Aula 02

Universidade Federal de Campina Grande

Centro de Engenharia Elétrica e Informática
Departamento de Engenharia Elétrica

Dispositivos Semicondutores de Eletrônica de Potência

Prof. Montiê Alves Vitorino

vitorino@dee.ufcg.edu.br
 Lição de Hoje

Apresentar os principais dispositivos semicondutores utilizados em

aplicações de Eletrônica de Potência e suas novas tecnologias

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 Roteiro da Aula

• Introdução;
• Diodo de potência;
• Tiristor ou SCR;
• Transistor bipolar de junção (TBJ) de potência;
• MOSFET de potência;
• IGBT;
• GTO;
• Potência dissipada na chave;
– Chave ideal e não ideal;
– Cálculo de perdas.
• Dispositivos com banda larga de energia – WBG

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 Introdução

• Os dispositivos semicondutores de eletrônica de potência operam como

interruptores (ou chaves) e podem se encontrar em estado de condução
(impedância muito baixa) ou de bloqueio (impedância elevada).
• Os dispositivos semicondutores de potência podem ser classificados em
três grupos de acordo com seus graus de controlabilidade:
– Diodos: Estados de condução e bloqueios controlados pelo circuito de
potência – disparo e bloqueio não controlados;
– Tiristores: Disparados pelo sinal de controle, mas bloqueados pelo circuito de
potência, também conhecidos como dispositivos de comutação natural –
disparo controlado e bloqueio não controlado;
– Chaves controláveis: Condução e bloqueio comandados pelo sinal de
controle – disparo e bloqueio controlados.

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 Diodos de Potência

• O diodo está diretamente polarizado quando a

tensão do anodo é positiva com relação à
tensão do catodo, caso contrário, o diodo está
reversamente polarizado.
• Dependendo da aplicação, vários tipos de
diodo são disponíveis:
– Diodos Schottky: Esse diodo é usado onde uma
baixa queda de tensão direta é necessária,
geralmente 0,3V;
– Diodos de recuperação rápida: Estes são
dimensionados para serem usados em circuitos
de alta frequência, combinados com chaves
controláveis onde um pequeno tempo de
recuperação reversa trr é necessária;
– Diodos de frequência da linha: A tensão de
condução desses diodos é dimensionada para ser
a mais baixa possível e como consequência,
possui um grande trr, o qual é aceitável em
aplicações de frequência da linha, geralmente
60Hz.
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 Tiristor ou SCR

• O disparo do tiristor é obtido aplicando-se um pulso de corrente no gatilho, o qual é obtido a

partir de uma tensão entre o gatilho e o catodo do dispositivo.
• Deve-se aplicar o pulso no gatilho somente com o tiristor diretamente polarizado.
• O tiristor pode ser trazido de volta para o estado de bloqueio somente pela redução da
corrente iA para um nível menor que a corrente de retenção, ou zero, no caso ideal.

Circuito equivalente 6
 Transistor Bipolar de Junção (TBJ) de Potência

• Com o TBJ em condução, observam-se três regiões de operação:

1. Região ativa, onde a corrente iC=¯ iB. O TBJ não é utilizado nessa região
em aplicações de eletrônica de potência;
2. Região de quasi-saturação, que é a região de preferência em eletrônica de
potência. Nessa região, a corrente iC=¯s iB, onde ¯s é chamado de ganho
forçado;
3. Região de saturação, a qual deve ser evitada, pois o tempo de comutação
do estado de condução para o estado de bloqueio é alto.

npn pnp Configuração Darlington

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 MOSFET de Potência
Curva Característica
• O MOSFET* é considerado uma chave rápida;
• São identificadas três regiões na sua curva características:
– corte;
– ativa;
– ôhmica.

• A tensão VGSth é chamada de tensão de threshold, que é a mínima tensão aplicada entre a porta e a fonte
necessária para criar um canal de condução entre os terminais do dreno e fonte.
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* do inglês metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
 MOSFET de Potência
Modelo
• MOSFET de Enriquecimento: faz-se necessário enriquecer as pastilhas com portadoras
para poder ser gerado o canal de condução, assim, o mesmo encontra-se normalmente
aberto.
• MOSFET de Depleção: o canal já encontra-se formado, ou seja, normalmente fechado,
sendo necessário imprimir uma tensão vGS negativa para criar um campo elétrico que irá
gerar uma barreira de depleção que restringirá/bloqueará o fluxo de corrente pelo canal.

Estrutura do MOSFET de enriquecimento Modelo Elétrico

Região ativa e de corte Região Ôhmica

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 IGBT
Insulated-Gate Bipolar Transistor

• O dispositivo de eletrônica de potência conhecido como IGBT*,

reúne a facilidade de disparo dos MOSFETs com as pequenas
perdas em condução dos TBJs.

