Fundamentos de Microeletrônica

 CH1 Eletrônica x Microeletrônica

 CH2 Física Básica dos Semicondutores
 CH3 Aplicações de Circuitos com Diodos
 CH4 Física do BJT
 CH5 Amplificadores BJT
 CH6 Física dos Transistores MOSFET
 CH7 Amplificadores MOSFET

1
Cap. 6 Física dos MOSFET

 6.1 Estrutura dos MOSFET

 6.2 Operação dos MOSFET

 6.3 Modelos de Grandes Sinais e de Pequenos Sinais

 6.4 PMOS x NMOS

 6.5 Tecnologia CMOS

 6.6 Bipolar x MOSFET

2
 Sumário

CH 6 Physics of MOS Transistors 3

 Capacitor de Metal Óxido Semicondutor (MOS)

A estrutura MOS pode ser vista como um capacitor de placas paralelas, com a
placa superior positiva, o dielétrico composto de óxido, e o negativo
conectado ao substrato de Silício dopado com impurezas doadoras ou
aceitadoras, formando um material/substrato N ou P, respectivamente.

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 Estrutura e Símbolo do MOSFET

 O dispositivo é simétrico em relação a um plano vertical;

 Assim, qualquer região semicondutora ( n+) pode ser Fonte (S) ou Dreno (D).
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 Estado da Arte da Estrutura MOSFET

 A Porta (G) é a placa condutora à base de polisilício, enquanto o

isolante/dielétrico é composto de Dióxido de Silício.
CH 6 Physics of MOS Transistors 6
 Formação do Canal

 Inicialmente, as lacunas são repelidas pela tensão positiva da Porta(G),

criando íons negativos e formando uma região de depleção;
 Posteriormente, elétrons são atraídos para a interface, criando um canal,
também chamado “camada de inversão”.
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 Resistor Dependente da Tensão

 O canal de inversão de um MOSFET pode ser visto como um resistor.

 Se a densidade de carga interna ao canal depende da tensão de Porta
(G), essa resistência também depende.

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 Aplicação - Atenuador Controlado por Tensão

 Quando a tensão de Porta(G) decresce, a saída diminui, pois a

resistência do canal cresce.
 Esse tipo de controle de ganho encontra aplicações nos telefones
celulares, que busca evitar a saturação desses equipamentos,
circuitos e amplificadores ao se aproximarem das ERB.

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 Características dos MOSFET

Se VG > Vth, ID <> 0. Caso contrário não há formação do canal e I D = 0;

 variando VG enquanto VD permanece constante, conforme visto em (b);
 variando VD enquanto VG permanece constante, conforme visto em (c);
 A Fig. (d) mostra a resistência do canal dependente de
 Vth é conhecida como Tensão de Threshold ou Limiar de Tensão.
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 ID dependente de L and tox

 Comprimento (L) da Porta (G) e a espessura da camada do óxido (t ox)

alteram a resistência do canal e, portanto, modificam a corrente de
dreno ID, conforme observado nas figuras.
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 Influência da Largura da Camada de Óxido (W)

 Quando a largura (W) aumenta, a corrente de dreno aumenta devido à

redução da resistência do canal, embora a capacitância também
aumente, limitando a velocidade/resposta do circuito.
 Um aumento em W pode ser visto como dois dispositivos em paralelo.
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 Variação do Potencial ao longo do Canal

 Desde que exista uma “resistência” ao longo do canal entre o Dreno

(D) e a Fonte (S), e se VD > VS, o potencial cresce ao longo do canal, da
Fonte para o Dreno.
 Assim, o potencial entre a Porta e o Canal decresce da Fonte para o
Dreno.
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 Estrangulamento do Canal

 Quando a diferença de potencial entre Dreno (D) e Porta (G) torna-se mais
positiva, a camada de inversão (canal) abaixo da interface começa a estrangular
em torno do Dreno (D);
 Assim, quando VD = VG - Vth, o canal está totalmente estrangulado no Dreno; e
 Quando VD > VG - Vth, o comprimento do canal começa a decrescer, ie, L1 < L.
CH 6 Physics of MOS Transistors 14
 Densidade de Carga no Canal → Q = C.V

Q=WC ox (V GS −V TH )

A Densidade Linear de Carga (Q [C/m]) no Canal é igual a

Capacitância da Porta por unidade de área (Cox [F/m2]) “vezes” a
largura do transistor (W [m]) “vezes” a Tensão da Porta (VGS) que
ultrapassa a Tensão de Limiar (Vth).

