Eletrônica de Potência II

Eng. Eletrônica e de Telecomunicação

Prof. Francisco Garcia
Unidade 2 – Características dos transistores de potência
2.3 – Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
Transistores bipolares de porta isolada - IGBT

O surgimento do "Insulated Gate Bipolar Transistor" – IGBT – no final dos anos 80 representou um enorme
avanço na área da eletrônica de potência. Embora com velocidades menores do que as do MOSFET, o IGBT é
mais rápido do que o transistor bipolar, e pode controlar potências muito mais elevadas do que o MOSFET.
Há disponíveis hoje IGBTs com capacidades de tensão de 1700V e 600A, e mais recentemente dispositivos de
3,3kV e 1000A.
Os tempos de comutação variam desde 0,2s nos IGBTs de menor potência até 2s nos de maior potência,
aproximadamente.
O IGBT reúne características do transistor bipolar e do MOSFET.
Na realidade, a característica de entrada do IGBT é a mesma do
MOSFET, enquanto a característica de saída é similar à do BJT.
Esta última confere ao IGBT quedas de tensão coletor-emissor
pequenas (1.5 a 3.5V), mesmo nos dispositivos com maior
capacidade de bloqueio de tensão.
IGBT
Existem dois símbolos padronizados para o IGBT.
Coletor
Os terminais do IGBT são: emissor, porta e (colector) C
coletor. Como pode ser notado nos símbolos, o
IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de Porta
G
controle (porta)(gate) isolado, ou seja, é um (gate)
dispositivo controlado por tensão. Isto significa E
circuitos de acionamento de porta são menores, Emissor
mais simples e mais baratos do que os utilizados (emiter)
nos BJTs.
Ao contrário do MOSFET, IGBT não possui C
C
internamente o diodo intrínseco. Pode-se
adquirir IGBTs com ou sem o diodo anti-paralelo.
G G

E E
 Metal ou
IGBT Ligação interna polisilício

Óxido
Os IGBTs têm uma estrutura de 4 camadas E G (SiO2)
p-n-p-n. isolante
Com VCE > 0 e VGE = 0, não há corrente de
coletor. n+ n+
p p
Quando VGE > VGE(th) , um canal n é criado Corrente
abaixo da camada de óxido, de maneira n- (lacunas)
semelhante ao MOSFET, e passa a existir uma p
corrente de elétrons para o coletor. Corrente
Na junção p-n do lado do coletor, uma tensão (elétrons) C
direta é gerada e lacunas da camada p do
coletor são injetadas na camada Circuito equivalente C
intermediária n-. As lacunas injetadas
abaixam a resistência dessa camada,
permitindo a condução de corrente entre G
coletor e emissor.
E
IGBT – curva característica
O IGBT não tem o comportamento resistivo do MOSFET para baixos valores de vDS.
O seu comportamento é mais parecido com um transistor bipolar, apresentando uma tensão de
saturação VCEsat.
Por esse motivo, quando ligado, um IGBT apresenta queda de tensão menor do que um MOSFET
de especificações semelhantes
iC

vGE
Ruptura
(max VCE)
vGS < VGE(th)
VCEsat vCE
IGBT – curva característica
O IGBT não tem o comportamento resistivo do MOSFET para baixos valores de vDS.
O seu comportamento é mais parecido com um transistor bipolar, apresentando uma tensão de
saturação VCEsat.
Por esse motivo, quando ligado, um IGBT apresenta queda de tensão menor do que um MOSFET
de especificações semelhantes
iC

IGBT
MOSFET
vGE
Ruptura
(max VCE)
vGS < VGE(th)
VCEsat vCE
IGBT

• O IGBT possui internamente um tiristor parasita (pnpn). Caso esse tiristor entre em condução, o controle
do IGBT será perdido, o que pode levá-lo à destruição. Esse fenômeno é conhecido por "latch-up", e pode
ser provocado por excesso de corrente de coletor ou dvCE /dt excessivo. Nas gerações atuais de IGBT esse
problema foi minimizado: o latch-up dificilmente ocorre. São os chamados "latch-up free IGBTs".

