IGBT

Prof. Bruno Raniere

 IGBT
O nome IGBT, é uma sigla de origem na
Língua Inglesa e significa Insulated Gate
Bipolar Transistor ou, em Português
Transistor Bipolar de Porta Isolada. O
IGBT é um semicondutor de potência que
alia as características de chaveamento dos
transistores bipolares com a alta
impedância dos MOSFETs apresentando
baixa tensão de saturação e alta
capacidade de corrente.
 IGBT
O IGBT é uma invenção recente. A primeira geração de dispositivos
desse tipo na década de 1980 e início dos anos 90 possuíam
chaveamento relativamente lento e seu desligamento não ocorria
enquanto existisse corrente fluindo.

A segunda geração de IGBT apresentava melhoria e atualmente, os

dispositivos de terceira geração são muito melhores com
velocidade de chaveamento equiparada à dos MOSFETs além de
excelente tolerância à sobrecarga e durabilidade.
 IGBT
Basicamente, o IGBT pode ser analisado também como um
MOSFET acionando um transistor bipolar.
 IGBT
Os transistores bipolares de potência possuem características que
permitem sua utilização no controle de elevadas correntes com
muitas vantagens, como baixas perdas no estado de condução.

No entanto, as suas características de entrada, exigindo correntes

elevadas de base, já que operam como amplificadores de
corrente, trazem certas desvantagens em algumas aplicações.
 IGBT
Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de
potência podem também controlar potências elevadas com
muitas vantagens pelo fato de exigirem tensão para o disparo,
pois, embora sejam dispositivos de alta impedância têm como
desvantagem uma baixa velocidade de comutação devida às
capacitâncias de porta (Gate) que aumentam com a intensidade
de corrente (Largura do canal) que deve ser controlada. No
entanto, para baixas correntes de condução através do canal, o
MOSFET pode operar com elevadas frequências.
 IGBT
O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua
elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em
condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua
velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas
características mais lentas – as quais são devidas às características
do TBP. Assim, a velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos TBP; no
entanto, nos últimos anos tem crescido gradativamente,
permitindo a sua operação em frequências de dezenas de kHz, nos
componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas
de Ampères.
 IGBT
Juntando o que há de bom nesses dois tipos
de transistores, o IGBT é um componente
que se torna cada vez mais recomendado
para comutação de carga de alta corrente em
regime de alta velocidade.

Graças às suas características o IGBT possui

larga escala de aplicação em diversas
indústrias, como robótica, soldagem e
automotivo.
 IGBT
Simbologia
 Características e especificações
Máximos Absolutos (Absolute Maximum Ratings)

VCES – Tensão máxima entre o coletor e o emissor – é o valor

máximo de tensão permitido entre o coletor e o emissor quando
a comporta e o emissor são colocados em curto. Se esta tensão
for ultrapassada o IGBT será destruído pelo rompimento da
junção entre o coletor e o emissor.
 Características e especificações
VGES – Tensão máxima entre comporta e emissor – é o valor
máximo de tensão permitido entre estes dois eletrodos.
Normalmente situa-se entre 20 e 25 V dependendo da espessura
da camada de óxido que isola a comporta. Deve ser verificado o
datasheet específico do componente.
 Características e especificações
IC – Corrente de coletor – normalmente especificada para uma
temperatura ambiente de 25°C. É a corrente máxima DC que
pode ser conduzida pelo dispositivo nas condições de
temperatura indicadas pelo fabricante. Nas aplicações práticas,
costuma-se considerar a temperatura do invólucro do dispositivo
num valor de 100°C.
 Características e especificações
PD – Potência máxima de dissipação – normalmente especificada
pela uma temperatura ambiente de 25°C ou ainda para uma
temperatura do invólucro de 10°C. É a potência máxima que o
dispositivo pode dissipar.
 Características e especificações
Características Elétricas (Electrical Characteristics)
a) Com o componente desligado (off)
BVCES – Tensão de ruptura coletor-emissor (Colector-Emitter
Breakdown Voltage) – é a tensão de ruptura entre o coletor e o
emissor quando a comporta está curto-circuitada ao emissor, sob
determinado valor de corrente.

ICES – Corrente de corte de coletor (Collector Cut-Off Current) – é a

máxima corrente de fuga entre o coletor e o emissor com o a base e
uma determinada tensão aplicada à comporta.
 Características e especificações
b) Com o componente conduzindo (on)
VGE(th) – Tensão limiar gate-emissor (G-E Threshold Voltage) – é
a tensão que aplicada entre o emissor e a comporta faz com que
o dispositivo inicie a condução. Normalmente é especificada para
o ponto em que a corrente de coletor atinge um determinado
valor.
 Características e especificações
b) Com o componente conduzindo (on)
VCE(Sat) - Tensão de saturação entre o coletor e o emissor
(Collector to Emitter Saturation Voltage) – esta característica do
IGBT é importante para se determinar as perdas do dispositivo no
estado de condução. Ela indica a queda de tensão que ocorre no
dispositivo sob determinada tensão, normalmente dada para
uma tensão de gate de 15 V. Esta característica tem um
coeficiente negativo de temperatura, ou seja, diminui com o
aumento da temperatura.
 Características e especificações

Ver datasheet do IGBT IRGP4063D

 IGBT x MOSFET
Para um MOSFET comum de alta tensão a resistência Rds(on)
(resistência entre o dreno e a fonte quando o transistor está
saturado) é relativamente elevada justamente devido à esta
estrutura unipolar.

Para um IGBT a resistência em condução é muito menor devido a

modulação de portadores de carga.
IGBT x MOSFET
 IGBT x MOSFET
Para o MOSFET o tempo que o transistor leva para deixar de
conduzir a corrente depende apenas da capacitância de gate,
enquanto que para o IGBT este tempo é maior, dependendo das
características da própria estrutura do semicondutor.

Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que

operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os
MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas
aplicações em que correntes de frequências mais elevadas
devam ser controladas.
 IGBT x MOSFET
Para o MOSFET o tempo que o transistor leva para deixar de
conduzir a corrente depende apenas da capacitância de gate,
enquanto que para o IGBT este tempo é maior, dependendo das
características da própria estrutura do semicondutor.

Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que

operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os
MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas
aplicações em que correntes de frequências mais elevadas
devam ser controladas.
IGBT x MOSFET
 Invólucros de IGBTs
Os invólucros em que são encontrados os IGBTs são basicamente
os mesmos encontrados para os transistores bipolares de
potência e para os MOSFETs de potência.
 Invólucros de IGBTs
No entanto, a capacidade de
condução destes dispositivos leva a
existência de IGBTs em invólucros
especiais de alta capacidade de
dissipação, projetados para serem
instalados em grandes dissipadores
de calor.
Existem ainda módulos que reúnem
num único invólucro diversos IGBTs
de alta capacidade de corrente.
 Vantagens e desvantagens de IGBTs
Vantagens Desvantagens
• Baixas perdas de • Custo
comutação • Tempo de desligamento
• Alta impedância de alto comparado ao
entrada MOSFET
• Dispositivo controlado
por tensão
• Condução aprimorada
devido à natureza
bipolar
Circuito básico para acionamento