RB, menor será a sensibilidade do
circuito às variações no ganho. Vamos continuar com nossa análise matemática
e logo depois faremos um exemplo.

lOMoARcPSD|32334808
128 UNIUBE
I C b CC ⋅ I B
A corrente de coletor vale: = (equação 3.2)
Aplicando a lei de Kirchhoff na malha C-E, temos:

VCC − VRC − VCE − VE = 0 → VCC − I C' ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0, como I C' @ I C temos:
VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE =
0
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE ) (equação 3.3)
Os pontos da reta de carga não se alteram (considerando IĆ @ IC), ou seja:

 C

 RC + RE VCE = 0V
Exemplo 7
Dado o circuito da Figura 31, determine seu ponto de operação considerando:
bCC = 400
bCC = 300
bCC = 100
Figura 31: Circuito de polarização com

realimentação de tensão para o exemplo 7.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 129
Resolução
a)
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha B-E, temos:

VCC − I C' ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE − I E ⋅ RE = 0 → VCC − b CC ⋅ I B ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE − b CC I B ⋅ RE = 0
18 − 0, 7
VCC − I B ⋅  RB + bCC ⋅ ( RC + RE )  − VBE = 0 → I B = @ 7,9 m A
470k + 400 ⋅ ( 3,3k + 1k )
A corrente de coletor fica: I C = bCC ⋅ I B → I C = 400 ⋅ 7,9 m @ 3,16mA
Agora, aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha C-E, temos:
VCC − VRC − VCE − VE = 0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0 → VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE )
VCE =18 − 3,16m ⋅ ( 3,3k + 1k ) @ 4, 41V
 I CQ = 3,16mA

Assim: Ponto Q = 
V = 4, 41V
 CEQ
b)

18 − 0, 7
VCC − I B ⋅  RB + bCC ⋅ ( RC + RE )  − VBE = 0 → I B = @ 9,83m A
470k + 300 ⋅ ( 3,3k + 1k )
A corrente de coletor fica: I C = bCC ⋅ I B → I C = 300 ⋅ 9,83m @ 2,95mA
VCE =18 − 2,95m ⋅ ( 3,3k + 1k ) @ 5,32V
 I CQ = 2,95mA
VCEQ = 5,32V

lOMoARcPSD|32334808
130 UNIUBE
c)

18 − 0, 7
VCC − I B ⋅  RB + bCC ⋅ ( RC + RE )  − VBE = 0 → I B = @ 19, 22 m A
470k + 100 ⋅ ( 3,3k + 1k )
A corrente de coletor fica:
I C = b CC ⋅ I B → I C = 100 ⋅19, 22 m @ 1,92mA
VCE =18 − 1,92m ⋅ ( 3,3k + 1k ) @ 9, 74V
 I CQ = 1,92mA

V = 9, 74V
 CEQ
Podemos perceber que na medida em que a influência de RB no denominador
cresce, a variação do ponto de operação também aumenta. Observe que da letra
a) para a letra b) a variação no ponto de operação é bem menor se comparada
à variação que houve da letra a) para a letra c).
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 4
Dado o circuito da Figura 32, determine seu ponto de operação para bCC = 200,
sabendo que, quando bCC = 400, o transistor opera com os seguintes valores: ICQ =
3,56mA e VCEQ = 7,98V.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 131
Figura 32: Circuito de polarização com

realimentação de tensão para a Atividade 4.
3.3.1 Outro circuito de polarização dc com realimentação de tensão
O circuito de polarização dc com realimentação de tensão aqui estudado, como

já citado, é semelhante ao circuito de polarização estável do emissor. Também
podemos fazer uma realimentação de tensão utilizando o circuito de polarização
fixa. Observe o circuito da Figura 33 a seguir:
Figura 33: Outro circuito de polarização

dc com realimentação de tensão.

lOMoARcPSD|32334808
132 UNIUBE
A análise deste circuito é semelhante à análise realizada anteriormente. Veja-

mos então.
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha B-E, teremos:
VCC − VRC − VRB − VBE =0 → VCC − I C' ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE =0
Lembrando que I=
'
C I C b CC ⋅ I B , a equação fica:
I C + I B , onde I C >> I B , e que =
VCC − bCC ⋅ I B ⋅ RC − I B ⋅ RB − VBE = 0 → VCC − I B ⋅ ( RB + bCC ⋅ RC ) − VBE = 0

VCC − VBE
RB + bCC ⋅ RC
Veja que, uma vez que a resistência do emissor foi retirada do circuito, o valor
final das resistências refletidas diminui, ou seja, a influência de RB cresceu. Isso
quer dizer que este circuito é mais sensível às variações no ganho do que o
circuito com realimentação estudado anteriormente.
A corrente de coletor fica:
I C b CC ⋅ I B
= (equação 3.1.2)
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha C-E, teremos:
VCC − VRC − VCE =0 → VCC − I C' ⋅ RC − VCE =0 → VCC − I C ⋅ RC − VCE =0
VCE = VCC − I C ⋅ RC (equação 3.1.3)
As coordenadas para a reta de carga são:

 C

 RC V =0V
CE
Vamos a um exemplo.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 133
Exemplo 8
Dado o circuito da Figura 34 a seguir, determine seu ponto de operação.
Figura 34: Circuito de polarização com realimentação

de tensão par o Exemplo 8.
Resolução
Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões ao longo das malhas B-E e C-E, te-
remos:
VCC − VBE 12 − 0, 7
=IB = → IB @ 7,51m A
RB − bCC ⋅ RC 680k + 250 ⋅ 3,3k
I C = b CC ⋅ I B → I C = 250 ⋅ 7,51m @ 1,88mA
VCE = VCC − I C ⋅ RC → VCE = 12 − 1,88m ⋅ 3,3k @ 5,8V
De onde temos então que:
 I CQ = 1,88mA

Ponto Q = 
V = 5,8V
 CEQ

lOMoARcPSD|32334808
134 UNIUBE
AGORA É A SUA VEZ
Atividade 5
Repita o Exemplo 8, considerando agora um ganho de 100.
Resumo
Neste capítulo apresentamos um estudo de dois circuitos de polarização dc do

transistor bipolar de junção: o circuito de polarização por divisão de tensão e
o circuito de polarização com realimentação de tensão. Estudamos também o
estudo do circuito de chaveamento transistorizado. São utilizadas ferramentas de
análise de circuitos que nos proporcionam deduzir as expressões matemáticas
que descrevem o comportamento de cada circuito de polarização. Ao longo do
capítulo, utilizamos exemplos variados com o propósito de tornar mais compre-
ensíveis as análises realizadas assim como o comportamento de cada circuito.
Propomos atividades para que você possa alcançar os objetivos propostos.
Referência
BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São Paulo:

lOMoARcPSD|32334808
Capítulo Transistores de efeito

4 de campo (FETs)
Introdução
Nos capítulos anteriores, vimos que os transistores (TBJ) são deno-
minados bipolares ou de junção. Seu conceito básico é a capacidade
de amplificar sinais elétricos e sua construção básica é feita em três
regiões semicondutoras, que recebem o nome de coletor (C), Emissor
(E) e base (B).
Cada uma das junções se comporta como diodos, mas, quando aplica-
mos corrente em uma determinada entrada, temos um comportamento
diferente, pois podemos obter um aumento ou corte na passagem da
corrente entre os terminais, controlando uma grande quantidade de
corrente e obtendo um baixíssimo consumo.
A aplicação dos transistores na eletrônica é muito vasta, mas eles não

são os únicos componentes que podem ser construídos com base na
junção de materiais semicondutores.
Sendo assim, neste capítulo, veremos os transistores de junção única ou

unijunção e efeito de campo (abreviadamente FETs, do inglês field‑effect
transistor). Sua construção tem apenas duas regiões semicondutoras. A
primeira delas tem duas derivações, que recebem o nome de Dreno (D)
(ou drain) e Fonte (S) (ou source), e a segunda região semicondutora
é denominada Porta (G) (ou gate).

