UNIVERSIDADE FEDERAL DO PIAUÍ

CENTRO DE TECNOLOGIA
CURSO DE GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA

RICARDO OLIVEIRA MENDES CRUZ

ESTUDO DE PERDAS EM SEMICONDUTOR IGBT EM CONVERSOR DAB COM

MODULAÇÃO SPS

TERESINA
2023
 RICARDO OLIVEIRA MENDES CRUZ

ESTUDO DE PERDAS EM SEMICONDUTOR IGBT EM CONVERSOR DAB COM

MODULAÇÃO SPS

Trabalho de Conclusão de Curso apresentado ao Curso

de Graduação em Engenharia Elétrica do Centro de
Tecnologia da Universidade Federal do Piauí, como
requisito parcial à obtenção do grau de bacharel em
Engenharia Elétrica.

Orientador: Profª Drª Fábíola Maria Alexandre Linard

TERESINA
2023
 RICARDO OLIVEIRA MENDES CRUZ

ESTUDO DE PERDAS EM SEMICONDUTOR IGBT EM CONVERSOR DAB COM

MODULAÇÃO SPS

Trabalho de Conclusão de Curso apresentado ao Curso

de Graduação em Engenharia Elétrica do Centro de
Tecnologia da Universidade Federal do Piauí, como
requisito parcial à obtenção do grau de bacharel em
Engenharia Elétrica.

Teresina, 23 de agosto de 2023

BANCA EXAMINADORA

__________________________________
Prof.ª Dr.ª Fabíola Maria Alexandre Linard (Orientadora)
Universidade Federal do Piauí (UFPI)

__________________________________
Prof. Dr. Rafael Rocha Matias
Universidade Federal do Piauí (UFPI)

__________________________________
Prof. Ms. Domingos Robson Silva Costa
Universidade Federal do Piauí (UFPI)
 AGRADECIMENTOS

Agradeço primeiramente a Deus por ter me dado saúde, força e perseverança para
superar as dificuldades.
Aos meus Pais, Olegário Mendes da Cruz (in memoriam) e Elvira Cardoso de Oliveira,
por todo amor o esforço para que eu e meus irmãos pudéssemos seguir os caminhos dos estudos.
Aos meus irmãos, Rafael e Rodrigo por serem companheiros e por terem aturado todas
que atrapalhei o sono de vocês.
A minha noiva Tayrine, pelo amor e apoio nas horas que mais precisei, por ter me
ajudado durante a caminhada do curso e por ter sido minha companheira em todos momentos,
bons e ruins.
Agradeço aos meus professores que contribuíram para minha formação como pessoa e
como profissional. Em especial aos professores José Maria, Fabíola, Rafael, Airton, Raquel e
Ítalo, que são para mim exemplos de profissionais.
Aos amigos de graduação e de trabalho que sempre me incentivam e acreditam em mim,
sou grato pelo companheirismo, em especial a Vanilson, Diógenes, Dyogo, Eryc e Antonio
Galeno.
A Prof.ª Dr.ª Fabíola Maria Alexandre Linard, pela orientação e elaboração deste
trabalho.
 RESUMO

Este trabalho abordou a estimação das perdas por condução e comutação em um conversor Dual
Active Bridge (DAB) utilizando a modulação Single Phase Shift (SPS) por meio de análises
teóricas e simulações no software PSIM. Os objetivos específicos englobaram a compreensão
do conversor DAB, modulação SPS, desenvolvimento de um modelo teórico para cálculo de
perdas em semicondutores Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) e proposição de um
modelo de estimativa de perdas via PSIM. Após revisar os conceitos fundamentais de DAB e
modulação SPS, explora-se os tipos de perdas em semicondutores IGBT e é apresentado um
método analítico para estimar essas perdas. O software PSIM é empregado para simular perdas
em semicondutores, permitindo a comparação entre estimativas teóricas e resultados de
simulação. Os resultados fazem uma comparação entre estimativas teóricas e simulações, tanto
para perdas por condução quanto por comutação. Este estudo contribuiu para compreensão das
perdas por condução e comutação em conversores DAB com modulação SPS, ressaltando a
importância de abordagens analíticas e de simulação. As conclusões têm implicações diretas
em projetos e operações eficientes de conversores estáticos, promovendo avanços rumo a
sistemas de energia mais sustentáveis e eficientes.

Palavras-chave: Perdas. Simulação. Condução. Comutação. IGBT.

 ABSTRACT

This work addressed the estimation of conduction and switching losses in a Dual Active Bridge
(DAB) converter using Single Phase Shift (SPS) modulation through theoretical analyzes and
simulations in PSIM software. The specific objectives included understanding the DAB
converter, SPS modulation, developing a theoretical model for calculating losses in Insulated
Gate Bipolar Transistor (IGBT) semiconductors and proposing a model for estimating losses in
PSIM. After reviewing the fundamental concepts of DAB and SPS modulation, the types of
losses in semiconductor IGBTs are explored and an analytical method to estimate these losses
is presented. The PSIM software is used to simulate losses in semiconductors, allowing the
comparison between theoretical estimates and simulation results. The results make a
comparison between theoretical estimates and simulations, both for conduction and switching
losses. This study contributed to the understanding of conduction and switching losses in DAB
converters with SPS modulation, emphasizing the importance of analytical and simulation
approaches. The conclusions have direct implications for efficient design and operation of static
converters, promoting advances towards more sustainable and efficient energy systems.

Keywords: Losses. Simulation. Conduction. Switching. IGBT.

 LISTA DE ILUSTRAÇÕES

Figura 1 — Oferta Interna de Energia Elétrica por Fonte ....................................................... 10

Figura 2 — Conversor CC-CC de Dupla Ponte Ativa............................................................. 14
Figura 3 — Sinais de comando ideais ..................................................................................... 15
Figura 4 — Formas de Onda do Conversor DAB ................................................................... 16
Figura 5 — Etapa 1 .................................................................................................................. 18
Figura 6 — Etapa 2 .................................................................................................................. 18
Figura 7 — Etapa 3 .................................................................................................................. 19
Figura 8 — Etapa 4 .................................................................................................................. 20
Figura 9 — Etapa 5 .................................................................................................................. 20
Figura 10 — Etapa 6 ................................................................................................................ 21
Figura 11 — Conversor DAB simulado .................................................................................. 25
Figura 12 — Sinal de controle ................................................................................................. 25
Figura 13 — Controle do Conversor ....................................................................................... 26
Figura 14 — Entrada em condução ......................................................................................... 29
Figura 15 — Formas de onda durante a etapa de turn-on do IGBT ........................................ 29
Figura 16 — Curva Vce x Ic do módulo FF200R06KE3 ........................................................ 33
Figura 17 — Gráfico da curva de perdas por condução .......................................................... 34
Figura 18 — Curva Vf x If do módulo FF200R06KE3 .......................................................... 35
Figura 19 — Perdas por condução no diodo ........................................................................... 36
Figura 20 — Perdas por condução através do PSIM ............................................................... 37
Figura 21 — Curva E x Ic do módulo FF200R06KE3 ............................................................ 38
Figura 22 — Perdas por chaveamento ..................................................................................... 40
Figura 23 — Funcionamento dos blocos que estimam as perdas por comutação ................... 41
Figura 24 — Simulação de Perdas por comutação em uma chave .......................................... 41
Figura 25 — Bloco de Simulação de perdas por comutação no diodo em antiparalelo .......... 42
Figura 26 — Perdas Totais ...................................................................................................... 47
 LISTA DE TABELAS

Tabela 1 — Semicondutores em condução durante cada etapa de operação .......................... 17

