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Apostila de Eletrônica

Analógica/Potência

Sumário

1. Dispositivos semicondutores: diodos, tiristores e transistores. Diodos de junção, circuitos

com diodos e diodos especiais

4

1.1 Materiais extrínsecos tipo n e tipo p (Boylestad)

4

1.2 Diodos semicondutores (Boylestad)

4

1.3 Tiristores (Apostila)

6

1.4 Transistores (Boylestad)

7

2 Características e princípios de operação de dispositivos

10

2.1 Diodos de potência

10

2.2 Tiristores

11

2.3 GTO – Gate turn off thyristor

12

2.4 Transistor bipolar de potência - TBP

13

2.5 Transistor de efeito de campo – MOSFET

14

2.6 Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT

14

3 Transistores. Transistores bipolares. Análise para pequenos sinais. Operação como

amplificador

16

3.1 O transistor como amplificador

17

3.2 A análise para pequenos sinais

18

4 Transistores de efeito de campo (FET). Transistores MOS. Polarização, amplificadores e

características de ganho e freqüência. Amplificadores de sinais de potência

21

4.1 Estrutura e operação do MOSFET tipo enriquecimento

21

4.2 O MOSFET tipo depleção

22

4.3 O MOSFET como amplificador

22

4.4 Polarização de circuitos amplificadores MOSFET

24

4.5 Amplificadores MOS de estágio simples

26

4.6 Resposta em freqüência do amplificador FC

28

5 Tipos de comutação. Conversores CC/CC. Conversores CC/CA. Conversores CA/CC.

Comutação não dissipativa. Considerações de projetos: proteção de dispositivos e

circuitos de comando. Proteção e comutação de

30

5.1 Conversores CC/CC

30

5.2 Conversores CC/CA – Inversores

31

5.3 Conversores CA/CC – Retificadores

31

5.4 Comutação não dissipativa

32

5.5 Proteção de dispositivos e circuitos de comando

33

6 Retificadores, chaveadores e inversores. Operação em onda quadrada e PWM

35

6.1 Conversores CA/CC - Retificadores

35

6.2 Conversores CC/CA - Inversores

36

6.3 Modulação em onda quadrada

38

6.4 Modulação por largura de pulso – PWM

38

6.5 Conversores CC/CC

39

7 Harmônicos e filtros. Filtros ativos e aspectos frequenciais, filtros butterworth, filtros

chebyshev. Implementação de filtros e resposta em freqüência

41

7.1 Características dos filtros ativos e seus aspectos

41

7.2 Filtros Butterworth e Chebyshev

43

7.3 Implementação de Filtros

44

8 Características de amplificadores: ganho, eficiência, distorção, ruído, resposta em

freqüência, impedância de entrada e saída, configurações e estabilidade

48

8.1 Resposta em freqüência, estabilidade, distorção (boylestad 440)

48

8.2 Saturação

50

2

8.3

Eficiência (boylestad – 445)

50

8.4 Ruídos

50

8.5 Modos de configuração do amp-op

51

8.6 Impedância de entrada e saída

51

8.7 Ganho

52

8.8 Circuitos amp-ops práticos

53

9 Amplificadores operacionais. Configurações básicas. Circuitos com amplificadores

operacionais. Amplificadores realimentados e circuitos osciladores. Amplificações não

 

55

 

9.1 Configurações básicas

 

55

9.2 Circuitos amp-ops práticos

 

56

9.3 Amplificadores realimentados e circuitos osciladores

 

58

9.4 Aplicações não lineares

 

62

10

Conceitos

básicos

de

circuitos

digitais.

Blocos

lógicos.

Álgebra

booleana,

realização

e

minimização

de

funções

booleanas.

Portas

lógicas.

Circuitos

combinacionais. Circuitos seqüenciais. Flip-flops e Memória

 

66

 

10.1

Álgebra Booleana

 

66

10.2

Portas lógicas

66

10.3

Tabela da verdade

67

10.4

Circuitos lógicos

67

10.5

Leis Fundamentais e Propriedades da Álgebra Booleana

 

68

10.6

Derivação de expressões booleanas

 

69

10.7

Mapas de Karnaugh

 

70

10.8

Circuitos combinacionais

72

11 Comparadores, conversores AD/DA, temporizadores, circuitos PLL

77

 

11.1

Comparadores

 

77

11.2

Conversores Analógicos/Digitais

 

78

11.3

Temporizadores

 

81

11.4

Malha amarrada por fase – PLL

 

83

12 FPGA, Dispositivos

lógicos

programáveis.

Arquitetura

de

dispositivos

FPGA.

Linguagem descritiva de

 

85

 

12.1 Arquitetura de dispositivos FPGAs

 

85

12.2 Tecnologias de programação

86

12.3 Arquitetura de blocos lógicos

86

12.4 Arquitetura de roteamento

86

12.5 Linguagem descritiva de hardware

87

12.6 Comparação entre VHDL e Verilog

89

3

1. Dispositivos semicondutores: diodos, tiristores e transistores. Diodos de junção, circuitos com diodos e diodos especiais.

Os semicondutores são sólidos cristalinos de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes. Este tipo de elemento pode ser tratado quimicamente para transmitir e controlar uma corrente elétrica. Os materiais semicondutores são essenciais na fabricação de dispositivos eletrônicos tais como diodos, tiristores, transistores entre outros. Este texto tem como objetivo apresentar algumas informações a respeito dos dispositivos semicondutores. Para um melhor entendimento, o texto foi dividido em seções. Na primeira seção apresenta-se uma breve descrição dos materiais extrínsecos. Em seguida, inicia-se a apresentação de alguns dos dispositivos semicondutores mais comuns, bem como sua operação física e características mais relevantes.

1.1 Materiais extrínsecos tipo n e tipo p (Boylestad)

As características dos materiais semicondutores podem ser alteradas significativamente pela adição de certos átomos de impureza no material. Este processo é chamado de dopagem, e após essa modificação o material semicondutor passa a ser chamado de material extrínseco. Existem dois materiais extrínsecos de importância fundamental para a fabricação de um dispositivo semicondutor: tipo p e tipo n. Ambos são formados pela adição de um número pré determinado de impurezas em uma base de germânio ou silício.

- Material tipo n: criado através da introdução de impurezas com cinco elétrons de valência como antimônio, arsênio e fósforo. Após as ligações covalentes, um átomo permanecerá

desassociado de qualquer ligação covalente e estará livre para mover-se dentro do material tipo n formado.

- Material tipo p: formado através da dopagem do silício ou germânio puro com átomos de

impureza com 3 elétrons de valência (boro, gálio e índio). Após a dopagem existirá um número insuficiente de elétrons para completar as ligações covalentes da rede recém formada. A lacuna resultante é chamada de buraco e poderá aceitar rapidamente um elétron livre. Ambos os materiais p e n são eletricamente neutros.

livre. Ambos os materiais p e n são eletricamente neutros. 1.2 Diodos semicondutores (Boylestad) O diodo
livre. Ambos os materiais p e n são eletricamente neutros. 1.2 Diodos semicondutores (Boylestad) O diodo

1.2 Diodos semicondutores (Boylestad)

O diodo é um dos dispositivos mais simples e é formado juntando-se um material tipo n a um material tipo p, conforme apresentado na Fig. 1.

mais simples e é formado juntando-se um material tipo n a um material tipo p, conforme
mais simples e é formado juntando-se um material tipo n a um material tipo p, conforme

4

No momento em que os materiais são unidos, os elétrons e buracos na região de junção se combinam resultando em uma ausência de portadores nessa região próxima a junção. Essa região de íons positivos e negativos não combinados é chamada de região de depleção. A aplicação de uma tensão nos terminais do diodo conduz a 3 possibilidades: nenhuma polarização (Vd=0), polarização direta (Vd>0) e polarização reversa (Vd<0).

direta (Vd>0) e polarização reversa (Vd<0). Sem polarização Reversamente polarizado Fig. 2

Sem polarização

e polarização reversa (Vd<0). Sem polarização Reversamente polarizado Fig. 2 Diretamente polarizado Na

Reversamente polarizado Fig. 2

Sem polarização Reversamente polarizado Fig. 2 Diretamente polarizado Na ausência da tensão de

Diretamente polarizado

Na ausência da tensão de polarização, o fluxo resultante de carga em qualquer direção para um diodo semicondutor é zero. Quando um potencial externo Vd é conectado ao diodo de forma que o terminal positivo é ligado ao material n e o terminal negativo, ao material p, o efeito será um alongamento na região de depleção. Em um diodo ideal reversamente polarizado, não há fluxo de corrente e a tensão aplicada aos terminais irá aparecer como uma queda de tensão. Na prática porém o comportamento do dispositivo é diferente. A partir da aplicação de uma tensão reversa Vzk (chamada de tensão de ruptura) o diodo irá conduzir uma corrente Is chamada de corrente de saturação reversa. Finalmente, a polarização direta é estabelecida quando a tensão no anodo é maior que a tensão no catodo. Idealmente, nessa condição, passará pelo diodo uma corrente qualquer, e a queda de tensão é zero. No componente real existirá uma queda de tensão de aproximadamente 0,7 V, que é o potencial necessário para estabelecer um fluxo de corrente no dispositivo. As curvas i-v para um diodo de junção ideal e real são apresentadas na Fig. 3.

diodo de junção id eal e real são apresentadas na Fig. 3. Fig. 3 Os diodos

Fig. 3

Os diodos são utilizados nas mais diversas aplicações e para cada uma delas é necessário escolher o dispositivo adequado dentre os diferentes tipos existentes chamados de diodos especiais. Diodo zener: Este tipo de diodo tem as polaridades invertidas em ralação ao diodo convencional, bem como o fluxo de corrente. Varactores: Junções pn reversamente polarizadas exibem um efeito de armazenamento de

5

cargas que é modelado pela capacitância da camada de depleção Cj (que é função da tensão reversa Vr). Os varcatores são usados em uma série de aplicações, como na sintonia automática de receptores de rádios. Fotodiodos: utilizados para converter sinais luminosos em elétricos. A junção pn reversamente polarizada quando iluminada, sofre uma quebra de ligações covalentes e, portanto, gera pares de eletrons-lacunas na camada de depleção. O campo elétrico resultante leva a uma corrente reversa através da junção. Essa corrente conhecida como fotocorrente é proporcional à luz incidente. LEDs: O diodo emissor de luz realiza a função inversa do fotodiodo, ele converte corrente direta em luz. Os diodos são utilizados em diversas aplicações, entre as principais pode-se citar a retificação de tensão (retificador de meia onda, de onda completa e retificador em ponte) e circuitos limitadores e grampeadores. Abaixo são apresentados dois circuitos, na Fig. 4 o retificador em ponte para onda completa e na Fig. 5 um limitador.

em ponte para onda completa e na Fig. 5 um limitador. Fig. 4 1.3 Tiristores (Apostila)

Fig. 4

1.3 Tiristores (Apostila)

e na Fig. 5 um limitador. Fig. 4 1.3 Tiristores (Apostila) Fig. 5 Tiristor é o

Fig. 5

Tiristor é o nome genérico dado a família dos componentes compostos por 4 camadas semicondutoras pnpn. O tiristor SCR (Silicon Controled Rectifier) é o mais conhecido e aplicado dos tiristores e funciona analogamente a um diodo, porém possui um terceiro terminal conhecido como gatilho (gate ou porta). Esse terminal é responsável pelo controle da condução (disparo). Em condições normais de operação, para um SCR conduzir, além de polarizado adequadamente, deve receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso. Na Fig. 6 são mostradas a simbologia e as camadas e junções de um SCR.

no gati lho, geralmente um pulso. Na Fig. 6 são mostradas a simbologia e as camadas

Fig. 6

6

O SCR ideal se comportaria como uma chave ideal, ou seja, enquanto não recebe um sinal

de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tensões de valor infinito, tanto em polarização

direta ou reversa. Bloqueado, o SCR não conduziria. Já quando disparado o SCR se comportaria como um diodo ideal. Assim como os diodos, tais características seriam ideais e não se obtém na prática. Os SCRs têm portanto, limitações de bloqueio de tensão direta e reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tem limitações de condução de corrente e queda de tensão na barreira de potencial das junções causando aquecimento do componente.

potencial das junç ões causando aquecimento do componente. Fig. 7 Princípio de funcionamento Se entre anodo
potencial das junç ões causando aquecimento do componente. Fig. 7 Princípio de funcionamento Se entre anodo

Fig. 7

Princípio de funcionamento Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as junções J1 e J3 estarão diretamente polarizadas, enquanto j2 estará inversamente polarizada. Não haverá condução de corrente até que Vak se eleve a um valor de ruptura que provoque a ruptura da barreira de potencial em j2. Se Vgk for positiva, circulará uma corrente através de J3, desta forma, a junção reversamente polarizada tem sua diferença de potencial diminuída e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poderá persistir mesmo sem a corrente de porta. Se Vak for negativa, J1 e J3 estarão reversamente polarizadas, enquanto J2 estará diretamente polarizada e o bloqueio do componente é mantido.

polarizada e o bloqueio do componente é mantido. Disparo Existem várias maneiras de disparar o SCR,

Disparo Existem várias maneiras de disparar o SCR, sendo que a mais usual é o disparo da corrente de porta. Após entrar em condução, mesmo com a retirada da corrente de porta, o tiristor permanecerá conduzindo (desde que se mantenha a corrente mínima necessária para isso – corrente de manutenção).

A comutação ou desligamento do SCR pode ser natural (redução da corrente de anodo a

um valor abaixo da corrente de manutenção) ou forçada (utilizada em circuitos CC por exemplo).

