Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Santa Catarina

Departamento Acadêmico de Eletrônica

Pós-Graduação em Desen. de Produtos Eletrônicos
Conversores Estáticos e Fontes Chaveadas

Semicondutores e Circuitos Periféricos

Prof. Clóvis Antônio Petry.

Florianópolis, março de 2012.

Nesta aula

Estágio de potência da fonte chaveada

1. Semicondutores;
2. Perdas;
3. Acionamento;
4. EMI;
5. Componentes passivos;
6. Circuitos auxiliares.

www.florianopolis.ifsc.edu.br/petry
Semicondutores de potência
Diodo ideal e real

Exemplo: Diodo SKN20/08

• VRRM = 800 V;
• V(TO) = 0,85 V;
• rT = 11 mΩ;
• IDmed = 20 A;
• IR = 0,15 mA.

Característica estática
Diodo real - comutação

Bloqueio

Circuito para estudo da comutação

Primeira etapa de comutação Segunda etapa de comutação

Diodo real - comutação

Bloqueio
Diodo real - comutação

Bloqueio
No bloqueio do diodo (comutação crítica):

diF E
=− Derivada da corrente depende da indutância
dt L1

⎛ ⎞
⎜ 3Qrr ⎟
trr ≅ Tempo de recuperação reversa
⎜⎜ diF ⎟⎟
⎝ dt ⎠

⎛4 diF ⎞
I RM ≅ ⎜ Qrr ⎟ Corrente máxima devido a recuperação reversa
⎝ 3 dt ⎠
Diodo real - comutação

Diodos de carbeto de sílicio (silicon carbide):

Diminuem acentuadamente o fenômeno da recuperação reversa.

http://www.infineon.com
http://www.cree.com
Diodo real - comutação

http://powerelec.ece.utk.edu/pubs/pels_letters_SiC_june_2003.pdf
Diodo real - comutação

http://www.cree.com/Products/pdf/Power_Article_1.pdf
Diodo real - comutação

Entrada em condução
Perdas nos diodos

Classificação das perdas:

1. Condução;
P = V(TO ) ⋅ I Dmed + rT ⋅ I Def 2

2. Comutação:
• Entrada em condução;

P1 = 0,5 (VFP − VF ) I o ⋅ trf ⋅ f

• Bloqueio.

P2 = Qrr ⋅ E ⋅ f
Diodos

Principais características:
1. Tensão de pico reversa;
2. Queda de tensão direta;
3. Corrente de pico;
4. Corrente média;
5. Corrente eficaz;
6. Tempo de recuperação reversa.
Diodos

Tipos de diodos de potência:

1. Standard and fast recovery;
2. Ultrafast rectifiers;
3. Ultrasoft rectifers;
4. Silicon carbide (zero recovery).

http://www.onsemi.com
Diodos

http://www.onsemi.com
Diodos

http://www.onsemi.com
Diodos

http://www.onsemi.com
Diodos
Diodos

http://www.semikron.com
Semicondutores de potência
BJT

BJT – Transistor bipolar de junção

PNP NPN
BJT

+VCC

RL IC

C
RB +
B Comutação do BJT com carga indutiva
VCE
+VCC
IB -
E
L
iL D
i
D
Comutação do BJT com carga resistiva I B1
RB

+
- I B2 V
VB2 BE
-
+
BJT

Comutação do BJT com carga resistiva

BJT
Entrada em condução

Bloqueio

Comutação do BJT com carga indutiva

BJT x FET

FET – Transistor de efeito de campo

FET

JFET: Operação básica.

FET

JFET canal n e canal p

Positivo da Fonte Auxiliar

+ Vaux

Aplicação do
JFET
11
Q1

3524 S2
R9 R8

12
R10
R7

Q2
MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET: Operação básica. http://jas.eng.buffalo.edu/

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET: Operação básica.

MOSFET

MOSFET tipo Depleção

MOSFET

MOSFET tipo Intensificação

Canal n
MOSFET de potência

D
ID

+
G VDS
+ Di -
VGS
-
S
MOSFET de potência
VDD

RL

VD

VG

S
50

VGS 90%
50% 50%

10%

T1
VDS

(VDD ) 10% (VDD )

90%

ID

90% 10%
tr

t D(on) t D(off) tf
t on

Comutação do MOSFET com carga resistiva

MOSFET de potência
VDD

I DRL

D
R
G

S
50

Comutação do MOSFET com carga indutiva

MOSFET de potência

Classificação das perdas:

1. Condução;
ton
Pcond = ⋅ rds ( on) ⋅ id ( on) 2
T
2. Comutação:
• Entrada em condução e bloqueio;
f
Pcom = (tr + t f ) ⋅ id (on ) ⋅ vds (off )
2
• Onde:
t f ≅ ton
tr ≅ toff
MOSFET de potência