Circuito equivalente

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* do inglês insulated-gate bipolar transistor
 GTO
Gate Turn-Off Thyristor
• Como ocorre com o tiristor, o GTO pode ser disparado por um pulso de corrente de
curta duração no gatilho, e, uma vez acionado, o GTO permanece acionado sem que
haja corrente no gatilho.
• Contudo, o GTO pode ser bloqueado aplicando-se uma tensão negativa entre o
gatilho e catodo, causando uma corrente negativa do gatilho suficientemente grande.
• Essa corrente deve fluir por poucos microssegundos, mas deve possuir uma
magnitude relativamente grande, tipicamente um terço da corrente do anodo.

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 Potência Dissipada na Chave
Chave Ideal e Não Ideal
• Espera-se que uma chave tenha como características ideais:
a) Tensões direta e reversa elevadas e fluxo de corrente nulo quando em bloqueio;
b) Corrente arbitrariamente elevada com queda de tensão nula entre seus terminais de
potência quando em condução;
c) Passagem instantânea do estado de bloqueio para o estado de condução, ou vice-
versa, quando disparado/bloqueado;
d) Utilização de potência desprezível no disparo e bloqueio.
• As perdas nas chaves podem ser divididas em três componentes:
i. perdas no chaveamento (disparo e bloqueio);
ii. perdas de condução; e
iii. perdas de condução reversa (devido à corrente de dispersão).

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 Potência Dissipada na Chave
Perfil de Perdas
Circuito de teste

• À medida que a frequência aumenta,

as perdas de chaveamento também
aumentam porque a quantidade fixa de
potência dissipada é repetida mais
frequentemente.
• Já as perdas de condução
permanecem com um valor
relativamente constante e são função
da carga do conversor e da queda de
tensão na chave durante seu intervalo
de condução. 13
 Potência Dissipada na Chave
Cálculo de Perdas
• 1
A energia dissipada durante o intervalo de transição Wson  V i I o (tri  tfv )
para o estado ligado: 2
• A energia dissipada na chave durante esse intervalo Wc  V on I o ton
de condução:
• 1
A energia dissipada durante o intervalo de transição Wsoff  V i I o (trv  tfi )
para desligado: 2
• Ts P
Existem fs transições para ligado e desligado por Ws  Wson  Wsoff   Ps dt  Ps Ts  s
segundo. Energia total dissipada no chaveamento: 0 fs
• A perda por chaveamento média Ps durante os
intervalos de transição:
 
1
Ps  Wson  Wsoff fs  V i I o fs (trv  tri  tfv  tfi )
2
Ts
• A energia dissipada durante a período de condução: Wc   Pc dt  Pc Ts
0
• A potência média dissipada durante a período de W t
condução: Pc  c  V on I o on  V on I o D
Ts Ts

• A perda média total dissipada em uma chave Pt  Ps  Pc

controlável é:
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 Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG*
Novos Materiais Semicondutores
• Carbeto de Silício (SiC);
• Nitreto de Gálio (GaN);
• Arseneto de Gálio (GaAs)

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* do inglês wide band-gap
 Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Principais Características dos WBGs

Características Benefícios corresondentes

Baixa resistência no estado de condução
Resistência de condução insuperável acima de 200 oC
comparados a outros
Maior frequência de chaveamento
Maior eficiência do sistema e dimensões reduzidas do
sistema de refrigeração
Mais estabilidade de desempenho em altas temperaturas
Aplicações mais eficientes

Requisitos de sistema de arrefecimento reduzidos Fator de forma de PCB mais compacto

Tensão de ruptura mais elevada Capacidade de alta tensão

Aplicações de temperatura mais altas (até 200 oC) Mais versátil

Menor perda de chaveamento Mais economia de energia

Pequenos componentes passivos Sistemas mais compactos e menos pesados
Diodo intrínseco muito rápido e robusto (SiC) Não há necessidade de diodos externos independentes

Mais baixos valores de carga porta-fonte Comando mais eficiente

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 Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Estrutura Física do MOSFET

GaN SiC

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* 2DEG = camada bidimensional de gás
 Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Comparativo entre Si, SiC e GaN

• Tensão de operação;
• Temperatura de operação;
• Frequência de chaveamento.

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Dispositivos com Banda Larga de Energia – WBG
Resistência Dinâmica no MOSFET e Recuperação Reversa do Diodo

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 Universidade Federal de Campina Grande
Centro de Engenharia Elétrica e Informática

Obrigado pela atenção!

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