Aplicações

A principal aplicação dos SCRs é na conversão e controle de grandes quantidades de

potencia em circuitos CC e CA, utilizando uma pequena potência de controle.

1.4

Transistores (Boylestad)

1.4.1

Transistor bipolar de junção – TBJ

O TBJ é um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada tipo p entre duas camadas

7

tipo n, ou uma camada tipo n entre duas p. Ambos são mostrados na Fig. 9, sendo que o primeiro é denominado npn e o segundo pnp.

9, sendo que o primeiro é denominado npn e o segundo pnp. Fig. 9 Um terminal
9, sendo que o primeiro é denominado npn e o segundo pnp. Fig. 9 Um terminal

Fig. 9

Um terminal é conectado a casa uma das três regiões do transistor, sendo denominadas de emissor (E), base (B) e coletor (C). O transistor consiste em duas junções pn, a junção emissor-base JEM e a junção coletor-base (JCB). Dependendo do tipo de polarização (direta ou reversa) de cada uma das junções, são obtidos diferentes modos de operação do TBJ.

Modo

JEB

JCB

Corte

Reversa

Reversa

Ativo

Direta

Direta

Saturação

Direta

Direta

Direta Direta Saturação Direta Direta A polarização do transistor para que este funcione no modo

A polarização do transistor para que este funcione no modo de operação desejado pode se dar através de três configurações diferentes: a configuração base-comum, emissor-comum e coletor-comum. Para melhor entender o princípio de operação dos transistores, tomemos como exemplo um tbj pnp na configuração base-comum.

Avaliando o circuito percebe-se que a junção JEB está reversamente polarizada, enquanto JCB está diretamente polarizada. Nessa situação a região de depleção JEB é reduzida em largura devido à tensão aplicada, resultando em um fluxo de denso de corrente do material p para o n. Já a região de depleção em JBC é aumentada resultando em uma redução do fluxo de corrente. De acordo com a tabela anterior, pode-se afirmar que o transistor encontra-se na região ativa e existe no circuito um fluxo de corrente conforme indicado na Fig. 10a.

circuito um fluxo de corrente conforme indicado na Fig. 10a. Fig. 11 Na Fig. 11 apresenta-se
circuito um fluxo de corrente conforme indicado na Fig. 10a. Fig. 11 Na Fig. 11 apresenta-se

Fig. 11

Na Fig. 11 apresenta-se o símbolo gráfico para os transistores pnp e npn. A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo convencional)

8

através do dispositivo. Todos os sentidos de corrente apresentados na Fig. 11 são os sentidos reais, definidos pelo fluxo convencional.

1.4.2 Transistor de efeito de campo (Field Effect Transistor) – FET

de efeito de campo (Field Effect Transistor) – FET Assim como para o TBJ, no FET

Assim como para o TBJ, no FET a tensão entre dois terminais controla a corrente que circula no terceiro terminal. A família dos dispositivos FET é construída de vários tipos diferentes de transistores, porém o MOSFET (transistor de efeito de campo metal oxido condutor) tornou-se o mais popular. A Fig. 12 mostra a estrutura física de um MOSFET tipo enriquecimento canal n. O transistor é fabricado sobre um substrato do tipo p, onde são criadas duas regiões

fortemente dopadas tipo n (fonte S, e dreno D). Uma fina camada de dióxido de silício (isolante) é crescida sobre a superfície do substrato, cobrindo a área entre as regiões de fonte e dreno. São feitos contatos de metal para as regiões de fonte, dreno, porta e corpo.

A principal característica do mosfet é que uma tensão na porta controla o fluxo de corrente

entre fonte e dreno.

Operação sem tensão de porta Sem uma tensão de polarização aplicada à porta, há dois diodos face a face em série entre o dreno e a fonte que impedem a circulação de corrente do dreno para a fonte quando

aplicada uma tensão vds. Para permitir a circulação de corrente, é necessário aplicar uma tensão positiva na porta. Essa tensão irá atrair os elétrons da região n+ para a região do canal, criando uma região n entre fonte e dreno. Agora se uma tensão vds for aplicada entre dreno e fonte, haverá um caminho para a circulação de corrente.

O valor de vgs mínimo para a formação de cana é chamado de tensão de limiar.

A porta o corpo do MOSFET formam um capacitor de placas paralelas. A tensão positiva na

porta cria um campo elétrico que atua na vertical e controla a quantidade de cargas no canal e

conseqüentemente, a corrente que circulará por ele quando aplicada uma tensão vds.

cargas no canal e conseqüentemente, a corrente que circulará po r ele quando aplicada uma tensão

Fig. 13

9

cargas no canal e conseqüentemente, a corrente que circulará po r ele quando aplicada uma tensão

Fig. 14

2

Características e princípios de operação de dispositivos semicondutores.

Os semicondutores são sólidos cristalinos de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes. Este tipo de elemento pode ser tratado quimicamente para transmitir e controlar uma corrente elétrica. Os materiais semicondutores são essenciais na fabricação de dispositivos eletrônicos tais como diodos, tiristores, transistores entre outros. Este texto tem como objetivo apresentar as características e princípios de operação de alguns dispositivos semicondutores de potencia. Para um melhor entendimento, o texto foi dividido em Seções.

2.1 Diodos de potência

Um diodo semicondutor é uma estrutura pn que dentro de seus limites de tensão e de corrente, permite a passagem de corrente em um único sentido.

A Fig. 1 mostra simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.

1 mostra simplificadamente, a estrutura interna de um diodo. Fig. 1 Um diodo de potencia, no

Fig. 1

Um diodo de potencia, no entanto, tem sua estrutura interna um pouco diferente da apresentada na Fig. 1. Nestes componentes, existe uma região n intermediaria, com baixa dopagem. O papel dessa região é permitir ao componente suportar tensões mais elevadas. Essa região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma significativa característica resistiva quando em condução. Já no estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um capacitor cuja carga é aquela presente na própria região de transição.

é aque la presente na própria região de transição. Na condução não existe tal carga, no

Na condução não existe tal carga, no entanto, à medida que cresce a corrente cria-se uma carga espacial no catodo, a qual terá que ser removida para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinâmico do diodo de potencia é na verdade muito diferente de uma chave ideal. Na Fig. 3 é ilustrada a característica dinâmica de um diodo de potencia. Na entrada em condução (1), o diodo pode ser considerado um interruptor ideal, pois ele comuta rapidamente. No bloqueio (2), a corrente do diodo torna-se negativa por um tempo, chamado de tempo de recuperação reversa. Durante esse período, são removidos os portadores de carga armazenados na junção durante a condução direta.

Tipos de diodos de potencia

- Diodos convencionais – trr não especificado, 50 ou 60Hz.

- Diodos rápidos e ultra rápidos: trr e carga armazenada na capacitância de junção

especificados pelo fabricante. Operação em médias e altas freqüências.

- Diodos Schottky – praticamente não existe tempo de recuperação (carga armazenada praticamente nula).

10

Fig. 3 2.2 Tiristores Tiristor é o nome genérico dado a famíli a dos componentes

Fig. 3

2.2 Tiristores Tiristor é o nome genérico dado a família dos componentes compostos por 4 camadas semicondutoras pnpn. O tiristor SCR (Silicon Controled Rectifier) é o mais conhecido e aplicado dos tiristores e funciona analogamente a um diodo, porém possui um terceiro terminal conhecido como gatilho (gate ou porta). Esse terminal é responsável pelo controle da condução (disparo). Em condições normais de operação, para um SCR conduzir, além de polarizado adequadamente, deve receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso. Na Fig. 4 são mostradas a simbologia e as camadas e junções de um SCR.

mostradas a simbologia e as camadas e junções de um SCR. Fig. 4 O SCR ideal

Fig. 4

O SCR ideal se comportaria como uma chave ideal, ou seja, enquanto não recebe um sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tensões de valor infinito, tanto em polarização direta ou reversa. Bloqueado, o SCR não conduziria. Já quando disparado o SCR se comportaria como um diodo ideal. Assim como os diodos, tais características seriam ideais e não se obtém na prática. Os SCRs têm portanto, limitações de bloqueio de tensão direta e reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tem limitações de condução de corrente e queda de tensão na barreira de potencial das junções causando aquecimento do componente.

de corrente e queda de tensão na barreira de potencial das junç ões causando aquecimento do
de corrente e queda de tensão na barreira de potencial das junç ões causando aquecimento do

Fig. 5

11

Princípio de funcionamento Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as junções J1 e J3 estarão diretamente polarizadas, enquanto j2 estará inversamente polarizada. Não haverá condução de corrente até que Vak se eleve a um valor de ruptura que provoque a ruptura da barreira de potencial em j2.

Se Vgk for positiva, circulará uma corrente

através de J3, desta forma, a junção

reversamente polarizada tem sua diferença de potencial diminuída e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poderá persistir mesmo sem a corrente de porta.

negativa, J1

diretamente polarizada e o bloqueio do componente é mantido.

polarizada e o bloque io do componente é mantido. Se Vak for e J3 estarão reversamente

Se

Vak

for

e J3 estarão

reversamente polarizadas, enquanto J2 estará

Disparo

Existem várias maneiras de disparar o SCR, sendo que a mais usual é o disparo da corrente de porta. Após entrar em condução, mesmo com a retirada da corrente de porta, o tiristor permanecerá conduzindo (desde que se mantenha a corrente mínima necessária para isso – corrente de manutenção).

A comutação ou desligamento do SCR pode ser natural (redução da corrente de anodo a

um valor abaixo da corrente de manutenção) ou forçada (utilizada em circuitos CC por

exemplo).

Aplicações A principal aplicação dos SCRs é na conversão e controle de grandes quantidades de potencia em circuitos CC e CA, utilizando uma pequena potência de controle.

2.3 GTO – Gate turn off thyristor

potência de controle. 2.3 GTO – Gate turn off thyristor O GTO possui uma estrutura de

O GTO possui uma estrutura de 4 camadas

típica dos componentes da família dos tiristores . Sua

característica principal é sua capacidade de entrar em condução e bloquear através de comandos adequados no terminal do gate.

O mecanismo de disparo é semelhante ao

SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente do gate é injetada, é iniciada a circulação da corrente anódica. Se esta corrente se manter acima da corrente de manutenção, o dispositivos não necessita de sinal de gate para manter-se conduzindo.

A Fig. 7 mostra o símbolo do GTO e uma

representação simplificada dos processos de

entrada e saída de condução do componente.

A aplicação de uma polarização reversa na junção gate-catodo pode levar ao

desligamento do GTO. Aparentemente seria possível tal comportamento também nos SCRs, as

diferenças no entanto, estão no nível da construção do componente.

A curva característica i-v para um GTO é apresentada na Fig. 8.

12

Fig. 8 2.4 Transistor bipolar de potência - TBP Embora seja um dispositivo tecnologicamente ultrapassado,

Fig. 8

2.4 Transistor bipolar de potência - TBP

Embora seja um dispositivo tecnologicamente ultrapassado, os TBPs representaram um

importante passo no desenvolvimento de componentes de média potência atingindo tensões de bloqueio da ordem de 1000 V, conduzindo correntes de 500 A.

A Fig. 9 mostra a estrutura básica de um transistor bipolar de junção.

a estrutura básica de um transistor bipolar de junção. Fig. 9 A operação normal de um

Fig. 9

A operação normal de um transistor npn é feita com a junção J1 (BE) diretamente

polarizada, e com J2 (BC) reversamente polarizada. O controle da tensão vbe determina a

corrente de base que por sua vez se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo.

A estrutura dos TBPs é diferente, para suportar tensões elevadas, existe uma camada

intermediária do coletor, com baixa dopagem , a qual define a tensão de bloqueio do

componente.

A Fig. 10 mostra uma estrutura típica de um transistor bipolar de potencia.

uma estrutura típica de um transistor bipolar de potencia. Fig. 10 É recomendável que o TBP

Fig. 10

É recomendável que o TBP trabalhe sempre na área de operação segura (AOS) para que

ele não se danifique . O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve às menores perdas em relação

13

aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutação do componente.

2.5 Transistor de efeito de campo – MOSFET

O MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) é um semiconductor totalmente controlado, através de uma tensão aplicada entre gate e fonte. Atualmente não existem transistores MOSFET para aplicações em potências mais elevadas. Os componentes disponíveis tem características típicas na faixa de: 1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem é a facilidade de acionamento, feita em tensão, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as aplicações de freqüência elevada (centenas de kHz).

Para permitir a circulação de corrente no MOSFET é necessário aplicar uma tensão positiva na porta. Essa tensão irá atrair os elétrons da região n+ para a região do canal criando uma região n entre fonte e dreno. Agora, se uma tensão vds for aplicada entre o dreno e a fonte haverá um caminho para a circulação de corrente.

a fonte haverá um caminho para a circulação de corrente. O valor de vgs mínimo para

O valor de vgs mínimo para a formação do canal é chamado de tensão de limiar. A

característica estática do MODFET é ilustrada na Fig. 12. A largura do canal depende da tensão

vgs-vds. A medida que aumenta-se vds, o canal se torna mais estreito e sua resistência aumenta correspondentemente.

estreito e sua resistência aumenta correspondentemente. Estes transistores, em geral, são de canal N por

Estes transistores, em geral, são de canal N por apresentarem menores perdas e maior

velocidade de comutação, devido à maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas.

A máxima tensão Vds é determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs não

apresentam segunda ruptura uma vez que a resistência do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associação em paralelo destes componentes. A tensão Vgs é limitada a algumas dezenas de volts, por causa da capacidade de isolação da camada de SiO2.

2.6 Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT

O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em

condução dos TBP. Sua velocidade de chaveamento é superior à dos transistores bipolares. Os limites atuais de tensão e corrente em dispositivos únicos estão em torno de 2kV e 1000A, o que

indica que tal componente pode ser utilizado (quando associado em série ou em paralelo) em aplicações de média potência.

14

A estrutura do IGBT é similar à do MOSFET, mas com a inclusão de uma camada P+ que

forma o coletor do IGBT, como se vê na Fig. 13.

P+ que forma o coletor do IGBT, como se vê na Fig. 13. Fig. 13 O

Fig. 13

O controle de componente é análogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicação de uma

polarização entre gate e emissor. Também para o IGBT o acionamento é feito por tensão. A máxima tensão suportável é determinada pela junção J2 (polarização direta) e por J1 (polarização reversa). Como J1 divide 2 regiões muito dopadas, conclui-se que um IGBT não

suporta tensões elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construção do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido às capacitâncias associadas à região P, a qual relaciona-se à região do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes não apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.

A entrada em condução é similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da

tensão Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da região P+.

A curva característica i-v é apresentada na Fig. 14.

P+. A curva característica i-v é apresentada na Fig. 14. Fig. 14 Conclusão Neste texto buscou-se

Fig. 14

Conclusão Neste texto buscou-se fazer um breve relato a respeito dos dispositivos semicondutores de potencia, suas características e princípios de operação. Estes componentes são de fundamental importância em aplicações de eletrônica de potencia, uma ciência que aborda a conversão e controle de fluxo de energia elétrica entre dois ou mais sistemas distintos.

15

Transistores. Transistores bipolares. Análise para pequenos sinais. Operação como amplificador.

3

O transistor bipolar de junção TBJ é um dispositivo semicondutor de três terminais : a base, o

coletor e o emissor. Em suma, a tensão de base controla o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor.

Ao longo deste texto será apresentada a estrutura básica do dispositivo, o princípio de funcionamento, além da análise para pequenos sinais e a operação como amplificador. Para um melhor entendimento o texto foi dividido em tópicos como segue. Estrutura do transistor e suas características

O transistor é um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada tipo p entre duas tipo

n ou uma camada tipo n entre duas tipo p. O primeiro tipo é o npn e o ultimo o pnp. Os dois tipos de transistores bipolares são mostrados na Fig. 1

tipos de transistores bipolares são mostrados na Fig. 1 Fig. 1 A polarização DC adequada se
tipos de transistores bipolares são mostrados na Fig. 1 Fig. 1 A polarização DC adequada se

Fig. 1

A polarização DC adequada se faz necessária para estabelecer a região ideal de

operação para a amplificação AC como será mostrado mais a frente. Os terminais são normalmente indicados pelas letras maiúsculas E – emissor, C – coletor e B – base.

O fluxo de corrente nesses dispositivos ocorre do emissor para o coletor nos transistores pnp e

do coletor para o emissor nos npn. Em função dessa característica, tem-se o símbolo usado para representar os transistores vistos na Fig.1, onde a seta no desenho indica o sentido do fluxo da corrente.

a seta no desenh o indica o sentido do fluxo da corrente. Para os dois transistores,

Para os dois transistores, a corrente que circula no emissor é a soma da corrente na base mais a corrente no coletor.

Ie=Ic+Ib

Polarização

As formas como são polarizadas as junções emissor-base e coletor-base, direta ou reversa,

são utilizadas para obter o modo de operação dos transistores.

Modo

JEB

JCB

Corte

Reversa

Reversa

Ativo

Direta

Direta

Saturação

Direta

Direta

O modo ativo é aquele em que o transistor é usado para operar como amplificador. As

aplicações de chaveamento utilizam os modos de corte e saturação.

As conexões entre os terminais do transistor podem ser feitas em 3 configurações: base

comum, coletor comum e emissor comum, sendo que a ultima é a mais freqüentemente utilizada.

16

3.1

O transistor como amplificador

Para operar como amplificador, um transistor deve ser polarizado na região ativa. O objetivo da polarização é estabelecer uma corrente CC constante no emissor (ou no coletor). Essa corrente deve ser previsível e insensível a variações na temperatura. A necessidade de manter uma corrente constante no coletor provem do fato de que a operação do transistor como amplificador é altamente influenciada pelo valor de polarização da corrente. Para entender o funcionamento do transistor como amplificador, considere o circuito

idealizado na Fig. 3.

amplificador, considere o circuito idealizado na Fig. 3. No circuito, a junção emissor-base está diretamente

No circuito, a junção emissor-base está diretamente polarizada pela bateria VBE. A polarização reversa da junção coletor-base é estabelecida pela conexão da fonte DC de alimentação VCC através do resistor RC. O sinal de entrada a ser amplificado está representado pela fonte de tensão vbe. Para que o circuito opere no modo ativo, a tensão no coletor (VC) deve ser maior que a tensão na base (VB) por um valor que permita oscilações com amplitude razoáveis no sinal de coletor e ainda mantenha o transistor na região ativa o tempo todo.

Corrente de coletor e transcondutância Quando o sinal vbe é aplicado conforme indicado na Fig. 3, a tensão emissor-base instantânea total vBE torna-se:

a tensão emissor-base instantânea total v BE torna-se: Se vbe << Vt é feita a aproximação

Se vbe << Vt é feita a aproximação para pequenos sinais e a corrente no coletor (ic) pode ser escrita como:

sinais e a corrente no coletor (ic) pode ser escrita como: Ic=corrente de polarização Vt =tensão
sinais e a corrente no coletor (ic) pode ser escrita como: Ic=corrente de polarização Vt =tensão
sinais e a corrente no coletor (ic) pode ser escrita como: Ic=corrente de polarização Vt =tensão

Ic=corrente de polarização Vt =tensão de limiar vbe=sinal aplicado Ic/Vt=Gm=transcondutância

Nos TBJs a transcondutância é diretamente proporcional a corrente de polarização do coletor Ic. Logo, para obter um valor previsível e constante para Gm, necessita-se um valor previsível e constante de Ic. Uma interpretação gráfica de Gm é apresentada na Fig. 4.

um valor previsível e constante de Ic. Uma interpretação gráfica de Gm é apresentada na Fig.

Fig. 4

17

Na Fig. 4 ilustra-se a operação linear do transistor na condição de pequenos sinais: um sinal pequeno vbe com forma de onda triangular é sobreposto q tensão CC VBE. Ela dá origem ao sinal de corrente de coletor ic com forma de onda também triangular, sobreposta a corrente CC Ic.ic=Gm.vbe.

A aproximação para pequenos sinais implica manter a amplitude do sinal suficientemente

pequena de modo que a operação fique restrita ao seguimento linear da curva exponencial da Fig.4. Aumentar a amplitude do sinal resultará em uma corrente de coletor com componentes

não-lineares. Conclui-se que para vbe<<Vt, o transistor se comporta como uma fonte de corrente controlada por tensão.

Corrente de base e resistência de entrada

A resistência de entrada para pequenos sinais entre base e emissor e a corrente de base,

olhando para o terminal da base é dado por:

de base, olhando para o terminal da base é dado por: Corrente de emissor e resistência

Corrente de emissor e resistência de entrada no emissor

Corrente de emissor e resistência de entrada no emissor A relação entre r π e re
Corrente de emissor e resistência de entrada no emissor A relação entre r π e re

A relação entre rπ e re é dada por:

entrada no emissor A relação entre r π e re é dada por: Ganho de tensão

Ganho de tensão

A excitação de um transistor por um sinal vbe na base-emissor faz com que uma corrente

proporcional a gm .vbe circule pelo terminal de coletor em uma alta impedância. Desse modo o transistor age como uma fonte de corrente controlada por tensão. Para obter um sinal de tensão na saída, deve-se forçar a corrente a circular por um resistor, conforme ilustra a Fig. 3.

O ganho de tensão desse amplificador é:

ilustra a Fig. 3. O ganho de tensão desse amplificador é: Onde: vc=-ic.Rc=-gm.v be .Rc 3.2

Onde: vc=-ic.Rc=-gm.vbe.Rc

3.2 A análise para pequenos sinais

Enquanto o transistor permanecer em operação para pequenos sinais é possível fazer a sua analise através de modelos equivalentes para pequenos sinais. Esses modelos são obtidos pelo teorema da superposição considerando apenas os efeitos das pequenas variações de tensão e corrente. Na análise em pequenos sinais, as fontes de tensão CC serão distribuídas por curtos-circuitos, enquanto as fontes de corrente por circuitos abertos. São apresentados a seguir os modelos equivalentes para pequenos sinais, o modelo π e o modelo T (são deduzidos para o transistor npn mas os conceitos valem para o pnp também).

Modelo π híbrido Esse modelo representa o TBJ como uma fonte de corrente controlada por tensão. Este é o modelo mais utilizado para o TBJ. Um modelo equivalente ligeiramente diferente pode ser obtido expressando –se a corrente da fonte controlada em termos da corrente de base.

18

Modelo T Embora o modelo π seja satisfatório para a maior parte das análises, há

Modelo T Embora o modelo π seja satisfatório para a maior parte das análises, há algumas situações em que o modelo T é mais apropriado. Assim como para o modelo π, no modelo T, o TBJ pode ser representado por uma fonte de corrente controlada por tensão ou por uma fonte de corrente controlada por corrente.

ou por uma fonte de corrente controlada por corrente. Diferente do modelo π -hibrido, o modelo

Diferente do modelo π-hibrido, o modelo T mostra explicitamente a resistência de emissor re, enquanto o π-hibrido mostra a resistência de base rπ. Tanto o modelo π-hibrido, quanto o modelo T rendem bons resultados, porém se maior precisão for requerida é aconselhável o uso do modelo π-hibrido expandido. Nesse modelo considera-se a presença do Efeito Early. Este efeito faz com que a corrente de coletor dependa não apenas de vBE, mas também de vCE. A dependência de vCE pode ser modelada atribuindo-se uma resistência finita na saída da fonte de corrente controlada do modelo π-hibrido.

Modelo π-hibrido expandido (sedra antigo)

π -hibrido. Modelo π -hibrido expandido (sedra antigo) Va – tensão Early Ic – corrente de

Va – tensão Early

Ic

– corrente de polarização CC

O

modelo π-hibrido para altas freqüências

Quando o transistor trabalha em altas freqüências é necessário considerar os efeitos capacitivos do modelo. Especificamente, há duas capacitâncias: a de emissor-base (cπ) e a de coletor-base (Cµ).

O circuito do modelo π-hibrido para altas freqüências é apresentado na Fig. 8.

19

Fig. 8 Conhecidos os modelos equivalentes para pequ enos sinais, sua aplicação para a análise

Fig. 8

Conhecidos os modelos equivalentes para pequenos sinais, sua aplicação para a análise do

TBJ

em operação com pequenos sinais faz da analise de circuitos amplificadores com transistores

um

processo sistemático. O processo consiste nos seguintes passos.

1 – Determinar o ponto de operação CC do TBJ e em particular o valor de Ic.

2 – Calcular os parâmetros gm, rπ e re.

3 – Eliminar as fontes CC substituindo: a fonte de tensão CC por curto e a fonte de corrente

CC

por circuito aberto.

4 – Substituir o TBJ pelo modelo equivalente mais adequado.

5 – Análise do circuito resultante para determinar as grandezas de interesse.

20

4 Transistores de efeito de campo (FET). Transistores MOS. Polarização, amplificadores e características de ganho e freqüência. Amplificadores de sinais de potência.

O transistor de efeito de campo – FET (Field Effect Transistor), é um dispositivo de três terminais. Assim como o TBJ (transistor bipolar de junção) a tensão entre dois terminais do FET controla a corrente que circula no terceiro terminal. Correspondentemente, o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como chave. Um tipo particular de FET, o transistor de Efeito de campo tipo metal oxido semicondutor(MOSFET) tornou-se extremamente popular. Comparado aos TBJs os transistores MOS podem ser feitos com dimensões muito pequenas e seu processo de fabricação é relativamente simples. Devido a esses fatores entre outros, atualmente a tecnologia MOS tem sido aplicada extensivamente ao projeto de circuitos integrados analógicos e digitais.

4.1 Estrutura e operação do MOSFET tipo enriquecimento

A Fig. 1 mostra a estrutura física de um MOSFET tipo enriquecimento canal n. O transistor é fabricado sobre um substrato tipo p, onde são criadas duas regiões fortemente dopadas tipo n (fonte – S e dreno – D). Uma fina camada de dióxido de silício (isolante) é crescida sobre a superfície do substrato, cobrindo a área entre as regiões de fonte e dreno. São feitos contatos de metal para as regiões de fonte, dreno, porta e corpo. A principal característica do MOSFET é que uma tensão na porta controla o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. Na ausência de uma tensão de porta, há dois diodos face a face em série entre fonte e dreno que impedem a circulação de corrente do dreno para a fonte quando aplicada uma tensão vds. Para permitir a circulação de corrente, é necessário aplicar uma tensão positiva na porta. Essa tensão irá atrair os elétrons da região n+ para a região do canal, criando uma região n entre fonte e dreno. Agora, se uma tensão vds for aplicada entre dreno e fonte, haverá um caminho para a circulação de corrente (Fig. 2).

um caminho para a circulação de corrente (Fig. 2). Fig. 2 O valor de vgs mínimo
um caminho para a circulação de corrente (Fig. 2). Fig. 2 O valor de vgs mínimo
um caminho para a circulação de corrente (Fig. 2). Fig. 2 O valor de vgs mínimo

Fig. 2

O valor de vgs mínimo para a formação de canal é chamado de tensão de limiar (Threshold) e é representado por Vt. Para um FET canal n, Vt é positivo e tipicamente está dentro de uma faixa de 1 a 3 V. A porta e o corpo do MOSFET formam um capacitor de placas paralelas com a camada de óxido agindo como dielétrico do capacitor. A tensão positiva na porta faz com que cargas positivas se acumulem na parte de cima da placa do capacitor. A carga negativa corresponde à placa de baixo e é formada pelos elétrons do canal induzido. Portanto, um campo elétrico está atuando na direção vertical. É esse campo que controla a quantidade de carga no canal. Logo, ele determina a condutividade e, por sua vez a corrente que circulará pelo canal quando vgs for aplicada.

