CAPÍTULO 5

TRANSISTORES BIPOLARES
DE JUNÇÃO (TBJ)
Cap5.1 - Parte I

Seções 5.1 a 5.5

Livro: Sedra/ Smith - Microeletrônica – 5ª ed.

1
5.1- ESTRUTURA DO DISPOSITIVO E OPERAÇÃO FÍSICA
5.1.1 - Estrutura simplificada e modos de operação
O transistor é composto por duas junções pn:
junção emissor-base (JEB) e junção coletor-base (JCB)

Figura 5.1- Uma estrutura simplificada do transistor npn.

JEB JCB

Figura 5.2- Uma estrutura simplificar do transistor pnp.

JEB JCB 2
 junção emissor-base (JEB) e junção coletor-base (JCB)
Dependendo da condição de polarização (direta ou reserva) de cada uma dessas
junções, são obtidos diferentes modos de operação do TBJ.

Modos de operação do TBJ

Modo JEB JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Ativo Reverso Reversa Direta
Saturação Direta Direta

• O modo ativo é aquele em que o transistor é utilizado para operar como um

amplificador.
• Os modos de corte e de saturação são usados em aplicações de chaveamento (por
exemplo circuitos digitais).
• O modo ativo reverso (ou ativo inverso) tem pouca aplicação.

** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n
3
 5.1.2 - Operação do transistor npn no modo ativo

Figura 5.3- Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado para operar no modo ativo.

VBE polariza diretamente a JEB e VCB polariza reversamente a JCB

polarizando diretamente a JEB → VBE faz que a base tipo p esteja em um potencial
mais alto que o emissor tipo n
polarizando reversamente a JCB → VCB faz que o coletor tipo n esteja em um potencial
mais alto que a base tipo p
** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n
4
5.1.6 - O transistor pnp no modo ativo

Figura 5.11- Fluxo de corrente de um transistor pnp polarizado para operar no modo ativo.

VEB polariza diretamente a JEB e VBC polariza reversamente a JCB

polarizando diretamente a JEB → VEB faz que o emissor tipo p esteja em um

potencial mais alto que a base tipo n

polarizando reversamente a JCB → VBC faz que a base tipo n esteja em um potencial
mais alto que o coletor tipo p

** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n 5
 5.2- CARACTERÍSTICAS CORRENTE-TENSÃO
5.2.1- Símbolos e convenções para circuitos

npn Modo Ativo

pnp
polarizando reversamente a JCB emissor polarizando diretamente a JEB
↙ JEB
↙
vCB + +
vCB ≥ - 0,4 V vEB
n ↓IC p ↓IE
- IB - IB
→ p ← n
+ +
vBE n ↓IE vBC p ↓I
C vBC ≥ - 0,4 V
JEB - -
polarizando reversamente a JCB
polarizando diretamente a JEB

Figura 5.13- Símbolos de circuito para TBJs.

Como a convenção esquemática adotada no livro é o fluxo de corrente de cima

para baixo e potenciais mais altos em cima, sempre será desenhado os transistores
pnp com emissor em cima.

** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n 6
Tabela 5.2 - Resumo das relações corrente-tensão para o TBJ no modo ativo

iC = I S e vBE / VT Onde Is é a corrente de saturação (ou fator de

escala de corrente). A faixa típica de valores de IS
iC I  v BE / VT é de 10-12 a 10-18 A (dependendo das dimensões
iB = = S e do dispositivo).
  
Nota: Para o transistor pnp, substitua vBE por vEB
I
iC  vBE / VT
iE = = S e
   VT → tensão térmica = 25 mV à temperatura ambiente
iC
iE = → iC = i E
 
=
iC 1−
iB = → iC = iB


iE =
iB = → iE = (  + 1)iB  +1
 +1
iB 1
iB = (1 −  )iE → iE =  +1 =
1− 1−
i E = iC + i B
7
 5.3.4- Operação como chave
TBJ como chave → modos de operação: corte e saturação
Circuito emissor comum VCC vCB ≥ - 0,4 V→ polarização
reversa da JCB
v I = iB RB + VBE
RC
IC
v − VBE
iB = I C vC v = v
RB RB C CE
B

iB VBE Figura 5.16

vI A característica iC - vBE
Figura 5.32
para um transistor npn

Para vI < ≈ 0,5 V → o transistor está no corte → iB = 0 , iC = 0 e vC = VCC

↑ iB = vI − VBE
Para vI > 0,7 V → vBE ≈ 0,7 V → o transistor conduz → ↑
Eq. 5.60
RB
e a corrente de coletor será ↑iC =  iB ↑ Eq. 5.61
que é válida somente quando o dispositivo estiver no modo ativo, para vC > vB - 0,4V
(JBC reversamente polarizada) (vCB > - 0,4V)
A medida que vI é aumentado, iB aumentará (Eq. 5.60), iC também aumentará (Eq.
5.61) e vC diminuirá (Eq. 5.62) e ficará menor que vB - 0,4V (vC < vB - 0,4) → transistor
entra na saturação.
↓vC = VCC − RC iC ↑ Eq. 5.62
8
O ponto de limiar para a saturação (LPS) é definido como: Fmin ≤ F ≤ Fmax

VCC − VCE ( LPS ) V − 0,3 onde: VCE(LPS) = 0,3 V (limiar) IC(LPS)

I C ( LPS ) = = CC
RC RC
vC = VCE(LPS)
e
I C ( LPS ) iC
I B ( LPS ) = iB = VI(LPS) +
 F ( mínimo)  IB(LPS) VBE
-

O valor necessário de vI para levar o transistor ao limiar para a saturação pode ser
encontrado a partir de:
Da Eq. 5.60 → VI ( LPS ) = I B ( LPS ) RB + VBE ↑ iB = vI − VBE
↑
Eq. 5.60
Onde VBE ≈ 0,7 V RB

Aumentando vI acima de VI (LPS) , a corrente de base aumenta e coloca o transistor

mais profundamente na saturação. VCE diminui apenas levemente e permanece em
VCEsat ≈ 0,2 V . A corrente de coletor então permanece aproximadamente constante em
ICsat dado por: v < v - 0,4 IC B Csat

VCC − VCEsat VCC − 0,2 iB >IB(LPS)

I Csat = = vC = VCEsat
RC RC
vI >VI(LPS)
onde VCEsat ≈ 0,2 V
9
Na saturação, podemos forçar o transistor a operar em qualquer β desejado abaixo do
valor normal (βmínimo); isto é, a razão entre a corrente de coletor ICsat e a corrente de base
IB pode ser fixada arbitrariamente e por essa razão, é chamada de forçado.
VCEsat = 0,2 V
Fmin ≤ F ≤ Fmax
I Csat
Na saturação: ↓  forçado = forçado < βmínimo 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
IB ↑ 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶

Aumentos na corrente de base coloca o transistor mais profundamente na saturação.

A razão entre IB e IB (LPS) é conhecida como fator_forçado:

VCE(LPS) = 0,3 V (limiar)

IB ↑ VCC − VCE ( LPS )

↑ fator _ forçado = I C ( LPS ) =
I B( LPS ) RC

Na saturação: IB > IB(LPS)

I C ( LPS )
onde: I B ( LPS ) =
 F ( mínimo)

Quanto maior o fator_ forçado , mais o transistor é levado para a saturação.

10
 Exemplo 5.3 - pag. 262 Solução:
Fmin ≤ F ≤ Fmax
Encontre o valor de RB que resulta na saturação com um: 50 ≤  ≤ 150
Fator forçado de pelo menos 10 → fator_forçado ≥ 10 VI = 5V

IB
fator _ forçado =  10 I B  10 xI B( LPS )
I B( LPS )
VCC = 10V
I C ( LPS ) vC = vCE
onde: I B ( LPS ) =
 F ( mínimo) RC
RB =  ↓IC
+
No limiar (LPS): VCE(LPS) = 0,3 V (limiar para saturação) V
I
→ + VCE = VC
VCC − VCE( LPS ) 10 − 0 ,3 IB VBE
I C ( LPS ) = = = 9 ,7mA - -
RC 1k
corrigir livro
Figura 5.33
I C ( LPS ) 9 ,7
I B( LPS ) = = = 0 ,194mA I B ( LPS ) = 0,194mA V − VBE
 F ( mínimo ) 50 IB = I
RB

I B  10 xI B( LPS ) I B  10 x 0,194mA I B  1,94 mA VBE = 0,7 V

11
 VCC = 10V
I B  1,94mA vC = vCE
RC
VI = 5V VBE = 0,7 V RB =  ↓IC
+
↓ VI
V − VBE 5 − 0,7 4,3 → + VCE = VC
IB = I = = IB VBE
RB RB RB - -

Figura 5.33
4 ,3 4,3
IB =  1,94mA RB  RB  2 ,2 k
RB 1,94mA
I C = I B

Para um fator_forçado = 10 → RB = 2,2kΩ

----------------------------------------------------------------------------

12
 Exercício 5.21 - pag. 263
Considere VCC = 5V , VI = 5V , RB = RC = 1 kΩ e  = 100

(a) Calcule IB e IC e VC . Se o transistor estiver saturado, encontre forçado.

Solução: supondo modo ativo

VI − VBE 5 − 0,7
IB = = = 4,3mA
RB 1k

I C =  I B = 100 x 4,3x10−3 = 0,43 A +

→ + VCE = VC
−VCC + RC iC + VC = 0 iB VBE -
-
VC = VCC − RC iC Figura 5.32

VC = 5 − 1x103 x0, 43 = −425V ???

supor saturado → VCEsat = 0,2V

13
 Solução: supondo saturado → VCEsat = 0,2V
VCC − VCEsat 5 − 0,2
I Csat = = = 4,8mA VC = VCEsat
RC 1k
V − VBE 5 − 0,7
IB = I = = 4,3mA
RB 1k +
→ +
I I Csat 4,8 iB VBE - VCE = VC
 forçado = Csat = = 1,11   = 100
IB IB 4,3 -
→ realmente saturado com βforçado = 1,11 Figura 5.32

portanto VC = VCEsat = 0,2V min =  = 100

(b) Para qual valor RB deveria ser aumentado a fim de trazer o transistor para o limiar
da saturação?
I C ( LPS )
Solução: limiar de saturação → VCE(LPS) = 0,3V I B ( LPS ) =
 F ( mínimo)

VCC − VCE ( LPS ) 5 − 0,3 I C ( LPS ) 4,7mA

I C ( LPS ) = = = 4,7mA I B ( LPS ) = = = 0,047mA
RC 1k F 100

VI − VBE 5 − 0,7 IB (LPS) = 47 μA

Onde VBE ≈ 0,7 V RB = = = 91,49k
I B ( LPS ) 0,047mA
14
--------------------------------------------------------------------------
 Resumo: TBJ no modo de saturação

Transistor npn no modo de saturação:

vB > vE → JEB diretamente polarizada, vBE > 0,5 V, tipicamente vBE ≈ 0,7 V e
vC  vB - 0,4V → JCB diretamente polarizada, vCB  - 0,4 V e vCE = vCEsat = 0,2V

I IB
 forçado = Csat fator _ forçado =
IB βforçado < βF(mínimo) I B( LPS )
ou
I C ( LPS )
I B ( LPS ) =  F ( mínimo)
 F ( mínimo) fator _ forçado 
 forçado

Transistor pnp no modo de saturação:

vE > V B → JEB diretamente polarizada , vEB > 0,5 V, tipicamente vEB ≈ 0,7 V e
vB  vC - 0,4V → JCB diretamente polarizada, vBC  - 0,4 V e vEC = vECsat = 0,2V

IB
I fator _ forçado =
 forçado = Csat I B( LPS )
IB βforçado < βF(mínimo) ou
I C ( LPS )  F ( mínimo)
I B ( LPS ) = fator _ forçado 
 F ( mínimo)  forçado
15
 5.4- CIRCUITOS TBJ EM CC
Resumo: Análise de circuitos TBJ com apenas tensões cc aplicadas.
Procedimento: Usaremos modelos simplificados em que |VBE|= 0,7 V e |VCE|= 0,2 V
transistor saturado.
1- Suponha que o transistor esteja operando no modo ativo e determine as diversas
tensões e correntes correspondentes.
2- Faça a verificação da suposição inicial de operação no modo ativo; isto é :
vCB ≥ - 0,4 V para npn ou vBC ≥ - 0,4 V para o pnp
3- Se a resposta for sim final do problema.
4- Se a resposta for não, suponha operação no modo de saturação, VCEsat = 0,2V, e
determine as correntes e tensões.
5- Faça a checagem dos resultados baseada na suposição de operação no modo de
saturação. Neste caso, o teste é fazer normalmente o cálculo da razão ICsat / IB e
verificar se é menor que o mínimo do transistor, isto é:
I Csat I
se < βmínimo β forçado = Csat realmente saturado
IB IB
Uma vez que o  do transistor varia em ampla faixa, devemos utilizar o menor 
especificado da faixa para esse teste.
Obs: A ordem em que são feitas essas duas suposições não importa.
16
 Análise de circuitos TBJ com apenas tensões cc aplicadas.

Exemplo 5.4 – pag. 263

Estudar

VCB  - 0,4 V
VC – VB ≥ - 0,4 V
VB ≤ VC + 0,4 V

Figura 5.34 - Análise do circuito por exemplo 5.4: (a) circuito; (b) circuito redesenhado para lembrar o leitor da
Convenção usada neste livro para mostrar conexões com a fonte de alimentação; (c) a análise com os passos
numerados.

Exercício 5.22 e 5.23 - Figura 5.34 - pag. 265

17
Exemplo 5.4 – pag. 263

Considere o circuito mostrado na Figura 5.34(a), o qual está redesenhado na Figura

5.34 (b), para lembrar ao leitor a convenção empregada no decorrer deste livro e
indicar as conexões das fontes cc. Desejamos analisar esse circuito para determinar
todas as tensões nodais e correntes dos ramos. Vamos supor que  seja especificado
com um valor de 100.
Onde: VB = 4 V ; VCC = 10 V ; RC = 4,7 kΩ ; RE = 3,3 kΩ
VCC

VB RC
RC
VCC

VB
RE
RE

Figura 5.34 (b)

Figura 5.34 (a)

18
 VCC
Solução:
VB = + 4V

Supor que a junção emissor base esteja V +

VB = + 4V ↓IC
polarizada diretamente, então VBE  0,7 V VCB VC
-
+
−𝑉𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0 VBE ↓IE
-
VE
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 4 − 0,7 = 3,3 𝑉 RE

𝑉𝐸 −0 3,3
𝐼𝐸 = = = 1 mA
𝑅𝐸 3,3

Figura 5.34 (a)

Supor que VC > VB - 0,4V → operação no modo ativo
𝛽 100
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 𝛼= =  0,9901
𝛽+1 101

𝐼𝐶 = 0,9901𝑥 1 = 0,9901 𝑚𝐴

19
− VCC + I C RC + VC = 0 → VC = VCC − I C RC → 𝑉𝐶 = 10 − 0,9901𝑥4,7 = 5,347 V
𝑉𝐶 = 5,347 V

Verificação da suposição inicial de operação no modo ativo

Se VCB  - 0,4 V está no modo ativo VB = + 4V VCC

VCB = VC - VB = 5,347 – 4 = 1,347 V → o transistor está VB
no modo ativo, como havíamos suposto. RC IC

IB VC
𝐼𝐸 1𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 𝐼𝐵 = = 9,901 x 10-6 A
𝛽+1 101
VBE
VE
𝐼𝐵 = 0,009901 mA
RE IE
𝑉𝐶 = 5,347 V 𝐼𝐶 = 0,9901 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 3,3 𝑉 𝐼𝐸 =1 mA

20
 Exercício 5.22 – pag. 265
Determine o maior valor de VB para o transistor permanecer no modo ativo. VCC
Solução: Suponha  ≈ 1.
Para o transistor permanecer na região ativa vCB ≥ - 0,4 V
VVB +
VCB  −0,4V → VC − VB  −0,4V → VB  VC + 0,4V (1) VCB ↓IC
-
+

− VCC + I C RC + VC = 0 → VC = VCC − I C RC (2) +

VC
VBE - ↓IE
V −V
− VB + VBE + I E RE = 0 → I E = B BE -
RE

Região ativa → VBE = 0,7V Suponha  ≈ 1

VB − VB E VB − 0,7
I C = I E → I C  I E → IC  I E = = (3) Figura 5.34 (a)
RE 3,3k

 V − 0,7 
(3) em (2) → VC = 10 −  B 4,7k → VC = 10,997 − 1,42VB (4)
 3,3k 
11,397
(4) em (1) → VB  10,997 − 1,42VB + 0,4 → VB  → VB  4,709V
2,42
VB maior = 4,709V
------------------------------------------------ 21
 Exercício 5.23 - pag. 265
VCC
Reprojete o circuito da Figura 5.34(a) para estabelecer
IC = 0,5 mA e VCB= 2V. Suponha  ≈ 1.

