UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CAMPUS DE SOBRAL
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

CAP 4 – Transistores de Efeito de

Campo MOS (MOSFETs) – Parte 2

Disciplina: Eletrônica Analógica

 OBJETIVOS

 Entender a operação dos MOSFETs como amplificador e como

chave;

 Aprender as técnicas de polarização de circuitos amplificadores

MOS;

 Analisar circuitos com MOSFETs em CC.

 EXEMPLOS
 Analise o circuito da figura abaixo afim de determinar todas as tensões nos
nós e as correntes dos ramos. Suponha 𝑉𝑡 = 1 𝑉, 𝑘𝑛 ′ 𝑊Τ
𝐿 = 1 𝑚𝐴/𝑉 2 .
Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal (𝛌 = 0).

 Ainda para o mesmo circuito do exemplo

anterior, qual é o maior valor que RD
pode ter de forma que o transistor
permaneça na região de saturação?

 Reprojete o circuito para os seguintes requisitos: 𝑉𝐷𝐷 = 5 𝑉, 𝐼𝐷 = 0,32𝑚 𝐴,

𝑉𝑆 = 1,6 𝑉 e 𝑉𝐷 = 3,4 𝑉, com uma corrente de 1 𝜇𝐴 através do divisor de
tensão 𝑅𝐺1 , 𝑅𝐺2 . Utilize o mesmo MOSFET.
 MOSFET COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE

 A base para aplicação do MOSFET como AMPLIFICADOR é que

quando este opera na REGIÃO DE SATURAÇÃO se comporta como
uma fonte de corrente controlada por tensão.
 Logo, o MOSFET saturado pode ser utilizado para implementar um
“amplificador de transcondutância”.
 Entretanto, o interesse é sempre uma amplificação “linear” - isto é
amplificadores cujo sinal de saída (ID) tenha uma relação linear com o
sinal de entrada (VGS).
 Para tal aplica-se a técnica da POLARIZAÇÂO EM CC!
 Para aplicação do MOSFET como CHAVE utiliza-se a REGIÃO DE
TRIODO E REGIÃO DE CORTE!
MOSFET COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE
 MOSFET COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE
 AMPLIFICADOR FONTE COMUM - Característica de Transferência:
• 𝑣𝑜 = 𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷 (Reta de Carga)
• O PONTO DE OPERAÇÃO SERÁ A INTERSEÇÃO ENTRE A RETA DE
CARGA E A CURVA CARACTERÍSTICA ID – VD DO MOSFET!
• O amplificador de transcondutância é convertido em amplificador de tensão.
MOSFET COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE
 POLARIZAÇÃO DE CIRC. AMPLIFICADORES MOS
 “Um ponto de polarização apropriado é caracterizado por uma corrente
de dreno previsível e estável e uma tensão entre dreno e fonte que
permita a operação no modo de saturação quaisquer que sejam os
níveis do sinal de entrada!!!”
 As principais técnicas de polarização são:

• VGS fixo • VG fixo e RS • RG de realimentação

conectada na fonte do dreno para porta
 POLARIZAÇÃO DE CIRC. AMPLIFICADORES MOS

 POLARIZAÇÃO COM VGS FIXO:

• É a técnica menos eficiente de polarização;
1 ′ 𝑊
• 𝑖𝐷 = 𝑘 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 2 , onde 𝑘𝑛 ′ = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ;
2 𝑛 𝐿
𝑊
• 𝑉𝑡 , 𝐶𝑜𝑥 e variam amplamente entre dispositivos de mesmo tamanho e
𝐿
tipo;
• Além disso, 𝑉𝑡 e 𝜇𝑛 variam sensívelmente com a temperatira;
• Logo, vixar VGS levaria a corrente ID ficar muito dependente da
temperatura, podendo chegar à instabilidade!
 POLARIZAÇÃO DE CIRC. AMPLIFICADORES MOS
 POLARIZAÇÃO COM VG FIXO E RS CONECTADA NA FONTE:

• 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 ;
• Com 𝑉𝐺 fixo, se a corrente 𝐼𝐷 tende a aumentar por
qualquer razão, 𝑉𝐺𝑆 deve diminuir. Isso, por sua vez,
resultará na diminuição de 𝐼𝐷 ;
• Logo 𝑅𝑆 provê uma “realimentação negativa”, que age
no sentido de estabilizar 𝐼𝐷 .
 RS é chamada de RESISTÊNCIA
DE DEGENERAÇÃO!
 Mesmo operando com diferentes
MOSFETS a variação de
corrente ID é pequena, pois
depende da inclinação da reta de
carga!
 POLARIZAÇÃO DE CIRC. AMPLIFICADORES MOS
 EXEMPLO:
• Projetar o circuito abaixo de modo a estabelecer uma corrente de
dreno 𝐼𝐷 = 0,5 𝑚𝐴. O MOSFET foi especificado para 𝑉𝑡 = 1 𝑉 e
𝑊
𝑘𝑛 ′ = 1 𝑚𝐴/𝑉 2 . Por simplicidade despreze o efeito de modulação
𝐿
do canal (𝛌 = 0). Utilize uma fonte de alimentação 𝑉𝐷𝐷 = 15 𝑉. Calcule
a variação percentual no valor de 𝐼𝐷 obtida quando o MOSFET é
𝑊
trocado por outra unidade que tem o mesmo 𝑘𝑛 ′ , porém 𝑉𝑡 =
𝐿
1,5 𝑉. (Considere 𝑉𝑆 = 5 𝑉 e 𝑉𝐷 = 10 𝑉)
 POLARIZAÇÃO DE CIRC. AMPLIFICADORES MOS
 POLARIZAÇÃO UTILIZANDO RG DE REALIMENTAÇÃO DO
DRENO PARA PORTA:
• Neste caso 𝑅𝐺 é muito grande (da ordem de MΩ), logo
𝐼𝐷 = 0 e 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷 .
• Assim, podemos escrever: 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷 .
• Equivalentemente:𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝐷 𝐼𝐷 .
• Com 𝑉𝐷𝐷 constante imposta pela fonte, se 𝐼𝐷 aumentar
por alguma razão, 𝑉𝐺𝑆 deve diminuir. Isso, por sua vez,
resultará na diminuição de 𝐼𝐷 .
• De forma análoga ao caso anterior, 𝑅𝐷 provê uma
“realimentação negativa”, que age no sentido de
estabilizar 𝐼𝐷 .
 POLARIZAÇÃO DE CIRC. AMPLIFICADORES MOS
 EXEMPLO:
• Projetar o circuito ao lado para operar com 𝐼𝐷 = 0,5 𝑚𝐴.
𝑊
O MOSFET foi especificado para 𝑉𝑡 = 1 𝑉 e 𝑘𝑛 ′ =
𝐿
1 𝑚𝐴/𝑉 2 e 𝛌 = 0. Utilize uma fonte de alimentação
𝑉𝐷𝐷 = 5 𝑉.