21

Aumento de vds Mantendo-se vgs constante, com um valor maior que Vt e aumentando-se vds observa-se que o canal induzido sofre um estreitamento e sua resistência aumente correspondentemente. Se vds continuar aumentando a profundidade do canal no final do dreno diminui até próximo de zero e dizemos que o canal está estrangulado (Fig. 3).

de zero e dizemos que o canal está estrangulado (Fig. 3). Fig. 3 O gráfico da
de zero e dizemos que o canal está estrangulado (Fig. 3). Fig. 3 O gráfico da

Fig. 3

O gráfico da Fig. 3 apresenta o comportamento de iD versus vds. Na curva são identificadas

duas regiões: triodo e saturação.Se não houver a formação de canal, diz-se que o transistor está

em corte.

4.2 O MOSFET tipo depleção

Sua estrutura é similar a do MOSFET tipo enriquecimento, com uma diferença importante,:

ele possui um canal implantado fisicamente. Portanto, se a tensão vds for aplicada entre dreno e fonte, circulará corrente iD com vgs=0. Em outras palavras, não há necessidade de induzir um

canal.

A profundidade do canal e portanto sua condutividade podem ser controladas por vgs,

exatamente do mesmo modo para o dispositivo tipo enriquecimento.

4.3 O MOSFET como amplificador

Para entender o funcionamento do MOSFET como amplificador consideramos o circuito amplificador conceitual da Fig. 4. Ele utiliza um MOSFET tipo enriquecimento polarizado por uma tensão VGS, com o sinal de entrada a ser amplificado vgs, superposto à VGS. A tensão de saída é tomada no dreno.

à V GS . A tensão de saída é tomada no dreno. Fig. 4 Para que

Fig. 4

Para que o MOSFET possa operar como amplificador, inicialmente ele deve ser polarizado em um ponto dentro da região de saturação.

Ponto de polarização CC Fazendo vgs=0 encontra-se a corrente de dreno através de:

22

A tensão CC no dreno, VDS ou simplesm ente VD (já que S é aterrado),

A tensão CC no dreno, VDS ou simplesmente VD (já que S é aterrado), será:

VDS ou simplesm ente VD (já que S é aterrado), será: Para garantir a operação na

Para garantir a operação na região de saturação devemos ter:

garantir a operação na região de saturação devemos ter: Sinal de corrente no terminal do dreno

Sinal de corrente no terminal do dreno Considerando o sinal vgs aplicado, a tensão instantânea porta-fonte será:

vgs aplicado, a te nsão instantânea porta-fonte será: Na condição de pequenos sinais, a corrente de

Na condição de pequenos sinais, a corrente de dreno instantânea total iD pode ser expressa

por:

de dreno instantânea total i D pode ser expressa por: Onde id é dado por: O

Onde id é dado por:

total i D pode ser expressa por: Onde id é dado por: O parâmetro que relaciona

O parâmetro que relaciona id com vgs é a transcondutância gm dada por:

que relaciona id com vgs é a transcondutância gm dada por: A Fig. 6 apresenta uma

A Fig. 6 apresenta uma representação gráfica da operação em pequenos sinais para o amplificador MOSFET tipo enriquecimento.

uma repres entação gráfica da operação em pequenos sinais para o amplificador MOSFET tipo enriquecimento. Fig.

Fig. 6

23

Ganho de tensão

O ganho de tensão no amplificador é dado por:

de tensão O ganho de tensão no amplificador é dado por: Para o amplificador da Fig.

Para o amplificador da Fig. 4 apresenta-se as tensões instantâneas vgs e VD.

A fim de garantir a operação linear, é necessário que o sinal de entrada vgs tenha

amplitude menor que 2(VGS-Vt) que é a condição para pequenos sinais. Para operar na região de saturação o tempo todo, o valor mínimo de Vd não deve ser menor do que o valor correspondente de v G acima de Vt. Além disso, o valor máximo de vD deve ser menor que VDD.

disso, o valor máximo de v D deve ser menor que V DD . Fig. 7

Fig. 7

Quando o MOSFET opera na região de saturação, também atua como fonte de corrente controlada por tensão: mudanças na tensão porta-fonte vGS dão lugar a correspondentes mudanças na corrente de dreno iD. Conseqüentemente, o MOSFET saturado pode ser utilizado para implementar um amplificador de transcondutância. Para obter uma amplificação linear a partir de um dispositivo não linear que é o transistor, utiliza-se a polarização em CC do MOSFET. Para operar em certo vGS apropriado e um correspondente ID , e então superpor o sinal de tensão a ser amplificado vgs sobre a tensão de polarização CC VGS.

4.4 Polarização de circuitos amplificadores MOSFET

A polarização consiste no estabelecimento de um ponto de operação CC apropriado. Este

ponto é caracterizado por uma corrente de dreno ID previsível e estável e uma tensão de CC de dreno-fonte que determine a operação no modo de saturação quaisquer que sejam os níveis de sinal de entrada esperados.

Polarização de amplificadores discretos

A Fig. 8 mostra um arranjo de polarização

24

muito

empregado

quando

o

circuito

é

alimentado com uma única fonte de alimentação. O divisor de tensão (RG1 e RG2) estabelece uma tensão fixa na porta e o resistor de antipolarização RS está conectado à fonte. RD deve ser o menor possível para se obter elevado ganho, mas pequeno suficiente para permitir uma larga excursão do sinal de dreno mantendo o MOSFET na saturação.

do sinal de dreno mantendo o MOSFET na saturação. Fig. 8 Fig. 9 Quando duas fontes

Fig. 8

do sinal de dreno mantendo o MOSFET na saturação. Fig. 8 Fig. 9 Quando duas fontes

Fig. 9

Quando duas fontes de alimentação são disponíveis a montagem de polarização apresentadas na Fig. 9 pode ser empregada. O circuito tem o mesmo princípio de funcionamento do circuito da Fig. 8. RG estabelece um terra CC na porta e ao mesmo tempo é resistência de entrada para uma possível fonte de sinal capacitivamente acoplado a porta. Na Fig. 10 são apresentadas outras duas configurações. Em Fig. 10a uma fonte de corrente constante I é conectada ao terminal de fonte e estabelece I=ID. Já o circuito da Fig. 10b emprega um circuito de realimentação R G que força a tensão CC na porta a ser igual a do dreno.

que força a tensão CC na porta a ser igual a do dreno. Fig. 10a Fig.

Fig. 10a

a tensão CC na porta a ser igual a do dreno. Fig. 10a Fig. 10b Polarização

Fig. 10b

Polarização de amplificadores em CIs Os circuitos mostrados anteriormente não são adequados para a polarização de amplificadores MOS em CIs, devido ao fato de fazerem extensivo uso de resistores. Diante desses fatores, o circuito conhecido como espelho de corrente é amplamente utilizado para a polarização de amplificadores MOS em CIs. Quando dois transistores do circuito são idênticos, a corrente de referencia é replicada no terminal de saída (Iref=Io). O ganho de corrente ou razão de transferência é descrito pela equação abaixo (I=ID2).

de saída (I ref =I o ). O ganho de corrente ou razão de transferência é

25

4.5 Amplificadores MOS de estágio simples Amplificador Fonte –comum É a mais amplamente utilizada de

4.5 Amplificadores MOS de estágio simples

Amplificador Fonte –comum É a mais amplamente utilizada de todos os circuitos amplificadores de MOSFET. Para fixar a fonte um terra para sinal ou um terra CA, é utilizado um capacitor de alto valor Cs, entre fonte e terra. Esse capacitor é necessário para prover uma impedância muito baixa em todas as freqüências de interesse. O amplificador FC também pode vir acompanhado de uma resistência de fonte Rs. Essa resistência pode ser utilizada para controlar a amplitude do sinal vgs. Ambas as configurações são apresentadas a seguir:

vgs. Ambas as configurações são apresentadas a seguir: Fonte comum Rin=RG Av=-gm.(ro||RD||RL) Rout=ro||RD Modelo

Fonte comum Rin=RG Av=-gm.(ro||RD||RL) Rout=ro||RD

seguir: Fonte comum Rin=RG Av=-gm.(ro||RD||RL) Rout=ro||RD Modelo π para pequenos sinais. Característica inversora

Modelo π para pequenos sinais. Característica inversora

Modelo π para pequenos sinais. Característica inversora Fonte comum com resistência R out =R D Amplificador

Fonte comum com resistência

Característica inversora Fonte comum com resistência R out =R D Amplificador porta –comum Se estabelecermos um

Rout=RD

inversora Fonte comum com resistência R out =R D Amplificador porta –comum Se estabelecermos um terra

Amplificador porta –comum Se estabelecermos um terra para sinal no terminal de porta do MOSFET é obtida a configuração porta-comum.

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Rin=1/gm Av=gm.(RD||RL) Rout=RD Não é inversor. Rin baixa. Atua como amplificador de corrente com ganho

Rin=1/gm

Av=gm.(RD||RL)

Rout=RD

Rin=1/gm Av=gm.(RD||RL) Rout=RD Não é inversor. Rin baixa. Atua como amplificador de corrente com ganho unitário.

Não é inversor.

Rin baixa.

Atua como amplificador de corrente com ganho unitário. Modelo T. Desconsiderar ro.

Amplificador dreno –comum O terra para sinal é estabelecido no dreno. Conhecido popularmente como seguidor de fonte. Conhecido popularmente como seguidor de fonte.

O amplificador seguidor de fonte apresenta uma resistência de entrada muito alta,

resistência de saída baixa e ganho de tensão menor, mas muito próximo da unidade.

Utilizado normalmente como um amplificador casador de tensão com ganho unitário.

normalmente como um amplificador casador de tensão com ganho unitário. Tabela resumo: Rout=RO||1/gm ≈ 1/gm 27

Tabela resumo:

normalmente como um amplificador casador de tensão com ganho unitário. Tabela resumo: Rout=RO||1/gm ≈ 1/gm 27

Rout=RO||1/gm1/gm

normalmente como um amplificador casador de tensão com ganho unitário. Tabela resumo: Rout=RO||1/gm ≈ 1/gm 27
normalmente como um amplificador casador de tensão com ganho unitário. Tabela resumo: Rout=RO||1/gm ≈ 1/gm 27

27

4.6 Resposta em freqüência do amplificador FC O ganho do amplificado FC é dependente da
4.6 Resposta em freqüência do amplificador FC O ganho do amplificado FC é dependente da

4.6 Resposta em freqüência do amplificador FC

O ganho do amplificado FC é dependente da freqüência do sinal de entrada. Um esboço da resposta em freqüência para o amplificador é mostrado na Fig. 15. Para o amplificador FC, o ganho é praticamente constante na faixa de freqüências médias. A queda do ganho na faixa de baixas freqüências é decorrente do fato que, embora Cc1, Cc2 e Cs sejam capacitores elevador, à medida que a freqüência do sinal é reduzida, as impedâncias dos capacitores aumentam e eles deixam de funcionar como curtos-circuitos. Por outro lado, a queda no ganho na faixa de altas freqüências deve-se ao fato de que, embora Cgs e Cgd (capacitâncias internas do MOSFET) sejam pequenas, suas impedâncias diminuem substancialmente em altas freqüências e não podem mais ser considerados circuitos abertos. Obviamente, a faixa de freqüências médias é a faixa útil de operação do amplificador. fL e fH são as freqüências em que o ganho cai 3dB abaixo de seu valor na faixa de freqüências médias. A faixa de passagem é definida por:

BW=fH-fL

28

29

29

5

Tipos de comutação. Conversores CC/CC. Conversores CC/CA. Conversores

CA/CC. Comutação não dissipativa. Considerações de projetos: proteção de dispositivos e circuitos de comando. Proteção e comutação de tiristores.

A Eletrônica de potencia é a ciência que se ocupa do processamento da energia elétrica

visando obter maior eficiência e qualidade.

Os métodos empregados na eletrônica de potencia baseiam-se na utilização de dispositivos semicondutores operados em regime de chaveamento para realizar o controle de fluxo de energia e a conversão de formas de onda de tensões e correntes entre fontes e cargas.

O condicionamento de energia elétrica é feito por meio de circuitos eletrônicos chamados

de conversores estáticos que permitem converter a energia elétrica em corrente alternada para corrente continua e vice-versa.

O presente texto tem como objetivo fazer um breve relato à respeito dos conversores

estáticos de potencia, bem como algumas considerações de projeto como a proteção e circuitos de comando de dispositivos semicondutores.

A Fig. 1 mostra um esquema onde são identificados os principais tipos de conversores

estáticos.

identificados os principais tipos de conversores estáticos. Fig. 1 5.1 Conversores CC/CC Este tipo de conversor

Fig. 1

5.1 Conversores CC/CC Este tipo de conversor é aplicado em situações onde a fonte de alimentação disponível é

em corrente continua e a carga necessita de uma tensão CC variável.