Tabela 2 — Parâmetros utilizados na simulação do DAB ...................................................... 26
Tabela 3 — Pontos Curva Vce x Ic ......................................................................................... 34
Tabela 4 — Pontos da Curva If x Vf ....................................................................................... 36
Tabela 5 — Energia ON .......................................................................................................... 39
Tabela 6 — Energia OFF......................................................................................................... 39
Tabela 7 — Comparativo de perdas por condução nas chaves ............................................... 44
Tabela 8 — Comparativo de perdas por condução nos diodos ............................................... 44
Tabela 9 — Perdas ON por comutação chaves ....................................................................... 45
Tabela 10 — Perdas OFF por comutação chaves .................................................................... 45
Tabela 11 — Perdas de comutação no diodo .......................................................................... 46
Tabela 12 — Perdas totais ....................................................................................................... 46
 SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO .................................................................................................. 10
1.1 Justificativa ......................................................................................................... 11
1.2 Objetivos .............................................................................................................. 12
1.2.1 Objetivo Geral ...................................................................................................... 12
1.2.2 Objetivos Específicos ........................................................................................... 12
1.3 Organização do Trabalho .................................................................................. 12
2 CONVERSOR DAB COM MODULAÇÃO SPS ............................................ 14
2.1 Conceito ............................................................................................................... 14
2.2 Modulação SPS ................................................................................................... 15
2.3 Etapas de operação ............................................................................................. 17
2.3.1 Etapa 1 ................................................................................................................. 17
2.3.2 Etapa 2 ................................................................................................................. 18
2.3.3 Etapa 3 ................................................................................................................. 19
2.3.4 Etapa 4 ................................................................................................................. 19
2.3.5 Etapa 5 ................................................................................................................. 20
2.3.6 Etapa 6 ................................................................................................................. 21
2.4 Estudo de algumas figuras de mérito do DAB ................................................. 21
2.5 Projeto de um conversor DAB ........................................................................... 23
2.6 Simulação de um conversor DAB ...................................................................... 24
3 TIPOS DE PERDAS E ESFORÇOS DE CORRENTE MÉDIA E EFICAZ 27
3.1 Perdas por Condução ......................................................................................... 27
3.2 Perdas de Comutação do IGBT ......................................................................... 28
3.3 Semicondutores ................................................................................................... 30
3.4 Esforços de Corrente .......................................................................................... 30
4 METODOLOGIA DO ESTUDO DE PERDAS ............................................... 32
4.1 Introdução ........................................................................................................... 32
4.2 Perdas por Condução ......................................................................................... 32
4.2.1 Perdas por condução nos semicondutores ativos (interruptores) ...................... 32
4.2.2 Perdas por condução nos semicondutores passivos (diodos intrínsecos) .......... 35
4.2.3 Simulação da estimativa de perdas por condução .............................................. 37
4.3 Perdas por Comutação ....................................................................................... 37
4.3.2 Metodologia para os semicondutores passivos (diodos intrínsecos) .................. 42
4.4 Considerações ...................................................................................................... 43
5 RESULTADOS ................................................................................................... 44
5.1 Introdução ........................................................................................................... 44
5.2 Perdas por condução .......................................................................................... 44
5.3 Perdas por comutação ........................................................................................ 45
5.4 Perdas Totais ....................................................................................................... 46
5.5 Considerações Finais .......................................................................................... 47
6 CONCLUSÃO ..................................................................................................... 48
REFERÊNCIAS.................................................................................................. 49
ANEXO A — DATASHEET DO MÓDULO FF200R06KE3 ............................ 52
ANEXO B — Rotinas no MATLAB para determinar os coeficientes ................. 60
 10

1 INTRODUÇÃO

A eletricidade revolucionou o estilo de vida da sociedade moderna, tornando-se

fundamental para a economia e o desenvolvimento de qualquer nação. No entanto, aquilo que
proporciona conforto e progresso também pode gerar caos em diversos setores quando há
interrupção no seu fornecimento. De acordo com o Balanço Energético Nacional (BEN) de
2022, aproximadamente 79,5% das cargas elétricas são provenientes de indústrias, comércios
e residências. Portanto, é de extrema importância que essa energia chegue aos consumidores da
melhor forma possível, garantindo alta qualidade e continuidade.
Grande parte dessa energia é gerada em locais distantes dos centros consumidores. Isso
ocorre devido ao modelo de geração centralizada, no qual a maior parte da geração de energia
é concentrada e afastada dos principais centros consumidores, como é o caso das grandes usinas
hidroelétricas comuns no Brasil. Conforme ilustrado na Figura 1, em 2021, cerca de 56,8% da
oferta interna de energia elétrica no país era proveniente da geração hidráulica.

Figura 1 — Oferta Interna de Energia Elétrica por Fonte

em que lugar?

Fonte: Ben (2022).

Contudo, com o advento de um novo modelo de geração, a geração distribuída, isso vem
mudando. É crescente a participação da geração distribuída na matriz energética. Segundo o
Ben (2022), a energia solar fotovoltaica sofreu um aumento de 55,9% em relação a 2020 devido
ao aumento da instalação de painéis fotovoltaicos pelo país. Tal aumento, demonstra que matriz
energética brasileira vem mudando em ritmo acelerado. Com o aumento da Geração
 11

Distribuída, faz-se necessário um sistema de distribuição capaz de gerenciar de forma eficiente

esse modelo de geração descentralizada.
Como esse sistema está suscetível a uma grande quantidade de eventos que podem
provocar danos a rede e desabastecimento em diversas regiões, é necessário identificar faltas
de maneira precisa e eficiente para a aplicação de manobras que permitam sempre a maior
continuidade do serviço. Segundo Rodrigues (2016) a complexidade do Sistema Elétrico de
Potência (SEP) vem crescendo continuamente, ocasionando a necessidade de um sistema de
distribuição com fluxo de potência bidirecional, controle distribuído e com capacidade de
gerenciamento, monitoramento e autorrecuperação.
Em meio a essa problemática surge uma necessidade de modernização do sistema de
distribuição e de seus equipamentos, a fim de permitir uma maior qualidade e confiabilidade
nos serviços de distribuição de energia. Visto que, esse sistema pouco se modernizou ao longo
das últimas décadas e segue ainda o mesmo modelo do século passado. Segundo Londero
(2019) uma das soluções para esse problema é o transformador de estado sólido (em inglês
Solid State Transformer – SST), o qual consegue desempenhar as mesmas funções do
transformador de distribuição convencional, além de realizar uma série de serviços ancilares
capaz de melhorar a qualidade da energia e permitir a conexão entre equipamentos de corrente
contínua (CC) e corrente alternada (CA).
Entretanto, segundo Huang (2010) o desenvolvimento desse equipamento ainda está
limitado a capacidade de sintetização de potência e tensão dos dispositivos semicondutores,
bem como a disponibilidade de topologias de circuitos. Por esse motivo, novas tecnologias de
semicondutores, bem como novas topologias de SST vem sendo continuamente estudadas a fim
de melhorar os aspectos físicos do SST e permitir sua aplicação no Sistema Elétrico de Potência.
Uma das principais topologias de conversores usadas no SST é conversor Dual Active
Bridge (DAB), que tem características importantes, como o fluxo bidirecional de energia,
isolação galvânica, comutação suave e robustez. Por motivos didáticos e visando aplicações
futuras, este trabalho foi desenvolvido utilizando o conversor mencionado.

1.1 Justificativa

A escolha do tema justifica-se pela necessidade de facilitar a determinação das perdas

por condução e comutação em semicondutores Insulate Gate Bipolar Transistor (IGBT) em
 12

conversores do tipo DAB. Tendo em vista o esforço matemático para determinação das perdas
de maneira analítica.
Além disso, fazer o estudo das perdas por condução e comutação no conversor é
relevante para a escolha dos melhores componentes para projetos, contribuindo assim para o
desenvolvimento dessa tecnologia e consequente modernização dos Sistemas Elétricos de
Potência, tendo em vista as futuras aplicações de SST no Sistema de Distribuição.
Portanto, é essencial compreender os conceitos de conversor DAB, modulação SPS e
semicondutores, a fim de estimar as perdas de um conversor DAB utilizando semicondutores
IGBT. Permitindo assim buscar o desenvolvimento de conversores de potência DAB mais
eficientes.

1.2 Objetivos

1.2.1 Objetivo Geral

Estimar as perdas por condução e comutação através de simulação via software

PSIM® do conversor DAB usando modulação SPS.

1.2.2 Objetivos Específicos

O trabalho tem os seguintes objetivos específicos:

● Conceituar conversor DAB e modulação SPS.
● Apresentar o modelo teórico do cálculo de perdas em um semicondutor IGBT.
● Apresentar um modelo para estimar perdas por condução de comutação em
semicondutores IGBT usando o software PSIM®.
● Estabelecer uma comparação entre as perdas calculadas e simuladas do Conversor
DAB usando um semicondutor IGBT.