CH 6 Physics of MOS Transistors 15

 Densidade de Carga em um Ponto

Q( x )=WC ox [ V GS −V ( x )−V TH ]

 Seja x um ponto ao longo do canal da Fonte para o Dreno, e V(x) seu potencial;
 A equação acima expressa a densidade de carga linear ao longo do canal.

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 Densidade de Carga e Corrente

I=Q⋅v

 A corrente (I [C/s]) que flui em uma barra semicondutora está relacionada

com a densidade de carga linear(Q [C/m]) e com a velocidade das cargas
(v [m/s]).

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 Corrente de Dreno
v = u. E , E = V/x

dV
v =+ μ n
dx
dV ( x )
I D =WCox [ V GS−V (x )−V TH ] μ n
dx
1 W
I D = μ n C ox [ 2(V GS −V TH )V DS −V DS ]2
2 L
 Note que se VG é considerado constante, tem-se uma
relação parabólica entre ID e VDS.

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 Parábola ID x VDS

 A corrente máxima ocorre para VDS = VGS- VTH.

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ID x VDS para diferentes valores de VGS

2
I D ,max ∝ ( V GS −V TH )

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 Resistência Linear

V DS 1
Ron= =
ID W
μ n Cox
L
( V GS −V TH )
 A Parábola pode ser aproximada a uma reta para pequenos valores de VDS ;
 Assim, se VDS << 2.(VGS -Vth) o transistor pode ser visto como um resistor dependente da tensão
de Porta (VGS).
 Em particular, quando VGS = Vth , Ron tende ao infinito e o dispositivo funciona como um
comutador eletrônico.

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 Aplicação - Comutador Eletrônico

 Em um sistema de telefonia sem fio no qual uma única antena é

usada tanto para transmissão como para a recepção, um comutador
eletrônico é usado para conectar a antena ou o receptor ou o
transmissor.

CH 6 Physics of MOS Transistors 22

 Efeitos de Ron

1
Ron=
W
μn C ox ( V GS−V TH )
L

 Para minimizar a atenuação do sinal, a resistência (Ron) da

comutação deve ser a menor possível;
 Isso implica uma elevada razão de aspecto (W/L) e maior VGS.
CH 6 Physics of MOS Transistors 23
Diferentes Regiões de Operação

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 Como Determinar a Região de Operação

 Quando VDS > VGS – Vth, o MOSFET está na região de Saturação.

 Na região de Saturação o transistor MOS pode operar como uma fonte de corrente.
 Quando VDS < VGS – Vth, o MOSFET está na região Triodo.
 Na região triodo o transistor MOS opera de modo quadrático, mas sob certas
condições pode ser considerado Linear.
CH 6 Physics of MOS Transistors 25
 Exemplo - Triodo x Saturação

 Quando a região não é conhecida, supõe-se um modo de operação

(Triodo ou Saturação) e confirma-se posteriormente.