lOMoARcPSD|32334808
136 UNIUBE
Diferente dos transistores (TBJ), que utilizam uma corrente elétrica para
controlar a passagem de outra corrente elétrica, as junções de Dreno
(D) e a Fonte (S) permitem a passagem de uma corrente elétrica e a
Porta (G) controla esta passagem por um campo elétrico. Desse modo,
praticamente não existe um consumo de corrente elétrica pela Porta (G).
Os FETs são muito utilizados na amplificação de sinais elétricos e, hoje,

ocupam um grande destaque na eletrônica por suas propriedades e pelo
baixíssimo consumo. Sua construção e funcionamento são um pouco
diferente dos transistores convencionais.
Diante disso, neste roteiro, estudaremos inicialmente os unijunção e logo

depois duas variações bem interessantes do FET: o JFET, Transistores
de junção por efeito de campo, e MOSFETs, Transistores de efeito de
campo metal‑oxido‑semicondutor.
Bom estudo!
Objetivos
esteja apto(a) a:
• aplicar a teoria básica que envolve os circuitos que utiliza FETs;

• criar e analisar circuitos;
• identificar outros componentes utilizados na construção de cir-
cuitos eletrônicos;
• explicar conceitos básicos relacionados a transistores de efeito
de campo;
• discutir os processos e funcionamento de circuitos.
Esquema
Transistor de unijunção
4.1 Características básicas

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 137
4.2 Construção e operação básica do transistor unijunção

Transistores de efeito de campo de junção
4.3 Tipos de FETs
4.4 Características dos FETs
4.5 Características dos MOSFETs
Polarização dos FETs

4.7 Circuito de polarização por divisor de tensão
Transistor de unijunção
4.1 Características básicas
Os transistores de unijunção consistem em um dispositivo eletrônico construído

com silício, que apresenta características elétricas que permitem sua aplicação
em circuitos de temporização e osciladores de baixa frequência.
Comparando com os TBJ, podemos ver que eles têm uma impedância de entrada
altíssima que varia de um a centenas de mega ohms. Estas são mais estáveis
à variação de temperatura, sua amplificação é mais linear, mas a variação de
tensão de saída é menor, portanto os TBJ têm uma sensibilidade muito maior
a sinais injetados.
Conforme podemos ver na Figura 1, a seguir, temos, o símbolo adotado para

representar o unijunção.
Figura 1: Símbolo adotado para o unijunção.

lOMoARcPSD|32334808
138 UNIUBE
4.2 Construção e operação básica do transistor unijunção
Foi dito anteriormente que o unijunção é um componente eletrônico sólido com-

posto de silício e que tem três terminais, sendo que dois deles têm a função de
passagem de corrente elétrica e o outro tem a função do controle.
Figura 2: Construção de um transistor de unijunção.
Podemos ver a construção de um transistor de unijunção, na Figura 2, mostrada

anteriormente. Essa construção é chamada de “unijunção” por apresentar ape-
nas uma ligação.
Na construção do Canal N, é utilizado o material semicondutor do tipo N. Ele

recebe esse nome, pois sua estrutura molecular tem mais elétrons livres. Desse
modo, supostamente, podemos considerar o material com uma carga elétrica
negativa, a qual permitirá a interligação da Base 1 (B1) com a Base 2 (B2).
A construção do semicondutor do tipo P recebe essa denominação, pois sua estru-

tura molecular tem lacunas de elétrons. Dessa maneira, supostamente, podemos
considerar o material carregado positivamente que é ligado ao Emissor (E).
Mas, como essas características controlam a passagem de corrente pelo Canal N?

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 139
O controle da passagem de corrente pelo Canal N se dá pelo tamanho da deple-

ção gerada pela junção dos dois materiais, o semicondutor N e o semicondutor
P. Quanto maior a tensão polarizada no terminal Emissor (E), menor a depleção,
permitindo a passagem da corrente. Se invertermos a polarização, teremos um
aumento, causando um estrangulamento, aumentando a resistência no Canal
N, por isso, considera-se esse transistor como efeito de campo. A Figura 3, a
seguir, demonstra como o aumento da depleção pode influenciar a passagem
da corrente elétrica. A esse processo chamamos de contrição.
Base 2 (B2)
Base2 Base2
Base
Base22 (B2)
(B2)
Canal N Canal N
Depleç ão
Depleção Depleç ão
Depleção
Corrente
Corrente Corrente
Corrente
Elétric
Elétricaa Elétrica
Elétric a
Emissor(E)
Emissor (E) Emissor (E)
Emissor (E)
P P Estrangulam ento
Estrangulamento
Base
Base11 (B1) Base11 (B1)
Base
Figura 3: Controle da corrente pelo aumento da depleção.
Entre a interligação da Base 1 (B1) com a Base 2 (B2) não existe nenhuma jun-
ção para que a corrente atravesse. Assim, temos uma resistência pura, a qual
podemos constatar utilizando as pontas de prova de um multímetro, cujo valor
varia de 4KΩ a 15KΩ.
Essa resistência é chamada de resistência interbase (Rbb). A ligação do

Emissor (E), no meio do Canal N, se comporta como se tivéssemos um diodo
ligado entre dois resistores. A Figura 4, a seguir, mostra um circuito equivalente:

lOMoARcPSD|32334808
140 UNIUBE
Figura 4: Circuito equivalente de um unijunção.
Quando aplicarmos uma tensão polarizada no Emissor (E) de forma a propor-

cionar uma condução, temos que vencer duas barreiras.
A primeira é a própria junção do suposto diodo, que é a junção entre o material

