JFET e sua

história
Matheus Gonçalves Terradas, Murilo Machado, Isabela Garcia, Ronilson
Kauan Barros da Silva e Vinícius Amorieli
O que é o
JFET?
JFET significa Junction Field-Effect Transistor
(Transistor de Efeito de Campo de Junção). Ele é
um tipo de transistor de efeito de campo que foi
desenvolvido na década de 1950. O JFET foi
inventado de forma independente por Julius
Lilienfeld em 1925, mas sua implementação prática
só ocorreu mais tarde.
 
 A construção do
JFET
• O JFET é construído a partir de um material semicondutor, geralmente silício ou germânio.
• Possui uma estrutura em forma de barra com duas junções PN, uma chamada de junção de fonte
e outra de junção de dreno. Essas junções são separadas por uma região intrínseca, conhecida
como canal.
• Existem dois tipos principais de JFETs: JFET de canal N (N-JFET) e JFET de canal P (P-JFET). A
diferença reside na polaridade do material semicondutor utilizado.
• A principal função do JFET é controlar correntes em circuitos eletrônicos. Ele pode ser utilizado
como amplificador de baixo ruído, chave eletrônica, regulador de tensão, entre outros.
 
 Simbologia do JFET
É representada por uma linha reta com uma seta que aponta para dentro na porta. O dreno é representado por uma linha reta com uma seta que aponta para fora, enquanto a fonte é representada
por uma linha reta sem seta.
 
Amplificador de
baixo ruído Chave eletrônica Regulador de tensão Estabilizador de tensão

Função do JFET
A principal função do JFET é controlar correntes em circuitos eletrônicos
 Diferença do JFET para o
MOSFET
JFE
• JFET usa uma junçãoST
PN (p-n)
• JFETs são mais adequados para aplicações de
baixo ruído e alta impedância de entrada
MOSFET
• MOSFET usa um isolante de óxido metálico
(MOS)
• são mais adequados para aplicações de alta
velocidade e alta impedância de entrada.
• Possuem vantagem de requererem uma tensão de
polarização muito menor em comparação com os
JFETs, o que os torna mais eficientes em termos de
energia.
 Diferença do JFET para o
IGBT

JFE
• ST
JFET é um dispositivo unipolar
• O JFET é projetado para bloquear tensões
relativamente baixas, geralmente abaixo de 200V
• JFET é mais adequado para aplicações de baixa
potência, onde a impedância de entrada é crítica
IGBT
• IGBT é um dispositivo bipolar
• IGBT pode suportar tensões de até 1200V
• IGBT é geralmente considerado superior ao JFET
em aplicações de alta potência
Aplicabilidades do JFET

Amplificador de sinal Comutação de sinal

Oscilador de sinal Regulador de tensão

Circuito JFET PROTEUS
Circuito JFET TinkerCad
 Fontes
• Electronics-Tutorials.ws: https://www.electronics-
tutorials.ws/transistor/tran_7.htmlAll
• About Circuits:
https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/ch
pt-7/field-effect-transistors/
• Electronics Hub: https://www.electronicshub.org/difference-
between-mosfet-jfet-and-igbt/
• PowerGuru: https://www.powerguru.org/igbt/Texas Instruments
•
https://www.ti.com/lsds/ti/power-management/overview.pageIn
fineon
•
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/power-semicon
ductors/
• Fairchild Semiconductor: