Acopladores pticos:

muitos equipamentos que utilizam dispositivos pticos para trocar informaes entre eles. Principalmente aqueles que requerem um alto grau de isolao entre o transmissor e o receptor. grau determinado pela capaciExemplos deste uso so as tncia entrada-sada do bloco e conexes de circuitos lgicos a suas caractersticas dieltricircuitos de potncia, e de cas, o dispositivo no responde transmissores a extensas linhas a sinais de entrada de modo code transmisso. Os acopladores mum, protegendo deste modo o pticos ou fotoacopladores so circuito de entrada do ambiente utilizados principalmente em do circuito de sada. aplicaes digitais. RecenteAlgumas aplicaes tpicas mente tem sido adotados para dos fotoacopladores so, por aplicaes lineares e controle exemplo, a preveno de laos direto de tiristores bidireciofechados de terra, deslocamento nais. de nveis de corrente contnua Um isolador ptico eletre controle lgico de circuitos nico contm um IRED - Infra-Red Emitde potncia. A capacidade de ter Diode e um fotodetector em um isolamento de um fotoacoplador mesmo bloco. de transferir eficientemente o sinal desejado definido como CTR - Currente Transfer Ratio - Relao de transferncia de corrente). Esta relao depende da eficincia radiativa, da distncia entre o IRED e o detetor, da rea de superfcie e a sensibilidade do detetor e o ganho de amplificao do mesmo. A relao de transferncia afetada por fatores no lineEstes dispositivos se coloares (corrente, tenso e tempecam de tal maneira que a enerratura) em ambos circuitos ingia irradiada por um IRED tegrados. Isto traz como consetransmitida eficientemente ao qncia uma funo de transfedetetor atravs de um meio dierncia muito complexa, funo ltrico de isolao. Este dieesta que deve ser determinada ltrico esta rodeado de um made forma bastante precisa a meterial opaco, o qual proporcionos de condies no especifina proteo contra a luz ambicadas. ente. A capacidade de um isolador No existe nenhuma conexo de proporcionar proteo de ieltrica entre a entrada e a solamento geralmente expressa sada. Dados que os emissores em termos de sobretenso trande Glio-Arsnico e os detetositria de isolao. res de silcio no so interDe resto, esta sobretenso cambiveis, qualquer sinal pode a medida da solidez da cpsuatravessar o isolador somente la e da rigidez dieltrica dos em uma direo. Isto at um
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materiais isolantes. Os 3 parmetros crticos de isolao so: resistncia de isolao, capacitncia de isolao e rigidez dieltrica. Esses trs valores so especificados para os terminais de entrada e sada em curto-circuito. Esse curtocircuito impede possveis danos ao emissor e ao detetor, causados pelas correntes capacitivas de carga que circulam nas tenses de prova relativamente altas.

Capacitncia de Isolao:
a capacitncia parasita atravs do dieltrico desde a entrada at a sada. Os valores tpicos oscilam entre 1 e 2,5 pF. Essa capacitncia pode produzir efeitos notveis, em circuitos nos quais o dieltrico submetido a oscilaes que excedam os 500 V/S. Alguns exemplos disto so os circuitos sensveis a baixos nveis de corrente, ajustados para responder rapidamente e submetidos a flutuaes abruptas. O circuito submetido a essas condies amplamente utilizado em automao de mquinas ferramentas, interagindo com linhas eltricas ou de comunicao muito ampla, e em casos nos quais grandes quantidades de energia so rapidamente comutadas.

Resistncia de Isolao
a resistncia de corrente contnua medida desde a entrada at a sada do acoplador. Em geral os acopladores respondem as especificaes que determinam uma resistncia de isolao mnima de 1011 . Este valor supera a resistncia prevista entre os assentos da montagem de muitas placas de circuito impresso sobre as quais pode ser montado o acoplador. Uma elevada tenso de esforo do dieltrico mais as fugas da placa de circuito impresso podem produzir correntes de ordem at centenas de A. Estas corrente so de mesma magnitude que as correntes fotodidicas geradas em um acoplador Darlington tpico, encapsulado em linha dupla de pastilha (DIP) com correntes de IRED de at 0,5 mA. E podem chegar a criar dificuldades em aplicaes que requerem baixas correntes. Tomando cuidado na seleo e processamento da placa de circuito impresso geralmente os problemas com isolao se reduzem a um mnimo.