A tensão fixa é convertida em uma tensão CC variável através de técnicas de modulação

por freqüência ou por largura de pulso (mais utilizada). Os conversores CC-CC podem ser comparados a um transformador CA com relação de espiras continuamente variável, permitindo assim, elevar ou abaixar a tensão que é aplicada na carga.

Os conversores CC-CC podem ser classificados em abaixadores e/ou elevadores de tensão.

Entre as várias topologias de conversores CC-CC (Buck, Boost, Buck-boost, Forward, Flyback,

etc.) apresenta-se como exemplo o conversor Buck ilustrado na Fig. 2

como exemplo o co nversor Buck ilustrado na Fig. 2 Fig. 2 O conversor Buck é

Fig. 2

O conversor Buck é um abaixador de tensão muito utilizado devido as boas características

obtidas. Seu funcionamento baseia-se, no armazenamento de energia em um indutor sob forma

30

de corrente (a mesma corrente que circula pela carga) e com tensão de saída dependente da largura dos pulsos da chave S.

5.2 Conversores CC/CA – Inversores

O conversor CC/CA tem como objetivo converter a tensão continua (CC) em uma tensão

alternada (CA) com freqüência e amplitude desejada. Os inversores tem ampla aplicação no controle de motores de corrente alternada, aquecimento indutivo, sistemas no-break e sistemas de potencia. Podem aparecer em duas topologias, meia ponte e ponte completa. A Fig. 3 mostra o circuito simplificado de um conversor CC/CA monofásico de ponte completa.

de um conversor CC/CA monofásico de ponte completa. Fig.2 O funcionamento do conversor CC/CA baseia-se no

Fig.2

O funcionamento do conversor CC/CA baseia-se no chaveamento dos IGBTs várias vezes

por ciclo gerando um trem de pulsos. Imagine que o circuito de lógica de controle que aciona os IGBTs, ligue-os de 2 a 2 na seguinte ordem:

- Primeiro tempo: T1 e T4 ligados, T3 e T2 desligados . Nessa situação, T1 e T4 conduzem, e a tensão VCC é aplicada à carga. A corrente circula do ponto B para o ponto A.

O resultado dos chaveamentos é uma onda quadrada de

magnitude VCC na carga.

VAB=VAO-VBO

Caso aumente-se a freqüência de chaveamento dos IGBTs, também aumenta a freqüência da tensão alternada na carga. Como os transistores operam como chaves (corte ou

saturação) a forma de saída do inversor é senoidal e contem certas harmônicas. Na prática, o uso da modulação por largura de pulso (PWM) torna a tensão de saída mais próxima da senoidal.

A estrutura para um conversor CC/CA trifásico pode ser

obtida pelo acréscimo de mais uma perna no inversor da Fig. 3.

pelo acréscimo de mais um a perna no inversor da Fig. 3. 5.3 Conversores CA/CC –

5.3 Conversores CA/CC – Retificadores

essencialmente a partir de uma rede de

distribuição em corrente alternada, no entanto, em algumas aplicações, a carga exige uma

tensão continua. A conversão CA/CC é realizada por conversores chamados retificadores.

O fornecimento de energia elétrica é feito

retificadores. O fornecimento de energia elétrica é feito Os retificadores são classificados segundo a sua capacidade
retificadores. O fornecimento de energia elétrica é feito Os retificadores são classificados segundo a sua capacidade

Os retificadores são classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor da tensão

31

de saída (controlado X não controlado); de acordo com o número de fases da tensão alternada de entrada; e em função do tipo de conexão dos elementos retificadores (meia ponte X ponte completa). Os retificadores não controlados são aqueles que utilizam diodos como elemento de retificação, enquanto os controlados usam tiristores ou transistores.

A titulo de exemplo, apresenta-se na Fig. 5, uma ponte retificadora tiristorizada monofásica

alimentando uma carga resistiva. No primeiro semi-ciclo da tensão Vin, os tiristores T1 e T4 estarão diretamente polarizados aguardando que o sinal de disparo seja aplicado no gate. Após o ângulo de disparo α, os tiristores entram em corte e a corrente para de fluir pelos dispositivos. Nesse instante, T2 e T3 são polarizados diretamente possibilitando a entrada em condução. Na Fig. 5(b) são apresentadas as formas de onda Vin e Vo.

5.4 Comutação não dissipativa

Os conversores apresentados as seções anteriores tem o principio de funcionamento baseado na utilização de dispositivos semicondutores operando em regime de chaveamento. Nas topologias em que as chaves semicondutoras comutam a corrente total da carga a cada ciclo, elas ficam sujeitas a picos de potencia que colaboram para o stress do componente, reduzindo a vida útil do mesmo. Quando se aumenta a freqüência de chaveamento buscando reduzir o tamanho dos elementos de filtragem e dos transformadores, as perdas de comutação se tornam mais significativas, sendo em ultima análise , as responsáveis pela freqüência máxima de operação dos conversores. Por outro lado, caso a mudança de estado das chaves ocorra quando tensão e/ou corrente por elas for nula, o chaveamento se faz sem dissipação de potencia. Algumas topologias básicas possibilitam a comutação não dissipativa. Nos conversores ressonantes a carga vista pelo conversor é formada por um circuito ressonante e uma fonte de tensão e corrente. O dimensionamento adequado do par L/C faz com que a corrente e/ou a tensão se invertam, permitindo o chaveamento dos interruptores em situação de corrente e/ou tensão nulas, eliminando as perdas de comutação. Um exemplo de conversor ressonante com carga em série (SRL) é apresentado na Fig.6.

com carga em série (SRL) é apresentado na Fig.6. Fig. 6 Nos conversores quase ressonantes procura-se

Fig. 6

Nos conversores quase ressonantes procura-se associar as técnicas de comutação suave presentes nos conversores ressonantes às topologias usualmente empregadas em fontes (Buck, boost, cuk, etc). Os conversores quase ressonantes associam as chaves semicondutoras a um circuito ressonante (composto por um indutor e um capacitor) de modo que as mudanças de estado das chaves ocorram sempre sem dissipação de potência, seja pela anulação da corrente (ZCS: zero current switch), seja pela anulação da tensão (ZVS: zero voltage switch).

A Fig. 6 mostra estruturas das chaves ressonantes, as quais, substituindo os interruptores nas

topologias básicas, permitem operá-los sempre em comutação suave.

32

Fig. 7 Se os interruptores são impl ementos de forma que seja po ssível a

Fig. 7

Se os interruptores são implementos de forma que seja possível a passagem da corrente apenas num sentido, ele é dito de meia onda. Se a corrente poder circular com ambas as polaridades, tem-se o interruptor de onda completa. Na Fig. 7 apresenta-se os circuitos do conversor Buck convertido para operar com ZCS e ZVS. Note que a única alteração é a substituição do interruptor simples pelos interruptores descritos anteriormente.

simples pelos interruptores descritos anteriormente. Fig.8 5.5 Proteção de dispositivos e circuitos de comando

Fig.8

5.5 Proteção de dispositivos e circuitos de comando Os circuitos de comando devem proporcionar aos semicondutores o sinal adequados e no

instante desejado para que esses componentes entrem em condução corretamente. Para os tiristores entrem, por exemplo, existem requisitos fundamentais para o projeto do circuito de comando e disparo.

- O sinal do gatilho deve ter amplitude adequada e tempo de subida curto.

- A largura do pulso de gatilho deve ser maior que o tempo necessário para a corrente anodo-catodo passar o valor da corrente de retenção.

- O sinal de gatilho deve ser removido após o disparo (evitar perdas).

- Quando reversamente polarizado é desaconselhável haver sinal de gatilho.

- Em circuitos 3φ garantir a defasagem de 120º nos sinais.

Basicamente, existem 3 tipos de sinais de disparo: sinais AC, sinais CC e sinais pulsados. A partir de uma avaliação do tipo de circuito decide por um dos 3 métodos. Proteção Em circuitos tiristorizados existem diferentes tensões em diversos pontos. O circuito de potencia que o tiristor controla é submetido a tensões elevadas, já o circuito do controle do disparo é alimentado com baixas tensões. Portanto, é necessário um circuito que isole eletricamente o tiristor e seu circuito de controle e os mantenha acoplados. A isolação e o acoplamento podem ser feitos por:

Acopladores magnéticos: transformadores de pulso Acopladores ópticos: opto acopladores

33

Os circuitos de disparo e os acopladores devem ser conectados aos gatilhos dos tiristores através de um ou mais componentes de proteção. A fig. 8 apresenta um circuito com os componentes de proteção do gatilho do SCR.

com os componentes de proteção do gatilho do SCR. Fig. 8 Rgk: reduz tempo de desligam

Fig. 8

Rgk: reduz tempo de desligamento e aumenta correntes de retenção e manutenção. Dgk: proteger o gatilho contra tensões negativas. Cgk: remove componentes de ruídos de alta freqüência R1: limita a corrente de gatilho D1: garante a unidirecionalidade da corrente de disparo.

34

Retificadores, chaveadores e inversores. Operação em onda quadrada e PWM

6

A Eletrônica de potencia é a ciência que se ocupa do processamento da energia elétrica

visando obter maior eficiência e qualidade. Os métodos empregados na eletrônica de potencia baseiam-se na utilização de

dispositivos semicondutores operados em regime de chaveamento para realizar o controle de fluxo de energia e a conversão de formas de onda de tensões e correntes entre fontes e cargas.

O condicionamento de energia elétrica é feito por meio de circuitos eletrônicos chamados

de conversores estáticos que permitem converter a energia elétrica em corrente alternada para corrente continua e vice-versa.

Este texto tem como objetivo fazer um breve relato a respeito dos conversores estáticos de potencia e sua operação em onda quadrada e pwm.

A Fig. 1 mostra um esquema onde são identificados os principais tipos de conversores

estáticos.

identificados os principais tipos de conversores estáticos. Fig. 1 6.1 Conversores CA/CC - Retificadores O fornecimento

Fig. 1

6.1 Conversores CA/CC - Retificadores

O fornecimento de energia elétrica é feito essencialmente a partir de uma rede de

distribuição em corrente alternada, no entanto, em algumas aplicações, a carga exige uma tensão continua. A conversão CA/CC é realizada por conversores chamados retificadores. Os retificadores são classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor da tensão de saída (controlado X não controlado); de acordo com o número de fases da tensão alternada de entrada (monofásico, trifásico, hexafásico, etc); e em função do tipo de conexão dos elementos retificadores (meia ponte X ponte completa). Os retificadores não controlados são aqueles que utilizam diodos como elemento de retificação, enquanto os controlados usam tiristores ou transistores. Usualmente topologias em meia ponte não são aplicadas. A principal razão é que, nesta

conexão, a corrente média da entrada apresenta um nível média diferente de zero. Topologias de ponte completa absorvem uma corrente média nula da rede, não afetando assim elementos eletromagnéticos.

A Fig. 2 mostra um retificador monofásico não controlado de ponte completa.

assim elementos eletromagnéticos. A Fig. 2 mostra um retificador monofásico não controlado de ponte completa. Fig.
assim elementos eletromagnéticos. A Fig. 2 mostra um retificador monofásico não controlado de ponte completa. Fig.

Fig. 2

35

Durante os semi-ciclos positivos da tensão de entrada, Vsin é positivo e a corrente é conduzida por D1, o resistor R e diodo D4. Enquanto isso D2 e D3 estão em estarão reversamente polarizados. No semi-ciclo negativo, ocorrerá a situação inversa, D2 e D3 conduzirão enquanto D1 e D4 estarão em corte. No retificador não controlado a amplitude da tensão de saída CC é determinada pela amplitude da tensão de alimentação CA. Como pode observar-se na Fig. 2, a saída CC não é pura e contém componentes CA significativas, as quais recebem o nome de ondulação. Para eliminá-la costuma-se inserir um filtro depois do retificador. Quando é necessária a obtenção de uma tensão de saída CC variável é preciso substituir os diodos por SCRs. Com essa substituição obtém-se o retificador controlado ou retificador controlado por fase. Este circuito produz uma tensão CC variável cuja amplitude é obtida por meio de controle de fase, isto é, com o domínio do período de condução, variando o ponto no qual um sinal na porta é aplicado ao SCR. Ao contrário do diodo, o SCR não conduz automaticamente quando diretamente polarizado, para tanto, um pulso deverá ser aplicado à porta. Se o tempo de retardo do pulso na porta for ajustado, e esse processo for executado repetidamente, então, a saída do retificador poderá ser controlada. Um retificador de onda completa em ponte é apresentado na Fig. 3.

de onda completa em ponte é apresentado na Fig. 3. Fig. 3 Os SCRs disparam aos
de onda completa em ponte é apresentado na Fig. 3. Fig. 3 Os SCRs disparam aos

Fig. 3

Os SCRs disparam aos pares, com um ângulo de retardo igual a α. A estrutura para um retificador trifásico pode ser obtido pelo acréscimo de mais uma perna no retificador. Os retificadores controlados fornecem potencia CC para várias aplicações, como controle de velocidade para motores CC, carregadores de bateria e transmissão CC em alta tensão.

6.2 Conversores CC/CA - Inversores Os inversores são circuitos estáticos (isto é, não tem partes móveis) que convertem potencia

CC em potencia CA com freqüência e tensão ou corrente de saída desejada. A tensão de saída tem uma forma de onda periódica que, embora não senoidal, pode, com uma boa aproximação chegar a tal. Há vários tipos de inversores, classificados de acordo com o numero de fases, com a utilização de semicondutores de potencia, com os princípios de comutação e com as formas de onda da saída. Esses dispositivos são usados em muitas aplicações industriais, incluindo controles de velocidade para motores síncronos e de indução, aquecimento por indução, fontes de alimentação de funcionamento continuo (UPS) e transmissão em alta tensão. O funcionamento de um inversor básico pode ser entendido através do circuito em meia ponte mostrado na Fig. 4.

