Disciplina:

Eletrnica de Potncia
Prof. Dr. Welflen Ricardo Nogueira Santos
Universidade Federal do Piau UFPI

Introduo a Eletrnica de Potncia

Tpicos:
Funo
Aplicao
Requisitos

Funo:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Tecnologia da Informao :

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Turbinas Elicas:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Sistema Fotovoltaico:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Sistemas Hbridos:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Melhoria da eficincia:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Lmpadas:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Transmisso e distribuio:

Sistema de transmisso em HVDC (High Voltage DC)

FACTS (Flexible AC Transmission System)

Controle de tenso
Controle sobre o fluxo de potncia
Exemplos: SVC, STATCOM, TCSC, UPFC, etc

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Transmisso e distribuio:

FACTS (Flexible AC Transmission System)

SVC (Compensador Esttico de Potncia Reativa):

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Transmisso e distribuio:

FACTS (Flexible AC Transmission System)

STATCOM (Compensador Sncrono Esttico):

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Transmisso e distribuio:

FACTS (Flexible AC Transmission System)

UPFC (Unified Power Flow Controller) Compensador Srie

e Paralelo combinados.

Introduo a Eletrnica de Potncia

Aplicao:
Melhoria da eficincia:

Introduo a Eletrnica de Potncia

Exigncias:
Elevada Eficincia de Energia;

Elevada Densidade de Potncia

Custo, Confiabilidade (Segurana)

Introduo a Eletrnica de Potncia

Conversores de potncia:

AC ou CA para DC ou CC;
DC ou CC para AC ou CA;
DC ou CC para DC ou CC;
AC ou CA para AC ou CA.

Chaves semicondutoras de potncia

Os dispositivos semicondutores de potncia
podem ser classificados em trs grupos:
Diodos: Os estados on e off so determinados pelo circuito de
potncia;
Tiristores: O estado on alcanado a partir da injeo de um sinal de
controle e o off determinado pelo circuito de potncia;
Interruptores controlveis: Os estados one off so determinados
via injeo de sinal de controle. Tipos: BJTs (bipolar junction
transistors), MOSFETs (metal oxide semiconductor field effect
transistors), GTO (gate turn off) tiristores, e IGBTs (insulated gate
bipolar transistors).

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Curvas caractersticas:

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Deve ser protegido contra sobretenso, sobrecorrente e transitrios.
Sobretenso: Diodo inversamente polarizado atua como um
circuito aberto. Se a tenso nos terminais exceder sua tenso de
ruptura, ele dispara resultando em tenso e corrente reversa
elevada.
Sobrecorrente: As especificaes do fabricantes fornecem valores
nominais de corrente com base nas temperaturas mximas de
juno, decorrentes de perdas durante a conduo A proteo
proporcionada pela utilizao de um fusvel.
Transitrios: Podem levar o diodo a tenses maiores que a
nominal. Proteo: circuito RL srie em paralelo com o diodo

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Tenso de pico inversa: Tenso inversa mxima que o diodo pode suportar
sem ruptura. Se excedida o diodo conduz na direo inversa e pode ser
danificado.
Corrente direta mxima: Corrente mxima que o diodo pode suportar com
segurana quando estiver diretamente polarizado.
Tempo de recupeo reversa:

Conduzindo (turn-on), o diodo se comporta como uma chave ideal,

pois ele conduz rapidamente em comparao com os transientes no
circuito de potncia.
Bloqueando (turn-off), a corrente no diodo se torna negativa trr
(reverse-recovery time) antes de cair a zero.

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Dependendo das exigncias da aplicao, tm:
Diodos Schottky: So usados quando necessria uma baixa tenso de
conduo direta tipicamente de 0,3 V. Sua tenso de bloqueio de
50 100 V.
Diodos de recuperao rpida (fast-recovery): So usados em circuitos
que exigem altas frequncias e onde um pequeno tempo de
recuperao reversa necessrio.
Diodo na frequncia fundamental (line-frequency): A tenso de
conduo direta projetada para ser a menor possvel e como
consequncia possuem um elevado trr.

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Exemplos:
Um diodo Schottky com tenso de 40 V e corrente de 25 A nominas
tem uma tenso no estado on (ligado) de 0,5 V e uma corrente de
fuga inversa de 50 nA. Determine as perdas de potncias nos estados
on e off nas condies nominais.

Para um diodo de juno PN de tenso 40 V e corrente de 25 A

nominais tem-se uma tenso no estado on (ligado) de 1,1 V e uma
corrente de fuga inversa de 0,5 nA. Determine as perdas de potncias
nos estados on e off, como no exemplo anterior.

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Operao de Diodos em srie e em paralelo:
Para aumenta a capacidade de potncia, os diodos podem ser arranjados
em srie ou em paralelo.
Diodos em srie: Aumentar a tenso mxima nominal.
Ambos os diodos tem a mesma corrente de fuga inversa, porm
tenses inversas diferentes. Ex: Diodo D1 pode exceder seu valor nominal
de tenso inversa.

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Diodos em srie:
Exemplo: Dois diodos com tenses nominais de 800 V e correntes de fuga
inversa esto conectados em srie por uma fonte CA cujo valor de pico
Vs(mx) de 980 V. As caractersticas reversas so mostradas na figura
abaixo. Determine:
a. A tenso inversa nos diodos.
b. O valor do resistor de compartilhamento de tenso, de tal modo que
a tenso em qualquer diodo no ultrapasse
55% de Vs(mx).
c. A corrente total da fonte e a perda de
potncia nos resistores.

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Diodos em paralelo:
Se a corrente de carga for maior que a corrente nominal de um nico
diodo, ento, dois ou mais diodos devem ser ligados em paralelo,
objetivando corrente nominal direta mais alta.
O Diodo com queda de tenso direta menor conduzir maior corrente
sobreaquecimento.

Chaves semicondutoras de potncia

Diodo:
Exemplos:
Dois diodos com caractersticas mostradas na figura abaixo so ligados
em paralelo. A corrente total em ambos de 50 A. Para garantir o
compartilhamento de corrente, dois resistores so ligados em srie.
Determine:
a. A resistncia do resistor de compartilhamento de corrente, de tal
modo que a corrente que passa atravs de qualquer um dos dois
diodos no ultrapasse 55% do valor de I.
b. A perda total de potncia nos resistores.
c. A tenso nos terminais da combinao de
diodos (V).

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Curvas caractersticas:

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Curvas caractersticas:

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Valores nominais:
Valor nominal mximo de corrente eficaz: Corrente direta de anodo para catodo
que o dispositivo pode suportar.
Valor nominal de corrente de surto: Corrente de pico de anodo que o dispositivo
pode suportar durante um curto espao de tempo.
Corrente de disparo: Corrente mnima de anodo que deve fluir pelo dispositivo
para que o mesmo fique n o estado ligado logo aps o sinal de porta ser removido.
Caso contrrio, o dispositivo retornar ao estado de desligado.
Corrente de sustentao: Corrente mnima de anodo para manter a conduo aps
recebimento de corrente de disparo, no gate.
Tenso de bloqueio em polarizao direta: Tenso mxima instantnea que o
dispositivo pode bloquear na direo direta. Se for ultrapassada, o dispositivo
conduzir mesmo sem tenso no gate.
Tenso de pico reversa: Tenso mxima instantnea sem romper na direo inversa.

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Dependendo das exigncias da aplicao, tm:
Tiristores de controle de fase: Usados circuitos retificadores (CA -> CC)
e em sistemas de transmisso HVDC. Podem suportar altas tenses e
correntes. Possuem corrente mdia de 4000 A com tenses de
bloqueio de 5 a 7 kV.
Tiristores tipo ou classe inversor: Usados em aplicaes de altas
frequncias de operao, uma vez que o tempo de chaveamento
requerido significativo no perodo total do ciclo. Podem operar em
2500 V e 1500 A. Seus tempos de desligamentos esto na ordem de
poucos micro segundos
Tiristores ativados por luz: Pode entrar em conduo via pulso de luz
guiado por fibras ticas aplicado numa regio de sensibilidade do
dispositivo. Operao de 4000 V e 3000 A.

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Operao de Tiristores em srie e em paralelo:
A potncia mxima controlada pelo Tiristor determinada pelo valor
nominal de corrente direta e valor nominal de tenso de bloqueio direta.
Tiristores em srie: Aumentar a tenso mxima nominal de bloqueio
direto. O compartilhamento de dois Tiristores ligados em srie:

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Tiristores em paralelo: Quando a corrente de carga exceder o valor
nominal de um nico Tiristor, deve-se utilizar dispositivos em paralelo.
O compartilhamento de dois Tiristores ligados em paralelo:

Compartilhamento de Tiristores com resistores e com reatores:

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Exemplos:
No circuito com compartilhamento forado com o uso de resistores, a
fonte de tenso de 500 V e a resistncia de carga de 50 . As
caractersticas de cada Tiristor apresentada, cada um para o valor
nominal de 70 A, so ligados em paralelo, para compartilhar uma
corrente de carga. Determine o valor do resistor que propiciar o
compartilhamento apropriado de corrente, a queda de tenso na
combinao em paralelo e a potencia dissipada pelos resistores de
compartilhamento de corrente.

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores:
Deve ser protegido contra sobretenso, sobrecorrente e transitrios.
Sobretenso: Tenso transitria cujo pico pode exceder o valor
nominal de tenso de bloqueio direta. Dependendo da
intensidade e da energia que ela representa, o dispositivo pode
ser acionado ou danificado, por causa da ruptura reversa.
Sobrecorrente: Ocorre quando houver falha da fonte durante a
inverso, sobrecarga ou curto-circuito. Proteo: rel de
sobrecorrente, fusveis de ao rpida, e disjuntores de alta
velocidade.
Valor nominal de dissipao de energia: Durante sobrecargas e
curtos-circuitos, o dispositivo o dispositivo deve aguentar as
condies que conduzem a temperaturas altas das junes. O
correto dimensionamento dos dispositivos de proteo so
essenciais.

Chaves semicondutoras de potncia

Tiristores de desligamento de porta (GTO):
Diferentemente do Tiristor, o GTO pode ser desligado por uma corrente
de porta negativa. Smbolo, curva caracterstica i-v e curva idealizada.

Chaves semicondutoras de potncia

Transistores:
Transistor bipolar de juno - BJT:
Chave semicondutora de potncia que opera em trs estgios: corte,
saturao e regio ativa. Para a eletrnica de potncia o dispositivo deve
operar nas regies de corte e saturao.
Corte: Se a corrente de base Ib=0, a corrente de coletor Ic ser
desprezvel dispositivo desligado. Nesta situao, tanto a juno
coletor-base e base-emissor esto inversamente polarizadas.
Saturao: Quando a corrente de base for suficiente para acionar o
dispositivo at a saturao, o Transistor de comportar como uma
chave fechada corrente de coletor Ic muito grande e Vce=0.
Regio ativa: A juno base-emissor fica diretamente polarizada,
enquanto a juno coletor-base fica inversamente polarizada. Esta
regio costuma ser usada como amplificao de sinais.

Chaves semicondutoras de potncia

Transistores:
Transistor bipolar de juno - BJT:
Simbologia e curvas caractersticas:

Chaves semicondutoras de potncia

Transistores:
Transistor de Efeito de Campo Metal- xido-Semicondutor de
Potncia MOSFET:
Simbologia e curvas caractersticas:

Chaves semicondutoras de potncia

Transistores:
Transistor Bipolar de Porta Isolada IGBT:
Simbologia e curvas caractersticas:

Chaves semicondutoras de potncia

Sumrio dos dispositivos semicondutores de
potncia:

Tipos de circuitos de potncia

Diviso por categorias:
Retificadores No-Controlados (CA para CC): Converte tenso
monofsica ou trifsica em tenso CC via diodos.
Retificadores Controlados (CA para CC): Converte tenso
monofsica ou trifsica em tenso CC varivel via SCRs para
converso de potncia e controle.
Conversores Choppers CC (CC para CC): Converte tenso CC
fixa em tenses CC variveis.
Controladores de tenso CA (CA para CA): Converte tenso CA
fixa em tenso CA varivel na mesma frequncia.
Inversores (CC para CA): Converter tenso CC fixa em tenso
monofsica ou trifsica CA, fixa ou varivel em amplitude e
frequncia.

Caractersticas desejadas das chaves

controladas de potncia
A chave ideal satisfaz as seguintes condies:
Ligar e desligar instantaneamente;
Quando ligada, a queda de tenso deve ser igual a zero e que
possa suportar altas correntes;
Quando desligada, a corrente deve ser igual a zero e que
possa suportar altas tenses;
No dissipar potncia perdas iguais a zero;
Sejam altamente confiveis sem manuteno;
Utilize pouca potncia para o controle e operao;
Que seja leve e pequena;
Que tenha baixo custo.

Perda de potncia em chaves no ideais

Curvas caractersticas de perdas:

Perda de potncia em chaves no ideais

Exemplo:
O datasheet de um dispositivo de chaveamento apresenta os
seguintes tempos de chaveamento correspondentes as
caractersticas linearizadas das curvas de perdas do slide
anterior:
tri = 100ns tfv = 50ns trv = 100ns tfi = 200ns
Calcule as perdas de chaveamento em funo da frequncia
para a faixa de 25 100 kHz. Assumindo Vd = 300 V e I0 = 4 A.