Divisão Textual

INTRODUÇÃO
● Explicação do material semicondutor 4 elétrons de valência.
● Deveria ser isolante pois existem 8 elétrons na camada de valência, mas
conduz por causa dos elétrons livres gerados pelo aumento da temperatura
e força de atração quando uma diferença de potencial é aplicada
● Não é um material nem isolante e nem semicondutor, para aumentar a
condutividade, pode-se dopar o material com átomos que possuem 5 e 3 e
na camada de valência.
● Utiliza-se o fósforo (P) e o boro (B), o fósforo possui 5 elétrons e cria um
material tipo N e o boro possui 3 elétrons e cria um material tipo P.
● Sozinho, funcionam como um resistor, mas a associação dos materiais
possibilita a criação de dispositivos eletrônicos como o diodo, TBJ e
MOSFET.
● Neste texto, o TBJ e MOSFET serão apresentados onde serão
apresentados a sua construção, características e aplicações.
● A divisão textual será dividida em duas partes, primeiro será apresentado o
TBJ e, por último, o MOSFET.
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO TBJ
● Construção:
○ O princípio de construção de um TBJ é feito pela união de três
substratos do tipo P,N e P (TBJ PNP) ou N, P e N (NPN). Apresentar
a figura com o desenho simplificado do TBJ PNP e os símbolos
utilizados. Relatar o que é o Emissor Base e Coletor. Apresentação
simplificada do TBJ PNP E NPN.
○ A princípio, o transistor parece uma união entre diodos, no entanto, a
figura 3 ilustra em detalhes um TBJ PNP.
■ Emissor - Fortemente Dopado
■ Base - Fina camada tipo N
■ Coletor - tipo P
■ Isolamento utilizando dióxido de silício
■ Contato de metal
○ Devido a melhor mobilidade de elétrons no dispositivo e,
consequentemente, resposta mais rápida e um maior ganho de
tensão, utiliza-se mais o TBJ NPN, sendo apresentado as suas
características e aplicações.
● Características de funcionamento:
○ Polarização do TBJ
■ Figura - Transistor polarizado
■ Vbb polariza diretamente a região PN, criando um fluxo
pequeno de elétrons, ao criar esse fluxo e devido à pequena
dimensão do substrato da base, os elétrons da fonte Vcc
conseguem percorrer o transistor.
○ Relação entre as correntes
■ Existe uma relação entre as correntes dentro de um TBJ,
definida como:
ie = ic + ib
■ Ib é muito menor que ic, porque ib é criado a partir da
recombinação entre elétrons e lacunas e ic o fluxo de elétrons
livres.
■ Essa diferença entre correntes é alterada pela fabricação do
transistor, onde define-se um ganho de corrente β calculado
como
𝑖𝑐
β= 𝑖𝑏
,

■ TBJ de baixa potência varia entre 100 e 300 e alta potência 20 a

100.
○ Curvas de base e curvas de coletor.
■ Gráficos de corrente ib e ic em relação às quedas de tensão Vbe e
Vce, respectivamente.
■ Curva de base: Vbe 0,7V, com corrente aumentada. Figura 5
■ Curva de coletor - Região de saturação, ativa e ruptura. Além da
interferência da corrente de base. Figura 6
● Ruptura - Região onde não opera pois pode queimar
● Saturação - Onde o transistor opera como chave ib muda e ic
cai ou aumenta rapidamente
● Ativa - Utilizada em amplificadores ib muda ic muda junto
● Existe uma corrente para ib = 0 A pois coletor e base foram
um diodo inversamente polarizado
■ Reta de carga - ponto de operação de um transistor a fim de
calcular uma corrente ic e Vce para uma determinada corrente ib.
● Para calcular:
○ ponto de saturação Vce é um curto
○ ponto de corte Vce circuito aberto
■ Trabalhando na região de saturação
● Interessante para circuitos digitais que precisam de nível
alto e baixo.
● Vbe>Vce de forma que β não é válido nessas circunstâncias,
podendo oscilar e sair da região de saturação.
● Uma forma de garantir seguir a relação Rc/Rb = 10
 ● Aplicações
○ Transistor de pequenos sinais
■ Amplificadores de pequenos sinais, ganho entre 10 a 500
○ Transistor de Comutação
■ Comutadores pelo tempo de recuperação reduzido, ganho de
corrente menor 10 a 200 e máximo 10 a 1000mA
○ Transistor de potência
■ Circuitos com corrente e tensão altos, controle de velocidade de
motores ou conversores de energia.
■ ganho de corrente 10 a 50
○ Fototransistor
■ Utilizam o efeito fotoelétrico para polarizar o transistor e conduzir
corrente elétrica
■ A luz faz com que os elétrons saltem de camada e exista a
condução entre coletor e emissor. Utilizados para sensores de luz
e dispositivo de presença.

