MOSFET de Potência

Disciplina: Eletrônica de Potência

Professor: Celton Ribeiro Barbosa

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 2
Introdução
• É um transistor de
efeito de campo(FET, do
inglês field-effect
transistor) ;
• O TBJ é um dispositivo
controlado por
corrente, enquanto o
FET é um dispositivo
controlado por tensão;
• Os MOSFETs podem ser
do tipo depleção ou
intensificação;

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 3
MOSFET tipo Depleção
• Em alguns casos, o
substrato está
internamente
conectado ao terminal
de fonte;
• A porta (G) permanece
isolada por uma fina
camada de óxido de
silício;
• Não há conexão elétrica
direta entre o terminal
de porta e o canal de
um MOSFET. Figura 1. MOSFET tipo depleção
canal N
Operação básica e curvas características

Pinch off

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MOSFET tipo depleção canal p

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Símbolos e Encapsulamento

canal n canal p

6
 7
MOSFET tipo intensificação

7
MOSFET tipo intensificação
• O nível de 𝑉𝐺𝑆 que produz um aumento
significativo da corrente de dreno é
chamado de tensão de limiar, representado
pelo símbolo 𝑉𝑇 ou 𝑉𝐺 𝑡ℎ
 9
MOSFET tipo intensificação
• Se 𝑉𝐺𝑆 se manter
constante e 𝑉𝐷𝑆 aumentar
𝐼𝐷 atingirá um valor de
saturação;
• A tensão entre dreno e
fonte é dada por:
𝑉𝐷𝐺 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆
• O estreitamento do canal
na região de dreno é
denominado pinch-off

9
MOSFET tipo intensificação
MOSFET tipo intensificação
• A corrente de dreno é dada por:
𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2
• O termo 𝑘 é uma constante que é uma
função da estrutura do dispositivo;

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MOSFET tipo intensificação
canal p

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Símbolos e encapsulamento

Canal n Canal p

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Diferença de símbolos entre MOSFET
tipo depleção e intensificação

Depleção Depleção Intensificação Intensificação

canal n canal p Canal n Canal p

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MOSFET de potência
• Podem atingir frequências
de até 1 MHz;
Canal n

terminal
TBJ
Diodo

Região de drift
Canal p

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Região de drift
• Segundo Balinga (2008) a tensão de
ruptura em um junção pn é dada por:
3
−
𝐵𝑉 𝑆𝑖 = 5,34 × 1013 𝑁𝐷 4
Onde,
– 𝐵𝑉 𝑆𝑖 - Tensão de ruptura do silício;
– 𝑁𝐷 - Quantidade de portadores;

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Região de drift

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 18
Características estáticas
• Região Ohmica
– O canal apresenta
resistência constante
(𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) )
– Geralmente 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) é
encontrado nos
datasheets
– As perdas no MOSFET
são dadas por:
𝑃 = 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) ⋅ 𝐼𝐷2
– O MOSFET opera na
região Ohmica quando:
𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 e 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻
 19
Características estáticas
• Região de corte
– Sem formação de
canal;
– Ocorre quando:
𝑉𝐷𝑆 > 0 e 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇
• Região ativa
– Opera como
amplificador;
– Ocorre quando:
𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 e 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻
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Características de
chaveamento
• As capacitância não são
lineares e dependem da
estrutura e tensão de
polarização do MOSFET;
• A fonte de corrente
controlada por tensão pode
ser representada pela
equação:
 21
Características de
chaveamento
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Análise do MOSFET quando é ligado
• O diodo é considerado ideal;
• O indutor é a carga, 𝐿 é
elevado e garante que 𝐼𝐷 é
constante;
 23
Análise do MOSFET quando
é ligado: tempo 𝑡1
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Análise do MOSFET quando
é ligado: tempo 𝑡2
 25
Análise do MOSFET quando
é ligado: tempo 𝑡3
 26
Análise do MOSFET quando
é ligado: tempo 𝑡4
• O valor de 𝑉𝐷𝑆 é igual:
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Análise do MOSFET quando
é desligado:
 28
Área de operação segura
(SOA)
Aplicações
• Conversores Buck, Boost, inversores
Referências
BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos– 11.
ed. – São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013

RASHID, M. H. Eletrônica de potência: circuitos, dispositivos e aplicações

- Sâo Paulo: Makron Books, 1999.

RASHID, M. H. Power Electronics Handbook. 4 ed. Florida: Elsevier,

2017.

BALIGA, B. J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices . New York

– USA: Springer, 2008.
Obrigado pela atenção