Solução: V
VB = + 4V +
VCB ↓IC
VC
VCB= 2V IC = 0,5 mA -
+
−VCC + I C RC + VCB + VB = 0 → RC = VCC − VCB − VB VBE ↓IE
-
VE
IC RE
10 − 2 − 4
RC = = 8 k
0,5mA

Como  ≈ 1 I C = I E → I C  I E Figura 5.34 (a)

− VB + VBE + I E RE = 0

VB − VBE 4 − 0,7
RE = = = 6,6k
IE 0,5mA
------------------------------------------------
22
 Exemplo 5.5 - pag. 264

Estudar

Figura 5.35 - Análise do circuito por exemplo 5.5. Observe que os números de um círculo indicam a ordem das
etapas de análise.

Exercício 5.24 – Figura 5.35 - pag. 265 23

 Exercício 5.24 – Figura 5.35(a) - pag. 265

Para o circuito na Figura 5.35(a), encontre o valor para o qual a tensão de base deve
ser mudada tal que o transistor opere na saturação com um  forçado de 5.

VCC =10V
VB
RC = 4,7 kΩ

RE = 3,3 kΩ

forçado = 5

Figura 5.35 (a)

Solução:
Determine o valor de VB para que o transistor opere na saturação com um forçado de 5.

24
Exercício 5.24 – Figura 5.35(a) pag. 265
VCC =10V
Solução:

RC = 4,7 kΩ
Para operar na saturação:
VBV + ↓I
Csat
VCB VC
vB > vE → JEB diretamente polarizada, vBE > 0,5 V, -
→ + VCEsat
tipicamente vBE ≈ 0,7 V e IB VBE - ↓IE
VE
vC < vB - 0,4V → JCB diretamente polarizada, RE = 3,3 kΩ
vCB < - 0,4 V e vCE = vCEsat = 0,2V
Figura 5.35 (a)

− VB + VBE + I E RE = 0 VB = VBE + I E RE VB = 0,7 + I E 3,3k (1)

− VCC + I Csat RC + VCEsat + I E RE = 0 (2)

25
 Cont... Exercício 5.24

− VCC + I Csat RC + VCEsat + I E RE = 0 (2)

forçado = 5
I I Csat
 forçado = Csat → IB =
IB  forçado
I Csat
I E = I B + I Csat = + I Csat
 forçado
 1 +  forçado 
IE =  I
  forçado  Csat
 
6
I E = I Csat (3)
5

6
(3) em (2) − VCC + I Csat RC + VCEsat + I Csat RE = 0
5

26
 VCC =10V
Exercício 5.24 – cont...
RC = 4,7 kΩ
6
− VCC + I Csat RC + VCEsat + I Csat RE = 0 VV
B
+
5 VCB ↓ICsat V
C
→ -+
6 IB V VCEsat
I Csat RC + RE I Csat = VCC − VCEsat BE - ↓IE
5 VE
VCEsat = 0,2V
6 RE = 3,3 kΩ
I Csat 4,7 k  + 3,3k I Csat = 10 − 0, 2
5
Figura 5.35 (a)
I Csat 8,66k = 9,8 → I Csat = 1,132mA

6 6 I E = 1,358mA
(3) IE = I Csat I E = 1,132mA = 1,358mA
5 5

(1) VB = 0,7 + I E 3,3k VB = 0,7 + 1,358mA  3,3k VB = 5,181V

-----------------------------------------------------------

27
 Exemplo 5.6 -

Estudar

Figura 5.36 – Exemplo 5.6 : (a) circuito; (b) análise com a ordem das etapas de análise, indicadas por
números de um círculo.

28
Exemplo 5.7 - pag. 265

Estudar

Figura 5.37- Exemplo 5.7: (a) circuito; (b) análise com os passos indicados por números de um
círculo.

Exercício 5.25 e 5.26 – Figura 5.37 (fazer) - pag. 266 29

 Exercício 5.25 - pag. 266
Para o circuito na Figura 5.37(a), calcule o maior valor de RC de modo que o transistor
permaneça no modo ativo.
Supor  = 100
Solução

VB= 0

pnp

VEB= 0,7 V
vBC ≥ - 0,4 V

30
Exercício 5.25 – cont...

31
Exercício 5.25 – cont...

vBC ≥ - 0,4 V

+
VBC
- IC

Figura 5.37(a)

---------------------------------------------------------------------------
32
 Exercício 5.26 – pag. 266
Reprojete o circuito da Figura 5.37(a) (isto é, calcule novos calores para RE e RC) a fim de
estabelecer uma corrente de coletor de 1 mA e uma polarização reversa da junção
coletor-base de 4 V. Suponha   1

RE
IE
VE
+
VBC VC
- IC
RC

VEB= 0,7 V
vBC ≥ - 0,4 V

33
Exercício 5.26 – cont...

--------------------------------------------------------------------------
34
 Exemplo 5.8 - pag. 266
Estudar exemplos: 5.8

Figura 5.38- Exemplo 5.8: (a) circuito; (b) análise com os passos indicados pelos números dentro de
um círculo.

Exercício 5.27 - Figura 5.38 - pag. 267

35
 Exercício 5.27 - Figura 5.38 - pag. 267

O exercício da Figura 5.38(a) deve ser fabricado usando um transistor cujo  é

especificado em uma faixa de 50 a 150. (Isto é, unidades individuais desse mesmo
transistor podem ter qualquer valor de  dentro dessa faixa.) Reprojete um novo
valor de RC e escolha o maior valor possível, para RC , de modo que todo circuito
fabricado tenha seu funcionamento garantido no modo ativo. Qual a faixa de
tensões de coletor que o circuito fabricado poderá apresentar?

RC = ?

Figura 5.38(a)
36
 Exercício 5.27 - Figura 5.38 - pag. 267 VCC =
Solução:
50    150
VBB RC = ?
(a) Projetando RC

− VB + VBE = 0 VB = VBE = 0,7V +

IB + +V VC
Para ficar na região ativa BE -
VBB ≠ VB VB
-
-
VCB  −0, 4V VC − VB  −0,4V VC  VB − 0,4V
Figura 5.38(a)
VC  0,7 − 0,4V VC  0,3V (1)

− VCC + I C RC + VC = 0 VC = VCC − I C RC VC = 10 − I C RC (2)

(2) em (1) 10 − I C RC  0,3V I C RC  10 − 0,3

9,7 9,7
RC  RC  (3) I C = I B
IC I B Onde:
37
 − VBB + I B RB − VBE = 0

VBB − VBE 5 − 0,7

IB = = I B = 0,043mA
RB 100 x10 3

9,7 225,58 x103

IB em (3) RC  RC 
 0,043x10 −3 

 = 50 RC  4,51k
 RC  1,5k
 = 150 RC  1,5k

O maior valor possível para RC de modo que todo circuito fabricado tenha seu
funcionamento garantido no modo ativo é 1,5 k.

RC = 1,5k

38
 Exercício 5.27 cont... Solução: Para ficar na região ativa
VCB  −0, 4V

(b) Calculando a faixa de tensões de VC VB = 0,7 V

VC  0,3V
−VCC + I C RC + VC = 0 → VC = VCC − I C RC → V = 10 − I R
C C C

Onde: I C = I B

VC = 10 − I B 1,5 x103 e I B = 0,043mA

VC = 10 −  .0,043.1,5 (4)

Onde: 50    150
VC = 10 −  .0,043.1,5

Para  = 50 → VC = 6,775V
 0,325V  VC  6,775V
Para  = 150 → VC = 0,325V

------------------------------------------------------ 39
 Exemplo 5.9 - pag. 267

Desejamos analisar o circuito da Figura 5.39 para determinar as tensões em todos os nós
e as correntes através de todos os ramos. O valor mínimo de  é especificado como 30.
Verifique a suposição da região de operação.

