Transistores de Potência

 Classificação:
1.Transistores bipolares de junção- BJTs.

2.Transistores de efeito de campo de óxido metálico

semicondutor- MOSFETs.

3.Transistores de indução estática –SITs

4.Transistores bipolares de porta isolada- IGBTs

Transistores Bipolares de Junção

 Definição:
O BJT é dispositivo semicondutor com três
terminais controlado por corrente.Este dispositivo
consiste de duas camadas de material tipo N e
uma tipo P –Transistor- N P N , ou duas camadas P
e uma N –Transistor- P N P .
Estrutura dos BJTs
Curvas características de regime permanente

 Três tipos de configurações são possíveis:

a)Coletor comum;
b)Base comum e
c)Emissor comum.
 Nas aplicações do transistor como chave
geralmente se utiliza a configuração
emissor comum, e o tipo N P N
Diagrama do circuito e curvas
Modelo do transistor N P N
 Curva característica de transferência.
Modelo do transistor N P N
I E  IC  I B

IC

IB
I C  I B  I CEO

I E  I B (1   )  I CEO I E  I B (1   )

1  1
I E  I C (1  )  IC
 

I C  I E onde  
 1
Transistor operando como Chave

VB  VBE
IB  se IB  0 Re ião de corte
RB

βRC
VCE  VCC  IC RC  VCC  ( VB  VBE )
RB

VCE  VCB  VBE ou VCB  VCE  VBE

se VCE  VBE Re gião ativa

VCE  VBE Re gião de saturação
Transistor Bipolar de Potencia (BPT)
Referência Características Aplicações Caixa Pinagem

BUT102 400/300V, 50A, Chaveamento 1-Emissor

300W Potencia 2-Base
3-Coletor

BUT98 850/450V, 30A, Chaveamento 1-Base

200W Potencia 2-Coletor
3-Emissor
4-Coletor

BUT11 850/400V, 5A, Chaveamento 1-Base

100W Potencia 2-Coletor
3-Emissor
4-Coletor
MOSFETs de Potência
 Definição:
Um MOSFET de potência é um dispositivo
semicondutor com três terminais,
controlado por tensão e que requer
apenas uma pequena corrente de entrada.
Tipos de MOSFETs

MOSFET

DEPLEÇÃO ENRIQUECIMENTO

Canal N Canal P Canal N Canal P

MOSFET tipo depleção canal N
Estrutura básica - Símbolo


MOSFET tipo depleção canal P
Estrutura básica - Símbolo


MOSFET tipo enriquecimento canal N
Estrutura básica - Símbolo


MOSFET tipo enriquecimento canal P
Estrutura básica - Símbolo
Curvas características de saída
MOSFET do tipo enriquecimento
ΔID
gm 
ΔVGS VDS  Cont .

ΔVDS
RDS 
ΔI D

Re gião saturada  megaohms

Re gião linear  miliohms

Modelo de chaveamento em regime
do MOSFET
Modelo transitório do MOSFET
Excitação da porta
V Uso do MOSFET
IG  G em t  0 
RG

RGVG
VGS  em regime
RS  R1  RG
Transistores bipolares de porta
isolada - IGBTs
 Um IGBT de potência é um dispositivo
semicondutor com três terminais,
controlado por tensão e que combina as
vantagens dos BJTs e MOSFTEs.
 Um IGBT tem impedância de entrada
elevada, como os MOSFETs, e baixas
perdas em condução, como os BJTs.
Circuito equivalente do IGBT