TRANSISTOR EFEITO DE CAMPO MOSFET

● Construção:
○ Insere-se dois substratos de um tipo em um outro Figura 1 (a). Mosfet
tipo P insere-se dois substratos tipo p dentro de um tipo n, MOSFET
tipo n, insere dois substratos tipo n dentro de um tipo p.
○ Os substratos são conectados externamente utilizando metal, criando
o terminal de fonte (S) e dreno (D)
○ O terminal porta (G) não é conectado externamente com um metal,
existe uma camada de SiO2 que separa o substrato com o metal
○ Adicionalmente é inserido um conector metálico ao corpo (B) do
MOSFET.
○ O isolamento dá a característica de acionamento por efeito de campo
do MOSFET
○ Figura 7(b) simbologia do Mosfet tipo N e (c) tipo P.
● Características de funcionamento:
○ Polarização do mosfet
■ Aplicar uma tensão na porta para criar uma força de atração
para alguns elétrons se aproximarem para região da porta e
criar um caminho para os elétrons passarem entre a fonte e o
dreno.
■ Para existir esse caminho, é necessário aplicar uma tensão
mínima Vth (tensão de limiar)
 ○ Curvas de corrente do dreno
■ Quando o canal é criado, se existir uma pequena tensão Vds
existe uma corrente id proporcional a Vgs - Vth. Essa relação cria
uma resposta linear entre VDS e id, referenciada como Região
linear
■ Aumentar a tensão VDS > Vgs - Vth, o canal satura e o
crescimento id deixa de ser linear, assumindo curva
hiperbólica. - Região de saturação
■ A curva de dreno possui similaridades com a curva de coletor,
ao aumentar ib a corrente do coletor aumentava. Ao aumentar
a tensão Vgs aumenta a corrente iD.
■ A Região linear é utilizada para amplificadores de corrente
controlado por tensão
■ Região de saturação é utilizada como chaves, se a tensão na
porta for alta suficiente, a chave fecha, caso contrário, se
mantém aberta.
● Aplicações:
○ Aplicações parecidas com os TBJs, acondicionamento de sinais de
baixa potência, comutadores, operação com alta tensão e corrente e
circuitos digitais.
○ Uma aplicação utilizando MOSFETs possibilitou o avanço
computacional
○ Associação de um PMOS com NMOS possibilitou criar um arranjo
complementar CMOS, conforme ilustrado na Figura 10
○ quando Vin = 0 PMOS conduz e Vo = 5V. Quando Vin = 5 NMOS
conduz e Vo = 0V. Exemplo de inversora
CONCLUSÃO
● Recapitular o texto
● Utilizado em diversas áreas como amplificadores, conversores e eletrônica
digital
● O tema é vasto e foi apresentado somente alguns tópicos, para melhor
entendimento do assunto é necessário estudar cada característica do
componente para cada aplicação.
 1. INTRODUÇÃO
Os materiais semicondutores são a base para a criação de dispositivos eletrônicos,
como, por exemplo, diodos, transistores, circuitos integrados e microprocessadores.
Esse tipo de material é constituído por átomos que possuem quatro elétrons na
camada de valência, na qual, por ligação covalente, compartilham seus 4 elétrons para
criar uma um cristal de silício, conforme ilustrado na Figura 1. O material mais utilizado
para produção de semicondutores é o Silício (Si) devido a sua abundância encontrada
no meio ambiente e custos relativamente baixos de produção, quando comparados
com outros elementos, como, por exemplo, o Germânio (Ge).