1.3 Organização do Trabalho

Para melhor estruturação lógica do trabalho, os capítulos foram arranjados de maneira

a explicitarem os conceitos básicos trabalhados na pesquisa, expondo a fundamentação teórica
utilizada para o cálculo de perdas, além de detalhar os resultados da pesquisa. No capítulo 2 é
apresentada uma revisão acerca do conversor DAB e modulação SPS. No capítulo 3 é abordado
 13

os tipos de perdas em semicondutores. O capitulo 4 aponta o método de estimação de perdas

em semicondutores por simulação usando o software PSIM®. Já no capítulo 5 são apresentados
os resultados das perdas de condução e comutação em uma topologia de conversor DAB com
modulação SPS usando semicondutores do tipo IGBT. No capítulo 6 são apresentadas
conclusões e observações sobre os resultados do trabalho assim como sugestões de trabalhos e
intervenções futuras.
 14

2 CONVERSOR DAB COM MODULAÇÃO SPS

2.1 Conceito

Diante da diversificação de fontes geradoras de energia elétrica e do crescimento da

eletrônica de potência nos sistemas elétricos, o estudo de conversores que apresentam
bidirecionalidade é cada vez mais importante para o Sistema de Distribuição. Segundo Santos
e Martins (2014), essa realidade incentiva a pesquisa de conversores que apresentam
bidirecionalidade de energia, grande densidade de potência, fácil controle e implementação,
modularidade, etc.
De acordo com Santos (2016), a crescente demanda por microrredes, carros elétricos e
outros sistemas de utilização de energia, tanto em corrente contínua (CC) quanto em corrente
alternada (CA), tem impulsionado a necessidade de conversores com alta densidade de potência
e capacidade bidirecional de energia.
Diversos conversores atendem essas especificações, sendo usados em diversas
aplicações que vão desde sistemas fotovoltaicos, tração elétrica e automobilística, ultra
capacitores até aplicações aeroespaciais (Kirsten, 2014). Todavia, o Conversor DAB tem
recebido bastante atenção por características como fluxo bidirecional de energia, operação
abaixadora e elevadora, alta potência, robustez e isolamento galvânico.
Como pode ser visto no trabalho de Santos e Martins (2014) a estrutura básica do
conversor DAB constitui-se de dois conversores ponte completa e ligados da forma back-to-
back por meio de um transformador, como pode ser visto na Figura 2. Esse conversor possui
duas saídas, logo possui 2 portas. O transformador possibilita a isolação galvânica, uma das
vantagens do conversor DAB em comparação a outros conversores.

Figura 2 — Conversor CC-CC de Dupla Ponte Ativa

Fonte: Santos e Martins (2014).

 15

Do circuito do conversor, observa-se a existência de dois interruptores em um mesmo

braço que, se comandados a conduzir simultaneamente, colocariam a fonte de tensão em curto-
circuito (MAMEDE, 2016). Por esse motivo, esse conversor tem operação em Zero Voltage
Switching (ZVS). Uma técnica utilizada para diminuir perdas por comutação que ocorrem
quando a chave é ligada e desligada e melhorar o rendimento do conversor.

2.2 Modulação SPS

Os primeiros trabalhos com o conversor DAB propuseram o uso de uma modulação por
defasagem (do inglês, phase-shift) para controlar a potência transmitida entre as portas do
conversor, que consiste em gerar um comando nos interruptores das pontes completas de modo
a produzir tensões com forma de onda quadrada e razão cíclica de 50% nos seus terminais
CA (MAMEDE, 2016).
A modulação mais básica aplicada ao conversor DAB é a modulação a dois níveis com
uma defasagem entre o primário e secundário, denominado em inglês como Single Phase Shift
(SPS). Soma-se a isso o fato de não ser possível realizar comutações suaves em toda faixa de
potência
Com esta modulação há apenas um grau de liberdade, pois a única variável de controle
é a defasagem entre os sinais de comando aplicados aos interruptores das pontes. O controle
empregando é atrativo devido a sua simplicidade e bom desempenho dinâmico. Logo consiste
em comandar os interruptores de modo que, nos terminais do transformador, obtenham-se
tensões com forma de onda quadrada e razão cíclica de 50%. Nesse caso, a potência transferida
é função da diferença angular entre as tensões sob a indutância (Mamede, 2016).

Figura 3 — Sinais de comando ideais

Fonte: Mamede (2016).

 16

A Figura 3 representa os sinais de comando ideais, sem tempo morto, para os

interruptores do conversor. Nela, φ representa a diferença angular das ondas de tensão e T = 1/f
é o período de operação.
A Figura 4 apresenta um esboço das principais formas de onda para o conversor DAB,
ainda no tocante as correntes, observa-se que a corrente nas portas i1(t) e i2(t) apresentam o
mesmo comportamento da corrente no indutor externo, salvo o sentido. Tal característica é
válida para todos os elementos semicondutores, sendo que a Tabela 1 explicita quais
dispositivos estão em condução durante cada etapa de operação.

Figura 4 — Formas de Onda do Conversor DAB

Fonte: Mamede (2016).

 17

Através da Tabela 1 podemos calcular as correntes média e eficaz que circulam em cada
chave, que são importantes para o estudo de perdas nos semicondutores.

Tabela 1 — Semicondutores em condução durante cada etapa de operação

Etapa Primário Secundário Duração Etapa

1ª D1 e D 4 S6 e S7 Δt1 I

2ª S1 e S4 S6 e S7 Δt2 I

3ª S1 e S4 D5 e D 8 Δt3 II

4ª D2 e D 3 D5 e D 8 Δt4 III

5ª S2 e S3 S5 e S8 Δt5 III

6ª S2 e S3 D6 e D 7 Δt6 IV
Fonte: Adaptado de Mamede (2016).

2.3 Etapas de operação

Considera-se que o conversor se encontra em regime permanente, e o fluxo de energia

é direcionado do primário para o secundário, sendo o fluxo reverso tratado da mesma forma em
vista que é equivalente (SILVA, 2019). Para a modulação a dois níveis, o conversor DAB
apresenta 6 (seis) distintas etapas de operação como mostrado no trabalho de Santos e Martins
(2014), mostradas abaixo:

2.3.1 Etapa 1

Durante esta etapa de operação o caminho de circulação da corrente é formado pelos

diodos D1, D4, D6 e D7 intrínsecos aos interruptores. A corrente na indutância está partindo de
um valor inicial iL(0) e decrescendo com uma taxa de variação determinada pela equação
abaixo.

𝑉1 + 𝑉2 (1)
𝛥𝑖𝐿 = ( ) 𝜃1 )
𝜔𝐿

A etapa em questão chega ao fim quando iL= 0 e os diodos entram em bloqueio.

 18

Figura 5 — Etapa 1

Fonte: Santos e Martins (2014).

2.3.2 Etapa 2

A Etapa 2, Figura 6, inicia-se com o bloqueio dos diodos e a condução das chaves S1,
S4, S6 e S7, como pode ser visto no trabalho de Santos e Martins (2014). A corrente iL cresce
com a taxa de variação da equação:
𝑉1 + 𝑉2 (2)
𝛥𝑖𝐿 = ( ) 𝜃2 )
𝜔𝐿
A etapa em questão chega ao fim com o comando de bloqueio de S6 e S7 e habilitação
de condução de S5 e S8.

Figura 6 — Etapa 2

Fonte: Santos e Martins (2014).

 19

2.3.3 Etapa 3

A etapa 3, Figura 7, inicia-se quando S6 e S7 são bloqueados e S5 e S8 são comandados

a conduzir. Contudo segundo Santos e Martins (2014) essas chaves não entram em condução,
devido ao sentido da corrente na indutância, que faz os diodos D5 e D8 a entrarem em condução.
No início desta etapa, o ângulo de condução é igual ao ângulo de defasagem entre as tensões,
logo: θ = φ. Assim a corrente na indutância assume o valor de iL(φ). Neste instante, a taxa de
variação da corrente na indutância é mais suave, determinada por (3) (Santos, 2016). A etapa
em questão chega ao fim com o bloqueio das chaves S1 e S4.

𝑉1 + 𝑉2 (3)
𝛥𝑖𝐿 = ( ) 𝜃3 )
𝜔𝐿

Figura 7 — Etapa 3

Fonte: Santos e Martins (2014).

2.3.4 Etapa 4

Na etapa 4, Figura 8, as chaves S2 e S3 são comandadas a conduzir, mas, devido ao

sentido da corrente na indutância, os diodos D2 e D3 entram em condução. Segundo Santos e
Martins (2014), inicialmente a corrente na indutância tem valor iL(π) e o ângulo de condução,
é θ = π. A corrente na indutância agora decresce com uma taxa de variação dada pela equação
(4) (Santos, 2016).
𝑉1 + 𝑉2 (4)
𝛥𝑖𝐿 = − ( ) 𝜃4 )
𝜔𝐿
 20

Figura 8 — Etapa 4

Fonte: Santos e Martins (2014).

2.3.5 Etapa 5

A etapa 5, Figura 9, inicia-se com o bloqueio dos quatro diodos e entrada em condução
das chaves S2, S3, S5 e S8. A corrente iL começa a crescer negativamente com uma taxa de
variação dada pela equação (5) (Santos, 2016). Segundo Santos e Martins (2014) esta etapa é
finalizada quando S5 e S8 são comandados a bloquear e S6 e S7 comandados a conduzir.
𝑉1 + 𝑉2 (5)
𝛥𝑖𝐿 = − ( ) 𝜃5 )
𝜔𝐿

Figura 9 — Etapa 5

Fonte: Santos e Martins (2014).

 21

2.3.6 Etapa 6

A etapa 5, Figura 9, inicia-se com a entrada em condução dos diodos D6 e D7, devido
ao sentido da corrente iL que, nesse instante, possui valor iL(π + φ) = -iL(φ). A taxa de variação
da corrente durante essa etapa é determinada pela equação (6) (Santos, 2016).

𝑉1 + 𝑉2 (6)
𝛥𝑖𝐿 = − ( ) 𝜃6 )
𝜔𝐿

Figura 10 — Etapa 6

Fonte: Santos e Martins (2014).

2.4 Estudo de algumas figuras de mérito do DAB

Aqui serão analisados importantes figuras de mérito do conversor DAB operando em

regime permanente. A principal grandeza para o estudo do conversor é a corrente no indutor
iL(t). Considerando a corrente no indutor, mais especificamente sua derivada, é possível definir
quatro regiões onde está apresenta módulo e sinal distintos. Desta forma, a corrente no indutor
externo é descrita por quatro equações de segmentos de reta como exposto por Mamede (2016).
𝑉1 + 𝑉2 (7)
𝑖𝐿 (𝑡) = 𝑖𝐿 (𝑡0 ) + (𝑡 − 𝑡0 ), 𝑡0 < 𝑡 < 𝑡2
𝐿

𝑉1 − 𝑉2 (8)
𝑖𝐿 (𝑡) = 𝑖𝐿 (𝑡2 ) + (𝑡 − 𝑡2 ), 𝑡2 < 𝑡 < 𝑡3
𝐿
 22

𝑉1 + 𝑉2 (9)
𝑖𝐿 (𝑡) = 𝑖𝐿 (𝑡3 ) − (𝑡 − 𝑡3 ), 𝑡3 < 𝑡 < 𝑡5
𝐿

𝑉1 − 𝑉2 (10)
𝑖𝐿 (𝑡) = 𝑖𝐿 (𝑡5 ) − (𝑡 − 𝑡5 ), 𝑡5 < 𝑡 < 𝑡6
𝐿

A Figura 4, a Tabela 1 e as relações matemáticas expostas nesta seção constituem o

conjunto de informações necessárias para se calcular os valores médios e eficazes de corrente
em todos os elementos de interesse. Como pode ser visto nas equações 7, 8, 9 e 10, para se
calcular as equações da corrente no indutor, faz-se necessário os valores da corrente nos
instantes 𝑡0 , 𝑡2 , 𝑡3 e 𝑡5 . As formulas que representam a corrente no indutor em cada instante de
tempo são representadas logo abaixo, pelas equações 11, 12, 13, 14, 15, 16 e 17. O trabalho de
Mamede (2016) demonstra o valor das correntes no indutor nos pontos de interesse, em função
dos parâmetros do circuito e do ângulo de defasagem.

−𝑉1 𝜋 + 𝑉2 (𝜋 − 2𝜑) (11)

𝑖𝐿 (𝑡0 ) =
4𝜋𝑓𝐿

𝑖𝐿 (𝑡1 ) = 0 (12)

𝑉1 (−𝜋 + 2𝜑) + 𝑉2 (𝜋) (13)

𝑖𝐿 (𝑡2 ) =
4𝜋𝑓𝐿

𝑉1 𝜋 + 𝑉2 (−𝜋 + 2𝜑) (14)

𝑖𝐿 (𝑡3 ) =
4𝜋𝑓𝐿

𝑖𝐿 (𝑡4 ) = 0 (15)

𝑉1 (𝜋 − 2𝜑) − 𝑉2 (𝜋) (16)

𝑖𝐿 (𝑡5 ) =
4𝜋𝑓𝐿

−𝑉1 𝜋 + 𝑉2 (𝜋 − 2𝜑) (17)

𝑖𝐿 (𝑡6 ) =
4𝜋𝑓𝐿
 23

O procedimento para se determinar os valores médios e eficazes de corrente em cada

um dos elementos semicondutores é o mesmo. Cada um dos dispositivos conduz corrente
durante uma ou duas etapas de operação e a sua corrente é a mesma do indutor externo ao longo
deste intervalo de tempo. Para se calcular a corrente média e eficaz em cada chave é necessário
calcular a equação 18 e 19 baseando-se na tabela 1.

1 𝑡1 (18)
𝑖𝑆1 = (∫ 𝑖 (𝑡)𝑑𝑡)
𝑇 𝑡0 𝐿

𝑡1 (19)
1
𝑖𝑆1𝑟𝑚𝑠 = ( )(∫ (𝑖𝐿 (𝑡))2 𝑑𝑡))
√
𝑇 𝑡0

2.5 Projeto de um conversor DAB

Para simular um conversor DAB é necessário definir a potência de saída, as tensões de

entrada e saída e a frequência de chaveamento. A partir destas informações é possível
determinar os demais parâmetros necessários para a simulação (SILVA, 2019).
1 (20)
𝑓0 =
2𝜋√𝐿𝐶𝑏
Para se determinar a potência (em watts) transferida da fonte 𝑉1 para a fonte 𝑉2, basta
multiplicar a corrente média na porta 1 pela tensão da fonte.
𝑉1 𝑉2 |𝜑| (21)
𝑃1 = 𝑉1 𝐼1 = 𝜑 (1 − )
𝑎𝜔𝐿 𝜋
A frequência angular é calculada pela equação 22.
𝜔𝑠 = 2𝜋𝑓𝑠 (22)
A corrente na porta 1 é calculada pela equação 23.
𝑉2 |𝜑| (23)
𝐼1 = 𝜑 (1 − )
𝑎𝜔𝐿 𝜋
A corrente na porta 2 é calculada pela equação 24.
𝑃 𝑉1 |𝜑| (24)
𝐼2 = = 𝜑 (1 − )
𝑉2 𝑎𝜔𝐿 𝜋
 24

𝑉2 (25)
𝑑=
𝑎𝑉1

O valor do capacitor de barramento do conversor DAB pode ser calculado através da

equação abaixo:

𝜑𝑃0 (26)
𝐶0 =
𝜔𝑉02 𝛥𝑣(%)

A indutância pode ser calculada pelas equações abaixo:

𝑉1 𝑉2 𝜋 (27)
𝐿=
𝑎𝜔𝑃𝑚𝑎𝑥 4

𝑁𝑝 𝑉𝑖 𝑉0 𝜑(𝜋 − 𝜑) (28)
𝐿=
2𝑓𝑠 𝑁𝑠 𝜋 2 𝑃0

𝑉1 𝑉2 𝜋 (29)
𝐿=
𝑎𝜔𝑃𝑚𝑎𝑥 16

Para encontrar o valor da resistência do conversor é utilizada a equação (30).

𝑉02 (30)
𝑅=
𝑃0

2.6 Simulação de um conversor DAB

A fim de comprovar a precisão dos cálculos efetuados e estabelecer os demais

parâmetros a serem empregados no conversor, foi feito simulação do conversor DAB utilizando
o software PSIM®. A configuração do circuito adotada para as simulações é ilustrada na Figura
11.
 25

Figura 11 — Conversor DAB simulado

Fonte: O autor (2023).

Para o funcionamento do conversor são necessários o circuito gerador do sinal de

controle nas chaves e o controle de conversor, como mostrado nas Figuras 12 e 13 do presente
trabalho, estes, no entanto, não foram o objetivo de aprofundamento deste trabalho.

Figura 12 — Sinal de controle

Fonte: O autor (2023).

 26

NA figura 13 é mostrado o circuito de controle do Conversor DAB em Malha fechada.

Figura 13 — Controle do Conversor

Fonte: O autor (2023).

O conversor estudado nesse trabalho tem os seguintes parâmetros, mostrados na Tabela

2, escolhidos de maneira a tornar esse estudo mais didático e de fácil compreensão.

