Eletrônica de Potência

Aula 11 – IGBT
IGBT - Funcionamento
■ IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor;
■ Mescla características do BJT e do MOSFET: alta
velocidade com baixa perda em condução;
■ Funciona como um transistor bipolar que possui um
MOSFET fazendo o acionamento de sua base;
■ Sua velocidade está entre a dos BJTs e a dos
MOSFETs;
■ Tem maior capacidade de corrente e tensão que os
MOSFETs;
■ Suporta apenas baixas tensões reversas: ~10V.

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IGBT - Funcionamento
■ Acionamento é feito por tensão entre gate e emissor:
cria canal, como num MOSFET;
■ A camada N- tem sua condutividade aumentada pela
injeção de portadores minoritários de P+, pois J1
está diretamente polarizada 🡪 menor queda de
tensão.

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IGBT - Funcionamento
■ O chaveamento é um pouco mais lento que o dos
MOSFETs pois a queda de VCE depende da chegada
de portadores da região P+;
■ Para o desligamento, tais portadores devem ser
retirados. No BJT isso se dá via base, o que não é
possível nos IGBTs;
■ A solução encontrada foi incluir a camada N+, que
acelera a recombinação, apressando a extinção da
carga acumulada em N- e restabelecendo a barreira
de potencial.

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IGBT – curva característica

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IGBT - Exemplos
■ IGBT 30A, 900V.

■ Módulo com 6
IGBTs de 3300V,
1200A, incluindo
diodos de roda livre.

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IGBT - Exemplos
■ 2MBI 400N 060 – Fuji Electric

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IGBT - Exemplos
■ 2MBI 400N 060 – Fuji Electric

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IGBT - Exemplos
■ 2MBI 400N 060 – Fuji Electric

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Perdas no IGBT
■ Perda total é a soma das perdas em condução, em
corte e por chaveamento:

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MOSFETs x IGBTs – escolha
■ MOSFETs e IGBTs possuem aplicações similares. A
escolha do componente depende das características
do circuito;
■ Faixa de tensão e corrente:
❑ MOSFETs: entre 100V/200A e 1000V/20A;
❑ IGBTs: 3kV/3kA (em baixas frequências);
■ Perdas:
❑ Em aplicações de alta frequência (acima de 50kHz) deve-se
preferir os MOSFETs;
❑ Em aplicações em que as perdas por condução são mais
importantes, deve-se preferir os IGBTs.

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Exercício
■ Um IGBT controla a potência para uma carga
resistiva de 15 ohms. Considere: fonte de tensão de
440V; VCE(SAT) = 1,5V; f = 2kHz; tr = 20ns; d = 0,6.
Determine:
❑ O valor nominal de corrente que este IGBT deve ter para
suportar a carga mencionada;
❑ A perda no estado ligado;
❑ A perda durante o acionamento da chave.

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Referências

■ Ahmed, Ashfaq. Eletrônica de Potência.

Cap. 3. Pearson Prentice Hall, 2000.
■ Rashid, Muhammad H. Eletrônica de
Potência - Circuitos, Dispositivos e
Aplicações. Makron Books do Brasil,
1999.
■ Pomílio, J.A. Eletrônica de Potência.
UNICAMP (apostila para o curso de
pós-graduação), 2009.

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