Transístores de Potência

Aula 5
 Introdução
• Um transístor é um dispositivo semicondutor PNP ou NPN de três camadas
com duas juncões.
• Os transístores tem dois tipos básicos de aplicação: Ampliação e
chaveamento
• Em Electrónica de Potência, o objectivo principal é o controle eficaz da
Potencia, eles são invariavelmente usados como chaves. São empregados
principalmente em choppers e em aplicações para inversores.
• Os díodos são chaves que não podem ser controladas, pois tem apenas dois
terminais.
• Os transístores tem três terminais. Dois deles actuam como terminais de uma
chave e o terceiro é usado para ligar e desligar a chave. Assim o circuito de
controle pode ser independente do circuito que está sendo controlado.
• Dois tipos de transístores de potencia são utilizados em circuitos de Electrónica
de potencia: o transístor bipolar de juncão (bipolar junction transístor-BJT) e o
transístor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (metal-oxide-transistor
MOSFET)
• Até o advento de MOSFET de potencia, BJT era o dispositivo preferido nas
aplicações de Electrónica de potência
• A velocidade de chaveamento de um BJT é muitas vezes mais lenta do que de um
MOSFET, com tamanhos e valores nominais similares.
• Um BJT eh dispositivo controlado por corrente, e uma grande corrente de base eh
necessária para mante-la no estado ligado. Alem disso, uma rápida passagem para o
estado desligado, exige uma corrente de base reversa mais alta.
• Essas litações aumentam complexidade do projecto dos circuitos acionadores de
base do transístores, tornando-os mais caros que o MOSFET.
• Os MOSFETs de potencia, por outro lado, são dispositivos controlados por tensão.
São preferíveis aos BJTs em aplicações com frequência alta, nas quais a potencia de
chaveamento eh o ponto importante.
• entretanto, a queda de tensão no MOSFET de potencia durante o estado ligado eh
mais alta do que o BJT de tamanho e valores nominais similares.
• Portanto, em aplicações de alta tensão, em que as perdas do estado ligado
precisam ser minimizadas, um BJT eh preferível, mesmo a custa de perdas de
desempenho em frequências altas.
• A invenção do transístor bipolar de porta isolada (insulated-gate bipolat
transitor-IGBT) foi em parte induzida pelas limitações típicas dos MOSFETs e
dos BJTs.
• Os IGBTs são os próprios para as tarefas que envolvem alta tensão, trabalham
com perdas baixas no estado ligado, requerem circuitos acionadores simples e
suportam velocidades de chaveamento relativamente altas
• E, portanto, se tornando a escolha ideal para aplicações em alta tensão, nas
quais as perdas de condução devem ser baixas.
 Transístores bipolares de juncão de potência

