Introdução ao Transistor Bipolar de Junção (TBJ

Câmpus Ponta Grossa
UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ
TRANSITOR BIPOLAR
DE JUNÇÃO (TBJ)
Prof. Dr. Hugo Valadares Siqueira
Especialização em Automação e Controle de

Processos Industriais
SUMÁRIO
• Equações aos terminais
• Modelo de pequenos sinais
• Montagens amplificadores de um único
canal
• Princípios Físicos – junção npn e pnp
• Equação de Ebers-Moll de funcionamento
na região de saturação
• Modelo de alta-frequência
Transístor n-p-n
W
n p n
Emissor coletor
Base
Junção base-emissor Junção base-coletor
• Semelhante a dois diodos ânodo com ânodo

• A largura de base, W, é muito pequena!
• Três zonas tipicas de operação
– Zona de corte – Ambas as junções em corte
– Zona ativa – Junção B-E ON Junção B-C OFF
– Zona de saturação – Ambas as junções ON
Funcionamento na Zona ativa

A Junção BE emite elétrons que
se deslocam para o coletor
Emissor Coletor
n p n
Ie Ic
Base
I
Junção Polarizada Junção Polarizada
diretamente Ib inversamente
• Na zona ativa temos a junção BE polarizada diretamente e a

junção BC polarizada inversamente
• Os elétrons responsáveis pela condução de corrente na junção
base emissor atravessam a pequena base e são recolhidos no
coletor!
Funcionamento na Zona ativa

A Junção BE emite elétrons que se
deslocam para o coletor
Emissor n p n coletor
Ie Ic
Base
I
Junção Polarizada Junção Polarizada
diretamente Ib inversamente
• Porque é que os elétrons não são bloqueados pela junção base

coletor?
– Porque como a base é muito fina a velocidade dos elétrons é
suficiente para que os elétrons chegem ao lado n antes de
colidirem com outras particulas (nucleos ou lacunas).
– Os que ficam pelo caminho vão formar parte da corrente na base.
– Assim temos que a corrente no coletor será aproximadamente igual
à corrente no emissor (IcIe) e que a corrente a base será muito
pequena (Ib<<Ic)
– De fato temos que Ic é proporcional a Ib, Ic =  Ib, com >>1
Equações para as correntes (zona ativa)

iC   iB
coletor
Ic
iC  I S e v BE / vT Ic Base
n
p
Ib Ib
Temos ainda: iE  iB  iC Ie
n
iE  iB   iB  (  1) iB
Ie


 1 Emissor
iC   iE
Símbolo
• O símbolo do transístor npn é baseado no
seu modelo equivalente
coletor
C
Ic
base
B
Ib
Ie
E
emissor
Modelos equivalentes (npn)

C C
B
iC  I S e vBE / VT iB  iC / 
B
iC  I S e vBE / VT
iE  iC / 
E E
C
C
B
iC   iE
B IS iC   iB
iB  e v BE / VT
iE 
IS
e vBE / VT 

E E
Transístor pnp
W
iC   iB p n p
Emissor Coletor
Base
emissor
Ie
• O emissor injeta lacunas na base que
base passam diretamente para o coletor.
• As equações são semelhantes às do
transístor npn mas mudam os sentidos
das correntes e troca-se Vbe por Veb.
Ib
Ic
coletor iC  I S e v EB / vT
Modelos equivalentes (pnp)

E
E
iE  iC /  iC  I S e vEB / VT
B iB  iC / 
iC  I S e vEB / VT B
C
E E
IS
iE  e vEB / VT IS
B
 iB  e vEB / VT iC   iB

iC   iE C
B
C
Funcionamento na Zona Ativa

npn pnp
Ic
Ib V EB Ie
V CE
V EC
V BE iC   iE
Ie Ib Ic
VCE  0.2V JBE ON

VEC  0.2V JBE ON
iC  I S e v BE / VT
iC  I S e v EB / VT
   /(  1) iC   iB
Zona de Saturação
• A junção Base-Coletor começa a conduzir para Vbc=0.5V de
onde resulta que na entrada na zona de saturação
podemos considerar Vce=0.2
Modelo para o transístor na zona de saturação
C
C Modelo simplificado
0.5V
B C
0.2V
0.2V
B 0.7V
B
0.7V
E
E E
Curvas Características dos

Q1
• Zona Ativa Transistores I1

50uA
2N3903 V2
12V
Ib=60uA
Ic (A) Ib=20uA
Vce (V)
Zona Ativa Inversa

• Zona Ativa Inversa
– O transístor é um dispositivo aproximadamente simétrico, de tal
forma que se trocarmos o emissor com o coletor obtemos um
novo dispositivo, que continua a funcionar como um transístor
– No entanto o coletor é em geral menos dopado que o emissor,
o que resulta em novo  (R) bastante pequeno
– Trocar o emissor com o coletor corresponde utilizar um valor
de VCE negativo
Ie
VEC  0.2V JBC ON
Ib
VBE
VCE
iE  I S e v BC / VT
Ic
iE   R iB iE   R iC
Curvas Características
 R  
Zona ativa
Zona saturação
Zona ativa
inversa
Variação de beta com a

corrente
200
150
beta
100
50
0
0,0000001 0,00001 0,001 0,1 10 1000
Ic (A)
grandes variações de corrente provocam variações do beta