P com o N. Para vencer essa ligação, precisamos de 0,6V aproximadamente,
já que o material é feito de silício.
A segunda é a tensão que existe no ponto entre a ligação do diodo com os dois
resistores, determinada pela relação intrínseca. Essa relação é dada pela jun-
ção entre os dois resistores onde está ligado o diodo. Esta relação intrínseca é
abreviada por “η”. Dessa forma, se a divisão dos resistores for exatamente ao
meio, temos uma relação intrínseca de 0,5. Porém, se a resistência de R1 for
60% e R2 for de 40%, então teremos uma relação intrínseca de 0,6. Para um
transistor unijunção comum, essa relação pode variar entre 0,5 a 0,8.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 141
Figura 5: Circuito equivalente com polarização para conduzir.
Vejamos, a seguir alguns exemplos:
Exemplo 1
Se aplicarmos 10V entre a Base 1 (B1) e a Base 2 (B2) e a sua relação intrínseca
for de 0,5, então teremos:
0,5 * 10 = 5V
Somando-se com os 0,6 da junção:
5 + 0,6 = 5,6V
Então, temos que aplicar 5,6V para vencer os dois obstáculos e tornar o uni-
junção condutor.
Na Figura 5, anteriormente mostrada, vemos um circuito equivalente que de-

monstra este exemplo.
Se injetar uma tensão de 0V a 5,6V, a condutibilidade do transistor não acontece

suavemente, mas de forma abrupta. Assim, a resistência interbase que era de
4KΩ a 15KΩ passará para alguns ohms. Dessa forma, podemos dizer que um
transistor unijunção é um interruptor acionado por tensão elétrica.

lOMoARcPSD|32334808
142 UNIUBE
Exemplo 2
Se aplicarmos 15V entre a Base 1 (B1) e a Base 2 (B2) e a sua relação intrínseca
for de 1, então teremos:
0,6 * 15 = 9V
Mas, a junção:
9 + 0,6 = 9,6V
Então, temos que aplicar 9,6V para vencer os dois obstáculos e tornar o uni-
junção condutor.
Exemplo 3
Se aplicarmos 20V entre a “Base 1 (B1)” e a “Base 2 (B2)” e a sua tensão de

condução for 12V, então teremos:
12V ‑ 0,6 = 11,4V
Calculando a relação:
11,4V / 20V = 0,57
Então, temos um unijunção com a relação intrínseca de 0,57.
Exemplo 4
Se aplicarmos 12V entre a Base 1 (B1) e a Base 2 (B2) e a sua tensão de con-
dução for 4V, então teremos:
4V ‑ 0,6 = 3,4V
3,4V / 12V = 0,28

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 143
Então, temos um unijunção com a relação intrínseca de 0,28.
Exemplo 5
Para uma relação intrínseca de 0,4 e a sua tensão de condução for 6V, então
teremos:
6V ‑ 0,6 = 5,4V
5,4V / 0,4 = 13,4V
Então, temos uma fonte de 13,4V para alimentar o transistor unijunção.
Prosseguindo, observe a Figura 6, a seguir, que nos mostra uma operação

básica de um unijunção, um circuito oscilador. Observe-a e veja como esse
circuito funciona.
Figura 6: Oscilador com unijunção.

lOMoARcPSD|32334808
144 UNIUBE
Conseguiu perceber o modo de funcionamento desse oscilador? Então, vamos conferir

seu funcionamento passo a passo.
Os resistores R1 e R2 polarizam a base do unijunção determinando seu ponto

de disparo. O resistor R3 determina a velocidade com que o capacitor C1 será
carregado até que sua tensão atinja o ponto de disparo do transistor.
Quando este disparo acontece, a resistência entre a Base 1 (B1) e a Base 2

(B2) vai de um valor altíssimo para um valor muito baixo, colocando o capacitor
C1 em paralelo com o R2, descarregando o C1. Quando a tensão do capacitor
cai, o transistor Q1 volta para seu estado inicial, e sua resistência entre a Base
1 (B1) e Base2 (B2) volta para seu valor antigo, voltando a carregar o capacitor
até que ele atinja novamente o ponto de disparo.
Volts
R1
R3
0 Tem po
Volts Q1 Volts
Carga
Desc arga C1
0
R2
Tem po 0 Tem po
Disparo
Figura 7: Ondas produzidas pelo oscilador.
Agora, vejamos as ondas produzidas pelo oscilador. A Figura 7, anteriormente

mostrada, apresenta três delas.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 145
A primeira é a carga e descarga do capacitor. No momento em que o capacitor

está carregando, sua subida é suave, mas no disparo do unijunção, o capacitor
é descarregado com uma descida acentuada. Esta descarga acontece até que
o transistor volte para seu estado anterior.
A segunda onda acontece quando há a ligação entre o resistor R1 com o tran-

sistor de unijunção. Isso resulta em um pulso curto e repentino de descida, que
ocorre no momento do disparo.
A terceira onda acontece quando há a ligação do transistor de unijunção com o

resistor R2. Esse pulso é curto e repentino de subida.
A frequência de um oscilador que utiliza um transistor unijunção pode chegar

a alguns quilohertz. Podemos facilmente obter uma fórmula aproximada com a
relação de osciladores RC.
F = 1/(R*C)
Assim, F é a frequência em hertz, C é a capacitância em farads e R a resistência

em ohms.
Você poderá compreender melhor com os exemplos, a seguir.
Exemplo 6
Utilizando um capacitor de 1000uF e um resistor de 1KΩ:
F = 1 / (1000uF * 1KΩ) ou F = 1 / (1000*10‑6 * 1*103)
F=1/1
F = 1 Hz
E, como se comportaria o oscilador carregado com 1Hz? A Figura 8, na

sequência, nos mostra o esquema eletrônico de como ficaria o oscilador.

lOMoARcPSD|32334808
146 UNIUBE
Figura 8: Oscilador de 1Hz.
Exemplo 7
Utilizando um capacitor de 10pF e um resistor de 1MΩ:
F = 1 / (10pF * 1MΩ) ou F = 1 / (10*10‑9 * 1*106)
F = 1 / 0,01
F = 100 Hz
Exemplo 8
Utilizando um oscilador de 200Hz e um resistor de 100KΩ:
200Hz = 1 / (C1 * 100KΩ)
1 / 200Hz = C1 * 100*103
C1 = 0,005 / 100*103
C1 = 50nF

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 147
Exemplo 9
Utilizando um oscilador de 1KHz e um resistor de 1MΩ:
1KHz = 1 / (C1 * 1MΩ)
1 / 1*103 Hz = C1 * 1*106
C1 = 0,001 / 1*106
C1 = 1nF
Exemplo 10
Utilizando um oscilador de 900Hz e um capacitor de 10nF:
900Hz = 1 / (10nF * R3)
1 / 900 Hz = 10*10‑9 * R3
R3 = 0,0011 / 10*10‑9
R3 = 111,1KΩ
Esse tipo de oscilador tem uma característica especial: ele não apresenta tanta
variação na frequência do oscilador com a alteração da tensão de alimentação.
Ou seja, se aplicarmos 20% a mais de tensão de alimentação no oscilador, a
sua frequência terá sido alterada em apenas 2%.
Transistores de efeito de campo de junção
4.3 Tipos de FETs
O FET tem dois modelos: o Canal N possui um canal feito com semicondutor
tipo N e uma junção P. Quando construímos um FET de Canal P, este é feito
por um material semicondutor tipo P e por uma junção N, o que provoca uma
mudança no seu comportamento.

