Geisimar de Menezes Teixeira - Engenharia Elétrica

Exercício 01

Os diodos bypass são usados para proteção de painéis solares. Se o painel solar estiver
danificado ou sombreado por folhas ou outras obstruções, a potência de saída geral
diminui e provoca danos. Os danos ocorrem devido a corrente do resto das células fruir
através das células defeituosa ou sombreada causando um superaquecimento. Qual a
principal função do diodo de bypass no sistema de células solares?

a) Proteger as células solares contra o problema de superaquecimento.

b) Multiplicar a tensão de entrada, amplificando o sinal CA.

c) Retificar a tensão de entrada, reduzindo o nível de tensão RMS.

d) Inverter a tensão CC para CA. e) Limitar a tensão de operação da célula solar

Exercício 02

Os dispositivos de eletrônica potência são projetados para cada vez mais operarem com
mais eficiência. Ou seja, esses dispositivos devem operar com perdas reduzidas de
chaveamento, entregando o nível adequado de tensão à carga. Quais são os parâmetros
envolvidos nas perdas devido ao chaveamento do diodo?

a) Perda de tensão e perda de potência.

b) Perdas devido à corrente de fuga e perdas na condução direta.

c) Perda de eficiência e perda ganho.

d) Perda de alimentação e perda de dissipação de calor.

e) Perda de frequência e perda de eficiência.

Exercício 03

Os transistores TBJ e MOSFET são úteis para aplicações de amplificação e

chaveamento de tensão. No entanto, eles possuem características diferentes além de
operarem em faixas de frequência e potência diferentes. Entre as opções abaixo, qual
indica a diferença entre os transistores MOSFET e TBJ?

a) TBJ é um transistor de junção bipolar, enquanto o MOSFET é um transistor de efeito

de campo semicondutor de dióxido de silício.

b) TBJ tem um emissor, coletor e base, enquanto um MOSFET tem um catodo e um

anodo.
c) MOSFET substitui o TBJ em aplicações que requerem maior frequência de
chaveamento.

d) Nos circuitos integrados digital e analógico atuais, o TBJ é mais popular que o
MOSFET.

e) O funcionamento do MOSFET depende da tensão no eletrodo de porta isolado de

óxido, enquanto a operação do TBJ depende da corrente de dreno.

Atividade Parcial 1

Resposta: Após avaliar a ligação do circuito, observa que os terminais de anodo (1) e
catodo (2) do TRIAC precisam ser invertidos. Mesmo que o TRIAC seja um dispositivo
bidirecional, deve-se considerar onde a tensão de disparo é aplicada (entre terminais de
porta e anodo ou entre terminais de porta e catodo). Este aspecto geralmente é omitido
em textos de dispositivos de tiristores, mas é importante para realizar a correta ligação
do circuito.