Tabela 2 — Parâmetros utilizados na simulação do DAB

Parâmetros Valor

Potência de Entrada: 500 W

Potência de Saída: 500 W

Tensão de Entrada: 400 V

Tensão de Saída: 400 V

Ganho DAB: 1,9098

Carga: 320 ohms

Capacitância: 280 uF

Indutância de dispersão: 1,111 mH

Frequência: 20 kHz
Fonte: O autor (2023).
 27

3 TIPOS DE PERDAS E ESFORÇOS DE CORRENTE MÉDIA E EFICAZ

As perdas nos semicondutores são divididas em: perdas por condução e perdas por
comutação. Sendo as perdas por condução aquelas relacionadas a queda de tensão que ocorre
nos terminais dos interruptores quando estão na etapa de condução. Já as perdas por comutação
ocorrem nas transições entre os estados de condução e bloqueio dos interruptores, tendo em
vista que estas não ocorrem instantaneamente.
O estudo e a estimativa destas perdas são essenciais para os projetos de conversores
estáticos, uma vez que são fatores cruciais para o dimensionamento do sistema de dissipação
térmica, além de serem importantes para análise do rendimento do projeto (LERSCH, 2022).
As perdas por comutação estão diretamente relacionadas com a razão cíclica com que o
interruptor conduz e as perdas por comutação são afetadas diretamente pela frequência de
chaveamento e os tempos de ligamento e desligamento da chave semicondutora
(FIGUEIREDO, 2016). Ao considerar esses fatores, os engenheiros podem projetar sistemas de
conversores estáticos mais eficientes e confiáveis, maximizando a transferência de energia e
minimizando as perdas nos semicondutores.

3.1 Perdas por Condução

As perdas por condução podem ser definidas como perdas que ocorrem durante o
intervalo de tempo em que os interruptores semicondutores estão conduzindo a corrente
nominal do circuito (FIGUEIREDO, 2016). Para simular essas perdas de condução, utilizando
o software PSIM, são tomados como base os passos indicados por (DROFENIK; KOLAR,
2005) em sua publicação.
Primeiramente é feito a análise das perdas de condução, onde a potência dissipada é
calculada por estimativas realizadas utilizando as curvas da corrente pela tensão de operação
do semicondutor, fornecidas pelo datasheet do semicondutor IGBT utilizado.
O interruptor ideal em condução não possui queda de tensão entre seus terminais.
Porém, em um componente real no instante de condução, há uma pequena queda de tensão a
qual originam as perdas por condução (FIGUEIREDO, 2016). As perdas por condução podem
ser estimadas usando a curva da queda de tensão instantânea em função da corrente direta
fornecida pelo datasheet. As perdas por condução tanto nos semicondutores ativos
 28

(interruptores), quanto nos passivos (diodos intrínsecos) podem ser estimadas através deste
método (ALVES, 2016).
Para esse estudo é necessário determinar inicialmente os intervalos de condução, a
função de modulação e a função da corrente para cada semicondutor (interruptor ou diodo). Em
segunda instância, deve-se determinar os esforços de corrente nestes semicondutores em termos
dos respectivos valores médio e eficaz, os quais permitem dimensionar corretamente os
componentes utilizados no conversor proposto (SILVA, 2013).
As perdas por condução ocorrem devido a oposição a passagem de corrente exercida
pelo semicondutor. Essa Força Eletromotriz Vto, associada em série a uma resistência rt é a
representação de uma força contrária a passagem de corrente (MORITZ, 2014).
A potência dissipada no dispositivo pode ser calculada por uma equação, onde Imed e Ief
são respectivamente a corrente média e a corrente eficaz que circulam pelo semicondutor
(MORITZ, 2014).
Um interruptor ideal em condução não possui queda de tensão entre seus terminais.
Porém, em um componente real, no instante de condução, há uma pequena queda de tensão a
qual originam as perdas por condução (FIGUEIREDO, 2016).

3.2 Perdas de Comutação do IGBT

As perdas por comutação ocorrem durante o intervalo de tempo necessário para a chave
semicondutora realizar a transição do estado ligado para desligado ou vice-versa (AFFONSO,
2007).
A dissipação de energia devido à comutação das chaves é ocasionada pela não
idealidade dos dispositivos, e em um regime de operação em altas frequências, estas podem
superar as perdas por condução. Sendo assim, para analisar a eficiência de um conversor, é
muito importante analisar as potências dissipadas nos processos de entrada de condução (turn-
on) e de bloqueio (turn-off) (LERSCH, 2022).
As capacitâncias parasitas surgem quando dois condutores elétricos estão próximos e há
uma diferença de potencial entre eles, assim funcionando como um capacitor. Estão presentes
nas chaves, entre seus terminais, porta-fonte (CGS), porta-dreno (CGD) e dreno-fonte (CDS),
representadas na Figura 14, sendo parâmetros muito importantes para analisar o comportamento
de comutação. Entretanto, a grande dificuldade está no fato de que essas capacitâncias não são
lineares e dependem da estrutura do dispositivo e das tensões de polarização (RASHID, 2011).
 29

As perdas por comutação em um IGBT se assemelham as perdas por comutação em um

MOSFET, onde deve-se considerar a influência das capacitâncias parasitas e os tempos de turn
on e turn off. Entretanto, na saída de condução dos IGBTs, as perdas são mais elevadas devido
à corrente de cauda (BAZZO).

Figura 14 — Entrada em condução

Fonte: Sartori (2009).

Quando o gate do IGBT é acionado, a tensão VG se eleva até superar a tensão Vth,
durante esse período, a corrente IC é nula; após a VG superar Vth, IC cresce e a tensão coletor-
emissor Vce, que antes era equivalente à tensão de alimentação CC, sofre uma queda. A
corrente Ic cresce até seu valor máximo, originando o pico de corrente oriundo da corrente de
recuperação reversa do diodo e, logo após, se estabiliza em seu valor nominal (BAZZO). O
comportamento descrito é representando na Figura 15, que traz um modelo linear das curvas de
transição e a representação gráfica do somatório de perdas no período de turn-on (LERSCH,
2022).

Figura 15 — Formas de onda durante a etapa de turn-on do IGBT

Fonte: Lersch (2022).

 30

3.3 Semicondutores

Os principais dispositivos não controlados e controlados são os diodos de potência, os

tiristores, os transistores bipolares de junção (BJT), os transistores MOSFET, os transistores
IGBT’s e os transistores de indução estáticos (MORITZ, 2014).
Para minimizar as limitações de desempenho do transistor bipolar de potência foi
desenvolvido o MOSFET de potência, sendo um dispositivo controlado por um sinal de tensão
aplicado no gate e source (vgs). Um dos fatores que limita a capacidade de corrente de qualquer
semicondutor é a máxima temperatura de junção. Entretanto, diante das restrições apresentadas
pelo MOSFET e pelo BJT, cientistas se dedicaram à elaboração de um componente inovador,
que veio a ser conhecido como transistor IGBT.
No contexto de componentes unipolares, como diodos ou IGBTs, e em cenários nos
quais ocorre uma significativa flutuação de corrente durante a condução do interruptor, é viável
considerar a construção de uma curva que relacione a tensão coletor-emissor com a corrente de
coletor (LERSCH, 2022). Utilizando uma abordagem numérica e a curva Vce x Ic fornecida
pelo fabricante, é possível realizar uma aproximação desta curva por meio de uma expressão
polinomial (LERSCH, 2022).
O dispositivo semicondutor IGBT é composto por um transistor BJT, que possui as
vantagens dos transistores bipolares (tensão e corrente elevadas) e dos transistores MOSFET
(rapidez de comutação) e um diodo roda livre em antiparalelo. Sendo assim, o IGBT é um
dispositivo bidirecional em corrente (SANTOS, 2016).
O IGBT utilizado como chave semicondutora possui um diodo intrínseco em
antiparalelo que permite um caminho de retorno para a corrente em aplicações de chaveamento.
Este diodo também possui perdas advindas da corrente reversa, pois assim como a chave não
há mudança instantânea do estado ligado para desligado (FIGUEIREDO, 2016).