• Os transístores de potencia são

encontrados na praça em dois tipos:
NPN e PNP.
• Vamos nos concentrar no NPN, uma
vez que os valores nominais de tensão
e corrente são mais altos.
• O BJT eh normalmente chamado de
Transistor.
• Um transístor tem três terminais: a base (B), o colector (C) e o emissor (E).
• O colector e o emissor não podem ser invertidos. Na realidade, as características
e os valores nominais de um transístor mudam significativamente quando esses
dois são invertidos
• Se a ponta da flecha apontar para a base, diz-se que o transístor eh do tipo PNP.
Se a ponta da flecha apontar para fora da base, ele eh do tipo NPN.
• Quando um transístor eh usado como chave, para controle de potencia fornecida
de uma fonte para uma carga, os terminais C e E são ligados em serie com
circuito principal da fonte.
• Já os terminais B e E são ligados ao circuito acionador. Que controla a acção de
ligar e desligar.
• É a corrente baixa que passa pela juncão base-emissor que induz o fluxo
de corrente entre colector-emissor.
• Nesse trajecto, a corrente induzida, pode ser maior do que na juncão base-
emissor.
Curvas características Volt-Àmpere do BJT
• A figura 3.2 mostra a curva característica V-I de um transístor. Há três
regiões de operação: o corte, a saturação e a região activa.
• Se a corrente de base IB for igual a zero, a corrente do colector Ic será
desprezível e o transístor estará na região de corte, ou seja, no estado
desligado.
• Nesta região, tanto a juncão colector-base com a base-emissor estão
inversamente polarizadas e o transístor se comporta como uma chave aberta.
• Por outro lado, se a corrente da base IB for o suficiente para acionar o transístor
ate a saturação (corrente do colector muito grande e VCE aproximadamente igual
a zero), então o transístor se comportara como se fosse uma chave fechada.
• Na região de saturação, ambas as juncões estão directamente polarizadas.
• Na região de operação activa, a juncão base-emissor está directamente
polarizada, enquanto a juncão colector-base fica inversamente polarizada.
• A região activa costuma ser usada para amplificação de sinais e eh evitada em
aplicações do tipo chaveamento.
• Observe que a curva característica V-I não apresenta qualquer região reversa.
• Um BJT não pode bloquear mais de 20V na direcção inversa. Por isso, os BJTs não
são usados no controle de potencia AC, a menos que um díodo reverso seja ligado
em paralelo entre o emissor e o colector, para proteger o transístor contra tensões
inversas.
• Uma vez que os transístores são usados normalmente como chaves, a curva
característica do transístor ideal é de suma importância. A figura 3.3 mostra a curva
V-I de um BJT operando como chave.
• Quando o transístor está desligado não há corrente de colector, seja qual for o valor
de VCE.
• Quando o transístor está ligado, a tensão VCE eh zero, seja qual for a corrente do
colector. Um transístor tem características excelentes para o chaveamento ideal.
 Polarização de um transístor
• Quando um transístor for utilizado como uma chave de controle, a corrente
de base será fornecida pelo circuito de controle que estará conectado entre a
base e o emissor. O colector e o emissor actuam como terminais de potencia
da chave.
• A figura 3.4 mostra como um NPN é polarizado. A corrente de base da
entrada IB determina se o transístor estará desligado (sem corrente de carga
RC) ou ligado (permitindo o fluxo de corrente).
• A figura 3.5 mostra a recta da carga DC, a
qual representa todos os pontos possíveis.
O ponto P1 é o ponto de operação ideal
para funcionamento como chave quando a
chave estiver ligada.
• Neste caso, a corrente do colector IC eh
igual a VCC/RC e a tensão entre o colector
e emissor eh igual a 0.
• O ponto P4 eh o ponto de operação ideal
para ser utilizado como chave quando ela
estiver desligada. Nesse caso a corrente do
colector IC eh igual a zero e a tensão entre
o colector e emissor , igual a fonte de
tensão VCC.
• A linha traçada do ponto P1 ao P4 eh a recta de carga. A intersecção dessa recta
com a corrente de base eh o ponto de operação do transístor, determinado pelo
circuito externo ao transístor, isto eh, VCC e RC.
• No ponto P2, no qual a recta de carga interceta a curva IB=0 fica o ponto de
operação no corte. Nele a corrente do colector eh a corrente de fuga. A tensão
entre os terminais colector e emissor pode ser determinada com a aplicação da lei
de Kirchhoff das tensões (KVL), no laco de saída do transístor.
• O ponto P3, no qual a recta de carga interceta a curva IB=IB(sat), eh o ponto de
operação quando um BJT está ligado.
• Ele é denominado de ponto de saturação. Um transístor ligado tem uma
pequena queda de tensão (tensão de saturação, VCE(sat)) entre os terminais
coletor e emissor.
• A corrente do colector alcança um máximo nesse ponto e é dada por:
• A corrente de base mínima necessária para assegurar uma operação satisfatória é
dada por:

Onde:
• β- eh o ganho de corrente DC, que vale IC/IB
• Qualquer valor de IB maior do que o calculado com base na equação acima referida
garantira o estado ligado saturado.