ASSOCIAO EDUCACIONAL DOM BOSCO

FACULDADE DE ENGENHARIA DE RESENDE

CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA / ELETRNICA
JFETs e MOSFET's
RESENDE - RJ
2
17 e M!"#$ e %&1'
JFETs e MOSFET's
Relatrio de experimento apresentado
Associao Educacional Dom Bosco,
Faculdade de Engenharia de Resende,
como exigncia da disciplina de
Eletrnica !! do "urso de Engenharia
El#trica$ Eletrnica, para %rau parcial do
&' Bimestre(
O"(e)*!$"!+ ,"$-ess$"! E.(!)e S!)*$s
RE)E*DE
&+ de ,aro de 2-&.
.
SUM/RIO
RESUMO (((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((( '
RESUMO
*este relatrio apresento a con/igurao, aplica0es, caracter1sticas, compara0es com
o 2B3, condi0es de polari4ao, e di/erenas entre dispositi5os de "anal p e "anal n para os
transistores unipolares de e/eito de campo de 6uno 7 3Fet( )o relatados os procedimentos e
resultados para as seguintes experincias8 corrente de dreno para tenso de gate nulo 9!D)):,
tenso de porta para corrente de dreno nulo 9;%)9<FF:: e cur5a de transcondut=ncia(
>ala5ras?"ha5e8 2ransistores unipolares( 3Fet( "ur5a de transcondut=ncia(
@
INTRODUO
<s transistores Aipolares se Aaseiam em dois tipos de cargas8 lacunas e el#trons, e so
utili4ados amplamente em circuitos lineares( *o entanto existem aplica0es nos Buais os
transistores unipolares com a sua alta imped=ncia de entrada so uma alternati5a melhor( Este
tipo de transistor depende de um s tipo de carga, por isso o nome unipolar( CD dois tipos
ADsicos8 os transistores de e/eito de campo de 6uno 93FE2 ? 3unction Field E//ect transistor:
e os transistores de e/eito de campo de xido metDlico 9,<)FE2:(
1 FUNDAMENTAO TE0RICA
FE2 # um dispositi5o de trs terminais utili4ado em 5Drias aplica0es Bue em muito se
assemelham s /un0es do transistor 2B3( A di/erena # Bue o 2B3 # um dispositi5o
controlado por corrente e o 3FE2 # um dispositi5o controlado por tenso(
E

F(12"! 1+ Re3"ese)*!#4$ $ C$)*"$.e e TBJ e $ JFe*
<s 6/etFs e mos/etGs possuem algumas caracter1sticas especiais Bue melhoram as
condi0es de operao em certas aplica0es(
151 A3.(6!#7es e C$83!"!#7es
o >r#?ampli/icador de 51deo para c=meras de 2;,
o EstDgios ampli/icadores de RF para receptores de comunica0es
o !nstrumentos de medio, etc(
Hma das caracter1sticas mais importantes do FE2 # a alta imped=ncia de entrada( Essa
caracter1stica # muito rele5ante no pro6eto de ampli/icadores lineares(
Existem dois tipos ADsicos8 o FE2 de 6uno 93FE2: e o FE2 de porta isolada 9!%FE2:
tamA#m chamado de ,<)FE2 9,<)FE2 de depleo ou ,<)FE2 de intensi/icao:(
F(12"! %+ T!9e.! e C$83!"!#4$ e :2!.(!e e FET e TBJ
15% JFe*
"omo 5isto o 3FE2 # um dispositi5o de trs terminais, sendo Bue um deles controla a
corrente entre os outros dois( >ara esse transistor, o dispositi5o de canal n serD o principal e
ha5erD parDgra/os e se0es a respeito do impacto do uso de um 3FE2 de canal p(
I
F(12"! '+ C$)s*"2#4$ $ JFe*
Re1(4$ e De3.e#4$+ *a ausncia de um potencial aplicado, o potencial 3FE2 possui duas
6un0es p?n no polari4adas( Hma regio de depleo no possui portadores li5res e, por isso,
no permite a conduo atra5#s da regio(
15%51 ;GS < &;= ;DS > &;
>orta conectada /onte para dar condio ;%) J -;K
Resultado8 terminal de porta e /onte no mesmo potencial e uma regio de depleo na
extremidade in/erior de cada material pK
Aplicando ;DD 9J;D):, estaAelece?se a corrente !DK
!DJ!)(
+
O9se"?!#4$+ N$*e @2e ! "e1(4$ e e3.e#4$ )! 3!"*e s23e"($" A 8!($" @2e ! ()-e"($"5
A regio superior do material estD polari4ada re5ersamente em cerca de &,E; e a regio
in/erior polari4ada re5ersamente em apenas -,E;(
F(12"! B+ JFe*
L medida Bue a tenso ;D) aumenta, a corrente aumenta 9lei de <hm:( < grD/ico # mostrado
no %rD/ico &(
M
G"C-(6$ 1+ JFe* - ;DS !28e)*!= ! 6$""e)*e !28e)*!
