Apostila Laboratório Eletrônica 2

Eletronica II
Apostila de Laboratorio
Professor: Germano Maioli Penello

Departamento de Eletronica e Telecomunicacoes (DETEL)
Universidade do Estado do Rio de Janeiro (UERJ)
Eletronica II
Prefacio
Esta apostila de laboratorio tem como objetivo descrever experimentos

de MOSFETs e BJTs que podem ser realizados como parte da pratica labo-
ratorial da disciplina Eletronica II. A versao atual desta apostila esta sendo
elaborada pelos professores Teo Cerqueira Revoredo, Frederico Pontes, Dou-
glas Mota Dias e Germano Maioli Penello.
Esta versao teve como base inicial a apostila de transistores bipolares do
professor Teo Cerqueira Revoredo. Os monitores Caio Cesar Peraphan Lima
(2014) e Leonardo Moizinho Pinheiro (2016) participaram da elaboracao ini-
cial junto com o professor Teo.
1
Experiencia 1
Caracterstica IxV - NMOS
1.1 Objetivo
Estudar as caractersticas IxV de um transistor NMOS:
Simulando o funcionamento de um transistor para investigar a relacao

de corrente de dreno vs. tensao VGS e VDS .
Implementando um circuito e medindo as curvas de ID vs. VGS e IC

vs. VDS .
Extraindo os valores de e n , Vth e n .
1.2 Material recomendado

Material de laboratorio.
1 transistor NMOS tipo intensificacao (CD4007) - Apresente a pinagem

desse componente no pre-relatorio.
Protoboard, fios, resistores.
1.3 Simulacao
Considere o circuito da Figura 1.1. Projete o circuito no seu programa de
simulacao e conecte as fontes de alimentacao CC na porta e no dreno do
transistor.
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Eletronica II
Figura 1.1: Circuito para determinar as caractersticas IxV do transistor

NMOS.
1.3.1 ID vs. VGS

Mantendo VDS em um valor constante de 5 V, varie o valor da tensao na
porta de 0 ate 5 V em incrementos de 0.1 V. Desenhe a curva ID vs. VGS . A
que valor de VGS a corrente comeca a aumentar?
1.3.2 ID vs. VDS

Para tres valores de VGS (2.5 V, 3.0 V e 3.5 V), varie o valor da tensao no
dreno de 0 ate 5 V em incrementos de 0.1 V. Desenhe a curva ID vs. VDS
em um unico grafico, indicando os valores de VGS para cada uma das curvas.
1.4 Experimento
Monte o circuito da Figura 1.1, usando de uma fonte de alimentacao para
gerar as tensoes CC.1
1
ATENCAO: O CD4007 e um MOSFET de baixa potencia. As correntes que passam
no circuito com a aplicacao de tensao ate 5V em seus terminais sao baixas. Caso voce
troque o transistor, o circuito a ser montado precisara de uma resistencia de dreno para
limitar a corrente!
3
Eletronica II
1.4.1 ID vs. VGS

Mantendo VDS em um valor constante de 5 V, aumente a tensao da porta
de 1.0 V ate 3.5 V em incrementos de 0.25 V, e meca a corrente de dreno
(Como medir essa corrente?). Desenhe a curva de ID vs. VGS . A qual valor
de VDS o transistor comeca a conduzir corrente?
1.4.2 ID vs. VDS

Para tres valores de VGS (2.5 V, 3.0 V e 3.5V), varie o valor da tensao no
dreno de 0 ate 3.5 V em incrementos de 0.5 V, e meca a corrente de dreno
(Como medir essa corrente?). Desenhe as curvas de ID vs. VDS em um grafico
unico, indicando claramente os valores de VGS para cada uma das curvas.
1.5 Exerccios apos as medidas

1.5.1 Simulacao vs. medidas
Quais sao as principais diferencas entre as curvas medidas e simuladas? Qual
o motivo dessas diferencas?
Extracao de parametros
Tensao (Threshold ), Vth
Baseado na medida ID vs. VGS , determine o valor de VGS para qual o transis-
tor liga. Guarde este valor como a tensao de limiar (ou gatilho ou Threshold
Vth do seu transistor.
Parametro de trancondutancia do MOSFET, n

Baseado no valor da corrente de dreno ID com VGS = 3.0V , e usando o
modelo de saturacao do transistor, i. e., ID = (1/2)n (VGS Vth )2 , extraia o
valor de n = n Cos (W/L). Utilizando o valor extrado de Vth e n , faca um
grafico de ID vs. VGS , usando o modelo de saturacao. Compare esta curva
com a curva medida e com a simulada. Existem diferencas? Qual o motivo
dessas diferencas?
Tensao Early, VA
Baseado na sua medida ID vs. VDS , para o transistor em saturacao, extraia
o valor da tensao Early VA para cada tensao VGS . O valor de VA se altera sig-
4
Eletronica II
nificativamente para cada valor de VGS ? Qual o valor medio de VA ? Baseado

no valor medio de VA , calcule = 1/VA .
Apresente os resultados do transistor medido em uma tabela contendo
Vth , n e VA com suas respectivas unidades.
1.5.2 Extra
Se voce tiver acesso a um analisador de parametros de semicondutores, gere
a curva ID vs. VDS usando o analisador. Como essas curvas se comparam
com as geradas previamente?
5
Experiencia 2
NMOS em corrente contnua
2.1 Objetivo
Estudar um transistor NMOS polarizado:
Completando a analise DC de tres circuitos: (1) transistor polarizado

na regiao de saturacao. (2) transistor polarizado na regiao de triodo, e
(3) um transistor conectado como um diodo.
Simulando os circuitos para se comparar os resultados com a analise

teorica.
Implementando os circuitos de forma experimental, realizando medidas

e comparando a performance do circuito experimental com os resulta-
dos teoricos e simulados
Observacao qualitativa do impacto das variacoes entre transistores NMOS
2.2 Material
Material de laboratorio.
1 transistor NMOS tipo intensificacao (CD4007) - Apresente a pinagem

desses dois componentes no pre-relatorio.
Protoboard, fios, resistores.
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Eletronica II
Figura 2.1: Circuito para operar um transistor NMOS nas regioes de sa-
turacao e triodo.
2.3 NMOS na regiao de saturacao

Projete o circuito da figura 2.1 tal que ID = 1 mA, VG = 0 V, e VD = +5
V. Utilize fontes de tensao de V+ = V = 15V . Apos os calculos teoricos,
utilize os valores dos resistores comerciais apresentados no apendice B como
referencia para obter as resistencias projetadas (associe resistores em serie
ou paralelo para que o valor da resistencia utilizada seja proxima do valor
ideal). Recalcule o valor da corrente ID com o valor nominal dos resistores
comerciais. Qual a diferenca entre o valor de ID recalculado com o valor ideal
de 1mA? Essa diferenca e significativa?
2.3.1 Calculos
Desenhe o circuito, nomeando claramente os terminais do transistor.
Baseado na experienca passada (experiencia 1), calcule VOV .
Baseado na experienca passada (experiencia 1), compare Vtn com o
valor fornecido pelo datasheet. Qual o valor de VS ?
Agora voce possui informacao suficiente para calcular RS . Os valores
calculados estao disponveis em valores comerciais? E possvel alcancar
esses valores usando combinacoes de resistencias? Comente.
Agora voce possui informacao suficiente para calcular RD . Os valores
7
Eletronica II
Quais os valores de R1 e R2 ? Comente sobre sua escolha.
2.3.2 Simulacao
Simule o circuito utilizando os valores calculados de RS , RD , R1 e R2 .
Obtenha da simulacao os valores de VS , VG , VD e ID . Os valores simu-

lados estao de acordo com os valores calculados?
2.3.3 Projeto e medicao

Monte o circuito em um protoboard.
Leia o manual da fonte de tensao e explique como utiliza-la como uma

fonte simetrica +15V e 15V .
Utilizando um multmetro, meca VS , VG e VD .
Usando o multmetro, meca os valores de todos as resistencias com tres

casas decimais de precisao.
2.3.4 Atividade pos-medicao

Quais sao os valores medidos de VGS e VDS ? Como eles se compa-
ram com os valores calculados? Explique quaisquer discrepancias. O
transistor esta na regiao de operacao de saturacao? Explique.
Baseado nos valores medidos de VS e VD e as medidas das resistencias,

determine o valor de ID ?
2.4 NMOS na regiao de triodo

Projete novamente o circuito da figura 2.1 tal que ID = 1 mA, VD = +2V e
VDS = 0.5 V. Utilize fontes de tensao de V+ = V = 15 V. Note que nesta
analise, voce deve se usar o modelo de triodo.
8
Eletronica II
2.4.1 Calculos
Calcule VOV e VGS . Qual o valor de VG ?
Agora voce possui informacao suficiente para calcular RS . Os valores


Quais os valores de R1 e R2 ? Comente sobre sua escolha.
2.4.2 Simulacao
Simule o circuito utilizando os valores calculados de RS , RD , R1 e R2 .
Quais sao os valores de VS , VG , VD e ID . Os valores simulados estao

de acordo com os valores calculados? (Nota: o simulador utiliza um
modelo mais completo do transistor. Este modelo se aproxima mais
de um transitor real. Pequenas variacoes entre o valor calculado e o
simulado sao esperadas.)

Monte o circuito em um protoboarrd.


Quais sao os valores medidos de VGS e VDS ? Como eles se comparam
com os valores calculados? Explique quaisquer discrepancias.

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Eletronica II
Figura 2.2: Circuito com um transistor NMOS conectado como um diodo.
2.5 transistor conectado como um diodo

Projete o circuito da figura 2.2 tal que ID = 1 mA e RS = 15k. Utilize
fontes de tensao de V+ = V = 15 V.
2.5.1 Calculos
Qual e a regiao de operacao do transistor? Calcule VOV . Qual o valor

de VS e VD ?

2.5.2 Simulacao
Simule o circuito utilizando o valor calculado de RD .
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Eletronica II
Apresente os valores de VS , VG , VD e ID . Os valores simulados estao

de acordo com os valores calculados?

Monte o circuito em um protoboarrd.


Como os valores medidos se comparam com os valores calculados? Ex-
plique quaisquer discrepancias.

2.6 Extra
Reutilize o circuito da parte 2.3, assim como os valores de RD e RS
calculados. No entanto, substitua o divisor de tensao R1 e R2 com um
potenciometro de 10-k de 20 voltas, com o pino central conectado no
terminal de porta do transistor. Isso permitira que voce ajuste a tensao
DC na porta.
Gradualmente aumente a tensao da porta, anotando os valores medidos

de VS , VG e VD . O que voce observa? Voce pode indicar os pontos de
transicao entre as diferentes regioes de operacao do transistor?
11
Experiencia 3
Amplificador Fonte Comum -

NMOS
3.1 Objetivos
Estudar o funcionamento de um amplificador fonte comum - NMOS:
Completando a analise DC e a analise de pequenos sinais de acordo
com o comportamento teorico.
Simulando o circuitos para comparar os resultados com os calculos

teoricos.

e comparando se a performance do circuito montado com os resultados
teoricos e simulados.
Medindo a resistencia de sada.
Observando qualitativamente o impacto das variacoes de transistor pra

transistor
3.2 Materiais
Material de laboratorio (equipamentos, protoboard )
1 Transistor NMOS do tipo intensificacao (CD4007)
3 capacitores com alto valor de capacitancia (por ex. 47 F )
Fios e resistores de valores variados
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Eletronica II
Figura 3.1: Circuito amplificador fonte comum NMOS.
3.3 Projeto e simulacao

Considere o circuito mostrado na figura 3.1. Projete o amplificador para
alcancar um ganho de pequeno sinal de ao menos Av = 5V /V . Use fon-
tes de V+ = V = 15V , Rsig = 50, RL = 10k, RG = 10k, e uma
corrente ID = 1mA. Apos os calculos teoricos, utilize os valores dos resis-
tores comerciais apresentados no apendice B como referencia para obter as
resistencias projetadas (associe resistores em serie ou paralelo para que o va-
lor da resistencia utilizada seja proxima do valor ideal). Recalcule o valor da
corrente ID com o valor nominal dos resistores comerciais. Qual a diferenca
entre o valor de ID recalculado com o valor ideal de 1mA? Essa diferenca e
significativa? Apresente o datasheet do transistor que estiver utilizando.
3.3.1 Analise DC - ponto de polarizacao

Desenhe o modelo DC do circuito, substituindo os tres capacitores de
acoplamento CC1 , CC2 e CS por circuitos abertos (para simplificar, voce
pode omitir vsig , Rsig e RL ).
Determine o valor de VOV . Determine o valor de gm . Determine o valor

de VGS . (Lembre-se que o valor real de Vtn e ligeiramente diferente do
valor nominal. Como determinar o valor de Vtn sem ter que confiar no
valor nominal?)
13
Eletronica II
Calcule ro .
Agora voce ja tem informacao suficiente para calcular RS . O valor
calculado e disponvel comercialmente? Voce pode obter este valor
com uma combinacao de resistores? Comente.
Note que ate o momento ainda nao determinamos VDS nem RD .
3.3.2 Analise AC
Desenhe o modelo de pequenos sinais do circuito, substituindo o tran-
sistor pelo modelo equivalente de pequenos sinais. Substitua os capa-
citores por curto-circuitos (o que acontece com RS ?), e substitua V+
por uma conexao com o terra. O que acontece com V-? Nomeie o
terminal de porta do transistor como vi , ou seja, o sinal de tensao de
baixa amplitude na entrada (Lembre-se da aproximacao de pequenos
sinais).
Determine a razao vi /vsig ? Como voce poderia aproxima-la em futuros
calculos?
Encontre uma expressao para o ganho Av = vo /vi . Qual o valor de RD
que produz um ganho de sinal pequeno de ao menos Av = 5V /V ?
O valor calculado de RD esta disponvel comercialmente? Voce pode
obter este valor com uma combinacao de resistores? Comente.
Qual e a tensao DC no terminal de dreno? Essa tensao esta de acordo
com o transistor operando na regiao de saturacao? Explique.
Qual e a resistencia de sada, Ro ?
3.3.3 Simulacao
Simule a performance de seu circuito. Utilize capacitores CC1 = CC2 =
CE = 47F e os valores de RS e RD baseados nos seus calculos anterio-
res. Utilize uma onda senoidal de 1kHz e 10mVpkpk como vsig . (Note
que vsig nao tem componente DC.)
A partir dessa simulacao, anote os valores DC de VGS , VDS e ID . O quao
proximo eles estao dos valores calculados? (Lembre-se que a simulacao
tem seu modelo proprio, muito mais complexo, do transistor.)
A partir dessa simulacao, observe Av . O quao proximo ele esta do valor
calculado?
14
Eletronica II
3.4 Projeto
Monte om circuito no protoboard utilizando os valores especificados e
os calculados. Note que Rsig representa a resistencia do gerador de
funcoes, portanto nao deve ser includo no seu circuito.
3.5 Medicoes
Medicao do ponto de polarizacao: Usando um multmetro, meca as
tensoes DC nos terminais de porta(VG ), dreno(VD ) e fonte(VS ) do tran-
sistor.
Medicao AC : Usando o gerador de funcoes, aplique uma onda senoidal

de 1kHz e 10mVpkpk sem componente DC (Se o gerador de funcoes
nao atingir esse valor de 10mVpkpk , utilize o menor valor possvel do
equipamento.)
Com o osciloscopio, gere os graficos das formas de onda de vo e vi vs.

t.
Resistencia de sada Ro: Substitua RL por uma resistencia de 1M e

repita a medida AC acima. Qual e a amplitude da forma de onda de
sada? Guarde este valor. Modifique o valor de RL ate encontrar um
valor tal que que a amplitude da forma de sada seja aproximadamente
metade do que era para o resistor de 1M . Esse novo valor de RL e a
resistencia de sada Ro. Explique o porque deste metodo fazer sentido.
Como isso se compara ao valor que voce calculou anteriormente no
passo 2? Dica: Nao pode ser maior do que o valor de RD .
Exploracoes adicionais: O que ocorre com a forma de onda da sada

conforme voce aumenta a amplitude do sinal de entrada para 1Vpkpk ?
Em qual amplitude de entrada voce comeca a notar distorcao signifi-
cativa? Explique.
Varie a frequencia da senoide gerada pelo gerador de funcoes. Qual a

faixa de frequencias que este amplificador funciona?

15
Eletronica II
3.6 Exerccios pos-medicao


quais sao os valores reais de todas as correntes? Como elas se comparam
aos seus calculos anteriores? Explique quaisquer discrepancias.
Qual e o valor medido de Av ? Como este se compara aos seus calculos

anteriores? Explique quaisquer discrepancias.
3.7 Analise adicional

Em vez de conectar RG ao terra, tente conecta-lo ao terminal de dreno
do transistor. Repita a medicao do ponto de polarizacao e do ganho de
pequenos sinais. Qual foi a alteracao na medida? As resistencias RD e
RS precisam ser alteradas para manter as especificacoes do circuito?
16
Experiencia 4
Amplificador Fonte Comum

com Degeneracao de Fonte -
NMOS
4.1 Objetivos
Estudar o funcionamento de um amplificador fonte comum com resistor de
degeneracao de fonte - NMOS:


teoricos.


transistor
4.2 Materiais
17
Eletronica II
Figura 4.1: Circuito amplificador fonte comum NMOS com resistor de dege-
neracao de fonte, RS1 .

alcancar um ganho de pequeno sinal de ao menos Av = 4V /V com RS1 =
220. Use fontes de V+ = V = 15V , Rsig = 50, RL = 10k, RG = 10k,
e projete o circuito para ID = 1mA. Apos os calculos teoricos, utilize os va-
lores dos resistores comerciais apresentados no apendice B como referencia
para obter as resistencias projetadas (associe resistores em serie ou paralelo
para que o valor da resistencia utilizada seja proxima do valor ideal). Re-
calcule o valor da corrente ID com o valor nominal dos resistores comerciais.
Apresente o datasheet do transistor que estiver utilizando.

acoplamento CC1 , CC2 e CS por circuitos abertos (para simplificar, voce
pode omitir vsig , Rsig e RL ). Qual e a corrente DC atraves de RG ?
18
Eletronica II

valor nominal?)
Calcule rO .
Agora voce ja tem informacao suficiente para calcular RS1 + RS2 e,

consequentemente, determinar RS2 .
Os valores de RS1 e RS2 estao disponveis comercialmente? Voce pode

Nota: ate o momento nao determinamos VDS nem RD .
4.3.2 Analise AC
citores por curto-circuitos (o que acontece com RS 2?), e substitua V+
terminal de porta do transistor como vi , ou seja, o sinal de tensao de
sinais).

calculos?
Encontre uma expressao para o ganho Av = vo /vi . Qual o valor de RC

que produz um ganho de sinal pequeno de ao menos Av = 4V /V ?

4.3.3 Simulacao
CE = 47F e os valores de RS1 , RS2 e RD baseados nos seus calculos
anteriores. Utilize uma onda senoidal de 1kHz e 10mVpkpk como vsig .
(Note que vsig nao tem componente DC.)
19
Eletronica II

calculado?
4.4 Projeto
4.5 Medicoes
sistor.
equipamento.)
t.
Distorcao: O que ocorre com a forma de onda da sada conforme voce
aumenta a amplitude do sinal de entrada para 1Vpkpk ? Em qual ampli-
tude de entrada voce comeca a notar distorcao significativa? Explique.
20
Eletronica II

Medicao adicional : O que acontece se voce diminuir o valor de RS1

para 200 mantendo o valor de RS1 + RS2 constante?


quais sao os valores reais de todas as correntes, baseadas em suas me-
didas no laboratorio? Como elas se comparam aos seus calculos ante-
riores? Explique quaisquer discrepancias.


Inverta a posicao dos resistores RS1 e RS2 . Meca o novo ponto de
polarizacao DC e o ganho de sinal pequeno. Quais as diferencas com a
medida antiga? O que se mantem igual? Explique este resultado.
21
Experiencia 5
Amplificador Porta Comum -

NMOS
5.1 Objetivos
Estudar o funcionamento de um amplificador porta comum - NMOS:


teoricos.


transistor
5.2 Materiais
22
Eletronica II
Figura 5.1: Circuito amplificador porta comum NMOS.

alcancar um ganho de pequeno sinal de ao menos Av = 5V /V . Use fontes de
V+ = V = 15V , Rsig = 50, RL = 10k e uma corrente ID = 1mA. Apos
os calculos teoricos, utilize os valores dos resistores comerciais apresentados
no apendice B como referencia para obter as resistencias projetadas associe
resistores em serie ou paralelo para que o valor da resistencia utilizada seja
proxima do valor ideal). Recalcule o valor da corrente ID com o valor nominal
dos resistores comerciais. Qual a diferenca entre o valor de ID recalculado
com o valor ideal de 1mA? Essa diferenca e significativa? Apresente o
datasheet do transistor que estiver utilizando.

acoplamento CC1 e CC2 por circuitos abertos (para simplificar, voce
pode omitir vsig , Rsig e RL ).

valor nominal?)
23
Eletronica II
Agora voce ja tem informacao suficiente para calcular RS . O valor

calculado e disponvel comercialmente? Voce pode obter este valor
com uma combinacao de resistores? Comente.
Note que ate o momento ainda nao determinamos VDS nem RD .
5.3.2 Analise AC
citores por curto-circuitos (o que acontece com RS ?), e substitua V+
terminal de fonte do transistor como vi , ou seja, o sinal de tensao de
sinais).

calculos?
Encontre uma expressao para o ganho Av = vo /vi . Qual o valor de

RC que produz um ganho de sinal pequeno de ao menos Av = 5V /V ?

5.3.3 Simulacao
47F e os valores de RS e RD baseados nos seus calculos anteriores.
Utilize uma onda senoidal de 1kHz e 20mVpkpk como vsig . (Note que
vsig nao tem componente DC.)


calculado?
24
Eletronica II
5.4 Projeto
5.5 Medicoes
sistor.

equipamento.)

t.