Tenso de Isolao
a tenso mxima que o dieltrico pode suportar. Na tabela seguinte so indicados os parmetros que definem capacidades de tenso de isolao. Esta propriedade depende da durao do esforo, a taxa de incremento da tenso e das formas de onda. A dependncia varia com o mtodo de construo do acoplador. A influncia da forma de onda de tenso sobre a isolao de um acoplador tem sido severamente investigada comparando as caractersticas de acopladores com dieltrico de vidro com as de outros tipos de caractersticas compatveis. As provas deram como resultado a diferena, em porcentagem, entre a tolerncia a so2

bretenso na isolao de acopladores correspondentes as diversas formas de onda aplicadas e os resultados obtidos com o mtodo especificado. Essas porcentagens se aplicam a um dispositivo hipottico que tem uma especificao de 1.000 Volt de pico. Os resultados foram tabelados para determinarmos a verdadeira capacidade de sobretenso transitria de isolao do dis-

positivo para cada forma de onda. Os acopladores com outros materiais dieltricos e/ou fatores de forma dieltrica podem ter diferentes dependncias entre a capacidade e a forma de onda. O dieltrico de vidro tem propriedades eltricas e fatores de forma muito constantes e seu desempenho consistente em dispositivos diferentes.

Caractersticas de entrada, sada e transferncia

Um fotoacoplador completo apresenta na entrada e na sada, respectivamente, as caractersticas eltricas do IRED e do detetor. Uma vez entendidos estes dispositivos e suas caractersticas dieltricas, consideraremos uma continuao as caractersticas especficas deste dispositivo, para proporcionarmos a imagem completa requerida para um projeto analtico de circuito.

Entrada
As caractersticas de entrada de um fotoacoplador so as caractersticas do IRED (que geralmente consiste em um diodo nico). A queda de tenso direta, difere muito pouco do IRED separado, devido as diferenas em alguns detalhes do CI e dos contatos. O grfico ao lado ilustra essas diferenas para dois tipos de fotoacopladores. Em regime pulsante podemos tolerar correntes de intensidade consideravelmente maior.

Caractersticas de Sada e Transferncia:

A caracterstica de sada mais importante de um fotoacoplador a resposta fotodidica a luz gerada na entrada. Tanto no transistor como no fotoacoplador Darlington, as caracterstica fotodidicas podem ser medidas na conexo coletor-base. Para utilizarmos o fotodarlington como fotodiodo, necessrio que o emissor da seo de sada esteja em circuito aberto, e no curto-circuitada. A razo disto que a base do transistor de sada no acessvel eletricamente. Portanto, quando o Darlington se conecta com um curto-circuito base-emissor, no atua unicamente como um fotodiodo, mas como um fotodiodo em paralelo com um fototransistor de baixa relao de transferncia de corrente (relao corrente de sada/corrente de entrada). A relao de transferncia relativamente baixa, mantendo a corrente de sada a um nvel de 10% a 20% da corrente didica. Por exemplo, uma corrente tpica de sada 2 mA para uma corrente didica de 10 mA. A tenso de isolao varia entre 500 e 5000 V, dependendo do tipo de isolador. A largura de banda de aproximadamente 300 KHz. Todavia o dispositivo utilizado normalmente em freqncias muito inferiores a essa. O fotoacoplador Darlington incorpora na etapa de sada um transistor Darlington. Neste caso, a relao de transferncia muito mais alta, oscilando geralmente entre 100% e 500%. Por exemplo, uma corrente de sada tpica de 30 a 60 mA para uma corrente didica de 10 mA. A largura de banda de aproximadamente 30 KHz. Este tipo de isolador nos casos em que se requer uma freqncia mais baixa e uma sensibilidade mais alta.

Tipos de fotoacopladores
O fotoacoplador de transistores provavelmente a variedade mais difundida de isoladores.

FotoTRIAC
interseo zero (ZC), e permite ao comutador bilateral ser ativado somente no ponto de corte do zero evitando dessa forma a Radio interferncia (RFI). A corrente didica requerida para ativar o excitador de TRIAC varia entre 5 e 30 mA, dependendo do tipo de isolador. A tenso de isolao tpica de 7500 V. Os amplificadores TRIAC esto desenhados para tenses de sada de 110 V e 240 V. O isolador pode ser utilizado para controlar a carga, se a aplicao requer pequenas correntes CA na ordem de 100 mA. A figura seguinte ilustra um circuito tpico de aplicao deste isolador.