Determine: VB ; VE ; VC ; IB ; IE ; IC

Figura 5.39- Exemplo 5.9: (a) circuito; (b) análise com etapas numeradas.
40
Exemplo 5.9 - Solução : pag. 267 e 268
VEE
VEE = VCC = 5 V ; RE = 1 k Ω ; RC = 10 k Ω ; RB = 10 kΩ V
mínimo = 30 RE
IE
Solução: IB R VEB VE
B
Supondo região ativa VEC
VBC VC
− VEE + I E RE + VEB + I B RB = 0 IC
iC = iB RC
IE 
− VEE + I E RE + VEB + RB = 0 IC = IE -VCC
 +1  +1
Figura 5.39(a)
V − VEB 5 − 0,7 I
IB = E
I E = EE = = 3,25mA
RB 10  +1 30
RE + 1+ IC = 3, 25 = 3,145mA
 +1 30 + 1 3 +1

VBC  −0,4V → VC  VB + 0,4V

− VC + I C RC − VCC = 0
VC = I C RC − VCC = 26,45V
IE 3,5
VB = I B RB = RB → VB = 10 = 1,05V
 +1 30 + 1 O transistor não está na região ativa

VC  1,05 + 0, 4V = 1, 45V 41
Exemplo 5.9 cont.. - Solução : pag. 267 e 268 VEE

Supondo região de saturação RE

IE
I E = I B + IC VB = I B RB IB R VEB VE
B
VECsat
V − VE IB =
VB V − (−VCC ) VBC VC
I E = EE IC = C IC
RE RB RC
RC

VEB = 0,7 V -VCC

− VE + VEB + VB = 0 → VE = 0,7 + VB
VCEsat = 0,2 V

− VC − VCEsat + VEB + VB = 0 VC = −VCEsatB + VEB + VB = 0,5 + VB VC = 0,5 + VB

VEE − VE VB VC − (−VCC )
IE = IB = IC =
RE RB RC

V − 0,7 − VB 4,3 − VB IB =
VB 0,5 + VB − (−5) 5,5 + VB
I E = EE = 10k
IC = =
RE 1k RC 10k

42
 Exemplo 5.9 cont.. - Solução : pag. 267 e 268
VB 0,5 + VB − (−5) 5,5 + VB
V − 0,7 − VB 4,3 − VB IB = IC = =
I E = EE = 10k
RE 1k RC 10k

I E = (4,3 − VB )mA I B = 0,1VB mA I C = (0,1VB + 0,55)mA

I E = I B + IC
(4,3 − VB )mA = 0,1VB mA + (0,1VB + 0,55)mA VB + 0,1VB + 0,1VB = 4,3 − 0,55 1, 2VB = 3, 75

1, 2VB = 3, 75 VB = 3,125V I B = 0,1VB mA I B = 0 ,3125 mA

VE = 0,7 + VB VE = 3,825V I E = (4,3 − VB )mA I E = 1,175mA

VC = 0,5 + VB VC = 3,625V I C = (0,1VB + 0,55)mA I C = 0,8625mA

 forçado =
I C 0,8625
= = 2,76  forçado  mínimo
I B 0,3125

Que é menor que o mínimo especificado, portanto o transistor está na região de

saturação. mínimo = 30

---------------------------------------------------------------------------- 43
 Exemplo 5.10 - pag. 268

Queremos analisar o circuito da Figura 5.40(a) para determinar todas as tensões nodais
e todas as correntes nos ramos. Suponha  = 100.

Determine IE ; IB ; IC ; VB ; VC

Figura 5.40(a)

44
Exemplo 5.10 pag. 268
Solução:
O primeiro passo da análise consiste em simplificar o circuito da base usando o
teorema de Thévenin.

VCC
VBB ≠ VB VBB VCC
R1 RC
IB RC
IC
Aplica Thévenin RB B
R2 RE
IB VBE
VB RE IE
R2
VBB = VCC
R1 + R2

RB = R1 / / R2

45
 Exemplo 5.10 cont... Solução pag. 268
VCC = 15 V ; R1 = 100 k ; R2 = 50 k ; RE = 3 k ; RC = 5 k ;  = 100
R2
VBB = VCC VBB =
50
15 = +5V e RB = R1 / / R2 RB = 100 / /50 = 33,33k 
R1 + R2 100 + 50
Determinando IE :
VBE = 0,7 V
Supondo no modo ativo
IE  = 100 VBB VCC
IB =
 +1
RC
IC
IE
−VBB + I B RB + VBE + RE I E = 0 −VBB + RB + VBE + RE I E = 0 RB IB
 +1
VBE
VBB − VBE 5 − 0,7 VB IE
IE = IE = = 1,291mA RE
RE + RB (  + 1) 3 + 33,33 101
IE = 1,291 mA
Determinando IB:
IE 1,291
IB = IB = = 0,01278mA
 +1 100 + 1
46
Exemplo 5.10 cont... Solução: pag. 268
VBB npn VCC
Calculando VB :
−VB + VBE + RE I E = 0 RC
IC
VB = VBE + RE I E RB IB

VB = 0, 7 + 3 x1, 291 = 4,573V VBE

VB RE IE
IC pode ser calculado como:

IC = I E = 0.99 x1.291 = 1, 278mA 

=
 +1
Calculando VC :

−VCC + RC I C + VC = 0 VC = VCC − RC I C VC = 15 − 5 x1, 278 = 8, 61V

Verificação da suposição inicial de operação no modo ativo; isto é: vCB ≥ - 0,4 V
VCB = 8, 61 − 4,573 = 4, 037V

O que implica que o transistor está no modo ativo, como foi no suposto inicialmente.

Condição no modo ativo VCB  −0, 4V

---------------------------------------------------------
47
Exercício 5.28 - pag. 269

Se o transistor no circuito da Figura 5.40(a) do Exemplo 5.10 for substituído por

outro, tendo metade do valor de  (isto é  = 50), calcule o novo valor de IC e
expresse a variação em IC como uma porcentagem.

VCC = 15 V ; R1 = 100 k ; R2 = 50 k ; RE = 3 k ; RC = 5 k ;  = 50

VCC

Variação em IC :
R1 RC
ΔIC I I
%= Cfinal− Cinicial x100
ICinicial ICinicial

R2 RE

Figura 5.40(a)

48
Exercício 5.28 – pag. 269
Solução:

C
B
Aplica Thévenin
E
VB

VBB ≠ VB

49
Exercício 5.28 – cont... Solução: VBB ≠ VB
VBB VCC

RC
IC
RB B

IB VBE
VB RE IE

50
Exercício 5.28 – cont... Solução:

Δ𝐼𝐶 𝐼𝐶𝑓𝑖𝑛𝑎𝑙− 𝐼𝐶𝑖𝑛𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙

%= 𝑥100
𝐼𝐶𝑖𝑛𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙 𝐼𝐶𝑖𝑛𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙

IC =100

𝐼𝐶 (𝛽 = 100) = 1,278𝑚𝐴
ΔIC 1,155𝑚𝐴− 1,278𝑚𝐴
%= x100
ICinicial 1,278𝑚𝐴

ΔIC
= −9,624%
ICinicial

------------------------------------------------
51
 5.5- POLARIZAÇÃO DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES TBJ – pag. 271

O problema da polarização é estabelecer uma corrente cc constante no coletor do

TBJ. Essa corrente tem de ser insensível às variações da temperatura e às grandes
variações no valor de  encontradas em transistores de um mesmo tipo. Nesta seção
será mostrada várias abordagens empregadas para resolver o problema da
polarização de circuitos projetados com componentes discretos.

Tipos de polarização:

5.5.1- O arranjo de polarização clássico para circuitos discreto (usando uma fonte de
alimentação)
5.5.2- Uma versão com duas fontes de alimentação para o arranjo clássico de
polarização
5.5.3- Polarização utilizando um resistor de realimentação de coletor para a base
5.5.4- Polarização usando uma fonte de corrente constante

52
Antes de ser apresentado bons projetos de polarização, será mostrado porque dois
arranjos óbvios não são bons: VBE fixo e IB fixo , ver Figura 5.43 - pag. 271
Esses arranjos resultam em grandes variações em IC e VCE , portanto não são
considerados bons.
Para VBE fixo Para IB constante
Para pequenas Devido as grandes
diferenças em VBE variações de  entre as
Relação exponencial unidades de um mesmo
iC – vBE muito tipo de dispositivo
abrupta, significa que resultarão em grandes
qualquer pequena variações em IC e
diferença no valor consequentemente em
desejado de VBE VCE.
resultará em grandes + V − 0,7 I constante
I B  CC B
diferenças em IC e VB RB
em VCE.
-
VBE / VT I C = I B variações de 
IC = I S e
VBE fixo IB fixo
VCE = VCC − I C RC VCE = VCC − I C RC

Figura 5.43 - Dois arranjos óbvios para polarização do TBJ: (a) VBE fixo; (b) IB fixo. Ambos
resultam em grandes variações em IC e também em VCE e, portanto, são considerados "ruins".
Nenhum dos dois arranjos é recomendado .
53
 5.5.1- O arranjo de polarização clássico para circuitos discretos (usando uma fonte de
alimentação)
A técnica consiste em alimentar a base do transistor com uma fração da tensão de
alimentação VCC por meio de um divisor resistivo de tensão R1 e R2. Além disso, um
resistor RE é conectado ao emissor.

