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Instituto Federal de Educao, Cincia e Tecnologia de Santa Catarina

Departamento Acadmico de Eletrnica


Eletrnica de Potncia
Semicondutores de Potncia
BJT, MOSFET e IGBT
Florianpolis, agosto de 2014.
Prof. Clovis Antonio Petry.
Biograa para Esta Aula
www.ProfessorPetry.com.br
Captulos 3:

Transistores de potncia.
Nesta Aula
Semicondutores de potncia:

Semicondutores para eletrnica de potncia;

Reviso de BJT;

BJT x FET;

FETs;

MOSFETs;

IGBTs.
Semicondutores de Potncia
Semicondutores aplicados eletrnica de potncia:
Semicondutores de Potncia
Reviso - BJT
BJT - Transistor bipolar de juno
Reviso - BJT
http://www.univ-lemans.fr/enseignements/physique/02/electro/mnueltro.html
BJT x FET
FET - Transistor de efeito de campo
FET
JFET: Operao bsica
FET
http://jas.eng.buffalo.edu/
JFET canal n e canal p
S2
R7
R8
Q2
R9
R10
Q1
3524
Positivo da Fonte Auxiliar
+ Vaux
11
12
Aplicao do JFET
FET
MOSFET tipo Depleo
MOSFET
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET: Operao bsica.
MOSFET
MOSFET tipo Depleo
http://jas.eng.buffalo.edu/
MOSFET: Operao bsica.
MOSFET
MOSFET tipo Depleo
MOSFET
MOSFET tipo Depleo
Canal n
MOSFET
MOSFET tipo Intensificao
I
D
i
D
DS
V
+
-
G
S
GS
V
D
+
-
MOSFET
MOSFET de Potncia
90%
V
50%
10%
50%
GS
T
1
90%
10%
90%
10%
(V )
DD
V
DS
I
D
t
r
t
on
t
D(on)
t
D(off)
t
f
(V )
DD
L
R
V
DD
S
50
G
V
D
V
Comutao do MOSFET com carga resistiva
MOSFET
MOSFET de Potncia
50
S
G
DD
R
V
D I
RL
D
Comutao do MOSFET com carga indutiva
MOSFET
MOSFET de Potncia
MOSFET
Classificao das perdas:
1. Conduo;



2. Comutao:

Entrada em conduo e bloqueio;



Onde:


P
cond
=
t
on
T
! r
ds(on)
! i
d(on)
2
t
f
! t
on
t
r
! t
off
Dados de catalogo:
MOSFET
MOSFET
Quando usar MOSFET:
1. Freqncias altas (acima de 50 kHz);
2. Tenses muito baixas (< 500 V);
3. Potncias baixas (< 1 kW).
Demo

Te s t e s d e MOSFET c o m
multmetro.
Demonstrao
MOSFET
Caractersticas de BJT e MOSFET
IGBT
IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor
Detalhamento do clculo de perdas
0
IGBT
P
cond
= i
C
!V
CEsat
+ i
B
!V
BEsat
( )
! t
on
! f
P
com
=
1
2
t
r
+ t
f
( )
! I ! E! f
Classificao das perdas:
1. Conduo;



2. Comutao:

Entrada em conduo e bloqueio;



Onde:


IGBT
Quando usar IGBT:
1. Freqncias baixas (menor que 50 kHz);
2. Tenses altas (> 500 V);
3. Potncias altas (> 1 kW).
IGBT
www.irf.com
Quando usar IGBT:
1. Freqncias baixas (menor que 50 kHz);
2. Tenses altas (> 500 V);
3. Potncias altas (> 1 kW).
Encapsulamentos:
IGBT
www.semikron.com
IGBT
Encapsulamentos:
www.irf.com
Dados de catalogo:
IGBT
Demo

Testes de IGBT com multmetro.


Demonstrao
IGBT
MOSFET IGBT BJT
Tipo de comando Tenso Tenso Corrente
Potncia do comando Mnima Mnima Grande
Complexidade do
comando
Simples Simples Mdia
Densidade de corrente
Elevada em baixas
tenses e Baixa em
altas tenses
Muito elevada Mdia
Perdas de comutao Muito baixa Baixa para Mdia Mdia para Alta
BJT x MOSFET x IGBT
Prxima Aula
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Componentes Semicondutores:

Dimensionamento e especificao de semicondutores.