lOMoARcPSD|32334808
148 UNIUBE
Conforme podemos ver na Figura 9, a seguir, temos os símbolos adotados para

representar os dois modelos de FETs
CANAL N CANAL P
Figura 9: Símbolos adotados para os FETs.
Parecido com o transistor unijunção, o controle de um FET de Canal N se dá pela

injeção da tensão na Porta (G) antigo Emissor (E) do transistor de unijunção,
que leva a um aumento da corrente do canal. Um FET de Canal P funciona de
forma inversa. Para obtermos mais corrente no canal, temos que injetar uma
tensão inversa na Porta (G).
4.4 Características dos FETs
O transistor de efeito de campo de junção FET difere do unijunção inicialmente

pela sua construção. Seu canal é envolvido por uma junção de um semicondutor
oposto, aumentando sua sensibilidade e diminuindo a passagem da corrente pelo
canal. A Figura 10, a seguir, representa como é construído um FET e podemos
compará-lo com um exemplar de um unijunção mostrado na Figura 10:

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 149
Fonte (S
Fonte (S)
)
Junção
Junção
depleção Canal
Canal
depleção
Porta
Porta (G)
P P
FET
Dreno
Dreno (D)
(D)
Figura 10: Construção de um FET.
Aplicando uma tensão inversa na Porta (G) em relação à Fonte (S), obtemos
um aumento da depleção que reduz o fluxo de corrente pelo canal. A Figura 11
mostra as curvas de um FET, relacionando a tensão injetada na Fonte (S) e a
limitação da corrente que passa pelo canal, de acordo com a tensão na porta
que é dada por (Vgs).
Amper
Vgs = 0V
10
Vgs = -1V
8
Vgs = -2V
6
Vgs = -3V
4
Vgs = -4V
2
Volts
3 6 9 12 15 18 21 24
{
Região Linear
Região Linear Região Ruptura
Região Ruptura
Figura 11: Curvas de um FET.
Podemos observar que, em certa faixa de tensão, o transistor trabalha quase

linearmente. Temos uma variação na resistência do canal, o que possibilita
o uso em amplificadores de sinais da mesma forma que os transistores TBJ.

lOMoARcPSD|32334808
150 UNIUBE
Logo depois, existe o ponto de saturação onde acontece o pinch‑off, que leva
praticamente à estabilização da corrente, não importando qual seja tensão inje-
tada no canal. Dessa forma, também podemos utilizar este transistor como um
regulador de corrente. A última região é a faixa de ruptura, ponto que mostra a
subida repentina da corrente da mesma forma que um diodo ligado reversamente.
A relação de ganho de um FET é expressa por uma grandeza chamada trans-

condutância e é dada pela relação da entrada de tensão na Porta (G) e o au-
mento da corrente pelo canal. Significa que se essa relação se dá em corrente
por tensão, bem ao contrário da lei de ohms, obtemos o fator de multiplicação
do FET, que é chamado de Siemens (S).
Se um FET for de 4mS, isso quer dizer que temos uma relação de 4mA/V. Dessa
forma, para cada variação de 1V na Porta (G), terá uma mudança de 4mA no
canal da Fonte (S) para o Dreno (D).
Há três formas de usar o FET como amplificador, conforme podemos ver na

Figura 12:
Figura 12: Formas de ligação para amplificadores com FET.
1. a fonte comum é ligada à Fonte (S) do FET no comum. A entrada de sinal

vem pela Porta (G) e sua saída é pelo Dreno (D). Esta forma é a mais usada.
2. a porta comum é onde a Porta (G) está ligada no comum. A entrada de sinal
está ligada no Dreno (D) e a saída na Fonte (S) com um resistor.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 151
3. o dreno comum (D) fica de uma forma que o dreno está ligado ao comum por
um resistor e entre eles temos o ponto de saída. Assim, o sinal entra pela
Porta (G) e a alimentação pela Fonte (S).
A Figura 13 mostra um típico pré-amplificador de áudio. O resistor R3 tem um

valor típico entre 500KΩ a 10MΩ.
Figura 13: Amplificador de áudio.
Por causa desse alto valor, esse tipo de amplificador tem uma impedância de
entrada altíssima, a qual se diferencia dos amplificadores com transistores TBJ e,
devido a essa característica, esse amplificador se aproxima das válvulas comuns.
O capacitor C1 é utilizado para permitir que o sinal de áudio passe para a Porta
(G) do FET e não permita sinais contínuos que são prejudiciais à qualidade do
amplificador.
O resistor R2 faz a polarização para a entrada da Fonte (S) do FET, deixando-o

sempre mais negativo que a entrada. Com isso, o FET mantém seu trabalho na
faixa linear para obtenção de uma melhor qualidade no sinal final.
Por sua vez, o capacitor C3 está em paralelo com o R2 da passagem direta para
o sinal de áudio para o terra. O resistor R1 limita a corrente de saída do sinal e o

lOMoARcPSD|32334808
152 UNIUBE
capacitor C2 permite a saída do sinal amplificado, bloqueando sinais contínuos

que são prejudiciais para a qualidade do amplificador.
Lembre-se de que este circuito é um pré-amplificador. Então, temos que ligar a saída
em outra etapa.
4.5 Características dos MOSFETs
Como vimos anteriormente, os transistores de efeito de campo podem ser en-

contrados em dois tipos.
Agora, falaremos dos MOSFETs (do inglês, Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistors), ou “transistores de efeito de campo metal-oxido-semicondutor”.
O MOSFET tem quase as mesmas características do FET quando se encontra
polarizado e quando trabalha sua curva é linear. Mas, ele apresenta algumas
particularidades que, por isso, justificam que esse condutor seja explicado se-
paradamente.
A construção de um MOSFET é um pouco diferente do FET. O Canal N. tem uma

base a partir da qual será construído todo o resto. Ela é feita de um substrato,
no caso, material semicondutor tipo P. Alguns componentes têm esse substrato
ligado à Fonte (S), outros contêm uma quarta saída, que é chamada de SS
(Substract Sours).
A Figura 14, a seguir, mostra o símbolo adotado para representar os dois prin-
cipais tipos de MOSFET e suas ligações, o Canal N e o Canal P.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 153
CANAL N CANAL P
Figura 14: Amplificador de áudio.
Em contato com o substrato, temos dois pedaços de material semicondutor tipo

N que forma o Canal N. Eles são interligados por outro material do mesmo tipo,
sendo que cada parte do canal é ligado ao conector da Fonte (S) e do Dreno (D).
Sobre o Canal N, temos uma placa finíssima feita com óxido de silício, que
serve como isolante. Assim, origina-se seu nome: transistor de efeito de campo
de óxido metal semicondutor. Sobre o material isolante, há um eletrodo que é
ligado à entrada da Porta (G) por um condutor metálico.
Como podemos ver na Figura 15, há a representação da construção de um