Neste caso, o material possui a tendência em ser isolante pois existem 8 elétrons na
sua camada de valência, mesmo que sejam compartilhados entre os átomos, impediria
o fluxo de elétrons. No entanto, os elétrons podem pular de camada devido o aumento
da temperatura, criar uma lacuna na estrutura e percorrer a rede de silício. Esse elétron
livre, no caso, pode percorrer a cadeia de silício e tornar o material condutor. Além
disso, ao aplicar uma diferença de potencial entre as extremidades do material,
pode-se ocasionar a sua condutividade devido a força de atração entre cargas. Dessa
forma, o material não é um ótimo isolante e não é um ótimo condutor, o tornando
semicondutor.
A solução para melhorar a condutividade elétrica do material é contaminar essa rede
de silício a fim de desestabilizar esse equilíbrio entre elétrons compartilhados pelas
camadas de valência e permitir a existência de lacunas e elétrons livres. Uma forma
encontrada para realizar isso é substituir um átomo de silício por um átomo de Fósforo
(P) ou Boro (B). Para o caso do Fósforo, existem 5 elétrons na sua camada de
valência, ao entrar na malha de silício, a estrutura fica com um elétron livre e o fósforo
carregado positivamente. Esse tipo de material, dopado com fósforo, é denominado de
substrato tipo N. Em contraste, o Boro possui 3 elétrons na sua camada de valência,
causando um desequilíbrio na malha de silício, criando uma lacuna e um material
denominado de tipo p.
Sozinhos, esses materiais atuam como resistores, porém, ao associá-los, cria-se
dispositivos eletrônicos como o diodo, transistor bipolar de junção (TBJ) e o transistor
de efeito de campo (MOSFET). Neste texto, o TBJ e MOSFET serão apresentados,
onde serão abordados a sua construção, características e aplicações. A divisão textual
se dará em duas partes: primeiro os TBJs e, em seguida, os MOSFETs.
 2. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
2.1. Construção
O princípio de construção de um transistor bipolar de junção se dá pela união de três
substratos do tipo N, P e N (NPN) ou P, N e P (PNP). A figura abaixo ilustra de forma
simplificada um TBJ do tipo PNP e sua representação utilizada em desenhos de
circuitos elétricos. Observa-se que existem 3 substratos agrupados e, para cada
substrato, existem terminais que o conectam com o meio externo, sendo que E é
denominado de Emissor, B, a Base e C, o Coletor. O seu diagrama em circuitos é
ilustrado ao lado, onde a seta que representa o TBJ está no sentido entrando na Base.
Para o TBJ NPN, os substratos são invertidos, porém, os nomes dos terminais se
mantêm. É possível observar na figura que o TBJ NPN possui a sua seta no sentido
saindo da base e indo para o emissor.

A partir da representação simplificada do transistor pode-se fazer uma analogia que

o TBJ são dois diodos unidos pelo mesmo terminal, de forma que se essa tríplice
estrutura de substratos, presentes nos transistores. No entanto, a construção mais
detalhada do TBJ, representada na próxima figura, ilustra como são as camadas de
substratos em um transistor. O emissor possui uma substrato fortemente dopado do
tipo P, representado por P+, a base possui uma fina camada de substrato tipo n, com
uma região n+ e o coletor, que envolve as duas regiões com um substrato tipo p,
também possui uma camada p+ próximo ao contato de metal. Para criar um isolamento
com o meio externo, uma camada fina de dióxido de silício é inserida entre os
substratos.
 Devido a melhor mobilidade de elétrons no componente e, consequentemente, uma
resposta mais rápida e um maior ganho de tensão, é preferível utilizar o transistor NPN
e, portanto, serão apresentados as características e aplicações do TBJ utilizando esse
tipo de transistor.
2.2. Características
2.2.1.Polarização do TBJ
Uma forma de polarizar um transistor é utilizando um resistor (rb) a base a fim de
criar uma corrente de base (ib). A Figura abaixo ilustra a polarização de base de um
transistor NPN. Pode-se observar que os elétrons livres no substrato tipo n, as
correntes ib, ic e ie, o resistor de coletor rc e as tensões Vbb e Vcc da base e do coletor.

A polarização do transistor ocorre pois a fonte Vbb polariza diretamente a região PN

e produz um fluxo de corrente, ao criar esse fluxo de elétrons e devido à pequena
dimensão do substrato da base, os elétrons da fonte Vcc conseguem percorrer o
transistor e criar um fluxo de elétrons.
2.2.2.A relação entre correntes
Existe uma relação entre as correntes dentro de um TBJ, definida como:
𝑖𝑒 = 𝑖𝑐 + 𝑖𝑏.
em que a corrente ib é muito menor que a corrente ic devido ao fato que a corrente ib é
gerada pela recombinação entre elétrons e lacunas e ic é a movimentação dos elétrons
livres. Como pode-se deduzir, essa relação entre as correntes está relacionada com o
processo de fabricação dos TBJs, em que aumentar a dopagem dos substratos
interfere com a proporção entre as correntes ic e ib.
Dessa forma, define-se na literatura uma relação de ganho de corrente (β), calculada
como:
𝑖𝑐
β= 𝑖𝑏
,

em que para TBJ de baixa potência esse valor varia entre 100 e 300 e, para os TBJ de
alta potência, esse valor é entre 20 e 100.
2.2.3.Curvas de base e curvas de coletor
As curvas de base e curvas de coletor são gráficos que ilustram as correntes ib e ic
em relação às quedas de tensão entre o emissor e base (Vbe) e entre o emissor e
coletor (Vce). A curva de base, por formar um diodo entre o emissor e base, seu gráfico
é similar a resposta de um diodo, como pode ser observado na figura abaixo.
A partir de um momento, a corrente ib aumenta e não existe uma alteração em Vbe.
No entanto, o aumento nessa corrente, seguindo a relação do ganho de corrente β,
aumentará a corrente ic.

Quando a corrente ic e a tensão Vce é analisada, pode-se criar um gráfico

denominado de curva de coletor, cuja característica é ilustrada na Figura abaixo.
Observa-se a existência de três regiões na curva de coletor: Região de saturação,
Região ativa e Região de Ruptura. Além disso, devido a relação entre os ganhos de
corrente, a curva ilustrada é para o caso em que ib é 40uA. Caso ib varie, as curvas de
base também se alteram, conforme ilustrado na Figura (b).
 A região de ruptura é uma região onde o transistor não deve operar pois pode
ocasionar a sua danificação, a região de saturação é quando o transistor atua como
uma chave, na qual a tensão VCE é baixa, mas existe um valor ic. Por último, existe a
região ativa, que é utilizada para amplificadores, em que em que mudanças em ib
ocasionam uma mudança na corrente ic pelo fator ganho de corrente (β). Ainda é
possível observar a existência de uma corrente ic mesmo para ib igual a zero, isso se dá
pelo fato de que o coletor e a base formam um diodo inversamente polarizado que
possibilita a existência de uma corrente de fuga.
2.2.4.Reta de carga
A reta de carga é usada para determinar o ponto de operação de um transistor a fim
de calcular a corrente ic e Vce para uma determinada corrente ib em um circuito. Para
encontrá-la, deve-se determinar dois pontos, o de saturação e o de corte. Em seguida,
traçar uma reta na curva de coletor onde ocorrerão múltiplas intersecções da reta de
carga com as curvas de base para diferentes valores de ib. Para calcular o ponto de
saturação, considera-se que VCE é um curto circuito e encontra-se um valor de corrente
ics (0,ics) e, para o ponto de corte, assume-se que VCE está aberto e determina-se a
tensão no ponto (VCEs, 0).
2.2.5.Trabalhando na região de saturação.
Para circuitos digitais, em que é necessário ter somente dois níveis lógicos, o alto e
baixo, é interessante trabalhar na região de saturação do transistor. Nessa região VBE>
VCE e ambas junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas diretamente,
dessa forma, o valor de ganho de corrente β não é mais válido e é necessário garantir
uma saturação forte do circuito para continuar operando nessa região, mesmo com as
variações de β, uma regra de projeto é utilizar uma relação de Rc/Rb = 10.
2.3. Aplicações
Existem diversas aplicações para TBJs, na qual pode-se caracterizar em duas
funções: Amplificação de sinais ou operar como uma chave liga e desliga.
2.3.1.Transistor de pequenos sinais
Esses tipos de transistores são utilizados para amplificar sinais de baixo nível,
podendo ser utilizados também como interruptores. O ganho de corrente do transistor
comercial varia de 10 a 500, porém, os valores máximos de ic variam entre 80 a 600
2.3.2.Transistores de comutação
Os transistores de comutação são utilizados principalmente como comutadores pela
seu tempo de recuperação reduzido. O custo desse tipo de resposta é um ganho de
corrente menor, entre 10 a 200, com um máximo de 10 a 1000mA. Apesar de poderem
operar como amplificadores, o seu baixo ganho limita seu funcionamento. Seu valor
real está em utilizá-lo como interruptores e comutadores.
2.3.3.Transistores de Potência
Os transistores de força são utilizados para circuitos com correntes e tensões altas,
sendo utilizados para controle de velocidade de motores ou na conversão de energia.
Para esses tipos de transistores, o ganho de corrente é limitado entre 10 a 50.
2.3.4.FotoTransistores
Outro tipo de transistores especiais são os fototransistores, esses dispositivos
utilizam o efeito fotoelétrico para polarizar o transistor e conduzir a corrente elétrica
pelo sistema. A luz, ao incidir no transistor, faz com que elétrons saltem de nível para
se tornar elétrons livres e possibilitarem a passagem de corrente entre o emissor e o
coletor. Esse tipo de transistores são utilizados para criar sensores de luz ambiente,
dispositivos de detecção de presença ou sistemas de controle de brilho automático em
telas. Os TBJ foram muito utilizados na eletrônica analógica e digital, no entanto, com o
avanço da tecnologia, melhorias no processo de fabricação e barateamento do
componente, os transistores de efeito de campo (MOSFETs) substituíram grande parte
dos TBJ utilizados em circuitos.
 3. METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(MOSFET)
3.1. Construção
O MOSFET tipo N é construído inserindo dois substratos tipo n em um substrato do
tipo p, em que pode-se realizar uma analogia com o TBJ NPN. Para o caso do
MOSFET tipo P, os dois substratos inseridos são do tipo p, que são inseridos em um
substrato tipo n. Além disso, os substratos do tipo n são conectados utilizando um
metal, criando o terminal Fonte (Source) e Dreno (Drain), porém, o terminal Porta
(Gate) do mosfet não é conectado eletricamente com o substrato do tipo P, ao invés
disso, existe um isolante elétrico entre a porta e o corpo do MOSFET. Adicionalmente,
é inserido um conector metálico ao corpo do MOSFET (BODY).
Esse isolamento entre o terminal e o corpo do MOSFET lhe dá justamente a
característica de ser acionado a partir de uma tensão aplicada à Porta, ao contrário do
TBJ que necessita de um fluxo de corrente passando pela base. Isso torna o MOSFET
mais eficaz energeticamente pois não há uma corrente elétrica passando pela Porta.
Em (b) é possível observar uma das simbologias utilizadas para representar o
MOSFET tipo N, ou NMOS, e, em (c), um dos símbolos utilizados para representar um
MOSFET tipo P, ou PMOS.