Ele5ando o 5alor de ;D) a um 5alor em Bue as duas regi0es de depleo se toBuem,
surge a condio de estrangulamento 9;>:( !D no # cortada, pois ele # limitada pela corrente
mDxima !D))( A condio de estrangulamento # mostrada aAaixo 9 Figura I:(
F(12"! D+ C$)(#4$ e Es*"!)12.!8e)*$ $ JFe*
Se ;DS > ;, JFET 6!"!6*e"Es*(6!s e 28! -$)*e e 6$""e)*e
L$1$+ IDSS 8CF(8! se ;GS < &; e ;DS > G;,G
N
F(12"! 7+ F$)*e e C$""e)*e e@2(?!.e)*e 3!"! ;GS<&;= ;DS>;,
15%5% ;GS H &;
Aplicando uma tenso negati5a, pode?se de/inir cur5as semelhantes ;%)J-;, mas
com 5alores para ;D)(
15%5' ;GS < ;,
Oogo8 !D J -mA

&-
F(12"! I/ G"C-(6$ %+ A3.(6!#4$ e 28! *e)s4$ )e1!*(?! )$ *e"8()!. e 3$"*! e 28 JFET
15%5J D(-e"e)#!s e)*"e D(s3$s(*(?$s e C!)!. , e C!)!. N
< 3FE2 de canal p tem exatamente a mesma estrutura Bue o dispositi5o de canal n,
mas as locali4a0es dos materiais do tipo p e n so trocadas(
F(12"! K+ D(-e"e)#!s C!)!. , e C!)!. N
&&
G"C-(6$ %+ G"C-(6$ C!)!. ,
*o %rD/ico 2, o crescimento 5ertical indica Bue hou5e uma ruptura, e a corrente
atra5#s do canal 9no sentido normalmente esperado: # limitada agora apenas pelo circuito
externo(
G"C-(6$ '+ G"C-(6$ C!)!. N
&2
F(12"! 1&+ SE89$.$s $ JFET+ 6!)!. NL 6!)!. ,
' MATERIAIS E E:UI,AMENTOS UTILIMADOS NAS EN,ERIONCIAS
? & ,dulo Hni5ersal 2---,
? & >laca de Experincia "EB -E,
? & <sciloscpio,
? & ,ult1metro 9digital ou analgico: e,
? & ,iliamper1metro(
J ,ROCEDIMENTOS E RESULTADOS
Reali4ei experimentos para os principais par=metros dos 3FetFs8 "orrente de Dreno
para 2enso de %ate *ulo 9!D)): , 2enso de >orta para "orrente de Dreno *ulo 9 ;%)9<FF:: e
tracei a "ur5a de 2ranscondut=ncia(
J51 C$""e)*e e D"e)$ 3!"! Te)s4$ e G!*e N2.$ PIDSSQ
Antes de ligar o mdulo uni5ersal, coloBuei a cha5e liga$desliga da /onte 5ariD5el na
posio desligada e instalei a placa "EB?-E no )lot E ou F do mdulo(
Fechei as cha5es "h&, "h2, "h. e "h@ do D!> )Pitch(
&.
