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Correntes
Aula 9
Prof. Nobuo Oki
Espelhos e Fontes de Correntes (1)
As fonte e espelhos de correntes são bastante usadas em circuitos integrados analógicos. Eles
podem trabalhar como
(i) circuito de polarização ,
(ii) circuito de processamento de sinais, tal como, fontes de correntes atuando como carga em
amplificadores fonte comum, como fonte de corrente de cauda de pares diferenciais, correntes de
polarização em amplificadores cascode dobrados (folded).
As fontes de corrente podem ser copiadas de um fonte de corrente padrão, que usualmente é
fornecida por um circuito de referência band-gap.
Como se pode gerar cópias de correntes de um fonte de corrente de referência?
A resposta é através de espelhos de correntes!
O princípio de funcionamento dos espelhos de correntes são simples e explicado a seguir.
Espelhos e Fontes de Correntes (2)
Como VDS1=VGS, quando VDS2=VGS, tem-se VGS1=VGS2= VGS, VDS1=VDS2=VGS. Se M1 e M2 tem o mesmo
tamanho, suas correntes de drenos são iguais.
Note que para um transistor MOS na saturação,
Espelhos e Fontes de Correntes (3)
Tem-se
Assim
Note que IOUT é bem definido, e determinado pela geometria dos transistores, e . Por
simplicidade, assume-se que os dois transistores possuam tamanhos idênticos. Se os dois transistores
tiverem VDS diferentes, o espelhamento não será perfeito. Mas usualmente λ é pequeno (da ordem de
0.05 V-1), assim o erro é usualmente tolerável. Será visto a seguir as formas de se melhorar a exatidão
do espelho de corrente.
Espelhos e Fontes de Correntes (4)
• Exemplo: Encontre a corrente de M4 se todos os transistores estão na saturação (a relação de
aspecto do transistor Mi é (W/L)i).
Solução:
Tem-se e
Com a escolha apropriada de α e de β pode-se obter relações grandes ou pequenas entre ID4 e IREF.
Espelhos e Fontes de Correntes (5)
Exemplo: Calcule o ganho de tensão a pequenos sinais do circuito mostrado abaixo. Assuma
(W/L)3/(W/L)2=α, e que todos os transistores estejam na saturação. Ignore o efeito de λ (λ=0). A
transcondutância de M1 é gm1.
Solução:
O circuito a pequenos sinais equivalente é
Tal que,
Para um espelho de corrente com razão diferente de 1, transistores múltiplos de valor unitário
Como mostrado na figura acima, M0 e M1 são transistores MOS conectados como diodos.
Para M0 e M1, tem-se VGS0=VDS0, e VGS1=VDS1. O potencial entre o dreno e a fonte de M1 é VGS1,
e o potencial entre dreno e o terra de M0 é VGS1+VGS0, como mostra a figura acima.
No espelho de corrente cascode note que tem-se
IOUT=αIREF, e VGS3=VGS0, VGS2=VGS1.
Se for considerado o efeito de modulação de comprimento de canal,
1) se VO=VN, devido a simetria, IOUT=αIREF.
2) se VO é alta em relação a VN, tem-se, VO>VN. Note que
Se for assumido que IOUT não muda,
Note que devido ΔVDS2 (=-ΔVGS3) ser muito menor que ΔVO, a variação ΔIOUT do espelho cascode
é muito menor que ΔIOUT de um espelho de corrente simples não cascode.
Para um modelo a pequenos sinais como mostrado na Fig. 2(b), de acordo com KCL, tem-se
Espelho de Corrente Cascode (3)
• Combinando e rearranjando as equações derivadas anteriormente, tem-se
A Eq. (3) mostra que ΔVY é muito menor que ΔVO, ou Assim VY é muito próximo de VX,
mesmo se VO for diferente de VN.
Espelho de Corrente Cascode (4)
Exemplo: Na figura seguinte, assuma , desenhe Vx e Vy como função de IREF.
Se IREF requer 0.5V para operar como uma fonte de corrente, qual é o máximo valor de IREF? Note que o
valor de VT de M1 e de M2 é VT,M1 e o VT de M0 e M3 é VT,M0, a transcondutância de M1 e M2 é KP.