Exploracoes adicionais: O que ocorre com a forma de onda da sada

conforme voce aumenta a amplitude do sinal de entrada para 2Vpkpk ?
Em qual amplitude de entrada voce comeca a notar distorcao signifi-
cativa? Explique.

Usando um multmetro, meca os valores de todos as resistencias com

tres casas decimais de precisao.
25
Eletronica II


quais e o valor real da corrente ID ? Como elas se comparam aos seus
calculos anteriores? Explique quaisquer discrepancias.


Usando o gerador de funcoes, addicione uma componente DC de 1V
ao sinal de entrada vsig e repita as medidas. O ganho Av e o ponto de
operacao DC ainda sao os mesmos medidos anteriormente? Explique.
26
Experiencia 6
Amplificador Dreno Comum

(Seguidor de fonte) - NMOS
6.1 Objetivos
Estudar o funcionamento de um amplificador dreno comum (Seguidor de
fonte) - NMOS:


teoricos.


transistor
6.2 Materiais
27
Eletronica II
Figura 6.1: Circuito amplificador dreno comum (seguidor de fonte) NMOS.

Considere o circuito mostrado na figura 6.1. Utilizando fontes de V+ =
V = 15V , Rsig = 50, RG = 10k e uma corrente ID = 1mA, projete
o amplificador para alcancar um ganho de pequeno sinal de Av = 0.8V /V .
Qual e o valor mnimo de RL que satisfaz esta condicao. Apos os calculos
teoricos, utilize os valores dos resistores comerciais apresentados no apendice
B como referencia para obter as resistencias projetadas (associe resistores
em serie ou paralelo para que o valor da resistencia utilizada seja proxima
do valor ideal). Recalcule o valor da corrente ID com o valor nominal dos
resistores comerciais. Qual a diferenca entre o valor de ID recalculado com
o valor ideal de 1mA? Essa diferenca e significativa? Apresente o datasheet
do transistor que estiver utilizando.

Desenhe o modelo DC do circuito, substituindo os capacitores de aco-
plamento CC1 e CC2 por circuitos abertos (para simplificar, voce pode
omitir vsig , Rsig e RL ). Qual e o valor da corrente que passa por RG ?
Determine o valor de VOV (Lembre-se que o valor real de Vtn e ligeira-

mente diferente do valor nominal. Como determinar o valor de Vtn sem
ter que confiar no valor nominal?).
Determine o valor de RS . O valor calculado e disponvel comercial-

mente? Voce pode obter este valor com uma combinacao de resistores?
Comente.
28
Eletronica II
6.3.2 Analise AC
sistor pelo modelo equivalente de pequenos sinais (Sugestao: Utilize o
modelo T e ignore ro ). Substitua os capacitores por curto-circuitos (o
que acontece com RS ?), e substitua V+ e V por uma conexao com o
terra. Nomeie o terminal de porta do transistor como vi , ou seja, o sinal
de tensao de baixa amplitude na entrada (Lembre-se da aproximacao
de pequenos sinais).

calculos?
Encontre uma expressao para o ganho Av = vo /vi .
Qual o valor de gm ?
Qual e o menor valor de RL que satisfaz os requerimentos do projeto?
6.3.3 Simulacao
CE = 47F e o valor de RS baseados nos seus calculos anteriores.
Utilize uma onda senoidal de 1kHz e 10mVpkpk como vsig . (Note que
vsig nao tem componente DC.)


calculado?
Simule uma varredura em frequencias e determine a faixa de frequencias

que o amplificador opera.
6.4 Projeto
29
Eletronica II
6.5 Medicoes
sistor.
equipamento.)
t.
Usando um multmetro, meca os valores de todos as resistencias com
tres casas decimais de precisao.

quais e o valor real da corrente ID ? Como elas se comparam aos seus
calculos anteriores? Explique quaisquer discrepancias.
O que aconteceria se voce utilizasse o gerador de funcoes com uma
resistencai de sada de 50 diretamente conectado na resistencia de
carga? Qual o ganho voce obteria? O que aconteceria se a resistencai
de sada do gerador de funcoes mudasse de 50 para 5k? Qual a
conclusao podemos tirar destas analises?

Adicione um resistor de 500 entre a sada do gerador de funcoes e
o capacitor CC1 . Qual a mudanca observada no ganho do circuito?
Explique.
30
Experiencia 7
Amplificadores de um estagio
com TBJ: EC - Conceitos
fundamentais
7.1 Objetivo
O projeto e a analise de amplificadores analogicos muitas vezes nao se res-
tringem a circuitos com apenas um transistor, mas, em vez disso, agrupam
circuitos deste tipo para criar um novo amplificador que contenha todas as
propriedades desejadas para a aplicacao, a saber: Impedancias de entrada e
sada e ganho. Antes de se analisar e construir esses amplificadores multi-
transistorizados mais robustos, no entanto, deve-se, primeiro, entender os
conceitos basicos dos amplificadores com um unico transistor.
O objetivo deste experimento e o de familiarizar o aluno com a configuracao
de amplificador de um unico estagio denominada emissor comum (EC) e as
suas propriedades.
7.2 Material recomendado

O material recomendado para a experiencia e apresentado na Tabela 7.1.
Caso os componentes especificados nao estejam disponveis, cabe aos alunos
encontrar alternativas que permitam a execucao adequada do experimento.
31
Eletronica II
Tabela 7.1: Componentes recomendados.
Componente Quantidade
Transistor 2N2222 ou BC547
Resistor de 1k 1
Resistor de 10k 1
Capacitor de 10F 1
Potenciometro de 10k 1
Auto-falante de 8 1
7.3 Procedimento
7.3.1 Polarizacao para ganho maximo
As propriedades de um amplificador emissor comum sao muito afetadas pelo
ponto de polarizacao e pelos circuitos de polarizacao especficos. Neste expe-
rimento, utiliza-se uma fonte de tensao e um resistor de pull up para polarizar
o coletor do TBJ e a tensao DC de offset do gerador de funcoes (ou de uma
fonte DC) para polarizar a base. Em amplificadores multi-transistorizados,
no entanto, um transistor e comumente polarizado utilizando-se outros tran-
sistores para alcancar um alto ganho de pequenos sinais.
1. Construa um modelo para o circuito apresentado na Figura 7.1, um

simples amplificador emissor comum com nenhuma carga conectada,
em um programa de simulacao (sugestao: LTSpice, Multisim ou MA-
TLAB). Utilize RC = 1k e VCC = 5V .
2. Usando simulacao, considere a componente AC nula e varie a tensao DC

do sinal de entrada de 0V a 1V com passos de 1mV e faca o grafico de
VOU T vs. VIN . A partir deste grafico, determine o ponto de polarizacao
do amplificador que alcanca o ganho maximo. Qual e o valor deste
ganho? Quais sao os valores de VIN e VOU T no ponto de maximo ganho?
3. Usando uma reta de carga para o resistor de pull up sobre uma curva
I vs V do TBJ, explique por que o mesmo tem um ganho muito baixo
se ele nao for polarizado na regiao ativa.
7.3.2 Propriedades do amplificador