"oloBuei o 5olt1metro na sa1da da /onte 5ariD5el( Oiguei o mdulo e a6ustei a tenso da
/onte 5ariD5el em Q&- ; e 7&,E ;, respecti5amente(
A6ustei o miliamper1metro numa escala para medir corrente na /aixa dos E- mA D" e
conectei nos terminais A& 9positi5o: e A2 9negati5o: da placa "EB?-E(
Oiguei a cha5e da /onte 5ariD5el para alimentar o circuito( *esta situao, tem?se o
seguinte circuito eBui5alente8
F(12"! 11+ C("62(*$ 8$)*!$ 3!"! EF3e"(R)6(! e C$""e)*e e D"e)$ 3!"! Te)s4$ e G!*e N2.$ PIDSSQ
,edi e anotei o 5alor da corrente de dreno para ;%) igual 4ero8
!D)) J &@,&- mA(
Esperei alguns instantes e oAser5ei a diminuio da corrente de Dreno em conseBRncia
do aumento de temperatura do 3FE2 9coe/iciente t#rmico negati5o:(
*ota8 < coe/iciente t#rmico negati5o # uma das caracter1sticas 5anta6osas dos transistores
FE2Fs e ,<)FE2Fs em comparao aos transistores Aipolares, pois e5ita o /enmeno da
corrida t#rmica(
&@
J5% Te)s4$ e ,$"*! 3!"! 6$""e)*e e D"e)$ )2.$ P;GSPOFFQQ
Desliguei a cha5e da /onte 5ariD5el( A6ustei a tenso para Q&2 ; e 7&,E ; respecti5amente(
,udei as posi0es das cha5es D!> )Pitch da placa, de modo Bue somente "h& e "hE /iBuem
/echadas( *esta situao, tem?se o circuito eBui5alente da Figura &(2(
;eri/iBuei as conex0es e a escala do miliamper1metro e liguei a /onte 5ariD5el(
"oloBuei o 5olt1metro entre os pontos >2& e >2-( Ele indicou a tenso negati5a no gate(
Aumentei gradualmente a tenso negati5a e oAser5ei no miliamper1metro Bue a corrente de
dreno diminu1a(
Suando a corrente de dreno caiu para cerca de &uA, medir e anotar a tenso negati5a do gate
9diminu1 a escala do miliamper1metro para melhorar a preciso da leitura:(
;%)9<FF: J ? @,@-;
*ota8 Este # o 5alor aproximado da tenso de porta 9%ate: para estrangulamento do canal de
conduo 9corrente de dreno 4ero:( >ara tens0es negati5as maiores Bue ;%)9<FF:, o 3FE2 #
uma cha5e aAerta entre dreno e /onte(
&E
F(12"! 1%+ C("62(*$ 8$)*!$ 3!"! EF3e"(R)6(! e Te)s4$ e ,$"*! 3!"! 6$""e)*e e D"e)$ )2.$
P;GSPOFFQQ
J5' C2"?! e T"!)s6$)2*S)6(!
<s dois par=metros anteriores de/inem os pontos extremos da cur5a 9anotei estes 5alores na
2aAela &:(
>ara traar a cur5a de transcondut=ncia do 3FE2 /oi necessDrio le5antar outros pontos
intermediDrios( >rocedi da seguinte maneira8
Diminu1 no5amente a tenso negati5a, a6ustando a tenso no gate para os 5alores aproximados
de T, U e V de ;%)9<FF: (
"ompletei a 2aAela & com os 5alores da tenso no gate 95olt1metro em >2&: e os
correspondentes 5alores de corrente de dreno !D 9miliamper1metro:(
&I
2aAela &8 ;alores oAtidos para o 2rao de "ur5a de 2ranscondut=ncia
VGS [V] ID (A)
VGS = 0 0,0141
-1,262 0,00766
-2 0,00452
-2,5 0,003
-3 0,00167
-4,4 0,0000015
VGS(OFF) = - 5,15 ID = 0
O9se"?!#7es+
Foram adotadas as seguintes considera0es8
? >ara a con/igurao da placa estaAelecida pelo roteiro no item @(& a tenso estaria em - ;K
? A tenso negati5a /oi a6ustada ao mDximo 5alor negati5o da /onte Bue o mult1metro leu
9?&,2I2 ;: 9continuando a experincia para o item @(2:(
Hsando os 5alores da 2aAela &, tracei a cur5a de transcondut=ncia do 3FE28
Curva de Transcondutncia
0
0,002
0,004
0,006
0,008
0,01
0,012
0,014
0,016
-6 -4 -2 0
V
I
Srie1
G"C-(6$ '+ C2"?! e T"!)s6$)2*S)6(! Ge"!! 3!"! $s ;!.$"es O9*($s
B CONCLUSO
&+
Aplicando?se uma tenso positi5a ;D) atra5#s do canal, e conectando?se a porta
diretamente a /onte estaAelece a condio ;%) J - ;, oAt#m?se a porta e a /onte no mesmo
potencial( !D)) # a corrente mDxima de dreno para um 3Fet, e # de/inido pela condio ;%) J -
e ;D) W -;( Suando uma tenso negati5a # aplicada porta 9;%) X -:, a regio de depleo
da 6uno canal?porta se alarga e o canal torna?se mais estreito( Assim a resistncia do canal
aumenta e a corrente !D 9para uma dada intensidade de ;D): diminui( 2ranscondut=ncia # a
taxa de 5ariao da corrente de dreno em relao a tenso aplicada na porta$/onte( Em outras
pala5ras, transcondut=ncia mede uma 5ariao da corrente de dreno em /uno de uma tenso
plicada na porta$/onte(
REFERONCIAS
&M
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAM,O( Apostila( )A*2<), Elaine( 2-&.(
JFETS E MOSFETS( Roteiro "ap1tulo E( Faculdade de Engenharia de Resende(