O Efeito da Temperatura
Sensibilidade á Temperatura
• Vbe varia cerca de
–2mV/ºC para valores 1,2
semelhantes de Ic
1
• Beta do transístor 0,8

tipicamente aumenta 0ºC
com a temperatura
Ic (A)
0,6 27ºC
60ºC
0,4
Q1
2N3903 V2 0,2
12V
V1
0
1V
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Vbe (V)
Efeito de Early
Mesmo na zona ativa existe uma pequena
dependência de Ic com Vce. Isso devido a Q1
2N3903 V2
12V
uma diminuição da largura efetiva da I1

50uA
região de base, devido ao alargamento da

região de depleção da junção CE. Efeito
de Early.
 vce 
ic  I S e v BE / vT
1  
 VA 
Tensão de
Early
VA
Modelo de pequenos sinais

Modelo 
Modelo T
C C
B
+ r iC  gm. v iC  gm . vBE
v
- iC   . iB B iC   iE
E re
E
IC VT 
gm  r   IC r VT
VT I B gm gm  re  
VT  1 IE
Nota: v  vBE
Incorporando o efeito de Early

Modelo  aumentado
C ro modela o efeito de Early

B
Pode ser considerado
+ r como a resistência de
v rO
saída da fonte de corrente.
-
VA
rO 
IC
Polarização
• Polarização: escolha do ponto de funcionamento em repouso
com uma fonte de tensão
• Como regra é usual distribuir a tensão igualmente por Rc, Vce
e Re: I R  V  I R
C C CE E E
R2
V CC
VB  VCC RB  R1 // R2
V CC
R1  R2
VB  VBE
VB Rc
IE 
RE  RB /(  1)
Rc
R1
Rb
Para que IE seja insensível a
variações de temperatura e de 
devemos ter
Equivalente de
VBB  VBE
R2
VB
Re
Thévenin Re
IE 
RE  RB /(  1) RE
Polarização
• A polarização com duas  Polarização com uma fonte de
fontes de tensão permite corrente permite aumentar a
reduzir o consumo, etc… impedância vista da base, etc…
V CC
VEE  VBE V CC V CC
IE 
RE  RB /(  1) Rc
R1 Rc
Rb
I E1  I E 2 
Re VCC  VEE  VBE
R1
IC   I E
V EE V EE
Configurações de Amplificação de
um Único Bloco
Montagem emissor Montagem coletor Montagem base
comum comum ou seguidor de comum
emissor
V cc V cc
Rc Rc
V cc
Vo
Vo
Rs
Q1 Rs
Q1
Q1
V1 Ce
Vo Rs
V1
I1 I1
Rl I1
V1
V ee
V ee
V ee
Montagem Emissor Comum

V cc Modelo de pequenos sinais
ib
Rs
Rc
gm vpi io
+ Ro
Vo Vi Ri vpi Rpi ro Rc
-
Rs
RI  r
Q1
e vO   gm . v rO // RC 
r
V1 v  vi
RS  r
 r 
rO // RC 
I1
AV   gm  
 RS  r 
V ee
AV   gm RC
rO
AI      RO  RC // rO
Usa-se para ter rO  RC
Ganho de tensão
Emissor Comum Degenerado

V cc Vo
.ie Io
Rc Rc
Vo
Ii
Ro
+
Rs
Rs re v
Q1
Vs
Ri -
V1
Re Re
RI  r    1 RE
I1
 RC RC
AV   
V ee
RS    1re  RE  RE
AI   RO  RC
Montagem Coletor Comum

ou Seguidor de Emissor
V cc
Nota:
calcularam-se os ganho
de corrente e tensão Rs
Rs
com carga
Q1
Ce
Vo
V1 Ri re
V1 Vo
I1
Rl
Ro Io
ro
Rl
V ee
re  ro // RL RL RI    1re  ro // RL 
AV   1
RS RS
re  ro // RL  RL   RS 
 1  1 RO  rO // re    re
  1
AI    1
rO
rO  RL Usa-se para ter Ganho de corrente
Montagem Base Comum Vo
V cc  iE Rc
Ro
Rc
re
Vo Rs
Vi
Q1 Ri
Rs
I1
V1
RI  re RO  RC
AI    RC
AV 
V ee
RS  re
O Inversor BJT
Vcc
VOH
Rc Zona Zona
Corte ativa
Vo
Rs
Q1
Zona
VOL Saturação
Vi
0.2V
VIL 0.7V VIH
Exemplo:
Rb=10k , Rc=1k e =50 e Vcc=5V
5  0.2
VIH  0.7V  RS I B  0.7V  RS  1.66V
RC 
Não é utilizada em parte
Margens de Ruído: devido ás dificuldades
em retirar o transistor da
NM H  VOH  VIH NM L  VIL  VOL saturação
Perfil da Densidade de Portadores

Emissor (n) Vbe Vcb
Coletor (n)
O Campo eléctrico
n(x) n p (0) Base (p) remove os elétrons
livres
p(x)
Linear já que
I W W << Ld
Largura efetiva de base
• A densidade de elétrons livres decresce na base. No coletor os

elétrons livres são removidos pelo campo eléctrico.
• Como a base tem um comprimento bastante inferior ao comprimento
de difusão este decréscimo é linear.
• A base (tipo-p) é bastante menos dopada que o emissor (tipo-n) logo
a concentração de lacunas é bastante inferior à concentração de
elétrons livres.
Corrente majoritária
Emissor (n) Vbe Vcb
A tensão Vbe aumenta
coletor (n)
com a concentração de
n p ( 0)
n(x)
Base (p)
elétrons livres no
p(x) emissor
2 v BE
n
n p ( 0)  n p 0 e
I
 i vT
d n p ( x) n p0
iC  in   AE q Dn  NA
dx
2
n p ( 0) AE q Dn n vBE / vT
AE q Dn
W iC  e i
NAW
• O emissor (tipo-n) é muito mais dopado que a base
(tipo-p) donde resulta que a corrente é majoritariamente
formada por elétrons livres, que se deslocam
diretamente do emissor para o coletor!
Corrente majoritária
Emissor (n) Vbe Vcb
coletor (n)
n(x) n p ( 0)
Base (p)
p(x)
I
2
AE q Dn n
iC  I S e v BE / vT
IS  i
NAW
• O Transístor na zona ativa comporta-se como um

díodo polarizado diretamente com uma corrente de
saturação dada por “Is”, mas em que corrente flui
num terceiro terminal denominado de coletor!
Corrente na base
• A corrente da base tem duas iB  iB1  iB 2
componentes:
– iB1 = Corrente minoritária devido às
lacunas que se deslocam da base para o AE q D p ni2
emissor. Equação equivalente à corrente iB1  e vBE / vT
de lacunas de uma junção p-n.
N D Lp
- iB2 = Corrente de reposição dos elétrons que se recombinam com as
lacunas ao atravessarem a base.
Tempo médio que um electrão

Carga
Qn demora até se recombinar com
armazenada
iB1  uma lacuna
na base
B
1 1 AE q W ni2 vBE / VT
Qn  AE q  n p (0) W iB 2  e
2 2 B NA
Ganho de corrente do
Transístor
Combinando as equações anteriores
1
iC   iB 
Dp N A W 1 W 2

Dn N D LP 2 Dn B
Temos ainda a
relação de Einstein:
Dn B  L2n
• Deve-se notar que:

– Beta aumenta com a diminuição da largura da base
– Beta aumenta com a concentração de impurezas no emissor e
diminui com a concentração de impurezas na base.
• Beta é normalmente considerado aproximadamente constante
para um dado transístor apesar de variar com vários fatores
Substrato
• Os transístores nos circuitos integrados modernos
são em geral construídos através da adição de
impurezas a uma bolacha de semicondutor.
Transístor planar Transístor vertical
Corte
contatos vertical Transístor
E B C E B C
metálicos
n n n p n
p
Bolacha de
Silício
Substrato de Silício
Modelo de Ebers Moll

IE 
IS

e v BE / VT
 
 1  I S e vBC / VT  1  coletor
Ic
IC  I S e  v BE / VT
1  R
IS
e v BC / VT
1 
 
I C1  I S e vBE / VT  1
Donde se deduz que: I C 2  I E1 /  R
IB 
IS
F
e v BE / VT

1 
IS
R
e v BC / VT
1 Base
Ib
I E 2  I C1 / 

I E1  I S e vBC / VT  1 
Modelo global de funcionamento do
transístor Emissor Ie
Zona de Saturação
• Utilizando o modelo de Ebers 250
Moll podemos chegar a seguinte
VceSat (mV)
fórmula para a região de 200
saturação. 150
1  (  forced  1) /  R 100
VCESat  VT ln 50
1   forced /  F
10 20 30 40
IC forced
 forced   forced   F
IB
Exemplo: =50
forced 50 48 45 40 30 20 10 1 0
Vcesat(mV)  235 211 191 166 147 123 76 60

Concentração de Portadores Minoritários

na Base de um Transístor Saturado
Zona
Zona ativa Zona ativa Saturação
inversa
n p 0 e vBE / VT
n p 0 e vBC / VT
Tempos elevados para a Grande quantidade de carga

saída da região de saturação Armasenda na base!
Modelo de Transporte
coletor
IB 
IS
F
e v BE / VT
1   Ic
IS
R
e v BC / VT
1   
I C  I S e vBE / VT  1
Base  
 I S e vBC / VT  1
Ib
Uma forma alternativa do
modelo de Ebers-Moll
Emissor Ie
Beta para pequenos sinais

iC
hef   ic / ib   AC
iB
•  depende de Ic
Valor redusido
iC   (iB ).iB 

hef     ' (iB ).iB   (iB )
iB iB
Beta corresponde a
hef   , mas hef   secante à curva, e hef à
tangente à curva!
Efeitos capacitivos no BJT

• Capacidade de W2 IC
difusão ou de Qn  iC   F iC  Cde   F
2 Dn VT
carga na base
(zona ativa)
Junção ao corte Junção em condução
• Capacidade da C je 0
junção base C je  m C je  2C je 0
emissor  VBE 
1  
 VOE 
• Capacidade da C 0
junção base C  m C  2C 0
coletor  VBC 
1  
 VOC 
C  C fe  Cde
Modelo de Alta frequência

B rx C C
r C ro
Este modelo só é
válido até cerca de
0.2 ft
E
0
h fe 
1  s C  C r
Circuito para
Variação de hfe com a frequência determinação do beta
0
V cc
hfe
h fe 
0 f
1  0
fT Q1
gm
fT 
ft f 2 C  C 
COMPOSIÇÃO DA NOTA
RELATÓRIO DO ÚLTIMO EXPERIMENTO (PESO - 50%)
-PROJETO DE UM AMPLIFICADOR OPERACIONAL COM INVERSÃO DE
SINAL E GANHO “3”
-COLOCAR OS CRITÉRIOS PARA ESCOLHA DO TIPO DE CONFIGURAÇÃO
(REALIMENTAÇÃO)
-COLOCAR OS CÁLCULOS REFERENTES AO EQUACIONAMENTO DO
CIRCUITO USADO E O DIMENSIONAMENTO PARA OBTENÇÃO DO
GANHO DESEJADO
-SEGUIR AS DIRETRIZES PARA ELABORAÇÃO DE RELATÓRIO ENVIADAS
PELO PROFESSOR
-O RELATÓRIO DEVE SER BEM OBJETIVO, NA REV. DE LITERATURA.
COLOCAR APENAS REFERÊNCIAS COM RELAÇÃO DIRETAMENTE COM
O PROJETO
AVALIAÇÃO ESCRITA – EXERCÍCIOS (PESO – 50%)

- RESOLVER OS EXERCÍCIOS DE FORMA MANUSCRITA
- NÃO SERÃO ACEITAS RESOLUÇÕES DIGITALIZADAS
- É OBRIGATÓRIA A APRESENTAÇÃO DOS CÁLCULOS
- NÃO SERÃO ACEITAS APENAS AS RESPOSTAS

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Câmpus Ponta Grossa

UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ

Especialização em Automação e Controle de

• Semelhante a dois diodos ânodo com ânodo

Funcionamento na Zona ativa

• Na zona ativa temos a junção BE polarizada diretamente e a

Funcionamento na Zona ativa

• Porque é que os elétrons não são bloqueados pela junção base

Equações para as correntes (zona ativa)

Modelos equivalentes (npn)

Modelos equivalentes (pnp)

Funcionamento na Zona Ativa

VCE  0.2V JBE ON

Modelo para o transístor na zona de saturação

Curvas Características dos

• Zona Ativa Transistores I1

Zona Ativa Inversa

Variação de beta com a

grandes variações de corrente provocam variações do beta

• Beta do transístor 0,8

uma diminuição da largura efetiva da I1

região de base, devido ao alargamento da

Modelo de pequenos sinais

Incorporando o efeito de Early

C ro modela o efeito de Early

Montagem Emissor Comum

Emissor Comum Degenerado

Montagem Coletor Comum

Montagem Base Comum Vo

VIL 0.7V VIH

Perfil da Densidade de Portadores

• A densidade de elétrons livres decresce na base. No coletor os

• O Transístor na zona ativa comporta-se como um

Tempo médio que um electrão

• Deve-se notar que:

Modelo de Ebers Moll

Donde se deduz que: I C 2  I E1 /  R

Vcesat(mV)  235 211 191 166 147 123 76 60

Concentração de Portadores Minoritários

Tempos elevados para a Grande quantidade de carga

Beta para pequenos sinais

iC   (iB ).iB 

Efeitos capacitivos no BJT

Modelo de Alta frequência

AVALIAÇÃO ESCRITA – EXERCÍCIOS (PESO – 50%)

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