Solução:
Quando VN atinge seu valor máximo, IREF também atinge seu valor máximo.
Desde que a razão de aspecto de M2 e de M3 sejam apropriadamente escolhido com relação a M1 e M0,
Note que
E logo
Assim
Espelho de Corrente Cascode de Baixa Tensão
O espelho de corrente discutido anteriormente possui uma queda de tensão relativamente alta.
O lado esquerdo possui uma queda de tensão de 2VGS (note que na realidade, VGS1 e VGS0 não são
necessariamente iguais).
O lado direito possui uma queda mínima de VGS2+Vdsat3. Caso contrário o transistor M3 entrará na
região triodo.
Vcas = VDS2+VGS3=Vdsat2+VGAP+VGS3
Note que na figura ao lado, M1 e M2 tem diferentes valores de
VDS, VDS1=VGS1, enquanto, VDS2=Vdsat+VGAP, onde VGAP é a
margem de tensão para manter M2 na saturação. Assim,
1) Queda de tensão na entrada: VGS (metade da queda de tensão de entrada comparado com o espelho
de corrente cascode mostrado anteriormente)
2) Tensão de saída mínima: 2Vdsat+VGAP, onde Vdsat é VGS-VT, e VGAP é VDS-Vdsat do transistor da parte
inferior.
3) Resistência de saída:
onde n=1,2,3…
4) Usado largamente em circuitos integrados analógicos modernos.
Tal que
Tal que
Espelho de Corrente Cascode de Baixa
Tensão (5)
(2) Use uma fonte de corrente adicional, um transistor e um resistor
Assim, obtêm-se Rb
Espelho de Corrente Cascode de Baixa
Tensão (6)
(3) Use um resistor adicional
Exemplo: Na figura acima, todos os transistores tem um (W/L) de 16, KPN=100uA/V2, VTN=0.7V,
IREF=50uA, qual é o valor de Rb para assegurar um VGAP de 180 mV? (Assuma que a lei quadrática
se aplique e γ=λ=0).
Solução:
Tal que
Espelho de Correntes Ativos (1)
Espelhos de correntes podem ser usados para processarem sinais, sendo denominados espelhos
de correntes ativos.
Na realidade, foram trocadas as fontes de correntes ideais das figuras anteriores por transistores MOS.
Para analisar o comportamento a grandes sinais do par diferencial com espelho de corrente ativo
como carga, explora-se diferentes condições de carga no terminal de saída.
Espelho de Correntes Ativos (3)
(1) A saída curto-circuitada a uma fonte de tensão CC
Na figura estão as correntes de M1, M2, M3, M4 e o terminal de saída. Note que ID1= │ID3│, e Iout= │ID4│-ID2.
Espelho de Correntes Ativos (4)
(1) Quando Vin+ for muito mais negativo que Vin-, M1 está cortado bem como M3 e M4. Logo Iss flui
através de Vx, e através de M2 e M5.
(2) Quando Vin+ aproxima-se de Vin-, M1 conduz, e fazendo com que parte def ID5=Iss passe por M3 e
faça M4 conduzir.
(3) Para uma diferença pequena entre Vin+ e Vin-, M2 e M4 estão saturados, provendo um alto
Gm=Iout/Vin. Se for conectada uma carga resistiva ao terminal de saída, no lugar da fonte, pode-se obter
um ganho alto devido ao alto Gm.
(4) Quando Vin+ torna-se mais positivo que Vin-, ID1, │ID3│, e │ID4│aumentam e ID2 diminuem. Quando
Vin= Vin+ - Vin- for suficientemente grande, M2 corta.
É necessário mencionar que usualmente este circuito não é usado na prática. Aqui ele foi colocado para
facilitar a compreensão de como o par diferencial com espelho de corrente ativo trabalha.
Seguindo a análise detalhada do comportamento a grandes sinais. Nota-se que, desde que o terminal de
saída está aberto, tem-se sempre que ID1= │ID3│, e ID2= │ID4│, e Iout= │ID4│-ID2=0. Logo as
correntes dos transistores são diferentes do caso (1).
Espelho de Correntes Ativos (5)
(1) Quando Vin+ é muito mais negativo que Vin-, M1 está cortado bem como M3 e M4. M2 e M5 estão na
região triodo e não conduzem corrente, Vout=0.
(2) Quando Vin+ atinge VTN, M1, M3 e M4 entram na saturação e conduzem. M2 e M5 ainda estão na
região triodo, mas começam a conduzir.
(3) Vin+ aumenta mais, M1, M3 e M4 continuam na saturação. M5 entra na saturação, e ID5≈Iss.
Entretanto M2 está ainda na região triodo.
(4) Quando Vout=Vin- - VTN, M2 entra na saturação, e assim todos os transistores estão na saturação.
Tem-se então um ganho alto. Na prática, o par diferencial com espelho de corrente ativo usualmente
trabalha nestas condições.
(5) Quando Vout=VF - VTp, M4 entra na região triodo, e o ganho decresce dramaticamente.
(6) Quando Vin+ torna-se mais positivo que Vin-, M1, M3 e M5 continuam na saturação. M4 está na região
triodo, e M2 está aberto. Ambos não conduzem correntes. Assim Vout=VDD. Deve-se mencionar que se
Vin+ > VF + VTN, então M1 entra na região triodo.
Espelho de Correntes Ativos (6)
(3) A saída conectada com uma carga resistiva
Para obter Vout, Iout vs Vin. Não será detalhada a análise aqui. Seguindo os procedimentos dos casos
(1) e (2), sugere-se que os alunos façam como exercício.
Espelho de Correntes Ativos (7)
Exemplo: Assumindo simetria perfeita, Vin+= Vin-=Vin,CM=1.5V, desenhe a tensão de saída do circuito
abaixo quando VDD varia de 3V a zero. Assuma que para VDD=3V todos os componentes são saturados.
Um par diferencial com uma fonte de corrente cascode forma um amplificador telecópico…
Solução:
Espelho de Correntes Ativos (8)
Para VDD = 3V, a simetria requer que Vout = VF. Como VDD cai, tal que VF e Vout com uma inclinação
próxima a unidade. Quando VF e Vout caem abaixo de 1.5V-VTN, M1 e M2 entram na região triodo, mas
suas correntes de dreno ainda permanecem constantes enquanto M5 estiver saturado. Um decréscimo
maior em VDD e logo de VF e Vout causa um incremento em VGS1 e VGS2, eventualmente levando M5
para região triodo. Em seguida, as correntes de polarização de todos os transistores caem, diminuindo a
taxa de queda de Vout. Para VDD < │VTP│, tem-se Vout=0.
Espelho de Correntes Ativos (9)
Análise a pequenos sinais
Não se pode para fazer esta análise utilizar o conceito de meio circuito a pequenos sinais, pois não
há simetria no circuito. Uma forma de análise é mostrada no circuito abaixo.
No livro texto é proposto outra solução para este problema, que é deixado como exercício.
Espelho de Correntes Ativos (11)
Propriedades do Modo Comum
Para determinação do ganho de modo comum utiliza-se o circuito equivalente mostrado na figura abaixo.
Espelho de Correntes Ativos (12)
Sendo a Razão de Rejeição de Modo Comum (CMRR) dada por
Para análise do efeito do descasamento dos transistores no cálculo do ganho de modo comum,
utiliza-se o circuito mostrado abaixo
Espelho de Correntes Ativos (13)
Considerando que a variação dos nós F e sejam relativamente pequenos, pode-se determinar a
variação de ID1 e ID2 desprezando-se os efeitos de ro1 e ro2. A tensão VP pode ser obtida
considerando os transistores M1 e M2 como sendo um transistor simples (configuração seguidor de
fonte) com uma transcondutância igual a gm1+gm2, i. e.
Sendo o efeito de corpo desprezado. As mudanças nas correntes de drenos de M1 e M2 são dados por
Espelho de Correntes Ativos (14)
A variação em D ID1 multiplicada por (1/gm1)//ro3 resulta em DID4 = gm4[(1/gm3)//ro3]. A diferença
entre esta corrente e DID2 flui através da impedância de saída do circuito, que é igual a ro4 porque
foram desprezados os efeitos de ro1 e ro2:
Se ro3>>1/gm3, tem-se