36

Fig. 4 As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte CC à carga

Fig. 4

Fig. 4 As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte CC à carga de

As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte CC à carga de modo alternado, o que produz uma forma de onda retangular CA.

     

Tensão de

Estado

S1

S2

saída

1

+

-

+E

2

-

-

0

3

-

+

-E

4

+

+

0

Os inversores de fonte de tensão VSI são os mais usados. Neles, a tensão da fonte de entrada CC é essencialmente constante e independente da corrente puxada pela carga. A tensão de entrada CC pode vir de uma fonte independente, como uma bateria, ou pode ser a saída de um retificador controlado. Um capacitor de valor grande é colado em paralelo com a entrada da linha CC para o inversor. O capacitor garante que os eventos de chaveamento não alterem de modo significativo a tensão CC. Ele carrega e descarrega, de acordo com a necessidade de fornecimento de uma saída estável. O inversor converte a tensão de entrada CC em uma onda quadrada CA na saída da fonte. Um VSI em ponte completa é apresentado na Fig. 5. As chaves são passadas para os estados ligado e desligado por pares em diagonal. Assim, ou as chaves S1 e S4 ou S2 e S3 vão para o estado ligado em um semi-ciclo (T/2). Portanto, a fonte CC fica ligada de maneira alternada à carga, em direções opostas. A freqüência de saída é controlada pelo abrir e fechar das chaves.

alternada à carga, em direções op ostas. A freqüência de saída é controlada pelo abrir e

37

alternada à carga, em direções op ostas. A freqüência de saída é controlada pelo abrir e

Estado

S1

S2

S3

S4

Tensão de saída

1 On

 

Off

Off

On

+E

2 Off

 

On

On

Off

-E

3 On

 

Off

Off

On

+E

4 Off

 

On

On

Off

-E

6.3 Modulação em onda quadrada

As leis de modulação são numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda retangular, numa freqüência constante (eventualmente até zero – sinal CC), porém ajustável. Uma tensão positiva é aplicada à carga quando S1 e S4 conduzirem. A tensão negativa é obtida complementarmente. O papel dos diodos associados às chaves é garantir um caminho para a corrente caso a carga apresente característica indutiva. Este tipo de modulação não permite o controle da amplitude nem o valor eficaz da tensão de saída, a qual poderia ser variada apenas se a tensão de entrada E fosse ajustável. Uma alternativa para ajustar o valor eficaz da tensão de saída e eliminar algumas harmônicas é a chamada onda quase quadrada, na qual se mantém um nível de tensão nulo sobre a carga durante certo período (Fig. 5b).

6.4 Modulação por largura de pulso – PWM

Outra forma de obter sinal alternado em baixa freqüência é através de uma modulação em alta freqüência. De maneira análoga, é possível obter esse tipo de modulação ao se comparar uma tensão

de referencia (que seja imagem da tensão de saída buscada), com um sinal triangular simétrico, cuja freqüência determine a freqüência de chaveamento.

A freqüência da onda triangular (chamada portadora) deve ser, no mínimo 10 vezes

superior à máxima freqüência da onda de referencia, para que se obtenha uma reprodução aceitável do sinal de referencia, agora modulado, na forma de onda sobre a carga, após efetuada a adequada filtragem.

A largura do pulso de saída do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da

referencia em relação com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma modulação por largura

de pulso , denominada, em inglês como Pulse Width Modulation (PWM).

A tensão de saída que é aplicada a carga é formada por uma sucessão de ondas

retangulares de amplitude igual a tensão de alimentação CC e duração variável (Fig. 6).

tensão de alimentação CC e duração variável (Fig. 6). Fig. 6 É possível ainda, obter uma

Fig. 6

É possível ainda, obter uma modulação a 3 níveis (positivo, negativo e zero). Este tipo de modulação apresenta menor conteúdo harmônico.

A geração de um sinal de 3 níveis é feita de acordo com a seguinte seqüência.

- Durante o semi-ciclo positivo, S1 permanece sempre ligado;

- O sinal PWM é enviado a S4 e o mesmo sinal barrado é enviado a S2.

- No semi-ciclo negativo, que permanece conduzindo é S3.

- O sinal PWM é enviado a S2 e o sinal barrado vai para S4.

38

Fig. 7 6.5 Conversores CC/CC Este tipo de conversor é aplicado em situações onde a

Fig. 7

6.5 Conversores CC/CC

Este tipo de conversor é aplicado em situações onde a fonte de alimentação disponível é em corrente continua e a carga necessita de uma tensão CC variável.

A tensão fixa é convertida em uma tensão CC variável através de técnicas de modulação

por freqüência ou por largura de pulso (mais utilizada). Os conversores CC-CC podem ser comparados a um transformador CA com relação de espiras continuamente variável, permitindo assim, elevar ou abaixar a tensão que é aplicada na

carga.

O valor médio da tensão de saída varia quando se altera a proporção do tempo no qual a

saída fica ligada à entrada. Essa conversão pode ser obtida pela combinação de um indutor e/ou capacitor e um dispositivo de estado sólido que opere no modo de chaveamento em alta freqüência. Há duas espécies fundamentais de conversores CC/CC: step-down ou Buck e step-up ou boost. O Buck fornece uma tensão de saída menos ou igual a tensão de entrada; o boost fornece tensão de saída maior ou igual a entrada. As aplicações típicas para os conversores CC/CC incluem controle de motores CC para tração elétrica., chaveamento de alimentadores de potencia elétrica e equipamentos operados por bateria.

Conversor Buck

e equipamentos operados por bateria. Conversor Buck Fig. 8 Com a chave conduzindo (diodo cortado), transfere-se

Fig. 8 Com a chave conduzindo (diodo cortado), transfere-se energia da fonte para o indutor e para o capacitor. Quando S desliga, o diodo conduz, dando continuidade à corrente no indutor. A energia armazenada em L é entregue ao capacitor e a carga.

Enquanto o valor instantâneo da corrente pelo indutor for maior que a corrente na carga, a diferença carrega o capacitor. Quando a corrente for menor, o capacitor se descarrega suprindo a diferença a fim de manter constante a corrente na carga. Se a corrente pelo indutor não vai a zero durante a condução do diodo diz-se que o circuito opera no modo de condução contínuo. Caso contrário tem-se o modo descontínuo.

O

conversor Buck é um abaixador de tensão muito utilizado devido as boas características

obtidas.

Conversor Boost Quando S é ligada, a tensão E é aplicada ao indutor. O diodo fica reversamente polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual será enviada ao capacitor e à carga quando S desligar. Também neste caso, tem-se a operação no modo continuo e descontinuo.

39

Fig. 9 Tanto o conversor Buck quanto o boost, tem a tensão de saída dependente

Fig. 9

Tanto o conversor Buck quanto o boost, tem a tensão de saída dependente da largura dos pulsos na chave S. A técnica de chaveamento mais utilizada é a PWM e é feita de forma similar à apresentada para o conversor CC/CA. A diferença é que para os conversores CC/CC a onda de referencia é uma onda CC. Um circuito simplificado para o controle da tensão de saída de um conversor Buck através da modulação por largura de pulso é apresentado na Fig. 10

Fig. 10

40

Harmônicos e filtros. Filtros ativos e aspectos frequenciais, filtros butterworth, filtros chebyshev. Implementação de filtros e resposta em freqüência.

7

Os filtros separam sinais desejados de sinais indesejados, bloqueiam sinais de interferência, fortalecem sinais de voz e vídeo e alteram sinais para outras evoluções. Um filtro deixa passar uma banda de freqüências e rejeita outra.

7.1 Características dos filtros ativos e seus aspectos relevantes.

A tecnologia mais antiga para a execução de filtros, faz uso de indutores e capacitores e os circuitos resultantes são chamados de filtros passivos LC. Esses filtros funcionam bem em altas freqüências, porém, em aplicações de baixas freqüências (até 100 kHz), os indutores necessários são volumosos e suas características não são ideais. Além disso, esses indutores não podem ser produzidos na forma monolítica (em CIs) e são incompatíveis com quaisquer técnicas modernas de montagem de sistemas eletrônicos. Portanto, o interesse em obter filtros que não necessitam de indutores é considerável. Dos vários tipos possíveis de filtros sem indutores, iremos ver com detalhes os filtros ativos RC e os filtros com capacitores chaveados. Os filtros ativos RC utilizam amp ops junto com resistores e capacitores e são fabricados usando a tecnologia discreta, a tecnologia híbrida de filmes espessos ou a tecnologia híbrida de filmes finos. Contudo, para a produção em alta escala, essas tecnologias não são tão econômicas quanto as obtidas pela fabricação monolítica. Em contrapartida, uma excelente alternativa para as aplicações que necessitam de um baixo custo, é o método de capacitores chaveados. Essa topologia utiliza apenas capacitores, de forma a reproduzir o comportamento de resistores, tornando a partilha de circuito integrado menor. Os filtros, de uma forma geral, são utilizados com o intuito de selecionar certas freqüências, que são as freqüências de interesse para uma determinada aplicação, e estão dentro da faixa especificada do espectro de freqüências.

7.1.1 Transmissão e função de transferência de filtros

A função de transferência do filtro é dada por:

filtros A função de transferência do filtro é dada por: A transmissão do filtro é representada

A transmissão do filtro é representada em termos de seu módulo e fase por:

filtro é representada em termos de seu módulo e fase por: O módulo da amplitude é

O módulo da amplitude é sempre expresso em dB em termos da função de ganho:

é sempre expresso em dB em termos da função de ganho: Ou alternativamente pela função de

Ou alternativamente pela função de atenuação:

de ganho: Ou alternativamente pela função de atenuação: 7.1.2 Tipos de filtros e características ideais Cada

7.1.2 Tipos de filtros e características ideais

Cada filtro tem idealmente uma faixa de freqüência (ou faixas) na qual o módulo da amplitude é unitário (faixa de passagem) e a faixa de freqüências (ou faixas) na qual o módulo da transmissão é zero (faixa de bloqueio). Na Fig. 1, temos uma representação dos quatro tipos principais de filtros: passa-baixas (PB),

passa-altas (PA), passa-faixa (PF) e rejeita-faixas (RF).

41

Essas características idealizadas, em virtude de suas bordas verticais, são conhecidas como respostas tipo barreira.

Essas características idealizadas, em virtude de suas bordas verticais, são conhecidas como respostas tipo barreira.

7.1.3 Especificação de um filtro

As respostas ideais apresentadas anteriormente são impossíveis de realizar em circuits práticos. A especificação de um filtro deve ser feita com base em parâmetros que determinam uma transmissão aceitável para o filtro, que pode aproximar-se mais ou menos do caso ideal. No entanto, quanto mais se pretender um filtro próximo do ideal, mais complexo será o circuito eletrônico respectivo.

A transmissão de um filtro passa-baixo por exemplo é especificada com 4 parametros:

1 – borda da faixa de passagem, wp

2 – variação máxima permitida na transmissão da faixa de passagem, Amax

3 – borda da faixa de bloqueio, ws

4 – atenuação mínima necessária para a faixa de bloqueio.

atenuação mínima necessári a para a faixa de bloqueio. As especificações para os outros tipos de

As especificações para os outros tipos de filtros são feitas com base em parâmetros

42

análogos. Como na prática, um circuito físico não pode mudar abruptamente na faixa de

passagem, as especificações da Fig. anterior apresentam uma faixa de freqüências na qual a atenuação aumenta de cerca de 0dB a Amin. Essa faixa de transição se estende de wp a ws.

A razão de ws/wp é usada como medida da nitidez do filtro passa-baixas e é chamada de

fator de seletividade. Quanto mais rigorosa for a especificação de um filtro, mais próxima será a resposta desse filtro da ideal. Porém, o circuito do filtro resultante, deverá ser de ordem mais alta e, portanto, mais

complexo e de maior custo.

7.2 Filtros Butterworth e Chebyshev

Duas funções são normalmente usadas na aproximação das características de transmissão dos filtros, são elas a aproximação de Butterworth e a aproximação de Chebyshev. A seguir serão apresentadas as aproximações Butterworth e Chebyshev para um filtro passa-baixas mas as funções de aproximação podem ser utilizadas para o projeto de outros filtros pelo uso das transformações de freqüência.

7.2.1 Filtro Butterworth

A Fig. 3 mostra um esboço da resposta em freqüência de um filtro butterworth . Esse filtro,

que é um passa-baixas, exibe uma diminuição monotônica na transmissão com todos os zeros de transmissão em w=, tornando-o um filtro somente de pólos.

A função de módulo para um filtro Butterworth de n-ésima ordem, com a borda da faixa de

passagem (wp), é dada por:

ordem, com a borda da faixa de passagem (w p ), é dada por: O parâmetro

O parâmetro ɛ determina a variação máxima da transmissão na faixa de passagem (AMAX), de acordo com:

transmissão na faixa de passagem (A MAX ), de acordo com: Observe que, na resposta do

Observe que, na resposta do filtro Butterworth, o desvio máximo da transmissão na faixa de passagem ocorre apenas na borda dessa faixa de passagem. Quanto maior for a ordem N do filtro, mais plana será a sua resposta e mais próximo do ideal a resposta se aproximará.

osta e mais próximo do ideal a resposta se aproximará. 7.2.2 Filtro Chebyshev A Fig. 11.12
osta e mais próximo do ideal a resposta se aproximará. 7.2.2 Filtro Chebyshev A Fig. 11.12

7.2.2 Filtro Chebyshev

A Fig. 11.12 mostra funções de transmissão representativas para os filtros Chebyshev de ordens par e ímpar.