VBB ≠ VB VBB VCC

Aplica Thévenin RC
IB ≠ 0 R2
→
+ +
VBB = VCC RB IB IC
VBE - R1 + R2
VB + +
RB = R1 / / R2 VB VBE - IE
- RE
divisor de tensão na base - (b)
(a) VBB ≠ VB
aplica Thévenin no circuito da divisor de tensão substituído pelo seu
fig. (a) para obter o da fig. (b) equivalente de Thévenin

Figura 5.44- Polarização clássica para TBJ usando uma única fonte de alimentação:
(a) circuito; (b) circuito com o divisor de tensão na base substituído pelo seu equivalente de
Thévenin. 54
O circuito da Fig. 5.44 (b) mostra a rede do divisor de tensão do circuito da Fig.
5.44 (a) substituída pelo seu equivalente de Thévenin.

tensão de Thévenin IE
IB =
 +1
VBB ≠ VB VBB
IB ≠ 0 −VBB + I B RB + VBE + RE I E = 0
→
+ + IB IC
VBE - IE
−VBB + RB + VBE + RE I E = 0
VB ++  +1
RB
VBE -
- VB RE V − VBE
resistência de Thévenin I E = BB
IE R
- RE + B
 +1
divisor de tensão na base
Figura 5.44 (a) Figura 5.44 (b) VBB ≠ VB

Aplica-se Thévenin
divisor de tensão substituído pelo seu
R2
VBB = VCC RB = R1 / / R2 equivalente de Thévenin
R1 + R2
55
 Enunciado Exemplo 5.13 pag. 272

Exemplo 5.13 - Desejamos projetar a rede de polarização do amplificador na Figura 5.44

para estabelecer uma corrente IE = 1 mA usando uma fonte de alimentação VCC = + 12V.
O transistor é especificado para ter um  nominal de 100. Projete usando a regra
prática, ou seja, a tensão de alimentação, VCC , seja igualmente repartida entre RC , VCB
e R2 .
VCC
1
VRC = VCC VRC RC IC
3 R1
C
Rsig C VCB
1
VCB = VCC B
3
vsig E
VR2
1 R2 RE IE
VR 2 = VCC
3

Figura 5.44(a)

56
 Exemplo 5.13 - pag. 272
Solução: IE = 1 mA , VCC = + 12V ,  =100 VCC

VRC IC
Determinando RE R1 RC
C
1 VCB
VR 2 = VB = 12 = 4V
3 B +
+ VBE - E
−VB + VBE + VE = 0 VBE = 0,7V +
VR2=VB IE
R2 RE VE
-
RE VE = VB − VBE = 4 − 07 = 3,3V -
1
VR 2 = VCC
V 3,3 3
RE = E = = 3,3K 
IE 1 Figura 5.44(a)

RE = 3,3k  1
VRC = VCC
3
1
VCB = VCC
3

57
 Exemplo 5.13 - pag. 272
Projeto 1
A corrente no divisor de tensão deverá ser selecionada da seguinte forma (regra prática):
IE
 I  IE 0,1I E  I  I E
10
Selecionando a corrente no divisor de 0,1 IE → I = 0,1 x 1 = 0,1 mA

Desprezando a corrente da base IB , ou seja supondo  = , VCC

encontramos R1 e R2 :
R1 RC
I I IB  0
= IB = E  0
 +1
I VR2=VB
R2 RE IE

Determinando R1 e R2
I = 0,1 x 1 = 0,1 mA
1
VR 2 = VB = 12 = 4V
3

58
 Projeto 1
Determinando R1 e R2
VCC
−VCC + I ( R1 + R2 ) = 0 I = 0,1 x 1 = 0,1 mA
R1 RC IC
V IB  0
R1 + R2 = CC I
I
I VR2=VB
12 R1 + R2 = 120 K  R2 RE IE
𝑅1 + 𝑅2 =
0,1
R1 = 120 K  − R2
1
VR 2 = VB = 12 = 4V
R2 3
Div. tensão: VB = VCC desprezamos IB
R1 + R2
R2
4= 12 R2 = 40k
120k
R1 = 120 K  − R2

R1 = 80 k 
59
Para obter o valor real de IE , devemos considerar a corrente de base IB. Para isso
devemos substituir o divisor de tensão pelo seu equivalente de Thévenin.

Considerando a corrente da base IB : IB  0

VCC Aplica Thévenin VBB VCC

R1 RC RC
IB
R2
VBB = VCC RB IB
R1 + R2

R2 RE RB = R1 / / R2 VBE IE
VB RE
VBB ≠ VB

R1 = 80 k  RB = 80 / /40 = 26,67k
R2 = 40k  40
𝑉𝐵𝐵 = 12 = 4𝑉
120
60
 IE
IB = Projeto 1
 +1 VBB VCC

− VBB + I B RB + VBE + RE I E = 0 RC

RB IB
IE
−VBB + RB + VBE + RE I E = 0
 +1 VBE IE
𝑉𝐵𝐵 = 4𝑉
VB RE
VBE = 0,7V
V − VBE
I E = BB
R RB = 26, 67 k 
RE + B
 +1 VBB ≠ VB
RE = 3,3k 

 = 100
4 − 0,7
IE = = 0,93mA
3,3 + 26,67 101

IE = 0,93 mA , menor que o desejado. Valor desejado 1mA.

61
 Projeto 1
Para obter IE = 1mA devemos fazer:

4 − 0,7 3,3
IE = = 1mA IE = = 1mA
RE + 26,67 101 RE + 0,264 x10 3

3,3 x103

Novo valor para RE

RE + 0,264 x103 = 3,3x103 RE = 3,3x103 − 0,264 x103

𝑅𝐸 = 3,04𝑥103 ≃ 3𝑘Ω

IE para RE = 3 k

3,3
𝐼𝐸 = = 1,01𝑚𝐴 ≃ 1𝑚𝐴
(3 + 0,264)𝑥103
Cont... Exemplo 5.13

62
 Exemplo 5.13 cont... - pag. 272 Projeto 1
Determinando RC :

VCC = + 12V ,  =100 𝐼𝐸 = 1,01𝑚𝐴 ≃ 1𝑚𝐴

1 1
Regra prática: IC RC = VCC = 4V VRC = VCC
3 3

−VCC + IC RC + VC = 0
VC = VCC − IC RC VC = 12 − 4 = 8V

V −V  100
RC = CC C ; I C = I E = IE IC = 1mA = 0,9901mA
IC  +1 100 + 1

𝐼𝐸 = 1,01𝑚𝐴 ≃ 1𝑚𝐴
12 − 8
RC = = 4,039996k 
0,9901mA
63
 Exemplo 5.13 cont...

Projeto 2

Solução
VCC
1
VR 2 = VB = 12 = 4V
3 IC
R1 VRC RC
−VB + VBE + VE = 0 C
Igual ao Projeto 1 VCB
RE
VE = VB − VBE = 4 − 07 = 3,3V B +
+ VBE - E
+
V 3,3 VR2=VB
RE = E = = 3,3K  R2 RE IE VE
IE 1 -
-
RE = 3,3k 

Figura 5.44(a)

64
 Projeto 2
A corrente no divisor de tensão deverá ser selecionada da seguinte forma:

IE
regra prática:  I  IE 0,1I E  I  I E
10

Selecionando a corrente no divisor igual a IE → I = IE = 1 mA VCC

R1 RC
Desprezando a corrente da base IB , encontramos R1 e R2 : I IB  0

I VR2=VB
I
= IB = E  0 R2 RE IE
 +1

I = 1 mA

Determinando R1 e R2 1
VR 2 = VB = 12 = 4V
3

65
 Exemplo 5.13 cont... Projeto 2
Determinando R1 e R2

−VCC + I ( R1 + R2 ) = 0 VCC

I
V I = 1 mA R1 RC
R1 + R2 = CC IB  0
I
I
12 𝑅1 + 𝑅2 = 12𝐾Ω R2 IE
𝑅1 + 𝑅2 = RE
1
𝑅1 = 12𝐾Ω − 𝑅2
I = IE = 1 mA
R2
Div. tensão: VB = VCC desprezamos IB 1
R1 + R2 VR 2 = VB = 12 = 4V
𝑅2 3
4= 12 𝑅2 = 4𝑘Ω
12𝑘Ω
𝑅1 = 12𝐾Ω − 𝑅2
𝑅1 = 8𝑘Ω

O projeto 2 drena uma corrente maior da fonte de alimentação, pois I = 1 mA e

apresenta uma baixa resistência de entrada para o amplificador.
66
Para obter o valor real de IE , ou seja IB ≠ 0.
Para isso devemos substituir o divisor de tensão pelo seu equivalente de Thévenin.

Considerando a corrente da base IB : VCC = 12 V

VCC Aplica Thévenin VBB VCC

R1 RC RC
IB
R2
VBB = VCC RB IB
R1 + R2

R2 RE RB = R1 / / R2 VBE IE
VB RE
VBB ≠ VB

𝑅1 = 8𝑘Ω 𝑅𝐵 = 8//4 = 2,667𝑘Ω

𝑅2 = 4𝑘Ω 4
𝑉𝐵𝐵 = 12 = 4𝑉
12
67
 Projeto 2
VBB VCC
IE
IB =
 +1 RC
IB
− VBB + I B RB + VBE + RE I E = 0 RB

VBE
I
−VBB + E RB + VBE + RE I E = 0 VB RE IE
 +1

V − VBE
I E = BB 𝑉𝐵𝐵 = 4𝑉
R
RE + B VBE = 0,7V
 +1
RE = 3,3k 
4 − 0,7
𝐼𝐸 = = 0,99𝑚𝐴 𝑅𝐵 = 2,667𝑘Ω
2,667
3,3 +
101
 = 100

𝐼𝐸 = 0,99𝑚𝐴  1mA

68
 Exemplo 5.13 cont... - pag. 272
Para o projeto 2 não precisamos mudar o valor de RE .
V 3,3 I E = 0,99mA  1mA
RE = E = = 3,3K
IE 1

Determinando RC , que é o mesmo o para os projetos 1 e 2.

1
Regra prática: I C RC = VCC = 4V
3

−VCC + IC RC + VC = 0 VC = VCC − IC RC VC = 12 − 4 = 8V

V −V 100 
RC = CC C ; IC = 1mA = 0,9901mA IC = IE
IC 100 + 1  +1

12 − 8 I E = 0,99mA  1mA
RC = = 4,039996k 
0,9901mA

Fim do Exemplo 5.13

---------------------------------------------------------------------------------- 69
 Enunciado Exercício 5.32 pag. 273

Exercício 5.32 - Para o projeto 1 no Exemplo 13. (a) Calcule a faixa de valores de IE se o
transistor usado tiver  em uma faixa de 50 a 150. (b) Expresse a faixa de IE como uma
porcentagem do valor nominal (IE  1 mA) obtido para  = 100. (c) Repita este exercício
para o projeto 2.

VCC
1
VRC = VCC
3 R1 VRC RC IC

1 VCB C
VCB = VCC
3 B
IB
E
1
VR2
VR 2 = VCC R2 RE IE
3

Figura 5.44(a)
70
Exercício 5.32 - pag. 273 Solução

Projeto 1

71
Exercício 5.32 cont... - pag. 273 Solução

IE nominal

I E = I E (=150) − I E (=50)

I E I E (=150)− I E (=50)
%= x100%
I E ( nominal ) I E ( nominal ) (=100)

IE nominal (obtido para  = 100) = 1 mA

72
Exercício 5.32 cont... - pag. 273 Solução

Projeto 2 IE nominal (obtido para  = 100) = 1 mA

I E I E (=150)− I E (=50)
%= x100%
I E ( nominal ) I E ( nominal ) (=100)
IE  = 50
IE  = 150

IE nominal

------------------------------------------------------------------------------ 73
5.5.2- Uma versão com duas fontes de alimentação para o arranjo clássico de
polarização - pag. 273

Se o transistor for usado com a base aterrada (isto é, na configuração base comum),
então RB pode ser totalmente eliminada RB = 0. Se o sinal de entrada , vi , for acoplado
na base, nesse caso RB se faz necessária, RB ≠ 0.

IE
IB =
 +1
sinal de entrada → vsig= vi
VCB + ↓IC
Rsig C -
→ +
+ IB
VBE -
vsig
VB ↓IE
-

Figura 5.45- Polarização TBJ usando duas fontes de alimentação. O resistor RB é necessário apenas
se o sinal de entrada estiver capacitivamente acoplado na base. Caso contrário, a base pode ser
conectada diretamente ao terra, resultando em uma independência do  quase total da corrente de
polarização. 74
 Exercício 5.33 - enunciado modificado pag. 273
O arranjo de polarização da Figura 5.45 deve ser usado para um amplificador em base
comum. Projete o circuito para estabelecer uma corrente cc de emissor de 1mA e que
permita tanto o maior ganho possível de tensão como também uma máxima excursão do
sinal no coletor de  2 V. Use fontes de alimentação de VCC = 10 V e VEE = 5 V. Determine
o valor de VCB através do gráfico. Use valores de resistores do padrão 5% de tolerância.

VCC = 10 V e VEE = 5 V
IE
IB = IB ≠ 0
IE = 1 mA
 +1
IB VCB + ↓IC V̂cb = 2V
-
+ +
VBE -  = 100
VB ↓IE
-
Figura 5.45
Solução: Projetar vcb sinal puro vcb

Base comum (base aterrada) → RB = 0 → VB = 0 IB ≠ 0 2V Vˆcb

t
Máxima excursão do sinal no coletor de ± 2V → V̂cb = 2V -2V

75
 cont ... – solução 5.33
Onde IE = 1 mA , VCC = 10 V , VEE = 5 V

V − (−VEE ) V −V Base comum → RB = 0

RE = E RC = CC C
IE IC
VCC
RB = 0 → VB = 0, IB ≠ 0
IE RC
IB = cc
VBE = 0,7 V → VE = - 0,7 V  +1 IC
VCB VC
V − (−VEE ) −0,7 + 5 IBI≠B 0
RE = E = −3
= 4,3k
IE 1x10
VBE
RB =R0B VB
VB = 0
VE
Como VC = VCB , pois VB = 0
RE IE

V −V Onde: I C = I E =
RC = CC CB  +1
IC  -VEE
IC = IE IE = 1 mA
 +1 Figura 5.45
 = 100
Devemos calcular VCB (tensão cc) graficamente
76
 Gráfico
vCB → sinal instantâneo total sinal puro
vcb
VCB → tensão cc Vˆcb
vcb → sinal puro (senoide)
vCB = VCB + vcb 2V

Vˆcb t

Vˆcb → valor-de-pico -2V

vCB (sinal total)

Vˆcb = 2V
3,6V
cc 2V
vcb [vcb excursiona em torno de VCB (tensão cc)]
CC→VCB
VCB VCB = 2- 0,4V = 1,6 V
2V
0,4 V t
- 0,4V
valor mínimo para não saturar
vCB ≥ - 0,4V
vCB ≥ - 0,4 V → npn no modo ativo 77
 
Cálculo do valor de RC iC = i E =
VCB = 1,6V  +1
V −V
RC = CC CB
IC  IE = 1 mA  = 100
IC = IE
 +1
10 − 1,6
𝑅𝐶 = = 8,484𝑘Ω
0,9901𝑥10−3 IE = 0,9901 mA

Máxima excursão do sinal no coletor de ± 2V → Vˆcb = 2V (valor de pico do sinal)

sinal puro
vCB → sinal instantâneo total vcb

VCB → tensão cc vCB = VCB + vcb Vˆcb 2V

vcb → sinal puro (senoide) Vˆcb t

cc sinal puro -2V

----------------------------------------------------------------------
78
 𝑅𝐸 = 4,3𝑘Ω 𝑅𝐶 = 8,484𝑘Ω  8,5K Ω RB = 0

Use valores de resistores do padrão 5% de tolerância.

