01 - Mosfets

Criar um canal para a corrente

Aplicação de uma Vds pequena
 Aplicação de uma Vds pequena

O dispositivo funciona como uma

resistência rds, cuja valor é
controlado por Vgs.
Quando Vds aumenta
Quando Vds aumenta
Quando Vds aumenta
 Quando Vds aumenta
(Vds <= Vgs-Vt)

(Vds > Vgs-Vt)

Relação entre Vds e Id
Id versus VdsPara Vds pequeno (tríodo):

<<
Símbolos
Na saturação:
 Na saturação

Modelo simplificado
(não inclui a resistência na
saturação)
 Resistência na saturação
Modelo melhorado
(inclui a resistência na saturação)

Na região de saturação, como a corrente não se mantem

constante (como considerado antes) então o modelo de fonte de
corrente (tb considerado antes) não pode ser válido!
Resistência na saturação

VA: tensão de Early

VA = 1 / λ
λ : Modulação do
comprimento do canal
Modelo na saturação, com resistência de saída

Modelo melhorado
(inclui a resistência na saturação)
CMOS - P mosfet e N mosfet
MOSFET P
P mosfet
P mosfet
Saturação: Tríodo:
Vds<Vgs-Vth Vds>Vgs-Vth
Ex: -5 < -3-(-1) Ex: -1>-3-(-1)

Tríodo: Saturação:
Vds<Vgs-Vth Vds>Vgs-Vth
Ex: 1<3-1 Ex: 5>3-1
 O Efeito de corpo

O efeito de VSB no canal pode ser representado como uma alteração na tensão de threshold, Vth.

Vth = Vt 0 +   2 f + VSB − 2 f 
 O Efeito de corpo

Vtn = Vtn 0 +   2 f + VSB − 2 f  NMOS

Vt0 é a tensão de threshold para VSB = 0

f é um parâmetro físico
 é um parâmetro do processo de fabrico dado por: 2qN A s
NA é a concentração de dopantes do substrato tipo p
=
Cox
s é a permitividade do silício (1.04  10-12 F/cm)
q é a carga do electrão (1.6  10-19 C).
O parâmetro  é tipicamente de 0.519 V1/2.
V

Vtp = Vtp 0 −   2 f − VSB − 2 f  PMOS

Efeito da temperatura
Proteção nas entradas (gate)
 Desprezar o valor de λ
1-Considere um NMOS com Vth=2V, VGS=3V, Vs=0V.
Qual a região de operação se:
a) VD=0.5V
b) VD=1V
c) VD=5V

2-No NMOS anterior, considere Kn=20μA/V2 (μn.Coxn), W=100μm, L=10μm.

Calcule iD nos casos das alíneas anteriores.

Tríodo Saturação
Vds<Vgs-Vt Vds>Vgs-Vt

 W  1 2  W 
(vGS − Vth ) (1 + v DS )
1
iD = k n    (vGS − Vth )v DS − v DS  iD = k n  
2
 L  2 2 L 
 Desprezar o valor de λ

5-Considere um PMOS com KpW/L=100μA/V2 e Vth = - 2V. VS=+5V e VG=0V.

a) Qual o limite de VD o dispositivo se manter na saturação?
b) Determine iD para VDD= - 5V.

Tríodo Saturação
Vds>Vgs-Vt Vds<Vgs-Vt
ex: -1 > -3 – (-1) ex: -4 < -3 – (-1)

 W  1 2  W 
(vGS − Vth ) (1 + v DS )
1
iD = k n    (vGS − Vth )v DS − v DS  iD = k n  
2
 L  2 2 L 
 Desprezar o valor de λ

5-Considere um PMOS com KpW/L=100μA/V2 e Vth = - 2V. VS=+5V e VG=0V.

a) Qual o limite de VD o dispositivo se manter na saturação?
b) Determine iD para VDD D=-5V.
5-Considere um PMOS com KpW/L=100μA/V2 e Vth = - 2V. VS=+5V e VG=0V.
a) Qual o limite de VD o dispositivo se manter na saturação?
b) Determine iD para VD=-5V.
 Desprezar o valor de λ

7. Vth=2V; Kn=20μA/V2 ; L=10μm ; W=100μm.

Despreze o efeito de modelação do canal.

a)Projecte o circuito de modo a obter Id=0.4mA.

7. Vth=2V; Kn=20μA/V2 ; L=10μm ; W=100μm.
Despreze o efeito de modelação do canal.

a)Projecte o circuito de modo a obter Id=0.4mA.

7. Vth=2V; Kn=20μA/V2 ; L=10μm ; W=100μm.
Despreze o efeito de modelação do canal.

a)Projecte o circuito de modo a obter Id=0.4mA.

b)Se ligarmos este circuito a outro transístor com as

mesmas características, Qual o Id de T2 e Vd2?
 Parametros dos Mosfets no S-edit

Vtn= 0.75 Kn=74 uA/V2 φn=0.116 γn=0.519

Vtp= -0.98 Kp=23.6 uA/V2 φp= 0.116 γp=0.519

λn=0.0090 λn=0.0012 λn=0.0002

λp=0.067 λp=0.008 λp=0.001
Para L=1um Para L=2um Para L=4um

Desprezar o valor de λ, a menos que seja explicitamente necessário, ou o valor seja dado no exercício