O excitador do Triac Isolado (FotoTriac) contm um interruptor bilateral de silcio desenhado para o controle direto do TRIAC. Uma corrente que circula atravs do diodo ativar o interruptor bilateral. Isto permite comutar a tenso de corrente alternada ou efetuar uma amplificao TRIAC. Uma verso melhorada deste amplificador contm circuito de

R1 limita a corrente da porta TRIAC. R2 uma impedncia baixa na comporta TRIAC, cujo objetivo impedir a ativao por rudo. R3 e C so utilizados em circuitos que usam carga indutiva. O circuito de interseo em zero, entretanto, tem algumas limitaes. O circuito de deteco requer um nvel mnimo de tenso, neste caso tenso de carga para operar. Esta tenso no esta definida pelo fabricante que prefere definir o nvel de ten-

so de carga que evitar a ativao. E neste caso para o modelo MOC3030, o fabricante define esta tenso com o mximo de 25 V. Isto significa que o TRIAC comeara a conduzir em algum ponto entre 0 e 25 V. Para 110 VCA isto aproximadamente uns 25% do valor mdio retificado. Se desejamos utilizar este circuito para tenses mais baixas, podemos chegar facilmente a um ponto no qual a ativao se produzir a 90, e se queremos controlar 12 V de corrente alternada, a operao que cruza o zero desaparecer totalmente.
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Devemos considerar constantemente esta limitao ao avaliar este dispositivo, que tem sido Procedimento experimental:

projetado especialmente para aplicaes de alta tenso.

FotoTransistor: Caractersticas
Monte o circuito ao lado, e: 1-Usando o osciloscpio conectado ao coletor do transistor, atue na tenso at conseguir satur-lo; 2-Mea as tenses em Rd e R6 e anote na tabela 1; Calcule de forma indireta a corrente didica, a corrente do transistor e calcule a CTR - Currente Transfer Ratio - Relao de transferncia de corrente). Nota: Antes de anotar alguma coisa, certifique-se do ponto de saturao, lembre-se de que quanto mais precisa for a medio, melhores sero os resultados.

Resposta em freqncia:
Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o gerador de RF em 1 KHz e 5 VPP; 2-Ponha o osciloscpio na sada do transistor; 3-Copie a forma de onda com detalhes no grfico 1; 4-Repita para cada freqncia da tabela.

FotoDarlington: Caractersticas
Monte o circuito ao lado, e: 1-Usando o osciloscpio conectado ao coletor do transistor, atue na tenso at conseguir satur-lo; 2-Mea as tenses em Rd e R7 e anote na tabela 2;

Calcule de forma indireta a corrente didica, a corrente do transistor e calcule a CTR (Currente Transfer Ratio - Relao de transferncia de corrente). Nota: Antes de anotar alguma coisa, certifique-se do ponto de saturao, lembre-se de que quanto mais precisa for a medio, melhores sero os resultados.

Resposta em freqncia
Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o gerador de RF em 1 KHz e 5 VPP; 2-Ponha o osciloscpio na sada do transistor; 3-Copie a forma de onda com detalhes no grfico 2; 4-Repita para cada freqncia da tabela.

FotoTRIAC: - Operao do dispositivo

Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o gerador de RF em 100Hz e 5 VPP; 2-Ponha o osciloscpio para medir indiretamente a corrente no TRIAC; 3-Copie a forma de onda com detalhes no grfico 3. Note que o TRIAC comea sempre a conduzira aprtir de um ponto determinado ou quando o sinal de 100 Hz no sincroniza com a fonte CA;