Tabela Apêndice G - pag. 836

Padrões de valores de resistores de 5% de tolerância
↙
1,0 ; 1,1 ; 1,2 ; 1,3 ; 1,5 ; 1,6 ; 1,8 ; 2,0 ; 2,2 ; 2,4 ; 2,7; 3,0 ; 3,3 ; 3,6 ; 3,9 ; 4,3 ; 4,7 ; 5,1 ;
5,6 ; 6,2 ; 6,8 ; 7,5 ; 8,2 ; 9,1
↖
Pegue o valor mais próximo e se precisar multiplique por 10n (ver tabela)
Ex. 1,0 x 100 = 1,0 Ω ; 1,0 x 101 = 10 Ω ; 1,0 x 102 = 100 Ω ; 1,0 x 103= 1kΩ ; ......
Obs:- Se o valor do resistor calculado estiver na metade da faixa entre dois valores da
tabela, escolha o valor inferior.

RC = 8,5 kΩ - calculado
RE = 4,3 kΩ - calculado
8,2 x 105= 8,2 kΩ - comercial mais próximo
4,3 x 103= 4,3 kΩ - comercial
RC = 4,3 kΩ - comercial RC = 8,2 kΩ - comercial

79
 5.5.3- Polarização utilizando um resistor de realimentação de coletor para a base

Arranjo de polarização apropriado para os amplificadores na configuração emissor comum.

VCC

sinal de entrada → vsig= vi RC IB IE = IC + IB

IB VCB + IC
RB -
Rsig C
+
VBE -
IE
vsig

(a)
I E = I B + IC

Figura 5.46- (a) Um amplificador emissor comum polarizado com um resistor de realimentação
RB. (b) Análise do circuito em (a).
80
 Exercício 5.34 – pag. 274 – enunciado modificado

(a) Projete o circuito da Figura 5.46 para obter uma corrente cc de emissor de 1 mA e
garantir uma máxima excursão no sinal de coletor de ± 2V. Determine do valor de VCB
através do gráfico. Use valores de resistores do padrão 5% de tolerância.

Solução: VCC

Excursão máxima no sinal de coletor → Vˆcb = 2V RC

IB IE = IC + IB
VCC = 10 V IE VC
IB =
 = 100 IE = 1 mA  +1 RB IB VCB IC

IB  0 VBE
IE
RB =
VCB VCC − VC
RC = VB ≠ 0
IB IE Figura 5.46

81
 Calcular VCB (tensão cc) → graficamente

vCB → sinal instantâneo total sinal puro

vcb
VCB → tensão cc
vCB = VCB + vcb Vˆcb 2V
vcb → sinal puro (senoide)
Vˆcb t
Vˆcb → valor-de-pico -2V

vCB (sinal total)

Vˆcb = 2V
3,6V
cc 2V
vcb [vcb excursiona em torno de VCB (tensão cc)]
CC→VCB
VCB VCB = 2- 0,4V = 1,6 V
2V
0,4 V t
- 0,4V
valor mínimo para não saturar
vCB ≥ - 0,4V
vCB ≥ - 0,4 V → npn no modo ativo 82
 Calculo de VC VCC
−𝑉𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 VB ≠ 0
RC
IB  0
𝑉𝐶 = 1,6 + 0,7 = 2,3𝑉 IB IE = IC + IB
VC
V RB VCB IC
RB = CB VCB = 1,6 V  = 100
IB
IB
𝐼𝐸 1𝑚𝐴 VBE
𝐼𝐵 = = = 9,901 × 10−6 𝐴 IE
𝛽 + 1 101

1,6 Onde:
𝑅𝐵 = = 161,6𝑘Ω ≈ 162𝑘Ω
9,901𝑥10−6

VCC − VC VCC = 10 V VC = 2,3 V IE = 1 mA

RC =
IE
10 − 2,3
𝑅𝐶 = = 7,7𝐾Ω
1𝑚𝐴 83
Use valores de resistores do padrão 5% de tolerância.

Tabela Apêndice G - pag. 836

Padrões de valores de resistores de 5% de tolerância
↙
1,0 ; 1,1 ; 1,2 ; 1,3 ; 1,5 ; 1,6 ; 1,8 ; 2,0 ; 2,2 ; 2,4 ; 2,7; 3,0 ; 3,3 ; 3,6 ; 3,9 ; 4,3 ; 4,7 ; 5,1 ;
5,6 ; 6,2 ; 6,8 ; 7,5 ; 8,2 ; 9,1
↖

Pegue o valor mais próximo e se precisar multiplique por 10n (ver tabela)
Ex. 1,0 x 100 = 1,0 Ω ; 1,0 x 101 = 10 Ω ; 1,0 x 102 = 100 Ω ; 1,0 x 103= 1kΩ ; ......
Obs:- Se o valor do resistor calculado estiver na metade da faixa entre dois valores da
tabela, escolha o valor inferior.
RC = 7,7 kΩ - calculado
7,5 x 103= 7,5 kΩ - comercial mais próximo
RC = 7,5 kΩ - comercial

RB = 162 kΩ - calculado
1,6 x 105= 160 kΩ - comercial mais próximo
RB = 160 kΩ - comercial
84
(b) Determine os valores reais de IE e VC . Use 4 algarismos significativos.
4 algarismos significativos
Solução:
Exs: → * 0,05678 = 56,78 x10-3 ;
VCC = 10 V VCC
RC = 7,5 kΩ RB = 160 kΩ * 0,005678 = 56,78 x10-4
 = 100 * 1,026
IE
IB = RC
 +1 IB IE = IC + IB VCB = ?
VC VC = ?
− VCC + I E RC + I B RB + VBE = 0 RB IB VCB IC IE = ?
IE
IE IB =
I E RC + RB = VCC − VBE VBE  +1
IE
 +1
Figura 5.46
VCC − VBE 10 − 0,7
IE = → I E = 3
→ I E = 1,024mA
R 160 x10
RC + B 7,5 x103 +
 +1 100 + 1

Cálculo de VC
− VCC + I E RC + VC = 0 → VC = VCC − I E RC → VC = 10 − 1,024mAx7,5k
VC = 2,320V = 2,32V

85
----------------------------------------------------------------------
 5.5.4- Polarização usando uma fonte de corrente constante

pag. 274

IREF
IBB
→
IC1↓ IB1 IB2 ↓IC2 = I
← →
Q1 + Q2
VBE
I -

(a)
(b) - circuito que implementa a fonte de corrente I

Figura 5.47 - (a) Um TBJ polarizado usando um fonte de corrente constante I. (b) circuito para
implementação da fonte de corrente I . A ligação de Q1 e Q2 é conhecida como espelho de
corrente.

86
 Exercício 5.35 - pag. 275

(a) Para o circuito na Figura 5.47(a) com VCC = 10 V, I = 1 mA, β = 100, RB = 100 kΩ e
RC = 7,5 kΩ , calcule a tensão cc na base, no emissor e no coletor, ou seja VB , VE e VC .
Solução:
VCC
IE = I = 1 mA
IE
−VB − I B RB = 0 IB = RC
 +1 IC
IE IB VC
VB = − I B RB = − RB
 +1 IB
VBE
VB = -0,99 V ≈ - 1 V RB VE
VBE = 0,7V VB
I
− VB + VBE + VE = 0 → VE = VB − VBE IE = I = 1 mA
VE = -1,7 V
Figura 5.47 (a)
− VCC + I C RC + VC = 0 → VC = VCC − I C RC → VC = 2,6 V
 =

I C = I E = IE
 +1  +1
87
 (b) Para VEE = 10 V, determine o valor de R no circuito da Figura 5.47(b) para implementar
a fonte de corrente I. Considere que Q1 e Q2 têm valores elevados de β.
VCC = 10 V I = 1 mA
Solução:
IE
IB = VCC
 +1 IBB = 0

R I
valores elevados de β → desprezar IB1 e IB2 → IC1 = IREF IREF
IBB IC2 = I
VC2
IC1
−VCC + I REF R + VBE − VEE = 0 IB1 IB2
Q1 Q2
VBE

V + VEE − VBE VCC

R = CC
I REF -VEE
RC
IC
VC
Figura 5.47 (b)
IB

VBE
IREF = IC1 = ? RB VB
VE
I
VBE = 0,7V

Figura 5.47 (a)

88
 Para estar na região ativa VCB ≥ - 0,4 V
Temos que VC1 = VB1

VCB1 = 0 → Q1 na região ativa → I C = I S eVBE / VT

Como Q1 e Q2 tem o mesmo VBE , temos que IC1 = IC2 (ver equação de IC) enquanto Q2
permanecer na região ativa, ou seja VCB2 ≥ - 0,4 V
VCC
IC1 = IC2 = I = 1 mA
R I
IREF
IBB
VC2
Portanto: IREF = IC1= 1 mA , porque desprezamos as IC1 IB1 IB2 IC2
Q1 Q2
correntes de base.
VBE = 0,7V VBE