As caractersticas operacionais de um amplificador podem ser quantificadas
atraves de tres propriedades: Impedancia de entrada, ganho e impedancia de
32
Eletronica II
Figura 7.1: Emissor comum com carga acoplada.
sada. A meta agora e medir e aprender mais sobre essas propriedades para
o amplificador EC.
1. Usando simulacao, varie VIN de 0V a 1V, mantendo a componente de
sinal nula, e faca o grafico de IIN vs VIN . Qual e o valor da resistencia
de entrada quando VIN e polarizado para alcancar o ganho maximo
(vide item B da Secao 7.3.1)?
2. Aplique, agora, um sinal senoidal na entrada com um offset DC corres-

pondente ao ponto de polarizacao que prove o ganho maximo. Meca a
amplitude pico-a-pico do sinal na sada com o auxlio do osciloscopio.
Qual e o ganho medido com o osciloscopio? Ele e aproximadamente o
mesmo obtido em simulacao? Qual e a diferenca, se alguma, no valor
de pico alcancavel para as excursoes positiva e negativa do sinal de
sada? Registre a amplitude pico-a-pico do sinal de entrada empregado
neste item.
3. Varie o valor do offset da fonte de sinal (ou a tensao da fonte DC, se

for o caso), VIN , e observe o que acontece com o sinal de sada. O que
muda com relacao a excursao do sinal (parte positiva e parte negativa)?
4. Escolha um valor de offset que resulte em um sinal de sada sem acha-

tamentosnas partes de cima e de baixo e, em seguida, aumente a
33
Eletronica II
Figura 7.2: Emissor comum com carga acoplada.
amplitude do sinal de entrada ate que o sinal de sada pareca estar

achatadonas partes superior e inferior. Por que ocorre achatamen-
tosno topo? Por que ocorre achatamentosna parte de baixo? Utilize
graficos para explicar bem estas situacoes. Em termos aproximados, o
quao grande pode ser o sinal de sada sem que haja achatamentos?
A maxima amplitude sem achatamentose denominada maxima ex-
cursao do sinal de sada.
5. Inclua, agora, um capacitor de acoplamento de 10F e um potenciometro

de 10K na sada, conforme mostrado na Figura 7.2. O potenciometro
e aqui utilizado para simular uma carga para o amplificador. Por que
razao o capacitor e necessario?
6. Aplique o mesmo sinal utilizado no item 2 na entrada do circuito e

ajuste a resistencia do potenciometro ate que a amplitude do sinal
atraves do potenciometro seja exatamente a metade da amplitude do
sinal sem nenhuma carga conectada. A resistencia do potenciometro
neste momento sera identica a resistencia de sada do amplificador.
7.3.3 Degeneracao de emissor

O termo degeneracao de emissor refere-se a colocacao de uma resistencia
no emissor de um amplificador EC. Aqui, vamos analisar o efeito desta re-
34
Eletronica II
Figura 7.3: Emissor comum com degeneracao de emissor.
sistencia.
1. Construa o circuito apresentado na Figura 7.3. Sejam VCC = 5V ,
RC = 10k e RE = 1k.
2. Polarize o circuito (ajuste VIN ) para obtencao de maxima excursao do
sinal. Qual e o ponto de operacao? Qual e o valor do ganho, Av ,
neste ponto? Esse valor e maior ou menor do que o ganho encontrado
sem a resistencia no emissor? De uma explicacao para o fenomeno que
acontece no circuito que implica nessa mudanca de ganho.
3. Meca as impedancias de entrada e a sada do circuito.
4. Apresentando todas as etapas do desenvolvimento, calcule os valores
teoricos para as impedancias de entrada e a sada, bem como o ganho
do amplificador. Obtenha o valor de da folha de dados do TBJ
utilizado.
5. Para o que a degeneracao de emissor pode ser util?
35
Eletronica II
7.3.4 O pior amplificador para um auto-falante (Ponto

extra)
Esta parte objetiva demonstrar as capacidades do amplificador CE acima
descrito com uma carga fisicamente observavel.
1. Aplique um sinal senoidal com frequencia de 1kHz e 10mV de amplitude

diretamente aos dois terminais do alto-falante. Observe o volume de
maneira qualitativa.
2. Construa o circuito apresentado na Figura 7.2. Sejam RC = 1k e

C = 10F. Polarize VIN para obter maxima excursao de sinal e aplique
um sinal senoidal de 1kHz e 10mV de amplitude entrada. Conecte
o alto-falante na sada do amplificador e avalie o volume de maneira
qualitativa. Ele e mais alto, mais baixo, ou apenas semelhante ao obtido
ao conectar o auto-falante diretamente a fonte de sinal? Explique esse
resultado.
36
Experiencia 8
Amplificadores de um estagio
com TBJ: Emissor comum -
Analise
8.1 Objetivo
Analisar em detalhes uma configuracao de amplificador emissor comum e
estudar as suas propriedades.
8.2 Circuito base e material recomendado

O circuito de base para este experimento e apresentado na Figura 8.1. Consi-
dere inicialmente os componentes especificados na Tabela 8.1 e uma frequencia
de operacao de 1000Hz.
8.3 Procedimento
8.3.1 Analise teorica
1. Para o circuito apresentado na Secao 8.2, faca o que se pede:
(a) Apresente (desenhe) o circuito equivalente para a analise DC. O

que acontece com os capacitores nessa situacao? Explique;
(b) Calcule o ponto quiescente;
(c) Faca o grafico da reta de carga DC;
37
Eletronica II
Tabela 8.1: Componentes recomendados.
Componente Quantidade
Transistor BC547 ou 2N2222
R1 33k
R2 18k
RC 1k
RE1 150
RE2 1.0k
RL 1k
RS 5k
C1 2.7F
C2 1.5F
CE 47F
2. Apresente (desenhe) o circuito equivalente para a analise AC com o

TBJ e com o modelo -hbrido simplificado o substituindo;
3. Determine as expressoes e os valores numericos para:
(a) O ganho de tensao com relacao a entrada do amplificador (Avi );

(b) O ganho de tensao com relacao a fonte de sinal (Avs );
(c) O ganho de corrente do amplificador (razao entre a corrente de
entrada e a corrente na carga) (Ai );
(d) A resistencia de entrada na base (Rib );
(e) A resistencia de sada do amplificador (R0 );
(f) Faca o grafico da reta de carga AC;
4. Refaca o item 3 considerando as seguintes situacoes:
(a) O capacitor CE e colocado entre o emissor do TBJ e o terra;

(b) O capacitor CE e retirado do circuito;
5. O que aconteceu com o ganho de tensao do amplificador para as si-

tuacoes acima se comparado ao item 3?
8.3.2 Simulacao
1. Simule o circuito apresentado na Secao 8.2. e faca o que se pede:
38
Eletronica II
Figura 8.1: Circuito amplificador emissor comum.
(a) Meca e compare os valores dos ganhos e das resistencias calculados

na Secao 8.3.1. Apresente uma tabela comparativa;
(b) Considerando vs como um sinal senoidal com 80mVpp, faca os
graficos do sinal de entrada e sada para o circuito, considerando
as tres configuracoes com relacao ao capacitor CE discutidas na
Secao 8.3.1;
(c) Varie os valores de R1 e R2 separadamente, para cima e para
baixo, e avalie a influencia destas mudancas no sinal de sada.
Utilize estes resultados para discorrer sobre a excursao maxima
do sinal de sada, sobre as regioes de corte e saturacao, e sobre os
ganhos maximo e mnimo sem distorcao.
8.3.3 Experimento
1. Monte o circuito apresentado na Secao 8.2.
2. Explique como e faca a medicao dos valores das grandezas abaixo lis-
tadas, e compare-os com os valores calculados e simulados:
(a) O ganho de tensao com relacao a entrada do amplificador (Avi );

(b) O ganho de tensao com relacao a fonte de sinal (Avs );
(c) O ganho de corrente do amplificador (Ai );
(d) A resistencia de entrada na base (Rib );
39
Eletronica II
(e) A resistencia de sada do amplificador (R0 );