Comutadores pticos: Introduo

Detetores e emissores pticos
Os componentes fotoeletrnicos requerem um encapsulamento que no somente o proteja, mas que tambm permita que a luz atravesse e chegue ao sensor. A abertura pode ser modificada para proporcionar um efeito de lente e dessa maneira assegurar a obteno de uma resposta melhor no eixo ptico da lente, uma maior direcionalidade do foco e uma abertura maior em conjunto com uma maior resoluo. Na maioria dos componentes comerciais a lente parte integral da cpsula por razes puramente econmicas. Portanto o controle preciso das tolerncias pticas depreciado at certo ponto com o objetivo de economizar a proteo do circuito integrado por meio do selo hermtico do mesmo. Os componentes de lente apresentaro maior tolerncia, isto tero respostas bsicas mais amplas. Quando necessrio um sistema ptico altamente direcionvel de alto ganho, geralmente so necessrios componentes sem lente integrada, obtendo com componentes externos a qualidade desejada. O segundo mais importante fator na montagem do detetor/emissor a escolha de um encapsulamento plstico ou hermtico. Podemos encontrar ambos sem lente ou com lente integrada. As cpsulas plsticas tem o eixo ptico disposto em forma perpendicular aos terminais enquanto que as hermticas o eixo ptico se encontra paralela aos mesmos. A cpsula hermtica operar com potncias maiores, consequentemente sobre uma margem mais ampla de temperatura, e que por essa razo suporta condies ambientais muito mais severas, todavia muito mais cara que a plstica. Se bem que o uso de alguns componentes em certas condies restrita a outros, e evidentemente o usurio deve analisar com muito cuidado as condies necessrias a aplicao e em face a isto escolher o tipo de encapsulamento a ser adotado.

Mdulos interruptores/refletores
A utilizao de mdulos interruptores/refletores elimina a maior parte dos clculos pticos e os problemas geomtricos e de converso para as aplicaes de transduo de posio. Estes mdulos so especificados na entrada e na sada de forma simultnea (como par acoplado) e plantam uma srie de limitaes entrada mecnica. O projetista deve somente proporcionar a corrente de entrada e a entrada mecnica, isto , utilizar um objeto opaco para impedir que a radiao infravermelho atravesse a abertura), e controlar a sada eltrica. Alm das exigncia padro de tolerncia, resoluo e potncia requer conhecimentos adicionais sobre a capacidade do objeto estudado para bloquear ou refletir as ondas infraver10

melho e os efeitos estimados das condies de luz ambiente que possam gerar sinais esprios. Isto se aplica tanto a mdulos comerciais padro de produo em srie como aqueles feitos em pequena escala de produo, dado que os parmetros mecnicos e pticos de qualquer um deles fixo. Uma vez que o mdulo tenha sido especificado em suas ca-

racterstica mnimas e mximas, este no requer maiores cuidados no projeto ptico. Estes mdulos se enquadram na mesma categoria de projeto que os comutadores de limite de preciso mecnica com a exceo de que o mecanismo ativador bloqueia ou reflete a luz ao invs de aplicar uma fora. O desgaste mecnico e os defeitos de deformao so portanto eliminados deste.

A maioria dos mdulos interruptores disponveis no mercado foram projetados com base em emissores e detetores montados em plstico. Os mdulos refletores e outros mdulos existentes foram projetados com componentes montados em mdulo plstico ou em forma hermtica, dependendo da relao custo/benefcio. Os dispositivos de lente so predominantes nestas aplicaes devido ao fato da transmisso de luz nos mdulos re-

fletores, os quais so mais largo, dependem do ngulo, e geralmente so menos eficientes. Isto tambm explica a inexistncia de mdulos refletores padronizados, dado que deve-se conservar a estreita cercania do mdulo e o ajuste mecnico para poder oferecer um perfeito acoplamento ptico. Vemos ento que existem diversas necessidades de montagem mecnica para cada sistema mecnico existente.

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Luz Ambiente
O efeito da luz sobre os fenmenos optoeletrnicos difcil de estimar, dado que a luz no pode ser facilmente quantificada em termos de nvel, direo, contedo espectral e modulao. A menos que o detetor seja muito direcional, todas as superfcies refletoras que se encontrem no sistema devem ser encobertas com material no refletor, ou protegidas tanto da luz ambiente como de reflexos da fonte de luz. A iluminao na parte traseira do refletor pode causar problemas ao refletir luz do objeto que normalmente obstrui a trajetria da luz. No caso de ser necessrio, podemos utilizar um sistema de luz codificado ou decodificado por pulso para proporcionar uma alta imunidade contra a luz ambiente e estender consideravelmente o alcance do raio de luz (distncia), o que melhora o performance do sistema. Pulsando o IRED podemos obter uma alta potncia luminosa. Podemos obter altas relaes sinal/rudo no detetor por meio de tcnicas simples de decodificao de pulsos e processamento de sinais CA. A seguir veja as caractersticas de um sistema assim.