Transistor NPN parasita

E que, junto com o transistor
PNP faz uma estrutura
PNPN, semelhante a um
tiristor
IGBT

• Há duas tecnologias de IGBT: PT ("punch-through") e NPT ("non punch-through"). Os IGBTs tipo PT

possuem quedas de tensão vCE(sat) menores do que os da tecnologia NPT. Por outro lado, os IGBTs NPT
possuem coeficiente de temperatura negativo, o que facilita a ligação em paralelo. Além disso, possuem
capacidade de bloqueio de tensão em ambos os sentidos, o que não ocorre nos IGBTs da tecnologia PT.
Normalmente os catálogos dos fabricantes informam qual a tecnologia utilizada.
Non punch-through Punch-through
E G E G

n+ n+ n+ n+
p p p p
n- n-
n+
p p

C
C
IGBT

• Há duas tecnologias de IGBT: PT ("punch-through") e NPT ("non punch-through"). Os IGBTs tipo PT

possuem quedas de tensão vCE(sat) menores do que os da tecnologia NPT. Por outro lado, os IGBTs NPT
possuem coeficiente de temperatura negativo, o que facilita a ligação em paralelo. Além disso, possuem
capacidade de bloqueio de tensão em ambos os sentidos, o que não ocorre nos IGBTs da tecnologia PT.
Normalmente os catálogos dos fabricantes informam qual a tecnologia utilizada.
Non punch-through Punch-through
IGBT

• O ativação do IGBT é feita de maneira similar à do MOSFET: deve-se carregar a capacitância gate-emissor
com uma tensão suficiente. O desligamento é efetuado fazendo-se VGE inferior ao valor de limiar VGE(th).
Normalmente se utilizam as tensões 0 e 15V ou –15 e +15V para efetuar o comando do IGBT.
• No IGBT, não há o fenômeno de segunda avalanche ("second breakdown") existentes nos BJTs, o que
aumenta a área de operação segura (SOA). Além das áreas de operação segura FBSOA e RBSOA, é também
comum a apresentação da SCSOA – "Short Circuit SOA" ou área de operação segura em curto circuito. Esse
diagrama é útil no dimensionamento da proteção do IGBT. O formato quadrado das curvas de SOA do IGBT
permitem muitas vezes a operação sem snubbers, o que simplifica os circuitos. A capacidade de suportar
pulsos de corrente é maior do que a do MOSFET, o que é um outro fator que faz o uso de snubbers
desnecessário em muitas aplicações.
IGBT
Exemplos de IGBTs de potência:

Código VCES IC @ (oC) VCE(on) PD @25oC E(on)+E(off)

IRG4BC30W 600V 12A 2.7V 100W 0.35mJ

@100oC
IRG4PC50KD 600V 30A 1.84V 104W 3.0mJ
@100oC
IRG4PH50KD 1200V 24A 2.77V 200W 8.36mJ
@100oC
APT60GF120JRD 1200V 60A @90oC 4.1V 520W 19mJ
SKM500GA123D 1200V 400A 3.7V 2700W 53mJ
@80oC
CM1200HB-66H 3300V 1200A 3.6V 15630W
@25oC
Comparativo entre os interruptores de potência controláveis

MOSFET IGBT BIPOLAR GTO

COMANDADO POR: TENSÃO TENSÃO CORRENTE CORRENTE

POTÊNCIA NECESSÁRIA PARA COMANDAR MÍNIMA MÍNIMA ELEVADA ELEVADA
COMPLEXO MUITO COMPLEXO

CIRCUITO DE DISPARO SIMPLES SIMPLES elevadas correntes elevados pulsos de

de base positivas e corrente positivas e
negativas negativas
MÉDIA/ALTA MÉDIA
ELEVADA em baixas
tensões pequeno severo
CAPACIDADE DE CORRENTE compromisso com compromisso com MUITO ALTA
BAIXA em altas
os tempos de os tempos de
tensões
comutação comutação
BAIXA/MÉDIA MÉDIA/ALTA
depende do depende do
PERDAS POR COMUTAÇÃO MUITO BAIXAS compromisso com compromisso com ALTA
as perdas de as perdas de
condução condução
VELOCIDADE DE CHAVEAMENTO MUITO ALTA ALTA MÉDIA/ALTA BAIXA
Comparativo entre os interruptores de potência controláveis
Fim