3.4 Esforços de Corrente

Para determinar os esforços de corrente nos interruptores e diodos intrínsecos dos IGBT
faz-se necessário determinar as funções da corrente ao longo de um determinado intervalo de
tempo, referentes a cada interruptor e diodo (FIGUEIREDO, 2016).
Para o estudo de perdas é necessário determinar os intervalos de condução, a função de
modulação, a função da corrente de saída respectiva a cada interruptor e assim obter os esforços
 31

de corrente media e eficaz nos semicondutores, que será útil para a escolha dos componentes
(SILVA, 2013).
Inicialmente, devem ser determinadas as funções de modulação, ou seja, o
comportamento matemático da corrente ao longo de um determinado intervalo de tempo,
referente a cada interruptor de um dos braços de inversor. Em seguida, serão calculados os
esforços de corrente nos interruptores ativos e passivos (JOCA et al., 2018). Ainda, segundo
Santos (2016) calcular os esforços de corrente em um semicondutor é determinante para a
escolha adequada do dispositivo.
Além disso, a máxima potência a que um dispositivo IGBT pode ser submetido depende
diretamente das perdas ocasionadas neste, bem como sua elevação de temperatura (SANTOS,
2016).
 32

4 METODOLOGIA DO ESTUDO DE PERDAS

4.1 Introdução

Neste capítulo é abordado o método utilizado para estimar perdas em semicondutores

utilizando o software PSIM®. Este método é baseado nos trabalhos de (DROFENIK; KOLAR,
2005), (ALVES, 2016) e (FIGUEIREDO, 2016).
Inicialmente, trata-se das perdas por condução, na qual utilizam-se as curvas da corrente
direta pela tensão de operação do semicondutor, fornecidas pelo fabricante do módulo IGBT
escolhido. Em seguida apresenta-se a metodologia para estimar as perdas por comutação, a qual
se utilizaram as curvas da energia dissipada durante o ligamento e o desligamento do
interruptor.
De posse do valor da energia dissipada foi calculada a potência de perdas em função do
intervalo de comutação. Já para os diodos intrínsecos, as perdas foram calculadas a partir do
valor da energia dissipada durante a recuperação reversa (FIGUEIREDO, 2016). Sempre
utilizando os dados apresentados pelo fabricante para então podermos estimarmos as perdas no
semicondutor. A chave selecionada para realizar o estudo de perdas foi o modelo IGBT
FF200R06KE3 da empresa Infineon.

4.2 Perdas por Condução

As perdas por condução foram estimadas através de simulação no software PSIM®.

Sabe-se que em simulação os componentes são ideais, logo não possuem perdas. Com o intuito
de estimar as perdas reais, faz-se necessário utilizar uma metodologia para inserir parâmetros
reais das chaves semicondutoras, fornecidos em seus respectivos datasheets.

4.2.1 Perdas por condução nos semicondutores ativos (interruptores)

Para se determinar as perdas por condução nas chaves, foi elaborado o seguinte passo a
passo para facilitar o entendimento:
1. Determinar o Semicondutor a ser utilizado
2. Analisar as Curvas Vce x Ic e Vf x If fornecidas pelo fabricante.
3. Escolher 10 pontos de maneira aleatória dentro da faixa de 0 a 25A.
 33

4. Encontrar os coeficientes da equação de perdas através da técnica de regressão

polinomial.
5. Plotar as curvas no MATLAB.
6. Determinar o polinômio que determina as perdas em função da corrente instantânea.
7. Utilizar os blocos matemáticos no PSIM para inserir os polinômios referentes a cada
interruptor e diodo em antiparalelo.
8. Plotar o resultado das Perdas em função da corrente.
As perdas por condução nos semicondutores ativos (interruptores) e passivos (diodos
em antiparalelo) são calculadas através da Equação (31) e são estimadas em simulação
utilizando a curva da queda de tensão instantânea (Vce) em função da corrente de coletor
instantânea (Ic) fornecidas pelo fabricante.
2 (31)
𝑃𝑠/𝐷𝑥𝑦𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑉𝑡𝑜 ⋅ 𝐼𝑆𝑥𝑦𝑚𝑒𝑑 + 𝑅𝑇 ⋅ (𝐼𝑆𝑥𝑦𝑚𝑒𝑑 )
Onde:
S/Dxycond: representa qual componente está sendo calculado, um interruptor (S) ou
diodo (D) e identifica o componente y do braço x;
Vto: caracteriza a parcela constante da oposição à passagem de corrente no
semicondutor.
Rt: caracteriza um aumento linear em função da corrente de oposição à passagem de
corrente no semicondutor.

Figura 16 — Curva Vce x Ic do módulo FF200R06KE3

Fonte: O autor (2023).

 34

As curvas fornecidas pelo fabricante utilizadas para determinar os parâmetros de cálculo

das perdas por condução para os interruptores são apresentadas na Figura 16 para o módulo
FF200R06KE. Através da Figura 16, podemos extrair 10 pontos de maneira aleatória da curva
Vce x Ic, que serão utilizadas para se estimar a equação que representa o gráfico em questão.
Esses pontos são representados abaixo na Tabela 3.

Tabela 3 — Pontos Curva Vce x Ic

Eixo X Eixo Y

0,53892 1,6129

0,64671 2,0161

0,77844 3,2258

0,88623 4,8387

1,0299 8,0645

1,1856 12,903

1,2555 15,726

1,3174 18,145

1,3772 20,968

1,4371 23,387
Fonte: O autor (2023).

A curva apresentada na Figura 17 foi plotada no software escolhendo-se 10 pontos de

maneira aleatória dentro da faixa de 0 a 25 A.

Figura 17 — Gráfico da curva de perdas por condução

Fonte: O autor (2023).

 35

Utiliza-se a técnica de regressão polinomial, com o objetivo de encontrar os coeficientes

da Equação (32), através da função polyfit do MATLAB®. Encontra-se então a descrição
matemática das perdas por condução em função da corrente instantânea.
Pode ser visto no Anexo B as rotinas utilizadas para extrair o polinômio de segunda
ordem das perdas por condução. O Polinômio encontrado é o seguinte:
𝑃𝑠𝑥147𝑐𝑜𝑛𝑑 = 0.8755 ⋅ 𝐼𝑐 + 0.0250 ⋅ (𝐼𝑐 )2 (32)

4.2.2 Perdas por condução nos semicondutores passivos (diodos intrínsecos)

A metodologia empregada é a mesma do item 4.2.1, onde é estimada a curva Vf x If do

módulo FF200R06KE3 (Figura 16). Inicialmente são escolhidos os pontos 10 pontos de
maneira aleatória do gráfico Vf x If fornecido pelo fabricante.

Figura 18 — Curva Vf x If do módulo FF200R06KE3

Fonte: O autor (2023).

Segue abaixo na tabela 4, os pontos retirados do gráfico para determinar o polinômio

que será utilizado para determinação das perdas.
 36

Tabela 4 — Pontos da Curva If x Vf

X Y

0,7448 0,4055

0,78354 1,6217

0,82495 3,919

0,84164 4,7298

0,84365 5,0001

0,89441 10,405

0,91979 13,649

0,95452 17,838

0,98658 23,378

1,0026 25,811
Fonte: O autor (2023).

A Figura 19 apresenta uma comparação entre a curva da perda por condução calculada
e a estimada pelo polinômio característico referente ao diodo do módulo FF200R06KE3.

Figura 19 — Perdas por condução no diodo

Fonte: O autor (2023).

O Polinômio encontrado é o seguinte:

 37

𝑃𝐷𝑥147𝑐𝑜𝑛𝑑 = 0.8382 ⋅ 𝐼𝑐 + 0.0066 ⋅ (𝐼𝑐 )2 (33)

4.2.3 Simulação da estimativa de perdas por condução

Tendo o polinômio que determina a curva de perdas por condução desse semicondutor,
iremos então simular as perdas através do software PSIM®. Por meio de blocos matemáticos,
como pode ser visto na Figura 20. Foram estimados apenas as perdas por condução de metade
das chaves, pois o conversor é simétrico e a outra metade das chaves são complementares,
consequentemente assumem o mesmo valor.

Figura 20 — Perdas por condução através do PSIM

Fonte: O autor (2023).