MOSFET de Canal N. Entre a Porta (G) e o Canal N, há um isolante de óxido de
metal. Dessa forma, não há contato eletrônico nenhum. Então, podemos afirmar
que a corrente de entrada na Porta (G) é quase 0A, e sua impedância é altíssima.
Junção
depleção
Canal
Dreno (D)
N
Substrato
Substrato
Porta (G) SS
N P
Fonte
Fonte(S)
(S)
N
SiO 2
Figura 15: Construção de um MOSFET.

lOMoARcPSD|32334808
154 UNIUBE
O controle do MOSFET é dado pela injeção de tensão na Porta (G) que influen-
cia na condutibilidade do Canal N, ou seja, se aplicarmos cada vez mais tensão
positiva na Porta (G), atraímos mais elétrons da camada de depleção para o
Canal N, aumentando os portadores e diminuindo a resistência elétrica. Se hou-
ver a injeção de uma tensão negativa na Porta (G), os elétrons do canal serão
repelidos para a camada de depleção, diminuindo os portadores e aumentando
a resistência do Canal N.
Essa tensão de controle age como um empobrecedor de portadores livres no

canal, tipo de depleção. Em inglês, esse transistor é chamado de depletion.
Porém, podemos encontrar MOSFETs em que o controle é feito pelo enriqueci-
mento dos portadores no canal, diminuindo a resistência. Esse tipo é chamado
de intensificação; em inglês, é denominado enhancement.
Os MOSFETs têm uma resistência de entrada altíssima que pode chegar na

casa dos 100 tera-ohms. Além de possuírem uma alta velocidade de trabalho,
podendo amplificar sinais de até 500MHz.
PONTO-CHAVE
Para o manuseio de um MOSFET, temos que tomar bastante cuidado com a ener-
gia estática do nosso corpo ou materiais que vão manipular o componente, pois a
alimentação do circuito onde será instalado o componente ou, até do ferro de solda,
pode conter certa carga da rede elétrica. Essas cargas elétricas podem danificar per-
manentemente o transistor, destruindo o isolante de óxido de silício. Ao manusear um
MOSFET, devemos manter todos os seus contatos em curto, para evitar a diferença
de cargas elétricas do canal para a Porta (G) até que ele seja instalado no circuito
permanentemente.
Alguns MOSFET têm diodos instalados fora ou dentro do componente para

proteger esta sobrecarga, evitando que o transistor se queime.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 155
PARADA OBRIGATÓRIA
Antes de prosseguir com seu estudo sobre o assunto, faça um resumo sobre os di-
ferentes tipos de transistores vistos até o momento.
Polarização dos FETs
Vimos as equações que caracterizam e se relacionam a um transistor TBJ, elas

definem sua forma de trabalho, em que: IC = β * IB e IC ≈ IE. A forma entre estes
tipos de transistores é o β, que é uma constante e uma relação linear que define
a forma de trabalho desse tipo de transistor.
Já os FETs não possuem relação linear. A relação ID (corrente de dreno) e VGS

(tensão da porta), não sendo linear, pode dificultar o desenvolvimento matemá-
tico para análise do circuito.
Comparando um FET a um TBJ, podemos ver que, em comum, eles controlam

a passagem de corrente, mas sua grande diferença é a forma desse controle.
O TBJ é controlado por corrente e o FET é controlado por tensão.
Logo, as características de um transistor por efeito de campo é definida por:

IG ≈ 0A e ID = IS.
IMPORTANTE!
Para um FET ou MOSFET de tipo depleção, temos a relação de entrada e saída

2
defenida por: ID = IDSS 1 – VGS e, para MOSFET de tipo intensificação, a equação
Vp
é: ID = K(VGS ‑ VT)2
Estas fórmulas matemáticas são aplicáveis apenas na faixa de operação do

transistor e dependem apenas do dispositivo. Também podemos entender um
circuito utilizando o método de análise por gráfico. Não obtemos uma boa pre-
cisão, mas, por ser mais simples e rápido, é bastante usado.

lOMoARcPSD|32334808
156 UNIUBE
Os transistores de efeito de campo são polarizados de modo que mantenham

a tensão da Porta (G) nula ou negativa em relação à Fonte (S), para que o FET
trabalhe na região linear.
Normalmente, é utilizado um resistor que faz este arranjo. Ele também costuma
servir como proteção para o circuito e pode variar entre 500KΩ a 10MΩ ou mais.
Esta forma de ligação é uma das poucas que podem ser solucionadas utilizando
o método matemático e gráfico.
Observe a Figura 16. Ela nos mostra um circuito da forma mais simples, caracterís-
tico do circuito com polarização fixa. Seus capacitores, C1 e C2, funcionam como
acoplamento e comportam circuitos abertos para corrente contínua e circuitos em
curto para sinais de baixa impedância, passando apenas o sinal desejado.
Figura 16: Circuito com polarização fixa.
Lembrando que a corrente de entrada da Porta (G) IG ≈ 0A e, na configuração

do circuito, temos IG = IR1.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 157
Então, podemos afirmar que a corrente que passa pelo resistor R1 IR1 ≈ 0A, se
aplica à lei de ohms. Para descobrirmos a queda de tensão nesse resistor, temos:
R1 * IR1 = VR1
R1 * 0A = VR1
VR1 = 0V
A queda de tensão do resistor é 0V. Por essa análise, podemos retirar o resistor
R1 e ligarmos diretamente a fonte VGG na Porta (G), como mostra a Figura 17,
a seguir:
Figura 17: Circuito equivalente sem o resistor R1.
A fonte VGG é constante e está ligada à Porta (G) inversamente em relação à

Fonte (S). Então, temos uma queda de tensão fixa e negativa, por isso o nome
polarização fixa. Dessa forma, o FET está trabalhando na sua região linear,
2
permitindo a aplicação da lei de Shockley: ID = IDSS 1 – VGS para encontrar ID.
Vp
Traçando a curva de transferência e adotando o método de análise simplificado,
em que VGS = ½VP, obtemos uma corrente de dreno igual a ¼IDSS, conforme a
Figura 18.

lOMoARcPSD|32334808
158 UNIUBE
ID (Am per)
IDSS
¼ IDSS
VGS (Volts)
VP ½ VP
Figura 18: Curva de transferência de Shockley.
Para VGS = ‑ VGG, obtemos um ponto de operação chamado quiescente Q, a partir

do qual pode-se traçar uma reta horizontal até o eixo da corrente, obtendo-se o
valor da corrente IDQ, como mostra a Figura 19:
ID (Am per)
IDSS
Q
IDQ
VGS (Volts)
VP VGS = -VGG
Figura 19: Curva de transferência de Shockley.
Na Figura 20, a seguir, vemos as possibilidades de medirmos os valores do

circuito para encontrar o valor de VGS e ID.
Se aplicarmos a lei de Kirchhoff: VGS = ‑ VGG
A Fonte (S) está ligada diretamente ao terra VS = 0V. Então, podemos afirmar:
VG = VGS