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 Exemplo - Triodo x Saturação

 Hipótese inicial: M1 em saturação

1 W 2
 Assim, D 2 n ox L ( GS
I = μ C V −V TH )

 Lançando os dados na fórmula, obtém-se ID = 200 uA;

Comprovação da hipótese inicial

 Vx = VDD – RD ID = 0.8 V;
 Logo a tensão de dreno-fonte é VDS = 0.8 V;
 A Tensão de Sobrecarga ou Overdrive é (VGS – Vth)=1 – 0.4 = 0.6 V;
 Como VD > (VGS – Vth ) a hipótese inicial está confirmada e o
transistor opera em saturação

CH 6 Physics of MOS Transistors 27

 Modulação do Comprimento do Canal

1 W 2
I D = μ n C ox ( V GS −V TH ) ( 1 +λV DS )
2 L
 A observação inicial de que a corrente de saturação não varia com VDS não é precisa.
 A extremidade do canal move-se na direção da fonte quando VDS aumenta, como se o
comprimento efetivo do canal diminuísse, provocando um aumento de ID .
 Assim, à semelhança do efeito Early no BJT, a corrente de saturação função VDS .

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 xL

 Ao contrário do efeito Early no BJT, o fator de modulação do canal

pode ser controlado pelo projetista.
 Para grandes valores de L, o efeito da modulação do canal é menor
que para valores pequenos.

CH 6 Physics of MOS Transistors 29

 Transcondutância

2 ID
W
gm =μn C ox ( V GS −V TH )
L √ W
gm= 2 μn C ox I D
L
gm =
V GS−V TH

 Transcondutância é a medida da variação da corrente de

Dreno(D) com a tensão de Porta (G).

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 gm proporcional a W/L

 Se W/L é dobrado, efetivamente dois transistores equivalentes estão

em paralelo;
 Assim, para (VGS-VTH) constante, a corrente de dreno dobra e gm
também dobra

CH 6 Physics of MOS Transistors 31

 Saturação de Velocidade
Campo Elétrico Grande (E) x Comprimento do Canal Pequeno (L)

I D =v sat⋅Q=v sat⋅WC ox ( V GS −V TH )
∂ ID
gm = =v sat WC ox
∂ V GS

 Desde que L seja muito pequeno e E elevado, não é preciso uma grande
tensão de Dreno para que haja saturação de velocidade das partículas.
 Sob saturação de velocidade, a corrente de dreno torna-se uma função linear
da tensão de Porta, e gm torna-se função de W, mas independente de L.

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 Efeito Corpo

V TH =V TH0 +ρ ( √ 2φ F +V SB −√ 2 φ F )

 Quando a tensão de Fonte torna-se mais positiva em relação ao

Substrato (junção polarizada reversamente, ie, VSB > 0), a Tensão de
Limiar Vth aumenta

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 Modelos de Grandes Sinais

 Baseado em valores de VDS, o MOSFET pode ser representado por

diferentes modelos de grandes sinais.
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 Exemplo: Comportamento de ID com V1

1 W 2
I D = μ n C ox (V DD−V 1 −V TH )
2 L
 Desde que V1 seja conectado à fonte, quando V1 aumenta a
corrente diminui.

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 Modelo de Pequenos Sinais

1
ro≈
λI D

 Quando o ponto de operação não é perturbado significativamente, o

modelo de pequenos sinais pode ser usado.
 Para representar a modulação do canal, uma resistência de saída é
inserida no modelo.

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 PMOS Transistor

 Exatamente como o BJT/PNP , é possível criar um dispositivo MOS

em que as lacunas são portadores majoritários, chamados
transistores PMOS.
 Ele comporta-se como o NMOS com todas as polaridades invertidas.

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Equações - PMOS

1 W 2
I D,sat = μ p C ox ( V GS−V TH ) (1− λV DS )
2 L
1 W
[
I D,tri = μ p C ox 2 (V GS −V TH ) V DS−V 2DS
2 L ]
1 W 2
I D,sat = μ p C ox (|V GS|−|V TH|) ( 1+λ|V DS|)
2 L
1 W
[
I D,tri = μ p C ox 2 (|V GS|−|V TH|)|V DS|−V 2DS
2 L ]

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 Comparação entre BJT e MOS

 BJT tem maiores gm quando comparado ao MOSFET devido às

características exponenciais (BJT) contra a característica quadrática
(MOS), para as mesmas condições de polarização

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