(f) A resistencia interna da fonte de sinal (RS );
3. Refaca o item 2 considerando as situacoes a seguir e explique os resul-

tados, comparando-os aos resultados obtidos em simulacao:
(a) O capacitor CE e colocado entre o emissor do TBJ e o terra;

(b) O capacitor CE e retirado do circuito;
40
Experiencia 9
Amplificadores de multiplos
estagios com TBJ: Circuito
Cascode - Analise
9.1 Objetivo
Analisar em detalhes uma configuracao de amplificador cascode e estudar as
suas propriedades.
9.2 Circuito base e material recomendado

O circuito de base para este experimento e apresentado na Figura 9.1. O
modelo de transistor sugerido para T1 e T2 e o 2N2222. Pode-se utilizar
outros modelos, desde que observadas as diferencas entre eles e justificadas
eventuais diferencas no experimento resultantes destas diferencas. Considere
inicialmente uma frequencia de operacao de 5kHz.
9.3 Procedimento
9.3.1 Analise teorica
1. Para o circuito apresentado na Secao 9.2, faca o que se pede:
(a) Apresente o circuito equivalente para a analise DC.

(b) Calcule o ponto quiescente de ambos os transistores;
41
Eletronica II
Figura 9.1: Circuito cascode.
2. Apresente o circuito equivalente para a analise AC com os modelo -

hbrido simplificado;
3. Determine as expressoes e os valores numericos para:
(a) O ganho de tensao do circuito (Avs );

(b) O ganho de corrente do amplificador (Ai );
(c) A resistencia de entrada do circuito (Ri );
(d) A resistencia de sada do circuito (R0 );
4. Determine a excursao maxima alcancavel para o sinal de sada;;
5. Determine a resposta em frequencia do amplificador e compare-a com

a resposta em frequencia do circuito utilizado no Experimento Ampli-
ficadores de um estagio com TBJ: Emissor Comum - Projeto(retome
as simulacoes do referido experimento e determine a sua resposta em
frequencia para que seja possvel fazer a comparacao).
9.3.2 Simulacao
1. Simule o circuito apresentado na Secao 9.2 e meca todos os valores soli-
citados na Secao 9.3.1. Compare os resultados com os valores teoricos.
9.3.3 Experimento
1. Monte o circuito apresentado na Secao 9.2 e meca todos os valores soli-
citados na Secao 9.3.1. Compare os resultados com os valores teoricos
e os valores simulados. De especial importancia a medicao da resposta
42
Eletronica II
em frequencia do circuito e discorra sobre a mesma, comparando-a com

a do circuito amplificado emissor comum de um estagio.
43
Apendice A
Tutorial de Utilizacao do
LTSpice
Tutorial ainda em construcao. Se sentirem falta de alguma in-

formacao, entrem em contato comigo que eu adiciono assim que
possvel.
Vdeos sobre a utilizacao do LTSpice estao disponveis em http://www.
lee.eng.uerj.br/~germano/VideoTutoriais.html.
A.1 Introducao
Este apendice serve como uma breve referencia de alguns comandos que serao
utilizados no LTSpice ao longo do curso. Informacoes mais detalhadas sobre o
LTSpice pode ser encontrada on-line. Alguns enderecos uteis contendo exem-
plos de circuitos, utilizacao e diretrizes do LTSpice podem ser encontradas
nas paginas:
http://www.linear.com/designtools/software/
http://denethor.wlu.ca/ltspice/
http://www.simonbramble.co.uk/lt_spice/ltspice_lt_spice.htm
http://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-
7/example-circuits-and-netlists/
44
Eletronica II
A.2 Notacao cientfica

Os valores inseridos no programa sao interpretados como sendo escritos em
notacao cientfica (1E7 = 1 107 ) ou notacao de engenharia (10M EG =
1 107 ). A tabela A.1 mostra a equivalencia entre alguns prefixos e multi-
plicadores mais utilizados.
Atencao: O prefixo mili e representado pela letra M (1M = 1 103 )
enquanto que o prefixo mega e utilizado como MEG (1M EG = 1 106 ) no
LTSpice. Letras maiusculas e minusculas sao interpretadas igualmente pelo
LTSpice. Portanto, tanto 1m quanto 1M sao equivalentes a 1 103 .
Prefixo Multiplicador
T 1012
G 109
Meg 106
K 103
M 103
u 106
n 109
p 1012
f 1015
Tabela A.1: Equivalencia entre prefixos e multiplicadores no LTSpice. Letras
maiusculas e minusculas sao interpretadas igualmente pelo LTSpice. Por-
tanto, tanto 1m quanto 1M sao equivalentes a 1 103 .
A.3 Desenhando o circuito

Uma das melhores formas de acelerar o desenho do circuito e utilizando
teclas de atalho. A lista com todas as teclas de atalho estao acessveis em
Tools Control Panel Drafting Options Hot Keys. Neste mesmo
local voce pode alterar as teclas de atalho como achar conveniente. Alguns
dos principais comandos para desenhar o circuito e suas respectivas teclas
de atalho originalmente utilizadas pelo programa estao detalhadas na tabela
A.2.
Seguindo as teclas de atalho padrao do LTSpice, uma fonte de tensao
pode ser inserida pressionando a tecla F2 e selecionando o item voltage.
Os valores dos componentes podem ser alterados clicando com o botao da
direita do mouse em cima do componente desejado (a seta se transforma em
45
Eletronica II
Inserir componente a partir de F2

uma lista
Inserir resistor R
Inserir capacitor C
Inserir terra G (Nao se esqueca
de inserir o terra no
circuito)
Inserir fios F3
Inserir uma diretriz do Spice S
Girar componente (antes de ele CTRL + R
ser inserido no circuito)
Espelhar componente (antes de CTRL + E
ele ser inserido no circuito)
Remover componente F5 ou Del
Desfazer acao F9
Refazer acao desfeita SHIFT + F9
Nomear pontos do circuito F4
Ajustar zoom automaticamente Espaco
Tabela A.2: Algumas das teclas de atalho uteis para o desenho do circuito.
uma mao). Nao e necessario incluir unidade junto com o valor. Por exemplo,
ao inserir um capacitor de 1nF , pode-se inserir tanto 1n quanto 1nF que o
programa entendera o valor do componente.
Fontes de tensao controlado por tensao e de corrente controladas por
tensao podem ser utilizadas selecionando os componentes e e g da lista de
componentes1 .
A.4 Netlist
O desenho do circuito feito no LTSpice e traduzido para uma netlist. Este ar-
quivo de texto contem toda a informacao necessaria para realizar a simuacao
do circuito desenhado (componentes, valores, diretrizes sobre como realizar
a simulacao e comentarios). Cada linha da netlist contem uma informacao
do circuito que serve para indicar como os componentes estao conectados.
O simulador e sensvel a primeira letra de cada linha do netlist. A tabela
1
Mais detalhes da criacao de fontes de tensao controlada por corrente e fonte de
corrente controlada por corrente pode ser encontrada em http://ltwiki.org/files/
LTSpiceSupplementalDocumentation.pdf
46
Eletronica II
A.3 relaciona alguns componentes que serao utilizados no curso com as suas
respectivas letras iniciais. Nesta mesma tabela pode-se encontrar o caracter
relacionado a comentarios e as diretrizes da simulacao.
Letra inicial Significado

C Capacitor
D Diodo
E Fonte de tensao dependente de tensao
F Fonte de corrente dependente de corrente
G Fonte de tensao dependente de corrente
H Fonte de corrente dependente de tensao
I Fonte de corrente
M Transistor MOSFET
Q Transistor bipolar
R Resistor
V Fonte de tensao
* Comentario
. Diretriz de simulacao
Tabela A.3: Equivalencia entre declaracao da letra inicial do arquivo netlist
e sua respectiva .
Para salvar o netlist a partir do circuito desenhado, clique em Tools

Export Netlist. O arquivo .net gerado pode ser aberto com o proprio
LTStpice ou com qualquer programa editor de texto.
Exerccio: Crie um circuito com uma fonte de tensao DC de 5V com
dois resistores de 10k e 5k ligados em serie. Insira alguns comentarios e a
diretriz Spice .op. Clique na aba View e no item SPICE Netlist e analise a
netlist gerada pelo programa. Confira se a netlist faz sentido com o circuito
desenhado. Rode a simulacao e confira os valores encontrados pela simulacao
com os valores calculados manualmente.
A.5 Simulacao
Os transistores utilizados neste curso (CD4007) nao estao disponveis na lista
de componentes originais do LTSpice. Os arquivos para download e passo-
a-passo de como inserir os modelos dos transistores do CD4007 na lista de
componentes do LTSpice pode ser encontrado no site do curso de laboratorio
de Eletronica II em http://www.lee.eng.uerj.br/~germano/Trabalhos.
html.
47
Eletronica II
A.5.1 Diretrizes Spice

As diretrizes a serem utilizadas no LTSpice permitem com que possamos
simular o funcionamento do circuito da maneira desejada. A tabela A.4
contem algumas das diretrizes que serao utilizadas no curso.
Ponto de operacao .op

do circuito
Variar fonte de .dc <NOME><Vinicio><Vfim><Vincr>
tensao DC
Analisar transiente .tran <Tpasso><Tfim>[Tinicio [dTmax]]
Analisar frequencia .ac <MODO><Npassos><FreqIni><FreqFim>
de funcionamento
Simular com va- .step param <PARAM><Pini><Pfim><Pincr>
riacoes no valor do
componente
Ajustar condicoes .ic [V(<n1>)= <TENSAO>
iniciais
Incluir arquivo .include <ARQUIVO>
Incluir biblioteca .lib <ARQUIVO>
Definir modelo .model <NOME><TIPO>[(<PARAMETROS>)]
SPICE
Limitar a quanti- .save V(<n1>) [V(<n2>) ...]
dade de dados sal-
vos
Tabela A.4: Algumas das diretrizes Spice para realizar as simulacoes do
funcionamento do circuito. Os comandos entre <>sao obrigatorios, a diretriz
nao funcionara sem eles. Comandos entre [ ] sao opcionais e sao utilizados
apenas quando se quer ter mais controle da simulacao.
Recomenda-se sempre comecar a analise com a diretriz .op. Apos inserir

uma diretriz Spice, pode-se modificar os comandos clicando com o botao
direito do mouse sobre o texto. Desta maneira, o LTSpice fornece uma
janela que facilita o preenchimento dos valores desejados. A diretriz .ac
tem tres modos de simulacao: oct, dec e lin. O modo oct apresenta uma
varredura em frequencias por oitavas, o modo dec em decadas e o modo lin
linearmente.
Para realizar uma varredura de uma fonte de tensao DC de nome V1
comecando em 2 V e terminando em 7 V com incrementos de 0.25 V deve-se
inserir a seguinte diretriz: .dc V1 2 7 0.25.
48
Eletronica II
Para uma analise de varredura em frequencia, a diretriz .ac dec 5 10 10k

realizara uma varredura em decadas com 5 pontos por decada comecando de
10 Hz e terminando em 10kHz. Um ponto importante a ressaltar e que a fonte
de tensao deve ser ajustada em pequenos sinais antes de rodar a simulacao.
Isto pode ser feito clicando com o botao direito do mouse sobre a fonte,
clicando no botao Advanced e inserindo o valor numerico 1 no campo AC
Amplitude dentro do bloco Small signal AC analysis.
A diretriz .TRAN 10ns 10us simula o circuito em funcao do tempo,
comecando em 0s, com passos de 10ns e terminando em 10 s. Note que
os valores opcionais nao foram inseridos neste exemplo. Caso desejado que
a simulacao comece em um determinado valor (por exemplo, 5s), pode-se
inserir o tempo inicial da seguinte maneira .TRAN 10ns 10us 5us.
A diretriz .STEP simula o circuito com variacoes do valor do parametro
desejado. O resultado final e um grafico contendo os resultados todas as
simulacoes. Note que isto pode causar um aumento significativo no tempo de
simulacao. Para utilizar o comando .STEP, deve ser criado um componente
com um parametro variavel em vez de um valor numerico fixo. O parametro
variavel deve ser inserido entre chaves ({ PARAM}) no desenho do circuito.
Por exemplo, deseja-se simular um resistor com cinco valores diferentes
de resistencia de 1k ate 5k. Em vez de rodar cinco simulacoes separadas,
pode-se utilizar a diretriz .STEP. O valor da resistencia devera declarada
como um parametro variavel {Rvar}. A diretriz a ser inserida e .STEP
PARAM Rvar 1k 5k 1k.
Uma outra forma, em vez de usar <Pini><Pfim><Pincr>, e usar o
comando list. Suponha que deseja-se apenas os valores de resistencia iguais
a 1k, 4.5k e 5k. O comando list permite criar uma lista de valores a
serem utilizados onde o incremento entre os valores nao e obrigatoriamente
constante. Para este exemplo, a diretriz a ser utilizada e .STEP PARAM
Rvar list 1k 4.5k 5k. Neste exemplo apenas tres valores na lista foi usado,
mas pode-se criar uma lista com quantos valores forem desejados.
A diretriz .IC V(in)=5V V(out)=0V V(N001)= 2.5V permite que
o circuito comece a ser simulado com o no in, out e N001 tenham 5 V,
0V e 2.5V, respectivamente. Pode-se utilizar este comando para especificar
correntes iniciais tambem.
A diretriz .include C:\EletronicaII\SpiceModel\CD4007.lib inclui
o arquivo CD4007.lib como se ele tivesse sido escrito na netlist. Pode-se
utilizar o caminho absoluto do arquivo (Neste exemplo o arquivo encontra-se
na pasta C:\EletronicaII\SpiceModel). Caso nao utilize o caminho absoluto,
o programa procurara o arquivo primeiro na pasta de instalacao do LTSpice,
na subpasta lib\sub, e depois no diretorio onde a netlist se encontra. E
obrigatorio o uso do nome do arquivo incluindo a extensao.
49
Eletronica II
A diretriz .lib C:\EletronicaII\SpiceModel\CD4007.lib inclui o ar-

quivo CD4007.lib como se ele tivesse sido escrito na netlist. Pode-se utilizar o
caminho absoluto do arquivo (Neste exemplo o arquivo encontra-se na pasta
C:\EletronicaII\SpiceModel). Caso nao utilize o caminho absoluto, o pro-
grama procurara o arquivo primeiro na pasta de instalacao do LTSpice, na
subpasta lib\cmp, depois na subpasta lib\sub e depois no diretorio onde a
netlist se encontra. E obrigatorio o uso do nome do arquivo incluindo a
extensao.
Caso desejado, pode-se criar o proprio modelo de componentes com a
diretriz .model <NOME><TIPO>[(<PARAMETROS>)]2 . Alguns
exemplos de tipos possveis para diodos e transistores pode ser visto na tabela
A.5. Por exemplo, o comando .model MeuModelo NPN(BF=100) cria
um modelo de um transistor NPN chamado MeuModelo que possui beta
igual a 100. Uma lista copmleta com os parametros das simulacoes pode ser
encontrada oon-line, nao entraremos em mais detalhes sobre isso no presente
texto.
TIPO Componente
D Diodo
NPN Transistor bipolar NPN
PNP Transistor bipolar PNP
NMOS MOSFET de canal n
PMOS MOSFET de canal p
VDMOS MOSFET de potencia vertical double diffused
NJF JFET de canal n
PJF JFET de canal p
NMF MESFET de canal n
PMF MESFET de canal p
Tabela A.5: Alguns tipos de transistores possveis de serem simulados com a
diretriz .model.
Dependendo da complexidade do circuito a ser analisado e da diretriz