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Sistemas Pulsados
Os sistemas de luz pulsados podem proporcionar um rendimento timo nas aplicaes de pares detetor/emissor pois so construdos com circuitos mais completos. O custo de um sistema pulsado pode ser de fato menor que o de fonte de luz da alta potncia e o mesmo se pode dizer sobre a sensibilidade do detetor para o mesmo trabalho dado que nos sistemas pulsados podemos incluir com certa facilidade alguns circuitos mais baratos. notvel aumento do rendimento a Geralmente, o desempenho de baixo custo. um sistema pulsado superar o Os tubos de centelhamento de estado fixo. de XENON e as fontes de luz a Os sistemas de baixo custo, LASER so as que proporcionam geralmente utilizam pulsos de maior sada, mas seu custo e corrente produzidos por um discomplexidade limitam o uso despositivo UJT, com um perodo de tas fontes em sistemas de ren1 a 10S em um regime de trabadimento extremamente alto. lho de 0,1% a 1% em um IRED, Os progressos normais na dados que tempos menores que relao custo/benefcio so as estes no produzem um aumento seguintes: Operao em corrente proporcional na sada de luz, contnua sem ptica externa, mas a sua gerao requer ciroperao pulsante sem ptica cuitos mais sofisticados e caexterna, operao pulsante com ros. ptica externa, sistemas extiO detector consiste geralcos (LASER, etc). Ocasionalmenmente em um fototransistor, dete, lentes plsticas vulgares rivado em cascata por uma ampermitiro obter custos menores plificador de CA; este geralque aqueles de pulso eletrnimente construdo com 1 ou 3 co, mas o custo do alinhamento transistores uma vez que os ame os sistemas mecnicos devem plificadores baratos de circuiser considerados para efeito de to integrado so demasiadamente comparao. lentos. A retificao sncrona do amplificador de CA por meio de um gerador de pulsos permite um

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Procedimento experimental:

Comutador-Interruptor ptico - Caractersticas

Monte o circuito ao lado, e: 1-Ligue o motor com 5 VCC; 2-Copie com detalhes as formas de onda do osciloscpio no grfico 4; 3-Anote com cuidado os tempos de subida e de descida TON e TOFF na tabela 3; 4-Conte os orifcios do disco.

Resposta em freqncia
Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o gerador de pulsos para 1 KHz e 5 VPP e anote com cuidado os tempos de subida e de descida TON e TOFF na tabela 4; 2-Movimente a placa do interruptor at que voc observe uma forma de onda o mais prximo possvel da quadrada no osciloscpio. Isto ocorre porqu h um orifcio entre o diodo emissor e o transistor receptor; 3-Anote o nvel de tenso de sada e a forma de onda no grfico 5; 4-Repita o procedimento para as freqncias da tabela 5.

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Comutador-Refletor ptico - Caractersticas

1-Ligue o motor com 5 VCC; 2-Copie com detalhes as formas de onda do osciloscpio no grfico 6; 3-Anote com cuidado os tempos de subida e de descida TON e TOFF na tabela 6; 4-Conte os orifcios do disco.

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Resposta em freqncia
Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o gerador de pulsos para 1 KHz e 5 VPP e anote os tempos de subida e de descida TON e TOFF na tabela 7; 2-Movimente a placa refletora at que voc observe uma forma de onda o mais prximo possvel da quadrada no osciloscpio. Isto ocorre porqu h uma reflexo do sinal do diodo emissor ao transistor receptor; 3-Anote o nvel de tenso de sada e a forma de onda no grfico 7; 4-Repita o procedimento para as freqncias da tabela 8.

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Dispositivos Infravermelhos: Introduo

Os dispositivos fotoeltricos podem emitir radiao eletromagntica quando so atravessados por uma corrente, ou ainda podem absorver radiao e converte-la em uma quantidade eltrica mensurvel (trocas em V,I ou R). A radiao eletromagntica se refere a energia irradiada na regio espectral visvel, assim como nas regies espectrais adjacentes ultravioletas e infravermelhas (0, 3, ...,15m). LED (Light Emissor Diode) Se uma corrente eltrica passa atravs de um diodo semicondutor, os eltrons e as lacunas so injetados nas regies P e N respectivamente. Dependendo da magnitude da corrente tem lugar uma recombinao dos portadores livres de carga (eltrons e lacunas). De acordo com o conceito da banda de energia (regio de depleo) l ocorre a chamada recombinao radiante que requer que os eltrons saltem de uma rbita de alta energia para outra de baixa energia, e a energia restante se converte em energia eletromagntica que irradiada. Neste caso, a energia de radiao emitida, e portanto o comprimento de onda, depende da energia restante dessa transio dos eltrons. A transio direta de eltrons entre rbitas energticas em GaAs, por exemplo, produzir um comprimento de onda dado por:

Dispositivos fotosensores A operao dos dispositivos fotosensores se baseia no efeito fotoeltrico de contato. As principais caractersticas deste efeito so a gerao de pares de portadores de carga, como resultado da absoro de luz por parte do material semicondutor e o acumulo de portadores minoritrios de carga na juno

PN; em todo caso, tudo isto produz uma corrente fotoeltrica no circuito externo. A diviso tradicional dos dispositivos fotoeletrnicos em emissores, detetores e acopladores, tambm proporciona os ttulos abaixo, os quais podem descrever os processos de fabricao destes dispositivos. Os emisso17

res, no contexto deste trabalho, so definidos como dispositivos compostos por algumas substncias tais como GaAs, GaAsP e GaP, ainda que os detetores sensveis a luz visvel e infravermelha de curto comprimento de onda usam silcio. A tecnologia de acopladores consiste principalmente de tecnologia de encapsulamento de montagem para produzir por meio de uma hbil combinao de emissores e detetores atravs de um meio de acoplamento, um dispositivo to compacto quanto possvel. O comprimento de onda da radiao produzida pelos diodos emissores de luz determinada no somente pelo material semicondutor empregado na sua fabricao mas at certo ponto pelo modo no qual este material impurificado.

Os diodos de Arsenieto de Glio (GaAs) emitem luz na regio infravermelho, com comprimentos de onda que variam de 800 a 1000 m. Basicamente existem 2 processos que so utilizados na fabricao de diodos infravermelhos, e a principal diferena entre ambos, consiste na maneira com que fabricada a juno PN. A juno PN formada pela unio de Zinco em bolachas (Waffers) de GaAs com impurezas N monocristalinas. A difuso se efetua sobre toda a rea da bolacha, de modo que a juno PN dos dispositi-

vos produzidos continuamente pela diviso da bolacha se estendam at a borda aberta (Tcnica planar) ou efetuada atravs de janelas, por um processo fotolitogrfico sobre uma cobertura de mscara apropriada (como por exemplo Si3N4 + SiO2 inseridas sobre a superfcie de GaAs). Neste ltimo caso, os dispositivos se dividem ao longo dos marcos das janelas, e a borda de unio PN no se estende at a margem do dispositivo (Tcnica Planar). Neste caso, utilizamos uma tcnica epitaxial de fase lquida para precipitar uma delgada capa de Arsenieto de Glio monocristalino de um preparado de Silcio impuro sobre uma bolacha de Arsenieto de Glio com impurezas N. Devido aos diferentes padres de deposio de Silcio na estrutura de cristal de GaAs do comeo ao fim do processo, formando uma juno PN. Os diodos IR (InfraRed) com difuso de Zinco tem tempo de resposta rpido (1 a 100 S), mas produzem um nvel de radiao relativamente baixa (0,5 a 2 mW); Os diodos IR com impurezas de Si, por outro lado, tem tempo de resposta na ordem de centenas de S, mas podem produzir nveis de potncia elevados, de at 20 mW. Os detetores, assim como os fotodiodos, clulas fotovolticas e fototransistores so fabricados por tcnicas comprovadamente eficazes. As junes PN de detectores de Silcio so produzidas pelo mesmo processo dos fotodiodos, com tcnica planar. Os emissores IR tem um espectro bem definido na faixa de infravermelho, ainda que os
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detetores cubram um espectro muito amplo. Em algumas aplicaes so utilizados emissores infravermelhos para transmitir informaes a um detetor que deve responder a essas informaes. Para podermos eliminar a interferncia do meio ambiente, o detetor coberto por uma lente de filtro infravermelho que modificara a resposta espectral muito ampla do detetor e a transformara em uma faixa bastante estreita. Este canal utilizado para diversos tipos de comunicao, principalmente em controle remoto. Os dispositivos de emisso e deteco geralmente tem lente, a qual faz com que o canal tenha um ngulo de radiao definido. H vrios tipos destes dispositivos: 1. Dispositivos com janela plana Estes dispositivos so de menor sensibilidade ou intensidade de radiao, mas dispem de um grande ngulo de radiao ( > 70). No apresenta problemas de posicionamento, e no necessrio efetuar um ajuste fino para receber uma imagem adequada do objeto a ser medido ou obter uma projeo exata da rea emissora. Quando este utilizado com um sistema ptico adicional, eles so ideais para aplicaes em barreiras de luz de mdio alcance. 2.Dispositivos com lente Estes so divididos em 2 grupos: Lente de foco mdio e lente de foco preciso. a) Dispositivos com lentes de foco mdio;