Dados de catalogo:
MOSFET de potência

Quando usar MOSFET:

1. Freqüências altas (acima de 50 kHz);
2. Tensões muito baixas (< 500 V);
3. Potências baixas (< 1 kW).
IGBT

Características de BJT e MOSFET

IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor

IGBT

Classificação das perdas:

1. Condução; 0

Pcond = ( iC ⋅ VCEsat + iB ⋅ VBEsat ) ⋅ ton ⋅ f

2. Comutação:
• Entrada em condução e bloqueio;
1
Pcom = ( tr + t f ) ⋅ I ⋅ E ⋅ f
2

Detalhamento do cálculo de perdas

IGBT

Quando usar IGBT:

1. Freqüências baixas (menor que 50 kHz);
2. Tensões altas (> 500 V);
3. Potências altas (> 1 kW).
IGBT

Quando usar IGBT:

1. Freqüências baixas (menor que 50 kHz);
2. Tensões altas (> 500 V);
3. Potências altas (> 1 kW).

www.irf.com
IGBT

Encapsulamentos:

www.semikron.com.br
IGBT

Encapsulamentos:

www.irf.com
IGBT

Dados de catalogo:
BJT x MOSFET x IGBT

MOSFET IGBT BJT

Tipo de comando Tensão Tensão Corrente
Potência do
Mínima Mínima Grande
comando
Complexidade do
Simples Simples Média
comando
Elevada em
Densidade de baixas tensões e
Muito elevada Média
corrente Baixa em altas
tensões
Perdas de
Muito baixa Baixa para Média Média para Alta
comutação
Cálculo térmico

Cálculo térmico:
• Objetivo de verificar a necessidade de uso de dissipador
de calor ou não.
• Modelo térmico:

• Tj = temperatura na junção (oC);

• Tc = temperatura na cápsula (oC);
• Td = temperatura no dissipador (oC);
• Ta = temperatura ambiente (oC);
• Rjc = resistência térmica entre junção e cápsula (oC/W);
• Rcd = resistência térmica entre cápsula e dissipador (oC/W);
• Rda = resistência térmica entre dissipador e ambiente (oC/W);
• P = potência dissipada no componente (W).
Cálculo térmico

R ja = R jc + Rcd + Rda
T j − Ta
T j − Ta = R ja ⋅ P R ja =
P
Rda = R ja − R jc − Rcd
Cálculo térmico
Necessidade de Isolamento

T1

RETIFICADOR RETIFICADORES VSAÍDA

Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTROS DE SAÍDAS

T2

T3

FONTE CIRCUITOS
DE
AUXILIAR
COMANDO

Isolamento do sinal de comando

Necessidade de Isolamento

T1

RETIFICADOR RETIFICADOR VSAÍDA

Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SAÍDA

FONTE CIRCUITOS ISOLAMENTO CIRCUITO

DE DE
AUXILIAR ÓTICO
COMANDO CONTROLE

Isolamento do sinal de realimentação

Acionamento dos interruptores - BJT

+VC

T2 IB
D1
TP
R1 R2

T3

T1 R R4
3

-V C

Comando de base com fonte negativa

Acionamento dos interruptores - BJT

+V

R1
C

T1
1 VZ
0
TP
Z IB
T2

Comando de base sem fonte negativa

Acionamento dos interruptores - BJT

TR IB
1 1
T1
V1 VS
IB
2

R1

R2
T2

VC
- +

D1 C

Comando de base isolado

Acionamento dos interruptores - BJT

+VCC V R1
p2 TR
1 TP

V V R1
p1 S 100 Ω

T1 D1

Comando de base isolado

Acionamento dos interruptores - MOSFET

S1 Rg
G

Ig
+
VC S2 C iss
-

Circuito de gatilho de um MOSFET

Acionamento dos interruptores - MOSFET

+VC

T1 D

Rg
D
G

S
T2 R3

R2

Circuito de comando de gatilho não-isolado

Acionamento dos interruptores - MOSFET

+VC +VC

R1
T2
Rg
Tp

T1 T3 R2

Circuito de comando de gatilho

Acionamento dos interruptores - MOSFET

+VC

R1=100 D
D2
G

D1 S
V V
P S

TR

Circuito de gatilho isolado

EMI

Rede E

-
+

VC

Terra -

Fonte chaveada – estruturar típica

EMI

VC T/2

(E )
2

Espectro harmônico
  dB 100
-20dB/dec
( -E/2 )
10

Tensão no interruptor
1

-40dB/dec
0.1

0.01

0.001

0.0001

0.00001
1 10 100 10 00
n
EMI

Correntes parasitas assimétricas – queda de tensão de modo comum

EMI

Correntes parasitas simétricas – queda de tensão de modo diferencial

EMI

L2
a
F

CX L3
b
N

Filtro de rede para correntes simétricas

EMI

L1
F C

R R Cy Cy

Filtro de rede para correntes assimétricas

EMI

L2

Cy
5mH 4,7nF

CX
0,1    µ  F

5mH Cy
4,7nF

N
L3

Filtro completo de rede

Capacitores

Capacitância depende de:

• Dielétrico (permissividade);
• Área das placas;
• Distância entre as placas.
Capacitores

C RSE LSE

Modelo equivalente do capacitor

Onde:
• C = Capacitância;
• RSE = Resistência série equivalente;
• LSE = Indutância série equivalente.

