Princpio de Funcionamento

O IGBT (Insulated Porta Bipolar Transistor) alia a facilidade de accionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de comutao semelhante dos transistores bipolares. A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o colector do IGBT, como se v na figura. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua condutividade modulada pela injeco de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est directamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar. O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre porta e emissor. Tambm para o IGBT o accionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao directa) e por J1 (polarizao inversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado inversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o accionamento deste tiristor, especialmente devido s capacidades associadas regio P, a qual relacionase regio do porta do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.

Caractersticas:
Circuito snubber (retentor) desnecessrio - Compacto - Modular - Substituio simples Auto-limitador de corrente - Sem filtro de sada - Alta confiabilidade - prova de curto-circuito Disparo simples - Poucos componentes de potncia

Os IGBTs renem:
As caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia Elevada impedncia de entrada dos MOSFET Transistores Bipolares de Potncia (TBP) - Permitem o controle de elevadas correntes; - Apresentam baixas perdas no estado de conduo; - Exigem elevadas correntes de base (desvantagem); Transistores de efeito de campo (MOS) de potncia - Podem controlar potncias elevadas; - Exigem tenso para o disparo (vantagem); - Baixa velocidade de comutao, devido s capacitncias de porta (GATE) que aumentam com a intensidade de corrente (largura de canal). (desvantagem); - Para baixas correntes de conduo atravs do canal, podem operar com elevadas freqncias. IGBTs - Facilidade de acionamento e elevada impedncia de entrada dos MOSFETs; - Pequenas perdas de conduo dos TBPs; - Velocidade semelhante s dos TBPs. - Utilizado para a comutao de carga de alta corrente em regime de alta
velocidade.

Caractersticas de Comutao
A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o bloqueio, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao accionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.

Critrios de Seleo
Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A. J os TBP e IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 1200V/500A. Como o accionamento do IGBT muito mais fcil do que o do TBP, seu uso tem sido crescente, em detrimento dos TBP. Outro importante critrio para a seleco refere-se s perdas de potncia no componente. Assim, aplicaes em alta frequncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em frequncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes podem responder satisfactoriamente. No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET. Como regra bsica: em alta frequncia: MOSFET, em baixa frequncia: IGBT.

Concluso:
O IGBT um transistor de potncia, utilizado como elemento de chaveamento operando na regio de saturao. Sendo largamente usado para converso de potncia, j que o seu chaveamento muito mais simples do que o de um tiristor. O IGBT tambm apresenta vantagens em relao a um trasistor Mosfet e um trasistor bipolar. Em termos de velocidade o IGBT mais rpido do que o transistor bipolar e mais lento que o Mosfet.

GDF-SECT

IGBT

Curso: Eletrotcnica Prof: Antonio Nilton Nome: Victor Willian

Disciplina: Eletrnica Industrial

Turma: 3J