Estes dispositivos tem ou produzem 10 vezes mais sensibilidade ou intensidade de radiao que aqueles sem lentes (vidros planos), possuem ngulos com a metade da intensidade ou da sensibilidade, isto , algo entre 25e 40. Alm disso precisa de um alinhamento mais preciso, se bem que os desvios de at 5% quase no tem influncia sobre o desempenho deste dispositivo. Neste dispositivos temos obtido o melhor compromisso entre enfoque e sensibilidade/intensidade de radiao, sendo portanto os mais recomendveis para a grande maioria das aplicaes existentes. b) Dispositivos com lentes de foco preciso (alto perfil). Dado que o ngulo da metade da sensibilidade ou de intensidade destes dispositivos muito fechado (=10) isto , cerca de 25 vezes maior que a dos dispositivos de vidros planos. Por esta razo, a calibrao do instrumento que o utilize deve ser feito muito cuidadosamente, pois o menor desvio faz com que se perca o foco ptico. Estes dispositivos so ideais para medies de luminosidade em grandes superfcies (em sistemas de proteo de fornos, por exemplo) ou sem sistemas de barreiras de luz simplesmente e de curto alcance, (poucos centmetros). As lentes utilizadas na rea dos dispositivos fotoeltricos so, via de regra, simples gotas de vidro encapsuladas e no verdadeiramente lentes no sentido ptico geomtrico, portanto, seu eixo mecnico desvia algumas vezes do
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eixo ptico (Efeito de estrabismo). O grande cuidado a ser tomado nesses casos, que uma Procedimento Experimental:

disposio inadequada da lente poderia inclusive difundir ao invs de enfocar a radiao recebida ou emitida.

Resposta em freqncia
Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o brao mecnico at obter a melhor resposta (Use P1 e P2 para ajuste de nveis evite ao mximo as distores); 2-Mantendo o nvel de entrada sempre constante (ajuste se necessrio) mea o nvel de sada para as diferentes freqncia; 3-Refira-se ao nvel do sinal de sada de 1kHz como 0 dB. Calcule os nveis de sinal em dB e anote o resultado na tabela.

Padro de Radiao
1-Ainda mantendo a montagem anterior, ajuste o brao mecnico at obter a melhor resposta (Use P1 e P2 para ajuste de nveis - evite ao mximo as distores); 2-Para esta posio tima, anote o ngulo do brao; 3-gire o brao no sentido horrio de 2 em 2 e anote a amplitude de sada na tabela 10; 4-Coloque no ngulo timo e gire o brao no sentido anti-horrio de 2 em 2 e anote a amplitude de sada na tabela 11;

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Resposta a onda quadrada

Monte o circuito ao lado, e: 1-Ajuste o gerador de pulsos para 100 Hz e 5 VPP e anote com cuidado os tempos de subida e de descida TON e TOFF e os detalhes no grfico 8.

Anlise de Resultados: Fotoacopladores: 1.Compare as caractersticas do acoplador de Transistor com o acoplador Darlington; 2.Explique o funcionamento do excitador de TRIAC desenhado anteriormente e a forma de onda da sada Comutadores pticos: 1.Compare as caractersticas dos dois tipos de comutadores pticos; 2.explique a origem da instabilidade do comutador ptico de interrupo; 3.Explique o mtodo de clculo de rotaes por minuto; 4.Calcule e registre em papel monoLog os valores em dB a curva de Tenso de sada x Freqncia.

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 Resposta em onda quadrada: 1.Calcule e registre em papel monoLog os valores em dB a curva de Tenso de sada x Freqncia. 2.Determine de quem o melhor comportamento: Onda quadrada ou onda Senoidal. Justifique.

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