Cap.

3 – Interruptores
Estáticos de Potência
Interruptor Controlado Ideal:
• Elementos Lineares
Resistor, Indutor,
Capacitor, etc.
• Não-Lineares
Diodo, BJT (corte e
saturação), MOSFET
(corte e triodo), etc. TERMINAIS TERMINAIS
DE CONTROLE PRINCIPAIS OU
OU DE POTÊNCIA
ACIONAMENTO

1
Interruptor Controlado Ideal
- Características -
• Bidirecionalidade ou
Unidirecionalidade (tensão
e/ou corrente);
• Valores nominais (ratings) de
tensão, corrente e potência:
infinitos;
• Eficiência: máxima (perdas
nulas no acionamento, na
condução no bloqueio e na
transição);
• Freqüência de chaveamento:
infinita.
2
• Em condução: CURTO;
• Bloqueada:
CIRCUITO ABERTO;
• Isolamento entre os
terminais de controle e os
de potência: perfeito (total);
• É biestável. Possui dois
estados estáveis:
condução e bloqueio.
Não possui região linear.
 Circuito-exemplo

No Pspice: SBREAK
No PSIM: Bidirectional Switch
Voltage Controlled Switch
No PSIM: Bi-directional Switch

3
 O Interruptor Estático Real

+
iT vT
-

4
 Não Idealidades

• Valores nominais finitos; • Tempos definidos (não

• Perdas na condução nulos) para entrada em
(RON≠0); condução (turn-on) e para o
• Perdas no bloqueio bloqueio (turn-off) →
(ROFF≠∞); Perdas de Chaveamento.
• Perdas no acionamento
(são mais significativas em
interruptores como o
BJT e GTO-gate turn-off
thyristor);

5
 Tipos de Interruptores

• Unidirecional em Quadrantes de Operação

corrente;
• Bidirecional em corrente;
• Unidirecional em tensão;
• Bidirecional em tensão; 1Q 2Q-BIT
• Bloqueio espontâneo;
• Bloqueio por comando
(auto-comutada);
• Compostas.
2Q-BIC 4Q
6
 Diodo de Potência
Símbolo: Característica vxi:
• Não controlado
(interruptor passivo);
• Conduz quando
diretamente polarizado
(VAK > 0) e bloqueia
quando i ≤0; Ideal
• VON >1V (em condução);
• Pode conduzir reversamente
durante um tempo, trr ,
especificado pelo
fabricante;
• Estado-da-arte: ≈ 5 kV/5kA. Real
7
 - Diodos -
Considerações Tecnológicas
Estado OFF: Característica dinâmica de recuperação reversa:

Estado ON:

8
 Tipos de Diodos

• Diodos Retificadores:
Tempo de recuperação não especificado.
Previsto para operar em 50 ou 60Hz ;
• Fast recovery e ultra-fast recovery
Carga (Qrr) e trr especificados ;
Uso em conversores chaveados (>1kHz).
• Diodo Schottky
Baseado em Portadores Majoritários ;
Rápida comutação ;
Quase sem efeito de recuperação reversa ;
Baixíssima (<1V) queda de tensão direta ;
Limitado a baixas tensões (<100V). Schottky

9
 Diodos Comerciais

10
 Tiristores
O SCR (Silicon Controlled Rectifier ):
• Sucessor da válvula Thyratron
entre outras;
• 1957 (General Electric); iG=IGT

• Dispositivo de 3 junções
e 4 camadas semicondutoras;
• É um interruptor semicontrolado,
pois o bloqueio é espontâneo;
• Possui 2 estados estáveis;
• Tipos: SCR, GTO, LASCR,
TRIAC, GATT etc.

11
 Detalhando o SCR
• Disparo de um tiristor :
1) corrente de gate: é o método
mais comumente empregado.
Se iG > IGT o disparo pode
ocorrer. Quanto maior iG, mais
garantido será o disparo (mas,
cuidado, existe iG máx);
2) tensão vAK elevada;
3) dv/dt elevado (de vAK);
4) temperatura elevada ;
5) luz (para LASCR).
12
• Métodos de desligamento
(bloqueio):
1) natural : quando i < IH;
2) pela carga : com carga
ressonante (R-L-C) é
possível obter i < IH ;
3) comutação forçada : um circuito
externo aplica VAK < 0 e
provê caminho para
circulação de i ;
4) pelo gate : iG < 0
(só para o GTO).
 Parâmetros Principais do SCR
1) IGT : corrente mínima de gate, iG,
necessária para se levar o SCR de
off para on, [A];
2) VBO(ou VFB) : tensão direta de
ruptura, [V];
3) VBR (ou VRB): tensão reversa de
ruptura, [V];
4) IL: corrente mínima de
sustentação da condução
imediata após o disparo (t < tON);
5) IH: corrente de manutenção
(holding) necessária para garantir
a condução em regime (t > tON);
6) ITAV: Corrente média máxima [A];
13
7) tON: tempo para garantir a
passagem para o estado de
condução (neste tempo iG ≥ IGT);
8) tOFF: tempo de desligamento
capaz de garantir o bloqueio, [s];
9) dv/dt: máxima taxa de cresci-
mento da tensão vAK , [V/μs];
10) di/dt: máxima taxa de
crescimento de i , [A/μs] ;
11) i2t: fator usado para projeto de
proteções (fusíveis) [A2s];
12) ITSM: Corrente de surto [A]
13) Rθjc: Resistência térmica junção-
carcaça [oC/W].
 SCR - “Datasheet”
*

14
* ®cortesia
 Diagramas de Auxílio a Projeto

Características de Condução (estado ON )

Típicas →

← Limites Perdas de Condução

Max. Temperatura de “Case”

Máxima Temperatura de Refrigeração Média

15
 SCR - Modelos Simplificados
Modelo A-K

≈2V  On


 Off

Modelo G-K ≈1V

Analogia a
Transistores

construção
16
 SCR - Circuito-exemplo
Retificador Monofásico de Meia-Onda

Rp=0, RG=4,7kΩ Rp=0, RG=470Ω

IGT

iG



α/ω

Obs.: Um diodo em série com o gate foi incluído na simulação. Isto costuma ser feito na prática,
já que o diodo G-K não possui capacidade de bloqueio reverso satisfatória.
17
 SCR - Controle de Potência

Tensão Média 0 < α < 90o 0 < α < 180o

Normalizada

18
 TRIAC

• É bidirecional em tensão
e corrente;
• Destinado para
médias/baixas
potências;
• Baixas taxas de dv/dt
(<10V/μs); Dimmer
• Usado em controladores
de potência de lâmpadas
incandescentes (dimmer)
e pequenos motores.

19
 GTO
• É desligável
pelo gate
(corrente negativa);
• Ganho de
desligamento:
2-5;
• Queda no estado
ON: ≈ 3V turn-on
(maior, portanto, e
que a de um SCR). turn-off

20
O Transistor Bipolar de Potência

Configuração
Darlington
Darlington
Triplo

21
 TBP - mais detalhes

- SOA -
Áreas de Operação Segura
Implementação (considerando efeitos
Prática de ruptura)
da Configuração
Darlington

22
 MOSFET
• Dispositivo baseado em
portadores majoritários: chaveamento
rápido (até alguns MHz);
• Modelo baseado em resistência de
condução (RON), que aumenta
muito com a capacidade de
bloqueio;
• Fácil acionamento;
• Melhor dispositivo para
v < 500V;
• Escolha baseada em RON (em
vez de IDAV).

23
 MOSFET – características
Dispositivos
Comerciais:

Modelo
• Cgs : grande e essencialmente Onde:
constante;
• Cgd : pequeno, altamente não
linear;
• Cds : valor intermediário, altamente
não linear;
• Limite de freqüência de chaveamento:
determinado pelas taxas de
carga/descarga de Cgs e Cgd.
24
 IGBT

• Construção similar à do
MOSFET;
• Fácil de disparar;
• Comparando (c/ MOSFET):
- mais lento;
- resistência de condução menor;
- muito útil em tensões mais
altas (apresenta menos iC
perdas); ON-OFF

• Tem apresentado rápida vCE

evolução (3000A/3000V);
• Chaveamento: cent. kHz.

25
 MCT

• MCT (MOS Controlled

Thyristor): é emergente e
similar ao tiristor, com
simplicidade de comando
(MOSFET);
• Pode ser do tipo canal P
(mais lento) ou do tipo N
(mais rápido);
• Como o GTO (e diferente
do SCR) pode ser
comandado ON-OFF.

26
 Chaves Compostas

MOSFET/Diodo

TBP/Diodo

27
 Capacidade de Operação

1995

28
 Comparando as Tecnologias
1998

29
 Circuito Snubber

• Circuito de Ajuda à
Comutação (CAC, ou
amaciador): melhora
desempenho nas
transições ON-OFF;
• Proteção contra surtos
de tensão e disparos
indesejáveis;
• Melhora características
de dv/dt sobre o
dispositivo.
30
 Snubber - exemplo

RS=1K CS=10n RS=1K CS=1μ

RS=CS=0

RS=1K CS=100n RS=10K CS=10n

31
 Associação Série e Paralela
Associação Série e
Efeitos Dinâmicos

5k < R1 < 15 kΩ

5μ < L < 10μH

Associação
Paralela
Mais detalhes:
•Desequilíbrio Estático Dinâmico
•Avalanche térmica (PTC/NTC)
•Associação de TBPs
•Associação de MOSFETs e IGBTs
32
 Pulsos de Acionamento

Desejável

Isolamento por Transf. De Pulso

P

uT

im

i2

33
 Técnicas de Isolamento
- Transformadores de Pulso -
Disparo Simultâneo:
Lógica de pulsos:

Pulso de Disparo

34
 Técnicas de Isolamento
- Acoplamento Ótico -

Foto-Transistor:

Foto-SCR:

35
 Dissipação de Calor
Tipos de Perdas:
• Condução: relativas à passagem
de corrente pelo dispositivo
(PON);
• Bloqueio: são perdas pequenas,
quando o dispositivo está
bloqueado (POFF);
• Chaveamento: são pequenas,
normalmente, mas PSW em altas
freqüências pode superar PON;
• Comando: em geral desprezíveis,
exceto para dispositivos como o
TBP e GTO.
36
Os Dissipadores:
• Estão em contato com o
invólucro do componente;
• Em geral são de alumínio e
resfriam por convecção e por
radiação (sendo, por isso,
também denominados radiadores
de calor);
• O resfriamento em contato
normal com o ar pode não ser
suficiente. Nestes casos, pode-
se usar água (ou óleo) refrigerante
ou ventilação forçada.
 Tipos de Dissipadores
Refrigeração natural ou por
Refrigerado a ventilador:
água ou óleo:
componente

Água ou
óleo

dissipador

37
 Montagens
Dissipador de
Duplo Contato: Arranjo Típico de
Baixa Potência:

38
 Análogo Termo-Elétrico
Modelo de Regime:

T j = PTOT (θ jc + θ cs + θ sa ) + Ta
TJ máx − Ta
θ SA ≤ − (θCS + θ JC )
Modelo Dinâmico: PTOT

T j (t ) = P (t ) Zθ (t ) + Ta

39