4.3 Perdas por Comutação

4.3.1 Metodologia para os semicondutores ativos (interruptores)

Assim como nas perdas por condução, para se determinar as perdas por comutação nas
chaves, foi elaborado o seguinte passo a passo:
1. Analisar as curvas da Energia dissipada determinadas pelo fabricante (E x Ic).
2. Escolher 15 pontos de maneira aleatória dentro da faixa de 0 a 150 A.
3. Encontrar os coeficientes da equação de perdas por comutação através da técnica de
regressão polinomial no MATLAB.
 38

4. Simular o circuito de perdas no PSIM através do polinômio e blocos de cálculo para

encontrar a curva de potência.
5. Plotar o resultado das Perdas.
6. Determinar as perdas dos Diodos.
As curvas de energia dissipada durante o ligamento e o desligamento da chave
semicondutora são aproximadas por polinômios de terceira ordem, conforme as equações
abaixo:
𝐸𝑜𝑛 = 𝑘0𝑜𝑛 ⋅ 𝐼𝑐 + 𝑘1𝑜𝑛 ⋅ 𝐼𝑐2 + 𝑘2𝑜𝑛 ⋅ 𝐼𝑐3 (34)

𝐸𝑜𝑓𝑓 = 𝑘0𝑜𝑓𝑓 ⋅ 𝐼𝑐 + 𝑘1𝑜𝑓𝑓 ⋅ 𝐼𝑐2 + 𝑘2𝑜𝑓𝑓 ⋅ 𝐼𝑐3 (35)

A curva do datasheet utilizada para determinar os parâmetros de cálculo de perdas por

comutação é apresentada na Figura 21. É importante evidenciar que os esforços de corrente
estão no intervalo de 0 a 25 A.

Figura 21 — Curva E x Ic do módulo FF200R06KE3

Fonte: O autor (2023).

Observa-se que o fabricante não prevê a dissipação de energia no intervalo de operação

de 0 a 25 A do conversor. Desse modo, foi utilizado o auxílio de software MATLAB® foram
plotadas as curvas do datasheet, escolhendo 15 pontos aleatórios, que podem ser vistos nas
Tabela 5 e 6.
 39

Tabela 5 — Energia ON

Ic Eon

0 0

19,892 0,59869

48,925 0,96711

73,656 1,2303

98,522 1,5461

127,42 1,9211

176,75 2,6053

199,46 2,9737

225,4 3,3882

299,6 4,8092
Fonte: O autor (2023).

A tabela 6 mostra os valores extraídos do datasheet do componente para Eoff em uma Tj

= 125 ºC.

Tabela 6 — Energia OFF

Ic Eoff

0 0

19,892 1,3684

48,925 2,3487

73,656 3,2105

98,522 4,0855

127,42 5,125

176,75 7,0197

199,46 7,9145

225,4 9,0263

299,6 12,447

299,6 12,447
Fonte: O autor (2023).
 40

A ilustração da Figura 22 mostra uma comparação entre as curvas estimadas pelos

pontos escolhidos e a curva estimada pelos polinômios encontrados

Figura 22 — Perdas por chaveamento

Fonte: O autor (2023).

Através disto, é possível estimar o comportamento da curva no intervalo de operação do

conversor. Em seguida, utilizando-se a técnica de regressão polinomial foram encontrados os
coeficientes do polinômio de terceiro grau, conforme mostram as equações 49 e 50.

𝐸𝑜𝑛 = 0.1807 ∗ 10−4 ⋅ 𝐼𝑐 − 0.0004 ∗ 10−4 ⋅ 𝐼𝑐2 (36)

𝐸𝑜𝑓𝑓 = 0.4559 ∗ 10−4 ⋅ 𝐼𝑐 − 0.0008 ∗ 10−4 ⋅ 𝐼𝑐2 (37)

Com os polinômios calculados pode-se encontrar a energia perdida em um ligamento
ou em um bloqueio, apenas substituindo o valor da corrente no dado instante da comutação. A
Figura 23 apresenta o diagrama de blocos que simplifica o entendimento da simulação das
perdas por comutação nas chaves.
 41

Figura 23 — Funcionamento dos blocos que estimam as perdas por comutação

Fonte: Figueiredo (2016).

A Figura 24 mostra a simulação realizada no software para o cálculo das perdas por
comutação seguindo esta metodologia.

Figura 24 — Simulação de Perdas por comutação em uma chave

Fonte: O autor (2023).

 42

Segundo Alves (2016) para calcular as perdas por comutação no instante de

desligamento é necessário um atraso no sinal da energia, isto é necessário pois após a detecção
da borda de descida a corrente na chave se torna nula, e consequentemente, a energia também
será nula. Portanto, este atraso tem a finalidade de conservar o sinal da energia por um tempo
suficiente, igual à largura do impulso unitário, de forma que seja possível realizar o cálculo da
potência de perdas.

4.3.2 Metodologia para os semicondutores passivos (diodos intrínsecos)

Para a determinação das perdas por comutação nos diodos intrínsecos é determinada
através de uma metodologia similar a dos interruptores.

𝐸𝑟 = 𝐾0 + 𝐾1 ⋅ 𝑖𝑑 + 𝐾2 ⋅ 𝑖𝑑2 (38)

𝐾0 = 0,14 ∗ 𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑡𝑟𝑟 ∗ 𝑖𝑟𝑟 (39)

𝑉𝑐𝑐 0,15 ⋅ 𝐼𝑟𝑟 0,2 (40)

𝐾1 = ⋅ 𝑡𝑟𝑟 ⋅ [0,8 ⋅ ( + 1) + ⋅ 0,35 ⋅ 𝐼𝑟𝑟 ]
2 𝐼0 𝐼0
A Figura 25 apresenta a simulação de perdas por comutação nos diodos em antiparalelo.
Assim como citado anteriormente, utiliza o mesmo método de perdas por comutação nos
interruptores mostrado na Figura 22.

Figura 25 — Bloco de Simulação de perdas por comutação no diodo em antiparalelo

Fonte: O autor (2023).

Como esta simulação calcula as perdas durante a recuperação reversa do diodo, temos
que a dissipação de energia ocorre no instante que o diodo passa do estado de condução para o
de não-condução, logo é necessário detectar apenas a borda de descida da corrente no diodo.
 43

O valor da energia calculada pelo polinômio só terá efeito na potência de perdas durante
o instante que há sinal na saída do detector de borda, ou seja, as perdas são calculadas apenas
no exato instante de comutação.

4.4 Considerações

Este capítulo tratou sobre as metodologias empregadas para estimar as perdas por
condução e comutação através de simulação, tanto para os interruptores quanto para os diodos
intrínsecos dos IGBT.
A primeira etapa para estimar as perdas foi aproxima-las por polinômios. Em seguida,
os coeficientes destes polinômios foram calculados através de estimativas das curvas dos
datasheets e também por dados fornecidos pelo fabricante. Por último, foi realizado a simulação
destas perdas no software. Ao longo do capítulo foi detalhado o funcionamento de cada bloco
de simulação.
 44

5 RESULTADOS

5.1 Introdução

Este capítulo apresenta os resultados do estudo de perdas de conversor DAB operando

na modulação SPS com diferentes semicondutores. Para isto foi utilizada a metodologia
explanada no capítulo anterior. Ao final, é realizada uma comparação entre as perdas totais de
modo a verificar, dentre os semicondutores utilizados, o que produz menos perdas.

5.2 Perdas por condução

Os valores das perdas por condução nas chaves são mostrados na tabela abaixo.
Conforme abordado no capítulo 3, foram calculadas as perdas por condução.
A Tabela 7 apresenta os valores obtidos para as perdas por condução nas chaves e é
realizada uma comparação entre as perdas por condução estimadas por cálculo e por simulação

Tabela 7 — Comparativo de perdas por condução nas chaves

Perdas por condução chaves Calculado Simulado

Q1 0,136 0,107339180

Q2 0,864 1,163348300

Q3 0,864 1,163348200

Q4 0,136 0,107338760
Fonte: O autor (2023).

A Tabela 8 apresenta os valores obtidos para as perdas por condução nos diodos e é
realizada uma comparação entre as perdas por condução estimadas por cálculo e por simulação.

Tabela 8 — Comparativo de perdas por condução nos diodos

Perdas de condução no diodo Calculado Simulado

D1 0,054 0,082281892

D2 0,052 0,000709547

D3 0,052 0,000709706

D4 0,054 0,082281748
Fonte: O autor (2023).
 45

5.3 Perdas por comutação

A Tabela 9 apresenta os valores obtidos para as perdas por comutação nas chaves
durante o ligamento, e é realizada uma comparação entre as perdas por condução estimadas por
unidades das tabelas?
calculo e por simulação.

Tabela 9 — Perdas ON por comutação chaves

Chave Calculado Simulado

Q1 3,572 3,69625500

Q2 1,786 0,37575010

Q3 1,786 0,37575005

Q4 3,572 3,69625500
Fonte: O autor (2023).

A Tabela 10 apresenta os valores obtidos para as perdas por comutação nas chaves
durante o desligamento, e é realizada uma comparação entre as perdas por condução estimadas
por cálculo e por simulação.

Tabela 10 — Perdas OFF por comutação chaves

Chave Calculado Simulado

Q1 0,444 0,14639973

Q2 0,444 1,47952690

Q3 0,444 1,47952680

Q4 0,444 0,14639973
Fonte: O autor (2023).

A Tabela 11 apresenta os valores obtidos para as perdas por comutação nos diodos
durante o ligamento, e é realizada uma comparação entre as perdas por condução estimadas por
cálculo e por simulação.
 46

Tabela 11 — Perdas de comutação no diodo

Diodo Calculado Simulado

D1 0,56 0,65922681

D2 0,56 0

D3 0,56 0

D4 0,56 0,65922698

Fonte: O autor (2023).

5.4 Perdas Totais

A Figura 26 apresenta graficamente um resumo da comparação de perdas por condução

e comutação nas chaves e diodos. Enquanto a Tabela 12 apresenta o somatório de perdas totais.

Tabela 12 — Perdas totais

Perdas Calculado Simulado Erro

Condução Chave 2,00000 2,54137 21,302%

Comutação Chave 12,49200 11,39586 9,619%

Condução Diodo 0,21200 0,16598 27,724%

Comutação Diodo 2,24000 1,31845 69,896%

Total 16,94400 15,42167 9,871%

Fonte: O autor (2023).

Analisando a Tabela 12, observa-se que os valores calculados e simulados possuem

discrepâncias satisfatórias no que diz respeito a determinação de Perdas em um semicondutor
IGBT através de simulação.
No que diz respeito às perdas por comutação, observamos uma estreita correlação entre
os resultados teóricos e os resultados simulados. Esse alinhamento valida a metodologia
empregada para estimar as perdas por comutação e destaca a influência significativa da
frequência de chaveamento e dos tempos de transição nas perdas totais do sistema. Os
resultados também evidenciaram a importância de considerar tanto as perdas por condução
quanto as perdas por comutação em conjunto, uma vez que ambas contribuem para a perda total
de energia no sistema.
 47

Figura 26 — Perdas Totais

Fonte: O autor (2023).

5.5 Considerações Finais

O capítulo de Resultados ofereceu uma visão detalhada das perdas por condução e
comutação em um conversor DAB empregando a modulação SPS e utilizando semicondutores
do tipo IGBT. Ao analisar as perdas por condução, observamos que os valores calculados
teoricamente e os valores obtidos por meio das simulações convergiram. A relação direta entre
as características do dispositivo IGBT e as perdas por condução se tornou evidente,
demonstrando a importância de selecionar componentes adequados para otimizar a eficiência
do conversor.
 48

6 CONCLUSÃO

No decorrer deste trabalho, foi possível alcançar os objetivos propostos, que visavam
estimar as perdas por condução e comutação em um conversor DAB utilizando a modulação
SPS, por meio de abordagens analíticas e simulações realizadas com o software PSIM®. A
investigação realizada contribuiu para uma compreensão aprofundada das perdas em
semicondutores IGBT, e como essas perdas podem ser avaliadas tanto teoricamente quanto por
meio de ferramentas de simulação.
Este estudo contribui para o corpo de conhecimento em engenharia de conversores
estáticos, incentivando avanços contínuos e inovações no projeto de sistemas de energia mais
eficientes e sustentáveis. As informações obtidas também estabelecem uma base para
investigações futuras, visando aprimorar ainda mais a eficiência global desses sistemas.
A comparação entre as perdas calculadas analiticamente e aquelas obtidas por meio das
simulações revelou uma coerência satisfatória, o que valida a aplicabilidade das abordagens
propostas. Isso reforça a importância da análise das perdas em dispositivos semicondutores,
pois esses resultados têm implicações diretas no desempenho e na eficiência dos conversores
DAB.
Por fim, fica claro que a estimação precisa das perdas em semicondutores desempenha
um papel crucial na busca contínua por soluções mais eficientes e energeticamente sustentáveis
no campo dos conversores. Além disso, identificamos oportunidades para investigações futuras,
como a aplicação de diferentes topologias de conversores e a exploração de estratégias
avançadas de modulação para mitigar ainda mais as perdas.
Assim, o presente estudo abre caminho para a evolução e aprimoramento contínuos
nessa área. Como trabalhos futuros, pode-se expandir esse estudo de perdas para o conversor
DAB em diferentes modulações e com outros tipos de semicondutores.
 49

REFERÊNCIAS

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de Engenharia Elétrica) - Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2022.

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Santa Maria, Santa Maria, 2014.

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APLICAÇÃO EM TRANSFORMADORES DE ESTADO SÓLIDO. Florianópolis,
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MORITZ, R. M. B. Estudo de perdas por comutação, condução e cálculo térmico de um

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baseado nas topologias half-bridge/anpc. 2013 Tese - Universidade Federal do Ceará.
 52

ANEXO A — DATASHEET DO MÓDULO FF200R06KE3

53
54
55
56
57
58
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 60

ANEXO B — Rotinas no MATLAB para determinar os coeficientes

Abaixo é apresentado a rotina utilizada no software para estimar os coeficientes do

polinômio de segundo grau das perdas por condução do módulo FF200R06KE3. Para encontrar
os coeficientes nos diodos modificam-se apenas os valores dos pontos extraídos da curva
disponível no datasheet.

clc;
clear all;
% pontos extraídos do gráfico Vce x Ic disponível no datasheet
Vce=[0 0.5389 0.7784 0.8862 0.9580 1.0299 1.1138 1.2455 1.3174 1.4371];
Ic=[0 1.6129 3.22 4.8387 6.4516 8.0645 10.484 15.726 18.145 23.387];
ic=0:1:25;
P=Vce.*Ic; % pontos para estimar curva das perdas
coef_IxP = polyfit(Ic,P,2) % coeficientes da estimativa (Ic x P)
p=coef_IxP(1)*(ic.^2)+coef_IxP(2)*ic;
figure (1)
plot(Ic,P,'*r',ic,p,'-b')
title('Perdas por condução do IGBT (Módulo FF200R06KE3)')
xlabel('Ic (A)')
ylabel('Pcond (W)')
legend('curva de perda calculada', 'curva de perda através do polinômio obtido')
set (gcf, 'Color', 'white')

A seguir, é apresentado a rotina para encontrar os coeficientes do polinômio de terceira

ordem das perdas por comutação do módulo FF200R06KE3. Para encontrar os coeficientes no
outro módulo modificam-se apenas os valores dos pontos extraídos da curva disponível no
datasheet. Para o cálculo dos coeficientes das perdas por comutação nos diodos em antiparalelo
não foi necessário a utilização de rotinas.

clc;
 61

clear all;
Ic=[0; 19.892; 48.925; 73.656; 98.522; 127.42; 176.75; 199.46; 225.4;299.6];
Eoff = [0; 1.3684e-3; 2.3487e-3; 3.2105e-3; 4.0855e-3; 5.125e-3; 7.0197e-3; 7.9145e-
3; 9.0263e-3;12.447e-3];
Eon = [0; 0.59869e-3; 0.96711e-3; 1.2303e-3; 1.5461e-3; 1.9211e-3; 2.6053e-3;
2.9737e-3; 3.3882e-3;4.8092e-3];
Etotal = Eon + Eoff;
k_on = Eon./Ic;
k_off = Eoff./Ic;
k_on(1)=0;
k_off(1)=0;
ic=0:1:400;
coef_Eon = polyfit(Ic,Eon,3);
coef_Eoff = polyfit(Ic,Eoff,3);
eon = coef_Eon(1)*ic.^3+coef_Eon(2)*ic.^2+coef_Eon(3)*ic;
eoff = coef_Eoff(1)*ic.^3+coef_Eoff(2)*ic.^2+coef_Eoff(3)*ic;
k_est_on = coef_Eon(1)*ic.^2+coef_Eon(2)*ic+coef_Eon(3);
k_est_off = coef_Eoff(1)*ic.^2+coef_Eoff(2)*ic+coef_Eoff(3);
figure(1)
plot(Ic,Eon,'*r',ic,eon,'--m',Ic,Eoff,'*b',ic,eoff,'--c')
xlabel('Ic (A)')
ylabel('E (J)')
title('Perdas por chaveamento')
legend('Eon', 'Eon estimado', 'Eoff', 'Eoff estimado')
coef_k = [coef_Eon(3) coef_Eoff(3); coef_Eon(2) coef_Eoff(2); coef_Eon(1)
coef_Eoff(1)]
display('primeira coluna corresponde aos coeficientes k0on, k1on, k2on')
display('segunda coluna corresponde aos coeficientes k0off, k1off, k2off')