43

O filtro Chebyshev exibe uma resposta de equiondulação na faixa de passagem e uma diminuição

O filtro Chebyshev exibe uma resposta de equiondulação na faixa de passagem e

uma diminuição monotônica da transmissão na faixa de bloqueio. Enquanto o filtro de ordem ímpar possuir |T(0)|=1, o filtro de ordem par exibirá seu desvio máximo de módulo em w=0. Em ambos os casos, o número total de valores máximos e mínimos da faixa de

passagem é igual à ordem N do filtro. Todos os zeros de transmissão dos filtros Chebyshev são em w=, fazendo com que ele se torne um filtro somente de pólos.

O módulo da amplitude da função de transferência de um filtro Chebyshev de n-

ésima ordem com uma borda da faixa de passagem wp é dado por:

ordem com uma borda da faixa de passagem wp é dado por: O parâmetro ɛ determina
ordem com uma borda da faixa de passagem wp é dado por: O parâmetro ɛ determina

O parâmetro ɛ determina a variação máxima da transmissão na faixa de passagem (AMAX),

de acordo com:

transmissão na faixa de passagem (A MAX ), de acordo com: O filtro Chebyshev proporciona uma

O filtro Chebyshev proporciona uma aproximação mais eficiente do que o filtro Butterworth.

Logo, para a mesma ordem e para o mesmo Amáx, o filtro Chebyshev proporciona uma maior atenuação para a faixa de bloqueio do que o filtro Butterworth.

7.3 Implementação de Filtros

Os filtros de primeira e segunda ordem podem ser ligados em cascata para obter filtros de ordens mais altas. O projeto em cascata é realmente, um dos métodos mais populares para o projeto de filtros ativos que utilizam circuitos RC e amp-ops Abaixo apresenta-se alguns tipos de filtros e sua implementação através de circuitos RC – amp op

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Tipo de filtro

Passa-baixas

Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação

Passa-altas

Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação

Genérico

Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação

Curva de bode

Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação

Implementação

Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação
Tipo de filtro Passa-baixas Passa-altas Genérico Curva de bode Implementação

O filtro passa-todas é mostrado abaixo. Embora sua transmissão seja idealmente constante em todas as freqüências, sua fase mostra uma seletividade em freqüência. Este tipo de filtro é usado como deslocadores de fases.

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Passa todas
Passa todas

Um dos problemas existentes para a produção na forma de CIs dos filtros ativos RC, é a necessidade de capacitores de altos valores (o que é difícil de obter nos circuitos integrados) e de constantes de tempo RC precisas (já que devido ao processo de fabricação dos CIs, nem sempre consegue-se controlar totalmente os processos.

A saída natural a esses problemas foi procurar uma alternativa que não dependesse desses

fatores, foi então que surgiu a técnica de filtro ativos com capacitores chaveados.

A técnica de filtros com capacitores chaveados está baseada na hipótese de que um

capacitor chaveado entre dois nós de um circuito, operando a uma taxa suficientemente alta, é equivalente à conexão de um resistor entre esses dois nós. Ou seja, o chaveamento do capacitor no circuito “simula” o comportamento de um resistor. Para permitir uma melhor compreensão do seu funcionamento, considere o integrador RC ativo mostrado na Fig. 5, que é o integrador Miller. Na mesma figura temos esse integrador

implementado apenas com capacitores e dois transistores MOS funcionando como chaves.

capacitores e dois transistores MOS funcionando como chaves. As duas chaves MOS são acionadas por um

As duas chaves MOS são acionadas por um clock de duas fases não-superpostas. Na primeira fase o capacitor C1 está conectado à entrada, fazendo com que ele se carregue. Já na segunda etapa, o segundo transistor irá conectar o capacitor ao amp op, fazendo com que a carga armazenada apareça na saída.

A constante que relaciona o capacitor com uma resistência equivalente (Req) é dada pela

seguinte relação.

r com uma resistência equivalente (R eq ) é dada pela seguinte relação. Onde T c

Onde Tc é o período de chaveamento.

46

A precisão das razões dos capacitores na tecnologia MOS pode ser controlada até em uma faixa de 0,1%. Como os capacitores ocupam tipicamente áreas relativamente grandes de pastilha do CI, é importante observar que essas precisões são obtidas com capacitores de valores tão baixos quanto 0,2pF.

47

Características de amplificadores: ganho, eficiência, distorção, ruído, resposta em freqüência, impedância de entrada e saída, configurações e estabilidade.

8

Os amplificadores operacionais são circuitos que realizam operações matemáticas como soma, subtração, integração e derivação do ponto de vista do sinal. O amplificador operacional é um dispositivo de 3 terminais sendo duas entradas (inversora e não inversora) e uma saída. Além destes 3 terminais, existem ainda dois terminais que são conectados à fonte de alimentação (geralmente simétrica).

O símbolo do componente e a forma como se conecta à fonte é vista na
O
símbolo do componente e a forma como se conecta à fonte é vista na Fig. 1.
Fig. 1
O
ponto de referencia aterrado nos circuitos dos amp-ops é justamente o terminal comum

da fonte simétrica, isto é, não há nenhum terminal do encapsulamento do amp-op fisicamente acoplado ao terra.

O amp-op é projetado para operar com um sensor da diferença entre os sinais de tensão

aplicados em seus terminais de entrada, multiplicando-se ente vetor por um número A (que é o ganho diferencial do amplificador), que resulta na tensão de saída: vo=A(v2-v1). Em um amp-op ideal é suposto que nenhuma corrente de entrada é drenada, isto é, a

corrente do sinal no terminal 1 e 2 são ambas iguais a zero. Ou seja, a impedância de entrada do amp-op é supostamente infinita.

O terminal 3 é suposto como se fosse o terminal de uma fonte de tensão ideal. Isto é, a

tensão entre o terminal 3 e o terra é sempre igual a A(v2-v1) e será independente da corrente que possa ser drenada do terminal 3 por uma impedância da carga. Ou seja, a impedância de saída do amp-op ideal é supostamente igual a zero.

8.1 Resposta em freqüência, estabilidade, distorção (boylestad 440)

Um amp-op ideal é projetado para ser um amplificador de alto ganho, com ampla banda- passante. Esta operação tende a ser instável (oscilar) devido aos efeitos de realimentação positiva. Para que seja assegurada uma operação estável, os amp-ops são construídos com circuitos de compensação interna que podem reduzir o ganho em malha aberta com o aumento

da freqüência. Essa redução no ganho é chamada de roll-off. Em muitos amp-ops o roll-off ocorre numa taxa de -20dB por década. Embora as especificações do amp-op listem o ganho de tensão em malha aberta, o usuário conecta, normalmente utiliza resistores de realimentação para reduzir o ganho do circuito a um valor muito menor. Vários benefícios são obtidos com a redução do ganho:

O ganho de tensão do amplificador é mais estável e preciso quando estabelecido por

resistores externos. A impedância de entrada do circuito assume um valor maior que do amp-op isolado.

A impedância de saída do circuito assume um valor menor do que do amp-op isolado.

A resposta em freqüência do circuito ocupa uma faixa maior que do amp-op isolado.

8.1.1 Ganho – Banda passante

Devido aos circuitos de compensação interna existentes em um amp-op, o ganho de tensão cai com o aumento da freqüência.

A Fig. 2 mostra uma curva do ganho versus freqüência para um amp-op típico.

48

Em baixas freqüências, próximo a operação dc, o ganho é dado por AVD (ganho de tensão diferencial) e é tipicamente um valor muito grande. Quando a freqüência do sinal de entrada aumenta, o ganho de malha aberta cai, até finalmente atingir o valor unitário. A freqüência neste valor de ganho é especificada pelo fabricante como banda passante de ganho unitário, B1. Embora esse valor seja associado a uma freqüência na qual o ganho torna-se 1, pode ser considerada também uma largura de faixa, pois representa a banda de freqüências de 0Hz até a freqüência que proporciona o ganho unitário (f1).

a freqüência que proporciona o ganho unitário (f 1 ). Fig. 2 Outra freqüência de interesse

Fig. 2

Outra freqüência de interesse esta representada na Fig. 3 é a freqüência em que o ganho cai 3 dB (ou para 0,707 do ganho AVD), sendo esta a freqüência de corte do amp-op, fc. A freqüência de ganho unitário e a freqüência de corte estão relacionadas por:

e a freqüê ncia de corte estão relacionadas por: 8.1.2 Taxa de subida Parâmetro que reflete

8.1.2 Taxa de subida Parâmetro que reflete a capacidade do amp-op de operar com sinais variantes.

a capacidade do am p-op de operar com sinais variantes. Se ao amp-op for aplicado um

Se ao amp-op for aplicado um sinal com taxa de variação de tensão maior que a taxa de

subida, a saída não será capaz de variar suficientemente rápido, e não cobrirá a faixa completa

esperada, resultando em um sinal ceifado ou distorcido. A saída não será uma versão amplificada do sinal de entrada se a taxa de subida não for respeitada.

8.1.3 Máxima freqüência do sinal

A máxima freqüência de sinal em que um amp-op pode operar depende da banda

passante(B) e da taxa de subida (TS).

Para um sinal senoidal da forma:

e da taxa de subida (TS). Para um sinal senoidal da forma: Para evitar distorção na

Para evitar distorção na saída, a taxa de variação deve ser menor que a taxa de subida, isto é:

2πfKTS

wKTS

Tal que:

49

8.2 Saturação Dizemos que o amp-op está saturado quando o sinal de saída não pode

8.2 Saturação

Dizemos que o amp-op está saturado quando o sinal de saída não pode mais variar sua amplitude. Na prática o nível de saturação é da ordem de 90¢ do valor de ±Vcc. Assim, por exemplo, se o amp-op é alimentado com ±15V, a saída alcançará uma saturação positiva de aproximadamente 13,5 V, e uma saturação negativa de aproximadamente -13,5 V. As Figs. abaixo representam graficamente este efeito.

V. As Figs. abaixo representam graficamente este efeito. 8.3 Eficiência (boylestad – 445) Os fabricantes fornecem
V. As Figs. abaixo representam graficamente este efeito. 8.3 Eficiência (boylestad – 445) Os fabricantes fornecem

8.3 Eficiência (boylestad – 445)

Os fabricantes fornecem um grande número de gráficos para descrever o desempenho do amp-op. A Fig. 2 inclui algumas curvas de desempenho típicas comparando várias características em função da fonte de tensão. O ganho de tensão em malha aberta aumenta a medida que aumenta o valor da fonte de tensão.

aumenta a medida que aumenta o valor da fonte de tensão. Fig. 4 Uma outra curva

Fig. 4

Uma outra curva de desempenho mostra como o consumo de potencia varia em função da fonte de tensão. O consumo de potencia aumenta com valores maiores de fontes de tensão. Por exemplo, enquanto a dissipação de potencia é cerca de 50mW com Vcc=±15V, ela cai para 5mV com Vcc=±5V. As duas outras curvas mostram como as resistências de entrada e saída são afetadas pela freqüência.

8.4 Ruídos

Chama-se de ruído os sinais elétricos indesejáveis que podem aparecer nos terminais de qualquer dispositivo eletro-

50

de ruído os sinais elétricos indesejáveis que podem aparecer nos terminais de qualquer dispositivo eletro- 50

eletrônico. Motores elétricos, linhas de transmissão, descargas atmosféricas, radiações eletromagnéticas, etc, são as principais fontes de ruídos. Um método prático para diminuir (paliar) os efeitos dos ruídos consiste em melhorar o terra do circuito e dos equipamentos envolvidos.

Utilizando circuitos integrados se obtem uma boa proteção contra os ruídos conectando um capacitor de ordem de 0,1µF entre o + Vcc e o - Vcc do Amp-op e a terra. O capacitor deriva as correntes parasitas, normalmente de alta freqüência, que se produzem nos condutores que alimentam o circuito. Quando os amp-ops utilizam a realimentação negativa, a possibilidade de penetração de ruído pelas entradas de sinal, assim como os que podem aparecer na saída é bastante reduzida.

8.5

Modos de configuração do amp-op

8.5.1

Sem alimentação

Ou configuração em malha aberta. O ganho do amp-op vem determinado pelo fabricante, por tanto não se tem controle sobre ele. Este tipo de configuração é muito útil em circuitos comparadores.

de configuração é muito útil em circuitos comparadores. 8.5.2 Com realimentação positiva (configuração

8.5.2 Com realimentação positiva (configuração não-inversora)

Configuração em malha fechada. Tem o incoveniente de desestabilizar o circuito. Uma aplicação prática se dá nos circuitos osciladores.

Uma aplicação prática se dá nos circuitos osciladores. 8.5.3 Com realimentação negativa (configuração

8.5.3 Com realimentação negativa (configuração inversora)

Modo

de

configuração

mais

importante

em

circuitos

com

amplificadores

operacionais. Suas aplicações são numerosas: somador, diferenciador, integrador, etc.

são numerosas: somador, diferenciador, integrador, etc. 8.6 Impedância de entrada e saída 8.6.1

8.6

Impedância de entrada e saída

8.6.1

Impedância de entrada

A

impedância

de

entrada

aumenta

consideravelmente

inversora conforme indica a equação:

consideravelmente inversora conforme indica a equação: com a Onde: Zif é a impedância de entrada do

com

a

Onde: Zif é a impedância de entrada do circuito; B é o ganho de realimentação

51

configuração

A é o ganho em malha aberta (definido pelo fabricante)

8.6.2 Impedância de entrada

A impedância de saída diminui consideravelmente conforme indica a equação:

8.7

Ganho

consideravelmente conforme indica a equação: 8.7 Ganho 8.7.1 Configuração Inversora Os sinais a serem aplicados

8.7.1 Configuração Inversora

Os sinais a serem aplicados às entradas do amplificador operacional podem ser conectados de duas formas: na entrada inversora e não-inversora. Um circuito onde o sinal de entrada é conectado a entrada inversora é mostrado na Fig. 2.