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 159
Para encontrar a queda de tensão entre o Dreno (D) e a Fonte (S):
VDS + IR2*R2 = VCC
VDS + VR2 = VCC
VDS = VCC ‑ VR2
Logo, lembrando que a queda VS = 0V, temos:
VDS = VD ‑ VS
VDS = VD ‑ 0V
VDS = VD
Amper
Figura 20: Formas de medir valores do circuito.
A seguir, temos alguns exemplos que podem auxiliá-lo(a) à compreensão dos

conceitos e conteúdos abordados até o momento.

lOMoARcPSD|32334808
160 UNIUBE
Exemplo 11
A Figura 21 mostra um circuito com as seguintes configurações:
Figura 21: Circuito com os valores para o cálculo.
Usando-se o método matemático de Shockley, teremos:
a) VS = 0V
b) VGS = ‑VGG = ‑2V

2
c) ID = IDSS 1 ‑ VGS
Vp
ID = 12mA 1 ‑ ‑2V
2
‑10V
ID = 12mA (0,8)2
ID = 7,68mA
d) VR2 = IR2*R2 e IR2 = ID
VR2 = 7,68mA * 1K
VR2 = 7,68V

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 161
e) VD = VDS = VCC ‑ VR2
VD = 20V ‑ 7,68V
VD = 12,32V
Exemplo 12
Antes de calcular o circuito da Figura 21 utilizando o modo gráfico, temos que

montá-lo, conforme mostra a Figura 22. Quanto maior a escala, melhor será a
precisão dos valores.
ID (Am per)
12 IDSS
10
Q 8
IDQ = 7,5mA
6
4
¼ IDSS = 3mA
VGS (Volts) 2
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
VP ½ VP VGS = -VGG
Figura 22: Curva de transferência para o cálculo.
a) VS = 0V
b) VGSQ = VGS = ‑VGG = ‑2V
c) IDQ = 7,5mA
d) VR2 = IR2*R2 e IR2 = IDQ
VR2 = 7,5mA * 1KΩ
VR2 = 7,5V

lOMoARcPSD|32334808
162 UNIUBE
VD = 20V ‑ 7,5V
VD = 12,5V
Exemplo 13
A Figura 23 mostra um circuito com as seguintes configurações:
Utilizando-se o modo matemático de Shockley, teremos:
a) VS = 0V
b) VGS = ‑VGG = ‑3V

2
Vp
1 ‑ ‑2V
2
ID = 6mA
‑9V
ID = 6mA(0,7)2
ID = 2,7mA

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 163
VR2 = 2,7mA * 2K
VR2 = 5,33V
VD = 18V ‑ 5,33V
VD = 12,66V
Exemplo 14
Pelo modo gráfico do circuito da Figura 23, conforme mostra a Figura 24:
ID (Am per)
6 IDSS
5
Q 3
IDQ = 2,5mA
2
¼ IDSS = 1,5mA
VGS (Volts) 1
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
VP ½ VP = 4,5V VGS = -VGG

Figura 24: Curva de transferência para o cálculo.
a) VS = 0V
b) VGSQ = VGS = ‑VGG = ‑3V
c) IDQ = 2,5mA
d) VR2 = IR2*R2 e IR2 = IDQ

lOMoARcPSD|32334808
164 UNIUBE
VR2 = 2,5mA * 2KΩ
VR2 = 5V
VD = 18V ‑ 5V
VD = 13V
Exemplo 15
A Figura 25 mostra um circuito com as seguintes configurações.
Utilizando-se o modo matemático de Shockley, teremos:
a) VS = 0V
b) VGS = ‑VGG = ‑2,5V

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 165
2
Vp
ID = 12mA 1 ‑ ‑2,5V
2
‑15V
ID – 6mA(0,83)2
ID = 8,33mA
VR2 = 8,33mA * 1,7KΩ
VR2 = 14,16V
VD = 25V ‑ 14,16V
VD = 10,83V
Utilizando-se essa forma, tivemos uma aproximação aceitável em relação à

matemática, confirmando que os dois métodos são bem aproximados.
4.7 Circuito de polarização por divisor de tensão
Para projetar um circuito com polarização fixa como vimos anteriormente, te-
mos que utilizar duas fontes, dificultando sua construção. Já os circuitos com
polarização por divisor de tensão eliminam a necessidade de duas fontes. Sua
configuração praticamente é igual a de um amplificador que utiliza transistor
TBJ, porém seu análise é bem diferente, partindo do princípio que IG ≈ 0A, para
os FET, mas, com TBJ, o valor de IB pode afetar toda a análise do circuito.

lOMoARcPSD|32334808
166 UNIUBE
Figura 26: Circuito com polarização por divisor de tensão.
A Figura 26 mostrou um típico circuito com polarização por divisor de tensão,

com os capacitores de acoplamento C1, C2 e o de desvio C3, que funcionam
como circuito aberto para sinais contínuos. Os resistores R1 e R2 formam o
divisor de tensão ligado na Porta (G) que mantém o FET na região linear, assim
sendo nomeado polarização por divisor de tensão.
A análise dos resistores para a divisão de tensão pode ser feita separadamente
da forma que a Figura 27 mostra em destaque no círculo pontilhado, por causa
da corrente IG ≈ 0A. Dessa forma, não tem corrente sendo drenada no divisor.
Então, IR1 = IR2. Aplicando-se a regra de divisor de tensão, temos:
VG = R2*Vcc
R1+R2

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 167
+ VCC
R1 RD
G
Q1
+ - S
VGS
+ +
R2 VG VRS RS
- -
Figura 27: Análise do circuito e as quedas de tensão.
Descobrindo as quedas de tensão pela lei de Kirchhoff no sentido horário da

malha indicada na Figura 27, temos:
VG ‑VGS ‑ VRS = 0V
VGS = VG ‑ VRS
Se IRS = ID, então VRS = ID * RS, substituindo:
VGS = VG ‑ ID*RS
Os valores de VG e RS são fixos pela configuração do circuito, assim, tendo ape-

nas duas variáveis na equação. Sendo que, podemos afirmar que está equação
é de uma reta. Para formarmos uma reta em um gráfico, precisamos de, no
mínimo, dois pontos. Para encontrarmos um dos pontos dessa reta, podemos
adotar que ID = 0A. Sendo assim, o ponto está marcado em cima do eixo X, como
podemos ver na Figura 28, a seguir. Dessa forma, obtemos:
VGS = VG ‑ (0A * RS)
VGS = VG

lOMoARcPSD|32334808
168 UNIUBE
Para outro ponto, vamos alterar a última variável da equação. Empregando

VGS = 0V, o ponto resultante será em cima do eixo y e o valor resultante será:
0V = VG ‑ ID*RS
ID = VG / RS
Com estes dois pontos, podemos traçar uma reta para interceptar a curva de
transferência e obter o ponto Q, que vai definir a corrente ID e a tensão VGS de
operação do FET, como mostra a Figura 28:
ID (Am per)
IDSS
Q
IDQ VGS = 0V
ID = VG / RS
VGS = VG - ID*RS
ID = 0A
VGS = VG
VP VGSQ VG VGS (Volts)
Figura 28: Esboço da reta para encontrar o ponto Q.
Se a inclinação da reta estiver muito alta, podemos mudar ID, diminuindo-o.