3.2. Características
3.2.1.Polarização do MOSFET
Para que ocorra a passagem de corrente entre o dreno e a fonte é necessário
aplicar uma tensão na porta a fim de criar uma força de atração para alguns elétrons se
aproximarem da região da Porta. Em contrapartida, as lacunas do substrato tipo P se
aproximam do Corpo do MOSFET, se recombinando com alguns elétrons oriundos da
fonte. Essa aproximação de elétrons perto da Porta cria um caminho de elétrons para
fluir uma corrente entre o dreno e o source. A Figura abaixo ilustra a configuração de
um MOSFET polarizado.
Para que ocorra a criação desse caminho para os elétrons, é necessário aplicar uma
tensão VGS mínima para atrair os elétrons, essa tensão de limiar é encontrada como Vth
em datasheets. Uma vez atingida, o MOSFET conduz, desde que ainda exista uma
tensão mínima em Vgs.

3.2.2.Curvas de corrente no Dreno

Quando o canal entre a Fonte e o Dreno está criado, se uma pequena tensão Vds for
aplicada, uma pequena corrente iD é criada proporcional a VGS - Vth. Essa relação cria
uma resposta linear entre VDS e iD, conforme é ilustrado na Figura abaixo, referenciado
como Região Linear (triodo). Ao aumentar a tensão VDS, ao ponto que seja maior que
VGS - Vth, o canal por onde a corrente passa pelo MOSFET satura e o crescimento da
corrente iD deixa de ser linear, assumindo uma curva hiperbólica. Quando isso
acontece, o MOSFET deixa de operar na região linear a passa a operar na Região de
saturação.
A curva de corrente do Dreno do MOSFET possui similaridades com a curva de
coletor dos TBJs. Assim como diferentes valores de corrente de base (ib) resultam em
curvas com diferentes respostas, diferentes valores de tensão entre a Porta e a Fonte
resultam em diferentes curvas de respostas. Além disso, a região linear do MOSFET é
parecida com a região de saturação do TBJ e a região de saturação do MOSFET é
similar ativa.
 Por apresentar uma resposta linear na região de triodo, similar a de um resistor,
utiliza-se essa região para projetar um amplificador de corrente controlado por tensão.
Em contrapartida, na região de saturação a tensão na porta é alta o suficiente para que
o MOSFET opere como uma chave aberta ou fechada, conduzindo a máxima corrente
possível. Dessa forma, a corrente que passa pelo MOSFET é estável, podendo ser
utilizada em circuitos digitais, onde é necessário uma resposta binária.

3.3. Aplicações
As aplicações nos mosfets são parecidas com as citadas nos TBJs, para o
acondicionamento de sinais de baixa potência, circuitos digitais, rápida comutação e
operação com alta corrente e tensão. No entanto, existe uma aplicação dos MOSFETS
que possibilitou o avanço da tecnologia computacional.
Quando associado um MOSFET tipo p e um MOSFET tipo cria-se um arranjo
complementar referenciado como tecnologia CMOS. A Figura abaixo ilustra a
associação entre MOSFETS. Observe que, quando a tensão de entrada é 0, o
MOSFET tipo P conduz e a tensão de saída é 5V. Em contrapartida, quando a tensão
de entrada é 5V, o PMOS está na região de corte e o canal NMOS está formado, a
tensão de saída é 0. Dessa forma, analisando a tensão de entrada e saída, é possível
criar uma porta inversora, utilizada em circuitos digitais. Outras portas também podem
ser formadas, com a associação entre PMOS e NMOS.
 4. Conclusão
Durante esse texto, o TBJ e MOSFET foram apresentados, com as suas
características de construção e respostas de correntes dependendo da intensidade de
polarização. Alguns conceitos como associação entre TBJs para aumentar o ganho de
corrente, variações entre polarização do TBJ com resistor no emissor para proteger
contra oscilações do ganho, espelho de corrente, equações de cálculo da corrente id
para o MOSFET operando entre as suas duas regiões foram omitidos. O tema é vasto
e, para cada aplicação desses componentes, é necessário estudar as suas
características cruciais que devem ser levadas em consideração durante o projeto.