Perdas devido à RSE:

P = RSE ⋅ I ef 2
Capacitores

C RSE LSE

Ondulação da tensão:

ΔV = RSE ⋅ ΔI
iL ( t )

ΔI

t
Ts
Ts
2
Capacitores

Tecnologias de capacitores:
• Filtro do retificador de entrada – São empregados capacitores eletrolíticos
de alta tensão e grandes capacitâncias;

• Filtro de saída dos conversores – Empregam-se capacitores eletrolíticos

alumínio com baixa RSE;

• Circuitos de grampeamento (snubber) – São utilizados capacitores com

dielétricos de polipropileno para regime intermitente de funcionamento.
Capacitores
Partida do estágio de potência

O problema:
Partida do estágio de potência

400V
vC

200V

0V

200A
iC

100A

0A

0,0ms 1,0ms 2,0ms 3,0ms 4,0ms 5,0ms

Partida do estágio de potência
Partida do estágio de potência

R1=10 Ω

R1=1 Ω
Partida do estágio de potência

Resistores série
Partida do estágio de potência

Resistores série temporariamente

Fusíveis

Fusíveis de ação lenta:

• Vidro;
• Areia;
• Cerâmica.
Fusíveis de ação rápida:
• Vidro;
• Areia;
• Cerâmica.
Resistores fusíveis.
Fusíveis

NR25 – 1 Ω < R < 15 Ω

http://www.vishay.com
Termistores

Termistor:
• Resistor cuja resistência é sensível à variação da
temperatura.
Alimentação auxiliar (partida)

Carga
+
-

Rede

Fonte auxiliar isolada em baixa frequência

Alimentação auxiliar (partida)

V1

Rede R1
C1
T1

Z
D1 D2 D3

V2
Carga
+
C2 NS C3
-

Circuito de
Comando

Fonte auxiliar criada a partir do estágio de potência

Alimentação auxiliar (partida)

Circuito resistivo dissipativo

Alimentação auxiliar (partida)

Circuito ativo
Alimentação auxiliar (partida)

Circuito impulsivo
Grampeamento da tensão no interruptor

VL Vout *

L

+
VCE C int Sobretensão causada por Ll
-

Conversor Flyback
Grampeamento da tensão no interruptor

Vin

L

IC Controle da sobretensão com o snubber

DS RS
I CS
CS

Emprego de snubber
Grampeamento da tensão no interruptor

Cálculo do snubber:
• Medir ou estimar a indutância parasita;
• Fixar a tensão máxima sobre o interruptor;
• Cálculo do capacitor;
• Estimar um tempo de descarga do capacitor via resistor;
• Calcular o resistor.

1 1 ton min = 3 ⋅τ = 3 ⋅ Rs ⋅ Cs
⋅ Ll ⋅ I pk = ⋅ Cs ⋅ VCE 2
2

2 2 ton min = Dmin ⋅ Ts

Ll ⋅ I pk 2 Dmin ⋅ Ts
Cs = Rs =
VCE 2 3 ⋅ Cs
1
PRs = E ⋅ F = ⋅ Ll ⋅ I pk 2 ⋅ Fs
2
Grampeamento da tensão no interruptor

Dispersão de 50 µH

100 ns
Importância do passo de cálculo

1 us
Sobretensão de 800 V
Grampeamento da tensão no interruptor

Ll ⋅ I pk 2 50µ ⋅ 0,32
Cs = = = 22 pF
VCE 2 450 2

Dmin ⋅ Ts 0,075 ⋅ 50 ⋅10−6

Rs = = −12
= 57 k Ω
3 ⋅ Cs 3 ⋅ 22 ⋅10
1
PRs = ⋅ 50µ ⋅ 0,32 ⋅ 20000 = 0,045W
2

Sobretensão de 553 V
Grampeamento da tensão no interruptor

Rs = 57 k Ω → 51kΩ
Grampeamento da tensão no interruptor

Cs = 22 pF → 44 pF Rs = 57 k Ω → 51kΩ
Próxima aula

Estágio de entrada de uma fonte chaveada:

1. Retificador;
2. Filtro capacitivo;
3. Metodologia de projeto.

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