Tendo em mãos a definição da equação, ID = VG / RS, e sabendo que VG é fixo
pela configuração do circuito, basta aumentarmos o valor do resistor RS. A Figura
29, a seguir, mostra o resultado de tal alteração, diminuindo o IDQ e aumentando
o VGSQ resultante.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 169
ID (Am per)
IDSS
Q IDQ Aum ento d o RS
VP VGSQ VG VGS (Volts)
Figura 29: Esboço da reta com alteração do valor de Rs.
Depois que todos os valores do ponto Q foram encontrados, podemos utilizar

as fórmulas que definimos anteriormente para achar o restante.
Exemplo 16
+20V
Para calcular os valores do circuito da Figura 30, devemos montar a curva de

transferência. A curva passa sempre pelo ponto formado pela interseção ¼ IDSS

lOMoARcPSD|32334808
170 UNIUBE
e ½ VP. Com este ponto, podemos construir a curva resultante, por meio da
equação de Shockley:
ID = ¼ IDSS VGS = ½ VP
ID = ¼ 12mA VGS = ½ ‑10V
ID = 3mA VGS = ‑5V
Logo após ter construído a curva de transferência, devemos definir a reta que
marca o ponto de operação do FET.
VG = R2*Vcc
R1+R2
320KW*20V
VG =
3MW+320KW
VG = 6AM
3,32MW
VG = 1,92V
VGS = VG ‑ ID*RS
Para ID = 0A:
VGS = 1,92V ‑ 0A*1KΩ
VGS = 1,92V
Para VGS = 0V:
0V = 1,92V ‑ ID*1KΩ
ID = 1,92mA

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 171
Calculando-se os dois pontos, podemos traçar a reta no gráfico e encontramos

o ponto Q. A Figura 31 mostra a sua construção:
12 IDSS
10
Q 6 IDQ = 4,90mA
4 ¼ IDSS = 3mA
2 ID = 1,92mA
V
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 6
VP ½ VP VGSQ = 3,80V VGS = 1,92V

Figura 31: Gráfico construído por base dos pontos calculado.
A reta irá cruzar com a curva de transferência fornecendo o ponto de operação

do FET. A partir dele, encontramos os valores quiescentes: IDQ = 4,90mA e VGSQ
= 3,80V. Dessa forma, podemos calcular o restante do circuito aplicando as
fórmulas já explicadas anteriormente.
a) VRD = IRD*RD e IRD = ID
VRD = 4,9mA * 2KΩ
VRD = 9,8V
b) VD = VCC ‑ VRD
VD = 20V ‑ 9,8V
VD = 10,2V
c) VRS = IRS*RS e IRS = ID
VRS = 4,9mA * 1KΩ
VRS = 4,9V

lOMoARcPSD|32334808
172 UNIUBE
d) VDS = VD ‑ VS
VDS = 10,2V ‑ 4,9V
VDS = 5,3V
e) VDG = VD ‑ VG
VDS = 10,2V ‑ 1,92V
VDS = 8,28V
Temos que levar em conta que utilizando o método por gráfico, a aproximação
depende da escala.
Exemplo 17
+24V
Calcule os valores do circuito da Figura 32 para o gráfico representando a


lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 173
ID = ¼ 8mA VGS = ½ ‑8V
A reta que marcar o ponto de operação do FET:
VG = R2*Vcc
R1+R2
VG = 270KW*24V
2MW+270KW
VG = 6,48M
2,27MW
VG = 2,85V
VGS = VG ‑ ID*RS
Para ID = 0A:
VGS = 2,85V ‑ 0A*2KΩ
VGS = 2,85V
Para VGS = 0V:
0V = 2,85V ‑ ID*2KΩ
ID = 1,42mA
Trace a reta no gráfico e encontre o ponto Q. A Figura 33 mostra a sua

construção.

lOMoARcPSD|32334808
174 UNIUBE
ID (Am per) 8 IDSS

7
6
5
Q 4
IDQ = 3mA
3
¼ IDSS = 2mA
2
ID = 1,42mA
1
VGS (Volts)
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 1 2 33 4 5 6 7
VP ½ VP VGSQ = 3V VGS = 2,85V
Valores quiescentes: IDQ = 3mA e VGSQ = 3V.
VRD = 3mA * 2KΩ
VRD = 6V
b) VD = VCC ‑ VRD
VD = 24V ‑ 6V
VD = 18V
VRS = 3mA * 2KΩ
VRS = 6V
d) VDS = VD ‑ VS

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 175
VDS = 18V ‑ 6V
VDS = 12V
e) VDG = VD ‑ VG
VDS = 12V ‑ 2,85V
VDS = 9.15V
Exemplo 18
+24V
Calcule os valores do circuito da Figura 34, para o gráfico representado pela

ID = ¼ 16mA VGS = ½ ‑8V

lOMoARcPSD|32334808
176 UNIUBE
A reta que marcar o ponto de operação do FET:
R2*Vcc
VG =
R1+R2
VG = 320KW*24V
1MW+320KW
7,68M
VG =
1,32MW
VG = 5,81V
VGS = VG ‑ ID*RS
Para ID = 0A:
VGS = 5,81V ‑ 0A*1KΩ
VGS = 5,81V
Para VGS = 0V:
0V = 5,81V ‑ ID*1KΩ
ID = 5,81mA
Trace a reta no gráfico e encontre o ponto Q, a Figura 35 mostra a sua

construção.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 177
ID (Ampe r) 16 IDSS
14
12
10
Q IDQ = 7,8mA
8
6 ID = 5,81mA
4 ¼ IDSS= 4m A
2 V
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 6 7
VP ½ VP VGSQ = -2,3V VGS = 5,81V
Valores quiescentes: IDQ = 7,8mA e VGSQ = 2,3V.
7,8V = 7,8mA * RD
RD = 1KΩ
b) VD = VCC ‑ VRD
VD = 24V ‑ 7,8V
VD = 16,2V
VRS = 7,8mA * 1KΩ
VRS = 7,8V
d) VDS = VD ‑ VS

lOMoARcPSD|32334808
178 UNIUBE
VDS = 24V ‑ 7,8V
VDS = 16,2V
e) VDG = VD ‑ VG
VDS = 16,2V ‑ 5,81V
VDS = 10,39V
Exemplo 19
Calcule os valores do circuito da Figura 36. Para isso, construa a curva resultante
da representação da equação de Shockley:
ID = ¼ 9mA VGS = ½ ‑9V
ID = 2,25mA VGS = ‑4,5V

