ELETRÔNICA I –

TRANSISTORES
ELISAMA ROCHA DE CARVALHO DURÃES
2019/2
Transistores
◦ Transistores bipolares – Introdução
◦ Definições
◦ Tipos
◦ Polarização
◦ Configuração Emissor comum
◦ Operação do transistor
◦ Aplicação básica: o transistor como chave eletrônica
◦ Lógica digital Diodo-Transistor (DTL)
◦ Tipos e encapsulamentos
Definições
◦ Inventado nos laboratórios Bell por PhD John Bardeen, PhD William
Shockley e PhD Walter Houser Nobel de Física 1956.

◦ Basicamente, há 2 tipos principais: o transistor de junção bipolar

(Bipolar Junction Transistor–BJT) e o transistor de efeito de campo
(Field Effect Transistor–FET);

◦ O BJT é um dispositivo semicondutor de três terminais.

◦ Há dois tipos de BJT:

◦ NPN
◦ PNP
 Tipos
◦ O BJT possui duas junções (entre
materiais n e p). As junções são
semelhantes às junções nos diodos.
◦ Os três terminais do BJT são
chamados de Base (B), Coletor (C) e
Emissor (E).
◦ Tipos: NPN e PNP
◦ Junções: Base-Emissor, Base-Coletor
◦ A seta no símbolo define o sentido
(convencional) da corrente de
emissor.
NPN PNP
Polarização
◦ A diferença entre transistores NPN e
PNP é a polaridade das junções;
◦ O sentido das correntes e
polaridade das tensões para os
transistores NPN e PNP são
opostos(as).
◦ Transistores bipolares operam como
reguladores de corrente controlada
por corrente;
◦ As correntes IC e IE são controladas NPN PNP
pela corrente IB.
Polarização
◦ Aplicando a 1a Lei de Kirchhoff :

◦ Alfa cc: (em torno de 0,99)

◦ Beta cc: (Ganho de Corrente)

Exemplos
◦ Exemplo 6.1:

◦ Exemplo 6.2:

◦ Exemplo 6.3
Conexão Emissor Comum (EC)
◦ Emissor comum: o terra de cada
fonte é conectada ao emissor.
◦ VBB polariza o diodo emissor
diretamente.
◦ VCC polariza o diodo coletor
reversamente.
◦ A corrente da base controla a
corrente de coletor (variando IB
pode-se variar IC).
Como VE = 0:
 Curva da Base

Segunda
aproximação:

Exemplo figura acima. Qual

6.4:
 Operação do Transistor
◦ A operação do transistor pode
ser definida a partir da
polarização: Corrente de coletor
(IC) e a tensão Emissor-Coletor
(VEC);
◦ Regiões de operação: Saturação,
Ativa, Corte e Ruptura.
Aplicando a 2a Lei de Kirchhoff:
Curva Característica:

Potência dissipada no transistor:

 Operação do Transistor
◦ Região Ativa:
◦ Junção Base-Emissor polarizada
Ruptura
diretamente;
◦ Junção Coletor-Base polarizada
reversamente;
◦ IC controlada por IB : IC = βcc.IB
◦ VBE < VEC < VCC

◦ Região de Ruptura:
◦ IC e VEC excedem as
especificações do fabricante.
◦ Danifica o transistor!
VEC
 Operação do Transistor
◦ Região Saturação:
◦ Junção Base-Emissor polarizada diretamente;
◦ Junção Coletor-Base polarizada diretamente;
◦ IC atinge o valor máximo possível Ruptura
(independente da IB e do β).
◦ O valor máximo possível é determinado pelo
resistor de coletor RC e pela fonte de
alimentação VCC
◦ VEC ≈ 0, 2V
◦ Idealmente, VEC = 0V
◦ Região de Corte:
◦ Junção Base-Emissor polarizada
reversamente;
◦ IC = 0A VEC
◦ Terminais Coletor-Emissor “em aberto”.
Resumo
Tipos
Exemplo 6.5:
Exemplo 6.8:
 Reta de Carga

◦ Polarização de Base: mantém um valor fixo de corrente de base sob todas as

condições de operação.

Ponto de Saturação: Ponto de Corte:

Reta de Carga
Ponto de Saturação:

Ponto de Corte:
Exemplo 7.1
Exemplo 7.2
Exemplo 7.3
Exemplo 7.4
Ponto de Operação (Q)

•Fórmulas para
cálculo do ponto
Q:
Exemplo 7.5
Identificando a Saturação

• Considere que a tensão de

ruptura do transistor seja
maior que 20V.
Identificando a Saturação
Identificando a Saturação

Calculando Ic:

Calculando VEC:
Identificando a Saturação
Saturação Forte

Para β=10:
10
0,2
50.000

Assim, o transistor estará operando

Na saturação forte quando:
0,2
Identificando a Saturação
Forte
Exemplo 7.6
Transistor como Chave
Polarização do Emissor
•Precisamos de circuitos com o ponto Q imune à variações de ganho de
corrente.
•O resistor de base foi deslocado para o emissor.
•Ponto Q estável.
Calculando o ponto Q
Calculando o ponto Q
Exemplo 7-9
Polarização por Divisão de
Tensão (PDT)
Polarização por Divisão de
Tensão (PDT)
Exemplo 8.1
Ponto Q

Para RE = 2,2 kΩ: Para RE = 510 Ω:

 Regras para projeto do PDT
•É necessário conhecer Vcc e β;
•Tensão de emissor:
•RE :
•Ponto Q: projetado para 0,5Vcc
•Rc (0,4 Vcc):
•Divisor de tensão estável (100:1):
•R1:

•
Exemplo 8.4
Resumo
Resumo
Transistor PNP
Fonte de Alimentação
Negativa
Fonte de Alimentação Positiva
Exemplo 8.7