V + VEE − VBE 10 + 10 − 0,7

R = CC R= = 19,3k -VEE
I REF I REF
IC2 = I

valores elevados de β → desprezar IB1 e IB2 → IC1 = IREF

89
Extra**(c) Determine a condição necessária da tensão de coletor de Q2 (VC2) para
garantir que ele permaneça na região ativa.
Solução:

VCB2 ≥ - 0,4 V VCC

VC2 - VB2 ≥ - 0,4 V
R I
VC2 ≥ - 0,4 + VB2 (1) IREF
IBB IC2 = I
VEE = 10 V VC2
IC1 IB1 IB2
Cálculo de VB2
Q1 Q2
− VB 2 + VBE − VEE = 0 → VB 2 = VBE − VEE VBE
+
VB2
VB 2 = 0,7 − 10 = −9,3V -
Portanto :
-VEE
VC 2  −0, 4 + VB 2 (1)
Figura 5.47 (b)
VC 2  −0, 4 − 9,3
VC 2  −9,7V → condição para que Q2 permaneça na região ativa.

---------------------------------------------------------------------- 90
 Esses são os exercícios mínimos recomendados
das seções do Capítulo 5 – Cap5.1 - Parte I - cc

Lista de Exercícios das seções do Capítulo 5 - Cap5.1 - Parte I - cc

SEÇÃO EXEMPLOS EXERCÍCIOS PROBLEMAS
Introdução
5.1 a 5.1.2, 5.1.6
5.2 a 5.2.1 5.1
5.3.4 5.3 5.21 5.31, 5.32
5.4 5.4, 5.5, 5.6, 5.7, 5.22, 5.23, 5.24, 5.25, 5.33, 5.38, 5.37, 5.39
5.8, 5.9, 5.10 5.26, 5.27, 5.28
5.5 5.44
5.5.1 5.13 5.32 5.45
5.5.2 5.33
5.5.3 5.34 5.47, 5.49
5.5.4 5.35

Livro: Sedra/ Smith - Microeletrônica – 5ª ed.

------------------------------------------------------------------------------
91
 Figuras dos Problemas

Problema P5.31
Problema P5.32

Figura P5.31 Figura P5.32

92
 Figuras dos Problemas

Problema P5.33 Problema P5.37 Problema P5.38

Figura P5.33 Figura P5.37 Figura P5.38

93
 Figuras dos Problemas

Problema P5.39

Figura P5.39

94
Figuras dos Problemas

Problema P5.44

Figura 5.43(a) - pag.271

95
 Figuras dos Problemas

Problema P5.45
VCC
1
VRC = VCC
3 1
R1 RC VRC VRC = 3 VCC
1
VCE = VCC
3 VCE V = 1 V
CE CC
3
1
VR 2 = VCC R2 RE VRE V = 1 V
3 RE
3
CC

Figura 5.44 (a) – pag.271

96
 Figuras dos Problemas

Problema P5.47 Problema P5.49

Figura 5.46- pag. 274 Figura P5.49

------------------------------------------------------------------------------------------
97
Tabela 5.2 - Resumo das relações corrente-tensão para o TBJ no modo ativo

iC = I S e vBE / VT Onde Is é a corrente de saturação (ou fator de

escala de corrente). A faixa típica de valores de IS
iC I  v BE / VT é de 10-12 a 10-18 A (dependendo das dimensões
iB = = S e
   do dispositivo).

i I  Nota: Para o transistor pnp, substitua vBE por vEB

i E = C =  S e vBE / VT
  
VT → tensão térmica = 25 mV à temperatura ambiente
iC
iE = → iC = i E
 
iC =
iB = → iC = iB 1−


iB =
iE
→ iE = (  + 1)iB =
 +1  +1

iB
iB = (1 −  )iE → iE =  +1 =
1
1− 1−
i E = iC + i B
---------------------------------------------------------------------- 98
 Modo Ativo

npn

polarizando reversamente a JCB Coletor

JCB
IC
vCB +
vCB ≥ - 0,4 V IB
-
+
vBE
JEB - IE

polarizando diretamente a JEB

** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n
99
 Modo Ativo

pnp

polarizando diretamente a JEB Emissor

JEB
+ IE
vEB
IB
-
+
vBC ≥ - 0,4 V vBC
- IC
JCB

polarizando reversamente a JCB

** polarização direta → material tipo p com potencial mais alto que o tipo n
100
Análise de circuitos TBJ com apenas tensões cc aplicadas.

Procedimento:
Usaremos modelos simplificados em que:

para npn: VBE = 0,7 V e VCE = 0,2 V transistor saturado

para pnp: VEB = 0,7 V e VEC = 0,2 V transistor saturado

1- Suponha que o transistor esteja operando no modo ativo e determine as diversas

tensões e correntes correspondentes.

2- Faça a verificação da suposição inicial de operação no modo ativo; isto é :

VCB ≥ - 0,4 V para npn ou VBC ≥ - 0,4 V para pnp

3- Se a resposta for sim final do problema.

cont... próxima página

101
4- Se a resposta for não, suponha operação no modo de saturação, VCEsat= 0,2V ,
e determine as correntes e tensões.

5- Faça a checagem dos resultados baseada na suposição de operação no modo de

saturação. Neste caso, o teste é fazer normalmente o cálculo da razão ICsat / IB e
verificar se é menor que o mínimo do transistor, isto é:

I Csat I Csat
se < βmínimo β forçado = realmente saturado
IB IB

Uma vez que o  do transistor varia em ampla faixa, devemos utilizar o menor 
especificado da faixa para esse teste.

Obs: A ordem em que são feitas essas duas suposições não importa.

-------------------------------------------------------------
102
 Resumo: TBJ no modo de saturação

Transistor npn no modo de saturação:

vB > vE JEB diretamente polarizada, vBE > 0,5 V, tipicamente vBE ≈ 0,7 V
e
vC  vB - 0,4V JCB diretamente polarizada, vCB  - 0,4 V e vCE = vCEsat = 0,2V

IB
 forçado
I
= Csat fator _ forçado =
I B( LPS )
IB
βforçado < βF(mínimo)
ou
I C ( LPS )
I B ( LPS ) =  F ( mínimo)
 F ( mínimo) fator _ forçado 
 forçado
 Transistor pnp no modo de saturação:

vE > V B JEB diretamente polarizada , vEB > 0,5 V, tipicamente vEB ≈ 0,7 V
e
vB  vC - 0,4V JCB diretamente polarizada, vBC  - 0,4 V e vEC = vECsat = 0,2V

IB
I fator _ forçado =
 forçado = Csat I B( LPS )
IB
βforçado < βF(mínimo)
I C ( LPS ) ou
I B ( LPS ) =  F ( mínimo)
 F ( mínimo) fator _ forçado 
 forçado

-------------------------------------------------------------
104
 Tabela Apêndice G - pag. 836
Valores de resistores do padrão 5% de tolerância.

Padrões de valores de resistores de 5% de tolerância

1,0 ; 1,1 ; 1,2 ; 1,3 ; 1,5 ; 1,6 ; 1,8 ; 2,0 ; 2,2 ; 2,4 ; 2,7; 3,0 ; 3,3 ; 3,6 ; 3,9 ; 4,3 ; 4,7 ; 5,1 ;
5,6 ; 6,2 ; 6,8 ; 7,5 ; 8,2 ; 9,1

ou

Padrões de valores de resistores de 5% de tolerância

10 ; 11 ; 12 ; 13 ; 15 ; 16 ; 18 ; 20 ; 22 ; 24 ; 27; 30 ; 33 ; 36 ; 39 ; 43 ; 47 ; 51 ; 56 ; 62 ; 68 ;
75 ; 82 ; 91

Pegue o valor mais próximo e se precisar multiplique por 10n (ver tabela)
Ex. 1,0 x 100 = 1,0 Ω ; 1,0 x 101 = 10 Ω ; 1,0 x 102 = 100 Ω ; 1,0 x 103= 1kΩ ; ......

Obs:- Se o valor do resistor calculado estiver na metade da faixa entre dois valores da
tabela, escolha o valor inferior.

------------------------------------------------------------------------------
105