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 179
Defina a reta que marca o ponto de operação do FET.
R2*Vcc
VG =
R1+R2
VG = 470KW*12V
1,1MW+470KW
5,64M
VG =
1,57MW
VG = 3,59V
VGS = VG ‑ ID*RS
Para ID = 0A:
VGS = 3,59V ‑ 0A*2,2KΩ
VGS = 3,59V
Para VGS = 0V:
0V = 3,59V ‑ ID*2,2KΩ
ID = 1,63mA
O ponto Q, na Figura 37:

lOMoARcPSD|32334808
180 UNIUBE
ID (Am per) 9 IDSS

8
7
6
5
Q
4 IDQ = 3,90mA
3 ¼ IDSS = 2,5mA
2 ID = 1,63mA
1 VGS (Volts)
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3
-3 -2 -1 1 2 3 4 5 6 7
VP ½ VP VGSQ = 3,20V VGS = 3,59V
Os valores quiescentes são IDQ = 4,90mA e VGSQ = 3,80V. Dessa forma, podemos
calcular o restante.
VRD = 3,9mA * 700Ω
VRD = 3,51V
b) VD = VCC ‑ VRD
VD = 12V ‑ 2,45V
VD = 9,54V
VRS = 3,9mA * 2,2KΩ
VRS = 8,58V

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 181
d) VDS = VD ‑ VS
VDS = 9,54V ‑ 8,58V
VDS = 0,96V
e) VDG = VD ‑ VG
VDS = 9,54V ‑ 3,59V
VDS = 5,59V
Ao longo do capítulo, você pôde ampliar seus conhecimentos a respeito dos

diferentes tipos de transistores, suas características e aplicações. Além disso,
procuramos trazer-lhe exemplos de como usar os métodos matemáticos para cal-
cular as operações realizadas por esses dispositvos. Sendo assim, é fudamental
que você se dedique ao estudo dessa invenção que permitiu o melhoramento
dos equipamentos eletroeletrônicos de diversas ordens tão necessários para a
condução dos afazeres da vida moderna.
Resumo
Neste capítulo tivemos uma visão geral sobre transistores de junção. Conhece-
mos suas principais características e funcionamento, calculamos seus valores,
faixa de trabalho, bem como o comportamento dos osciladores e amplificadores
utilizando esse tipo de transistor. Aprendemos como calculamos circuitos com
polarização fixa e por divisor de tensão, assim como as quedas de tensão e cor-
rentes. Valores para o bom e correto funcionamento de um amplificador de áudio
e sinal de radio frequência. Alguns desses transistores podem ser analisados por
uma equação matemática. Desse modo, vimos como é construído um gráfico
para análise de um FET e como encontrar o ponto quiescente aproximado para
que o transistor trabalhe na sua faixa linear. Este diagrama indica os valores de
corrente e tensão sobre ele para cálculos finais.

lOMoARcPSD|32334808
182 UNIUBE
Atividades
Atividade 1
Determine os valores para o circuito da Figura 38, pelo modo matemático de
Shockley:
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VD
e) VG
f) VS
Figura 38: Circuito para cálculo.

lOMoARcPSD|32334808
UNIUBE 183
Atividade 2
Com base na Figura 39, a seguir, calcule:
Figura 39: Circuito de exemplo 1.
2.1 Para 9V entre a Fonte (S) e o Dreno (D) e a relação intrínseca for de 0,6.
Calcule a tensão de condução no Dreno (G).
2.2 Para 18V entre a Fonte (S) e o Dreno (D) e a tensão de condução for 10V.
Calcule a relação intrínseca.
Atividade 3
Um oscilador utiliza um capacitor de 4,7pF e um resistor de 3MΩ. Calcule a
frequência gerada.
Atividade 4
Para um oscilador de 500Hz e um resistor de 10KΩ, identifique qual é o capa-
citor a ser usado.
Referências
BRAGA. Newton C. Curso prático de eletrônica. 2. ed. São Paulo: Saber, 1995.
BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 6.ed. São Paulo:

MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4. ed. São Paulo: Markon Books, 2001.

lOMoARcPSD|32334808

Eletronica Uniube

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Eletronica Uniube

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

lOMoARcPSD|32334808

Eletrônica Analógica I (Universidade de Uberaba)

A Studocu não é patrocinada ou endossada por nenhuma faculdade ou universidade

Virgílio de Melo Langoni

Franco Michel Almeida Caixeta

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

© 2017 by Universidade de Uberaba

Todos os direitos reservados. Nenhuma parte desta publicação poderá ser

Pró-Reitor de Educação a Distância

Coordenação de Graduação a Distância

Catalogação elaborada pelo Setor de Referência da Biblioteca Central Uniube

Langoni, Virgílio de Melo.

Programa de Educação a Distância – Universidade de Uberaba.

1. Eletrônica. 2. Engenharia elétrica. I. Caixeta, Franco Michel

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

Virgílio de Melo Langoni

Mestre em Engenharia Elétrica pela Universidade de Uberlândia (2004). Graduado

Franco Michel Almeida Caixeta

Graduado em Engenharia de Computação pela Universidade de Uberaba (2008).

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

Apresentação ................................................................................................ VII

Capítulo 1 Dispositivos semicondutores: diodo de junção e transistor

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

1.9.2 Circuito com Vi fixo e RL variável ........................................................................48

Capítulo 2 Configurações, regiões de operação e circuitos de polarização

Capítulo 3 Circuitos de polarização dc do transistor bipolar de junção ........95

Capítulo 4 Transistores de efeito de campo (FETs) ....................................135

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

A eletrônica é um dos ramos da engenharia elétrica que compreende os circuitos

No primeiro capítulo, intitulado “Dispositivos semicondutores: diodo de junção e

O segundo capítulo, intitulado “Configurações, regiões de operação e circui-

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

estudos aprofundando em às diversas configurações de transistores com suas

No terceiro capítulo, intitulado “Circuitos de polarização DC do transistor bipolar

No quarto capítulo, intitulado “Transistores de efeito de campo (FETs)”, você

Esperamos que os capítulos de estudos propostos o auxilie na construção de

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

Virgílio de Melo Langoni

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

Outro componente semicondutor de grande importância no estudo da

• explicar as características gerais de uma junção PN;

1.1 Construção e operação do diodo de junção

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

1.2 Valores de resistência

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

Diodos de junção: características gerais

Antes de estudar as aplicações dos diodos de junção, é importante compre-

1.1 Construção e operação do diodo de junção

Como já citado anteriormente, o diodo é o dispositivo semicondutor mais simples

1.1.1 Materiais extrínsecos dos tipos P e N

Pela descrição dada, os semicondutores apresentam características interme-

Na tabela periódica, pode-se observar que existem, na natureza, sete elementos

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

As características apresentadas pelos materiais semicondutores são de grande

Considerando que o silício possui em sua última camada de valência 4 elétrons,

1. um elemento trivalente é adicionado à rede cristalina do silício, que através

2. um elemento pentavalente é adicionado à rede cristalina do silício, que através

Após o processo de dopagem do semicondutor com uma impureza aceitadora,

Figura 1: Material do tipo P.

Na segunda situação, o elétron excedente do processo de dopagem do semi-

Baixado por Evelton Ferreira (eveltonfaria511@gmail.com)

e possui certa mobilidade dentro da rede cristalina. Como há um excesso de