SPICE utilizada, algumas simulacoes podem gerar arquivos de dados muito
2
Esta e uma boa maneira de conferir os calculos de exerccios de livros texto dos
cursos que envolvem componentes com parametros variados. No caso dos transistores,
pode-se criar o modelo exato do exerccio para uma conferencia direta com o resultado
obtido ao fim da resolucao. A criacao de um modelo simples pode conter exatamente
apenas os mesmo parametros indicados no exerccio. Os modelos presentes originalmente
no LTSpice, por utilizarem diversos outros parametros que reproduzem o comportamento
real dos componentes, nao sao bons de serem utilizados para comparacao com exerccios
de livro texto.
50
Eletronica II
grandes. Para restringir o numero de dados salvos pelo LTSpice apenas

aos dados desejados apos o termino da simulacao, pode-se utilizar a diretriz
.save. Por exemplo, em uma analise de transiente, pode-se salvar apenas os
dados de entrada e sada do circuito com a insercao da diretriz .save V(out)
V(in) no netlist (Durante o desenho do circuito, os nos de entrada e sada
foram nomeados como out e in, respectivamente.). Desta maneira, qualquer
outra informacao (correntes, tensoes de outros nos) do circuito nao sera salva
apos a simulacao. Caso desejado, pode-se tambem salvar apenas as correntes
do transitor com a diretriz .save I(Q1). Se for desejado tanto corrente
quanto tensoes de entrada e sada, pode-se combinar os dois exemplos em
apenas uma diretriz (.save V(out) V(in) I(Q1)). Pergunta: a letra Q
indica que este exemplo utiliza qual transistor?
A.6 Exportando dados

Pode-se salvar separadamente o desenho do circuito e o resultado da si-
mulacao clicando em Tools Write plot to a .wmf file. Caso as cores
salvas nao sejam muito boas para visualizacao, altere o padrao de cores do
LTSpice em Tools Color preferences.
Outra forma de obter as imagens da tela e em Tools Copy bitmap
to clipboard . Desta maneira, o arquivo nao sera salvo. A imagem podera
ser inserida utilizando o comando de colar (tecla de atalho: Ctrl + v).
Os dados dos graficos tambem podem ser salvos em um arquivo no for-
mato txt. Uma vez que a janela do grafico estiver selecionada, clique em
File Export e selecione a curva que deseja exportar. Caso desejado,
altere o caminho e o nome do arquivo a ser salvo e pressione OK . Os dados
salvos podem ser manipulados em outros programas editores de dados como
Excel, Origin, Igor, Matlab, etc. Esta e a melhor maneira de salvar caso se
deseja manipular o resultado para uma analise mais detalhada da simulacao.
51
Apendice B
Tabela de Resistores
Os valores comerciais tpicos de resitores com tolerancia de 10% podem ser

encontrados na figura B.1. Utilize esses valores como referencia ao realizar
os projetos deste curso.
Figura B.1: Valores comerciais de resitores com tolerancia de 10%.
52

Apostila Laboratório Eletrônica 2

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Eletronica II

Professor: Germano Maioli Penello

Esta apostila de laboratorio tem como objetivo descrever experimentos

Caracterstica IxV - NMOS

Simulando o funcionamento de um transistor para investigar a relacao

Implementando um circuito e medindo as curvas de ID vs. VGS e IC

Extraindo os valores de e n , Vth e n .

1.2 Material recomendado

1 transistor NMOS tipo intensificacao (CD4007) - Apresente a pinagem

Protoboard, fios, resistores.

Figura 1.1: Circuito para determinar as caractersticas IxV do transistor

1.3.1 ID vs. VGS

1.3.2 ID vs. VDS

1.4.1 ID vs. VGS

1.4.2 ID vs. VDS

1.5 Exerccios apos as medidas

Parametro de trancondutancia do MOSFET, n

nificativamente para cada valor de VGS ? Qual o valor medio de VA ? Baseado

NMOS em corrente contnua

Completando a analise DC de tres circuitos: (1) transistor polarizado

Simulando os circuitos para se comparar os resultados com a analise

Implementando os circuitos de forma experimental, realizando medidas

Observacao qualitativa do impacto das variacoes entre transistores NMOS

1 transistor NMOS tipo intensificacao (CD4007) - Apresente a pinagem

Protoboard, fios, resistores.

2.3 NMOS na regiao de saturacao

esses valores usando combinacoes de resistencias? Comente.

Quais os valores de R1 e R2 ? Comente sobre sua escolha.

Obtenha da simulacao os valores de VS , VG , VD e ID . Os valores simu-

2.3.3 Projeto e medicao

Leia o manual da fonte de tensao e explique como utiliza-la como uma

Utilizando um multmetro, meca VS , VG e VD .

Usando o multmetro, meca os valores de todos as resistencias com tres

2.3.4 Atividade pos-medicao

Baseado nos valores medidos de VS e VD e as medidas das resistencias,

2.4 NMOS na regiao de triodo

Calcule VOV e VGS . Qual o valor de VG ?

Agora voce possui informacao suficiente para calcular RS . Os valores

Agora voce possui informacao suficiente para calcular RD . Os valores

Quais os valores de R1 e R2 ? Comente sobre sua escolha.

Quais sao os valores de VS , VG , VD e ID . Os valores simulados estao

2.4.3 Projeto e medicao

Utilizando um multmetro, meca VS , VG e VD .

Usando o multmetro, meca os valores de todos as resistencias com tres

2.4.4 Atividade pos-medicao

Baseado nos valores medidos de VS e VD e as medidas das resistencias,

Figura 2.2: Circuito com um transistor NMOS conectado como um diodo.

2.5 transistor conectado como um diodo

Qual e a regiao de operacao do transistor? Calcule VOV . Qual o valor

Agora voce possui informacao suficiente para calcular RD . Os valores

Apresente os valores de VS , VG , VD e ID . Os valores simulados estao

2.5.3 Projeto e medicao

Utilizando um multmetro, meca VS , VG e VD .

Usando o multmetro, meca os valores de todos as resistencias com tres

2.5.4 Atividade pos-medicao

Baseado nos valores medidos de VS e VD e as medidas das resistencias,

Gradualmente aumente a tensao da porta, anotando os valores medidos

Amplificador Fonte Comum -

Simulando o circuitos para comparar os resultados com os calculos

Implementando os circuitos de forma experimental, realizando medidas

Medindo a resistencia de sada.

Observando qualitativamente o impacto das variacoes de transistor pra

1 Transistor NMOS do tipo intensificacao (CD4007)

3 capacitores com alto valor de capacitancia (por ex. 47 F )