é conectad o a entrada inversora é mostrado na Fig. 2. Fig. 2 Para analisar este

Fig. 2

conectad o a entrada inversora é mostrado na Fig. 2. Fig. 2 Para analisar este circuito

Para analisar este circuito é preciso lembrar que devido ao ganho A ser muito alto, a tensão que aparece no terminal positivo será praticamente igual ao que aparece no terminal negativo (v2v1). Dizemos então que existe um curto-circuito virtual entre os terminais de entrada. Isso nos permite que para o circuito analisado a tensão zero presente no terminal positivo aparecerá no terminal negativo. A partir dessa consideração e lembrando que a impedância de entrada do amp-op é infinita, garantindo que nenhuma corrente entre no dispositivo, poderemos calcular o valor do ganho em malha fechada.

v

+

= 0

i

1

= i

2

i =

1

v

1

R

1

v

0

0

= − i R =−

2

.

2

v

1

R

1

.R

2

Sendo assim, podemos calcular o ganho vo/vi que será:

v

0

=−

v .

i

R

2

v

0

R

2

⇒ =−

R 1 R

v

i

1

O ganho em malha fechada é simplesmente a razão das duas resistências R2 e R1.

O sinal menos significa que o ganho em malha fechada provoca uma inversão no sinal de saída com relação ao sinal de entrada.

A dependência dos componentes passivos externos R1 e R2 significa que podemos

fazer o ganho em malha fechada tão preciso quanto a precisão dos componentes

passivos selecionados. Isso significa também que o ganho em malha fechada é idealmente independente do ganho do amp-op. O amplificador tem um ganho A muito elevado, e pela aplicação de uma realimentação negativa obtivemos um ganho em malha fechada R2/R1 que é menor que A, porém estável e preciso. Isto é, negociamos o ganho pela precisão. Na prática porém para que a dependência entre o ganho em malha fechada G, e o ganho em malha aberta seja reduzido é necessário fazer:

52

8.7.2 Configuração não -inversora Se o sinal de entrada for aplicado no terminal da entrada

8.7.2 Configuração não -inversora

Se o sinal de entrada for aplicado no terminal da entrada não inversora como mostra a Fig. 3, pode-se utilizar as mesmas condições da análise anterior.

O sinal vi irá aparecer no terminal de entrada inversora, onde iniciaremos nossa análise.

Sendo assim:

v

0

v

0

=

=

v

i

v

⎛ ⎜ ⎜

i +

1

+

i =

1

v

i

R

1

v

0

v

1

2

.

R

R

1

2

⎟ ⎟ ⇒

v

o

R

R

2

R

1

1

= +

1

R

v

i

=

v

i

+

i . R

2

2

i

1

= i

2

Ou seja, o valor do ganho em malha fechada é igual a 1 mas a razão R2/R1 que é o ganho positivo.

é igual a 1 mas a razão R2/R1 que é o ganho positivo. Fig. 3 8.8

Fig. 3

8.8 Circuitos amp-ops práticos

O amp-op pode ser conectado a uma grande variedade de circuitos estabelecendo várias

possibilidades operacionais.

Circuito seguidor de tensão

O circuito seguidor de tensão mostrado na Fig. 4 fornece um ganho unitário sem inversão de

polaridade ou fase.

um ganho unitário sem inversão de polaridade ou fase. Fig. 4 A propriedade de alta impedância

Fig. 4

A propriedade de alta impedância de entrada na configuração não inversora é uma característica muito desejável. Ela permite a utilização do circuito como um amplificador isolador (Buffer) para conectar um estágio com uma alta impedância de saída a uma baixa impedância.

Circuito somador

53

No circuito somador, a tensão de saída é a soma ponderada dos sinais de entrada v1, v2,

v3,

,

vn.

a soma ponderada dos sina is de entrada v1, v2, v3, , vn. Fig. 5 Circuito

Fig. 5

Circuito integrador inversor

O circuito de um integrador inversor é apresentado na Fig. 6. Nesse circuito coloca-se um

capacitor no caminho de realimentação.

coloca-se um capacitor no caminho de realimentação. Fig. 6 O circuito da Fig. 6 realiza a
coloca-se um capacitor no caminho de realimentação. Fig. 6 O circuito da Fig. 6 realiza a

Fig. 6

O circuito da Fig. 6 realiza a operação matemática de integração. Este circuito é inversor e

também conhecido como integrado Miller. Os integradores podem ser empregados para gerar

ondas triangulares em resposta a ondas quadradas aplicadas na entrada.

O circuito diferenciador inversor

Intercambiar a posição do capacitor com a do resistor no circuito integrador, resulta no circuito da Fig. 7, que realiza a função matemática de diferenciação.

7, que realiza a função matemática de diferenciação. Fig. 7 A resposta em freqüência do circuito

Fig. 7

A resposta em freqüência do circuito diferenciador pode ser entendida como um filtro

passa-altas com constante de tempo simples e freqüência de corte infinita.

O circuito diferenciador, por sua própria característica de funcionamento, faz com que ele

seja um diferenciador de ruídos, o que o torna pouco utilizado.

54

9 Amplificadores operacionais. Configurações básicas. Circuitos com amplificadores operacionais. Amplificadores realimentados e circuitos osciladores. Amplificações não lineares.

Os amplificadores operacionais são circuitos que realizam operações matemáticas como soma, subtração, integração e derivação do ponto de vista do sinal. O amplificador operacional é um dispositivo de 3 terminais sendo duas entradas (inversora e não inversora) e uma saída. Além destes 3 terminais, existem ainda dois terminais que são conectados à fonte de alimentação (geralmente simétrica).

O símbolo do componente e a forma como se conecta à fonte é vista na
O
símbolo do componente e a forma como se conecta à fonte é vista na Fig. 1.
Fig. 1
O
ponto de referencia aterrado nos circuitos dos amp-ops é justamente o terminal comum

da fonte simétrica, isto é, não há nenhum terminal do encapsulamento do amp-op fisicamente acoplado ao terra.

O amp-op é projetado para operar com um sensor da diferença entre os sinais de tensão

aplicados em seus terminais de entrada, multiplicando-se ente vetor por um número A (que é o ganho diferencial do amplificador), que resulta na tensão de saída: vo=A(v2-v1). Em um amp-op ideal é suposto que nenhuma corrente de entrada é drenada, isto é, a

corrente do sinal no terminal 1 e 2 são ambas iguais a zero. Ou seja, a impedância de entrada do amp-op é supostamente infinita.

O terminal 3 é suposto como se fosse o terminal de uma fonte de tensão ideal. Isto é, a

tensão entre o terminal 3 e o terra é sempre igual a A(v2-v1) e será independente da corrente que possa ser drenada do terminal 3 por uma impedância da carga. Ou seja, a impedância de saída do amp-op é idealmente igual a zero.

9.1 Configurações básicas

Os sinais a serem aplicados às entradas do amplificador operacional podem ser conectados de duas formas: na entrada inversora e não-inversora. Um circuito onde o sinal de entrada é conectado a entrada inversora é mostrado na Fig. 2.

é conectad o a entrada inversora é mostrado na Fig. 2. Fig. 2 Para analisar este

Fig. 2

conectad o a entrada inversora é mostrado na Fig. 2. Fig. 2 Para analisar este circuito

Para analisar este circuito é preciso lembrar que devido ao ganho A ser muito alto, a tensão que aparece no terminal positivo será praticamente igual ao que aparece no terminal negativo (v2v1). Dizemos então que existe um curto-circuito virtual entre os terminais de entrada. Isso nos permite que para o circuito analisado a tensão zero presente no terminal positivo aparecerá no terminal negativo.

A partir dessa consideração e lembrando que a impedância de entrada do amp-op é

55

infinita, garantindo que nenhuma corrente entre no dispositivo, poderemos calcular o valor do ganho em malha fechada.

v

+

= 0

i

1

= i

2

i =

1

v

1

R

1

v

0

0

= − i R =−

2

.

2

v

1

R

1

.R

2

Sendo assim, podemos calcular o ganho vo/vi que será:

v

0

=−

v

i

.

R

2

v

0

R

2

⇒ =−

R

1

v

i

R

1

Ou seja, o ganho em malha fechada para uma configuração inversora é a razão entre as resistências R1 e R2.

Se o sinal de entrada for aplicado no terminal da entrada não inversora como mostra a Fig. 3, pode-se utilizar as mesmas condições da análise anterior.

pode-se utilizar as mesmas condições da análise anterior. Fig. 3 O sinal vi irá aparecer no

Fig. 3

O sinal vi irá aparecer no terminal de entrada inversora, onde iniciaremos nossa análise.

Sendo assim:

v

0

v

0

=

=

v

i

v

i

1

+

+

i =

1

v

i

R

1

v

0

v

1

R

R

2

⎟ ⇒

1

2

v

o

.R

R

2

R

1

v

i

R

1

= +

1

=

v

i

+

i .R

2

2

i

1

= i

2

Ou seja, o valor do ganho em malha fechada é igual a 1 mas a razão R2/R1 que é o ganho positivo.

9.2 Circuitos amp-ops práticos

O amp-op pode ser conectado a uma grande variedade de circuitos estabelecendo várias

possibilidades operacionais.

Circuito seguidor de tensão

O circuito seguidor de tensão mostrado na Fig. 4 fornece um ganho unitário sem inversão de

polaridade ou fase.

circuito seguidor de tensão mostrado na Fig. 4 fornece um ganho unitário sem inversão de polaridade

Fig. 4

56

A propriedade de alta impedância de entrada na configuração não inversora é uma

característica muito desejável. Ela permite a utilização do circuito como um amplificador isolador

(Buffer) para conectar um estágio com uma alta impedância de saída a uma baixa impedância.

Circuito somador No circuito somador, a tensão de saída é a soma ponderada dos sinais de entrada v1, v2,

v3,

,

vn.

a soma ponderada dos sina is de entrada v1, v2, v3, , vn. Fig. 5 Circuito

Fig. 5

Circuito integrador inversor

O circuito de um integrador inversor é apresentado na Fig. 6. Nesse circuito coloca-se um

capacitor no caminho de realimentação.

coloca-se um capacitor no caminho de realimentação. Fig. 6 O circuito da Fig. 6 realiza a
coloca-se um capacitor no caminho de realimentação. Fig. 6 O circuito da Fig. 6 realiza a

Fig. 6

O circuito da Fig. 6 realiza a operação matemática de integração. Este circuito é inversor e

também conhecido como integrado Miller. Os integradores podem ser empregados para gerar ondas triangulares em resposta a ondas quadradas aplicadas na entrada.

O circuito diferenciador inversor Intercambiar a posição do capacitor com a do resistor no circuito integrador, resulta no circuito da Fig. 7, que realiza a função matemática de diferenciação.

7, que realiza a função matemática de diferenciação. Fig. 7 A resposta em freqüência do circuito

Fig. 7

A resposta em freqüência do circuito diferenciador pode ser entendida como um filtro

passa-altas com constante de tempo simples e freqüência de corte infinita.

O circuito diferenciador, por sua própria característica de funcionamento, faz com que ele

seja um diferenciador de ruídos, o que o torna pouco utilizado.

57

9.3

Amplificadores realimentados e circuitos osciladores

A técnica de realimentação é bastante utilizada em circuitos com amplificadores

operacionais. Dependendo da polaridade relativa do sinal que é realimentado no circuito, podemos ter realimentação positiva ou negativa.

A realimentação negativa produz uma redução no ganho de tensão, trazendo várias

vantagens à alguns circuitos. Realimentação positiva leva o circuito a oscilar, produzindo vários tipos de circuitos osciladores.

Uma conexão típica de realimentação está exposta na Fig. 8.

conexão típica de realimentação está exposta na Fig. 8. Fig. 8 Se o sinal de realimentação

Fig. 8

Se o sinal de realimentação tiver polaridade oposta ao sinal de entrada, conforme a Fig. 8, a

realimentação é negativa. Há redução do ganho de tensão total, mas várias melhorias são

obtidas, entre as quais pode-se citar.

1 – Impedância de entrada mais alta;

2 – Ganho de tensão mais estável;

3 – Resposta em freqüência melhorada;

4 – Impedância de saída mais baixa;

5 – Ruído reduzido;

6 – Operação mais linear.

Tipos de conexão de realimentação

Há quatro maneiras básicas de se realizar a realimentação. Tanto a tensão como a corrente

podem ser realimentadas para a entrada em série ou em paralelo.

O ganho sem realimentação, A, corresponde ao estágio amplificador. Com realimentação,

β, o ganho total do circuito é reduzido por um fator de (1+βA). - Realimentação de tensão em série

fator de (1+ β A). - Realimentação de tensão em série Uma parte da tensão de

Uma parte da tensão de saída é realimentada em série com o sinal de entrada, resultando em redução do ganho total. Se Vf=0 (não houver realimentação)

do ganho total. Se Vf=0 (não houver realimentação) Se um sinal de realimentação Vf for conectado

Se um sinal de realimentação Vf for conectado em série com uma tensão de saída, então: Vi=Vs-Vf Assim:

Se um sinal de realimentação Vf for conectado em série com uma tensão de saída, então: