CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

indicar que o potencial (potencial de ionização)

necessário para remover algum desses
1. FÍSICA DO electrões da estrutura atómica é
SEMICONDUTOR E significativamente menor do que requerido
para qualquer outro electrão na estrutura.
DÍODOS

1.1 Materiais Semicondutores

Intrínsecos: Ge, Si e GaAs
A construção de cada dispositivo
electrónico discreto (individual) de estado
sólido (estrutura de cristal rígido) ou circuito
integrado começa com um material
semicondutor da mais alta qualidade.

Os semicondutores são uma classe especial de

elementos cuja condutividade está entre a de um
bom condutor e a de um isolante.

Em geral, os materiais semicondutores

recaem em uma de duas classes: cristal
singular e composto. Semicondutores de
cristal singular, como Germânio (Ge) e Silício
(Si), têm uma estrutura de cristal repetitiva,
enquanto os semicondutores compostos, como
Figura 1-1. Estrutura atómica de (a) Silício, (b)
Arseneto de Gálio (GaAs), Sulfeto de Cádmio
Germânio e (c) Gálio e Arsénio.
(CdS), Nitreto de Gálio (GaN) e Fosfeto de
Arseneto de Gálio (GaAsP), compõem-se de Em um cristal puro de silício ou germânio,
dois ou mais materiais semicondutores de os quatro electrões de valência de um átomo
estruturas atómicas diferentes. formam um arranjo de ligação com quatro
átomos adjacentes, como mostrado na Figura 1-
Os três semicondutores mais 2.
frequentemente usados na construção de
dispositivos eletrônicos são Ge, Si e GaAs.

1.2 Ligações Covalentes e

Materiais Intrínsecos
A Figura 1-1 mostra as estruturas
atómicas de Silício, Germânio, Gálio e o Arsênio.
No germânio e no silício, há quatro electrões na
camada mais externa, o Gálio tem três electrões
de valência e o Arsênio, cinco. Os átomos que
possuem quatro electrões de valência são
chamados de tetravalentes, aqueles com três
electrões são os trivalentes e os com cinco, Figura 1-2. Ligação Covalente do átomo de Silício.
pentavalentes. O termo valência é usado para

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 1

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Visto que o GaAs é um semicondutor
composto, existe compartilhamento entre os
dois átomos diferentes, como mostrado na
Figura 1-3. Cada átomo, de Gálio ou Arsênio,
está rodeado por átomos do tipo complementar.
Há, ainda, um compartilhamento de electrões
estruturalmente semelhante ao de Ge e Si, mas
agora cinco electrões são fornecidos pelo átomo
As e três pelo Ga.
Figura 1-3. Ligação Covalente do cristal de GaAs.
Embora a ligação covalente resulte em
uma ligação mais forte entre os electrões de
valência e seu átomo de origem, ainda é possível
que os electrões de valência absorvam energia
cinética suficiente de causas naturais externas
para quebrar a ligação covalente e assumir o
estado “livre”.
Os electrões livres em um material devido
somente a causas externas são chamados de
portadores intrínsecos.
O termo intrínseco aplica-se a qualquer
material semicondutor que tenha sido
cuidadosamente refinado para reduzir o número
de impurezas a um nível muito baixo —
essencialmente, com o grau máximo de pureza
disponibilizado pela tecnologia moderna.
Materiais semicondutores têm um
coeficiente de temperatura negativo.
1.3 Níveis de Energia
Dentro da estrutura atómica de todo e
qualquer átomo isolado, há níveis específicos de
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
energia associados a cada camada e electrão em
órbita, como mostrado na Figura 1-4.
Figura 1-4. Níveis de energia em estruturas
atómicas isoladas.
Os níveis de energia associados a cada
camada serão diferentes para cada elemento.
No entanto, de modo geral:
Quanto maior a distância de um eletrão em
relação ao núcleo, maior o estado de energia, e
qualquer electrão que tenha deixado seu átomo
de origem tem um estado de energia mais alto do
que qualquer outro electrão na estrutura
atómica.
As Figuras 1-5 e 1-6 revelam claramente
que existe um nível mínimo de energia
associado aos electrões na banda de condução
e um nível máximo de energia de eletrões ligado
à camada de valência do átomo. Entre ambos, há
um gap de energia que o electrões na banda de
valência têm de superar para se tornar um
portador livre. Esse gap de energia é diferente
para Ge, Si e GaAs; o Ge tem o menor gap, e o
GaAs, o maior.
Figura 1-5. Bandas de Condução e de valência de
um isolante e um semicondutor.
2
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Figura 1-6. Bandas de Condução e de valência de
um condutor.
Um electrão na banda de valência do Silício
deve absorver mais energia do que outro na
banda de valência do Germânio para se tornar
um portador livre. Da mesma forma, um electrão
na banda de valência do Arseneto de Gálio deve
ganhar mais energia do que outro no Silício ou
germânio para entrar na banda de condução.
Essa diferença nos requisitos do gap de
energia revela a sensibilidade de cada tipo de
semicondutor às variações de temperatura. Por
exemplo, à medida que a temperatura de uma
amostra de Ge sobe, o número de electrões que
podem absorver energia térmica e entrar na
banda de condução vai aumentar muito
rapidamente, porque o gap de energia é muito
pequeno. Entretanto, o número de electrões que
entra na banda de condução para Si ou GaAs
seria muito menor. Essa sensibilidade a
alterações no nível de energia pode surtir
efeitos positivos e negativos. Criar
fotodetectores sensíveis à luz e sistemas de
segurança sensíveis ao calor poderia ser uma
excelente área de aplicação dos dispositivos de
Ge. No entanto, no caso das redes de
transístores, nas quais a estabilidade é alta
prioridade, essa sensibilidade à temperatura ou
à luz pode ser um fator prejudicial.
O gap de energia também revela quais
elementos são úteis na construção de
dispositivos emissores de luz, como díodos
emissores de luz (LEDs). Quanto maior o gap de
energia, maior a possibilidade de a energia ser
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
liberada sob a forma de ondas de luz visível ou
invisível (luz infravermelha). Para os
condutores, a sobreposição de bandas de
valência e condução basicamente faz com que
toda a energia adicional captada pelos electrões
seja dissipada na forma de calor. De modo
análogo, no caso do Ge e do Si, visto que o gap de
energia é muito pequeno, a maioria dos
electrões que capta energia suficiente para sair
da banda de valência acaba na banda de
condução e a energia é dissipada na forma de
calor. Por outro lado, para o GaAs, o gap de
energia é suficientemente grande para resultar
em significativa radiação de luz.
1.4 Materiais Tipos N e P
As características de um material
semicondutor podem ser alteradas
significativamente pela adição de átomos
específicos de impureza ao material
semicondutor relativamente puro. Tais
impurezas, embora apenas adicionadas na
proporção de uma parte em 10 milhões, podem
alterar a estrutura de banda a ponto de
modificar totalmente as propriedades elétricas
do material.
Um material semicondutor que tenha sido
submetido ao processo de dopagem é chamado de
material extrínseco.
Há dois materiais extrínsecos de enorme
importância para a fabricação de um dispositivo
semicondutor: materiais do tipo n e do tipo p.
Material Tipo n
Um material do tipo n é criado pela
introdução de elementos de impureza que têm
cinco electrões de valência (pentavalentes), tais
como Antimônio, Arsênio e Fósforo. O efeito
desses elementos é indicado na Figura 1-7
(utilizando antimônio como a impureza em uma
base de silício). Note que as quatro ligações
covalentes ainda estão presentes. Há, porém,
um quinto electrão adicional devido ao átomo
de impureza, o qual está dissociado de qualquer
ligação covalente em especial. Esse electrão
3
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
restante, fracamente ligado ao seu átomo de
origem (antimônio), é relativamente livre para
se mover dentro do recém-formado material do
tipo n, uma vez que o átomo de impureza
inserido doou um electrões relativamente
“livre” para a estrutura:
Figura 1-7. Impureza de Antimónio em material
tipo n.
Impurezas difundidas com cinco electrões
de valência são chamadas de átomos doadores.
É importante compreender que,
apesar de um grande número de portadores
livres ter se estabelecido no material do tipo
n, ele ainda é electricamente neutro, uma
vez que, em termos ideais, o número de
protões com carga positiva nos núcleos
permanece igual ao número de electrões
livres com carga negativa em órbita na
estrutura.
Material Tipo P
O material do tipo p é formado pela
dopagem de um cristal puro de germânio ou
silício com átomos de impureza que
possuem três electrões de valência. Os
elementos mais comumente utilizados para
esse fim são boro, gálio e índio. O efeito de
um desses elementos, o boro, sobre uma
base de silício está indicado na Figura 1-8.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
Figura 1-8. Impureza de Boro em material tipo p.
Note que agora o número de electrões
é insuficiente para completar as ligações
covalentes da ligação recém-formada. O
espaço vazio resultante é chamado de
lacuna e representado por um círculo
pequeno ou um sinal positivo, indicando a
ausência de uma carga negativa. Uma vez
que a lacuna resultante aceitará
prontamente um electrão livre:
As impurezas difundidas com três electrões
de valência são chamadas de átomos
aceitadores.
Fluxo de electrões versus fluxo de
lacunas
O efeito da lacuna na condução é
mostrado na Figura 1-9. Se um electrão de
valência adquire energia cinética suficiente
para quebrar sua ligação covalente e
preenche o vazio criado por uma lacuna
existente, será criado um espaço vazio, ou
lacuna, na ligação covalente que liberou o
electrão. Existe, portanto, um deslocamento
de lacunas para a esquerda e de electrões
para a direita, como mostrado na Figura 1-
9. O sentido a ser usado neste livro é o do
fluxo convencional, que é indicado pelo
sentido do fluxo da lacuna.
4
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Figura 1-9. Fluxo de Electrões versus fluxo de
lacunas.
Portadores Majoritários e Minoritários
No estado intrínseco, o número de
electrões livres no Ge e no Si é resultante
apenas dos poucos electrões na banda de
valência que adquiriram energia suficiente
de fontes térmicas ou de luz para quebrar a
ligação covalente ou das poucas impurezas
que não puderam ser removidas. Os espaços
vazios deixados para trás na estrutura de
ligação covalente representam nossa
quantidade bem limitada de lacunas. Em um
material do tipo n, o número de lacunas não
se alterou significativamente a partir desse
nível intrínseco.
O resultado líquido é, portanto, que o
número de electrões supera o de lacunas.
Por esse motivo:
Em um material do tipo n, o electrão é
chamado de portador majoritário e a lacuna de
portador minoritário. Em um material do tipo p,
a lacuna é o portador majoritário e o electrão é o
portador minoritário.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
Figura 1-10. Materiais tipo N e P.
1.5 Díodo Semicondutor
O díodo semicondutor é formado
juntando-se simplesmente materiais
semicondutores do tipo N e P, conforme mostra
a Figura 1-11. No momento em que são
“unidos”, os electrões e os buracos na região de
junção se combinam, resultando em uma
ausência de portadores na região próxima à
junção.
Esta região de iões positivos e negativos
não combinados é chamada de região de
deplecção, devido à deplecção de portadores
nesta região.
Figura 1-11. Junção p-n sem polarização externa.
Como o díodo é um dispositivo de dois
terminais, a aplicação de uma tensão através de
seus terminais conduz a três possibilidades:
nenhuma polarização (V D = 0 V), polarização
directa (V D > 0 V) e polarização inversa (V D < 0
V).
5
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Sem Polarização (VD = 0 V)
Sob condições de não polarização,
quaisquer portadores minoritários (buracos)
no material tipo n que se encontrarem dentro da
região de deplecção irão passar direitamente
para o material do tipo p. Quanto mais próximo
o portador minoritário estiver da junção, maior
é a atracção para a camada de iões negativos, e
menor a oposição dos iões positivos na região
de deplecção do material do tipo n. O mesmo
tipo de argumento pode ser aplicado para o
material tipo p.
Os portadores majoritários (electrões) do
material tipo n devem superar as forças
atractivas da camada de iões positivos no
material tipo n e o campo de iões negativos do
material tipo p, a fim de migrarem para a área
da região de deplecção do material tipo p.
Contudo o número de portadores majoritários é
tão grande no material tipo n que existirá,
invariavelmente, um número pequeno de
portadores majoritários com energia suficiente
para passar pela região de deplecção para o
material tipo p. Novamente, o mesmo tipo de
argumento pode ser aplicado aos portadores
majoritários (buracos) do material tipo p. Em
resumo, então:
Na ausência de uma tensão de polarização,
o fluxo resultante de carga em qualquer direcção
para um díodo semicondutor é zero.
O símbolo para o díodo é representado na
Figura 1-12 com regiões tipo n e p associadas.
Como indicado, para V D = 0 V, a corrente em
qualquer direcção é 0 mA.
Figura 1-12. Condições de não-polarização para
um díodo semicondutor.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
Polarização Reversa (VD <0 V)
Se um potencial externo de V volts é
aplicado através da junção p-n em que o
terminal positivo é conectado ao material tipo n
e o material negativo é ligado ao material tipo p,
conforme mostra a Figura 1-13, o número de
iões negativos não-combinados na região de
deplecção do material tipo n aumentará, devido
ao grande número de electrões “livres”
arrastados para o potencial positivo da tensão
aplicada. Por motivos semelhantes, o número de
iões negativos não-combinados aumentará no
material tipo p. O efeito é, portanto, um
alargamento da região de deplecção. Este
alargamento da região de deplecção
estabelecerá uma barreira tão grande para os
portadores majoritários superarem que,
efectivamente, reduzirá o fluxo de portadores
majoritários a zero, conforme mostra a Figura 1-
13.
Figura 1-13. Junção p-n polarizada reversamente.
A corrente que surge sob condições de
polarização reversa é chamada de corrente de
saturação reversa, e é representada por I S .
O termo saturação vem do facto de ela
alcançar seu valor máximo rapidamente e não
mudar significativamente com aumento do
potencial de polarização reversa, como
mostrados nas curvas características do díodo
da Figura 1-15 para V D < 0 V.
Polarização Directa
Uma condição de polarização directa, ou
“ligada”, é estabelecida aplicando-se o potencial
6
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
positivo ao material tipo p, e o potencial
negativo ao material tipo n, como mostrado na
Figura 1-14.
Figura 1-14. Junção p-n polarizada directamente.
Portanto:
Um díodo semicondutor é polarizado
directamente quando a associação tipo p e
positivo, tipo n e negativo for estabelecida.
A aplicação de um potencial de
polarização directa V D irá “forçar” electrões no
material tipo n e lucanos no material tipo p a
recombinarem-se com os iões próximos da
fronteira, e reduzir a largura da região de
deplecção como mostrado na Fig. 1-14. O fluxo
de portadores minoritários resultantes de
electrões de material tipo p para o tipo n (e
lacunas do material tipo n para o material tipo
p) não muda nada em intensidade (pois o nível
de condução é controlado essencialmente pelo
número limitado de impurezas no material),
mas a redução da região de deplecção resultou
em um fluxo denso de majoritários através da
junção. Um electrão do material tipo n agora
“vê” uma barreira reduzida na junção, devido à
região de deplecção reduzida e uma forte
atracção para o potencial positivo aplicado ao
material tipo p. À medida que a polarização
aplicada aumenta em amplitude, a região de
deplecção continua a diminuir em largura até
que o fluxo de electrões consiga atravessar a
junção, resultando em um aumento exponencial
da corrente conforme mostrado na região de
polarização directa da curva característica da
Figura 3-5. Observe que a escala vertical está em
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
miliamperes e a escala horizontal na região de
polarização directa tem um máximo de 1 V.
Tipicamente a tensão através de m díodo
polarizado directamente será menor do que 1 V.
Figura 1-15. Curva característica do díodo
semicondutor de silício.
Região Zener
Na curva característica do díodo existe
um ponto onde a aplicação de uma tensão
negativa resulta em uma mudança brusca na
curva. A corrente aumenta a uma taxa muito
rápida na direcção oposta da região de tensão
positiva. O potencial de polarização reverso que
resulta desta brusca mudança na curva
característica é chamado de potencial de Zener,
é dado pelo símbolo V z .
A região de avalanche (V z ) pode ser
aproximada do eixo vertical, aumentando-se os
níveis de dopagem nos materiais p e n. Contudo,
à medida que V z diminui para níveis muito
baixos, tais como -5 V, outro mecanismo,
chamado roptura Zener, contribuirá para a
mudança brusca na curva característica. Isto
ocorre porque existe um forte campo eléctrico
na região de junção que pode perturbar as
forças de ligação dentro do átomo e “gerar”
portadores. Embora o mecanismo de roptura
7
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

Zener seja um elemento considerável em níveis

menores de V z , esta mudança brusca na curva
característica em qualquer nível é chamada
Região Zener e os díodos que empregam
apenas esta porção da curva de uma junção p-n
são chamados díodos Zener.

A região Zener do díodo semicondutor

descrito deve ser evitada para que a resposta de
um sistema não seja completamente alterada
pela mudança brusca na curva característica
nesta região de tensão reversa.

O potencial máximo de polarização reversa

permitida, para que o díodo não entre na região
Zener, é chamado de tensão de pico inversa
(denotada por TPI nominal) ou tensão de pico Figura 1-17. Comparação dos díodos
reversa (denotada por TPR nominal). semicondutores de Si e Ge.

A forma da curva na região de polarização

reversa também é muito semelhante para cada
material, mas deve-se observar a diferença
mensurável nas magnitudes das correntes mais
comuns de saturação reversa. Para o GaAs, a
corrente de saturação reversa costuma ser de
cerca de 1 pA, em comparação com 10 pA para
Si e 1 μA para Ge, uma diferença significativa de
níveis.

Além disso, deve-se observar as

Figura 1-16. Região Zener.
Si, Ge e GaAs
Um gráfico comparando as características
de díodos de Si, GaAs e Ge é fornecido na Figura
1-17. O germânio está mais próximo do eixo
vertical e o GaAs, mais distante. Como se
observa nas curvas, o centro do joelho (knee em
inglês, daí o K ser a notação de VK) da curva é de
aproximadamente 0,3 V para Ge, 0,7 V para Si e
1,2 V para GaAs.
magnitudes relativas das tensões reversas de
roptura de cada material. As curvas da Figura 1-
17 são concebidas simplesmente para refletir
tensões de ruptura relativas para os três
materiais. Quando se analisam os níveis de
correntes de saturação reversa e tensões de
ruptura, o Ge certamente desponta como aquele
que tem o mínimo de características desejáveis.

Efeitos de Temperatura
A temperatura pode ter um efeito
marcante sobre as características de um díodo
semicondutor de silício.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 8

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Na região de polarização direta, a curva
característica de um diodo de silício desvia-se
para a esquerda a uma taxa de 2,5 mV por
aumento de grau centígrado na temperatura.
A corrente de saturação reversa I S terá o se
valor em amplitude aproximadamente dobrado
para cada aumento de 10° C na temperatura.
Figura 1-18. Variação nas curvas características do
díodo com a mudança na temperatura.
Para aplicações de alta temperatura,
deve-se, portanto, buscar diodos de Si com Is à
temperatura ambiente mais próxima de 10 pA,
um nível comumente disponível hoje em dia, o
que limitaria a corrente a 2,62 μA. É realmente
uma sorte que tanto o Si quanto o GaAs tenham
correntes de saturação reversa relativamente
pequenas à temperatura ambiente. Existem
dispositivos de GaAs que funcionam muito bem
na faixa de temperatura de –200 °C a +200 °C,
em alguns casos atingindo temperaturas
máximas que se aproximam de 400 °C.
A tensão de ruptura reversa de um díodo
semicondutor aumentará ou diminuirá em
função da temperatura.
Os crescentes níveis de I S com a
temperatura são responsáveis pelos diferentes
níveis de tensão limiar. À medida que a
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
temperatura aumenta, as curvas características
estão se tornando mais “ideais”, mas
temperaturas além da faixa normal de operação
podem ter um efeito muito prejudicial sobre a
potência máxima e níveis de corrente do díodo.
Na região de polarização reversa, a tensão de
ruptura cresce com a temperatura, este é um
indesejável aumento na corrente de saturação
reversa.
1.6 Níveis de Resistência
À medida que o ponto de operação de um
díodo move-se de uma região para outra, a
resistência do díodo também será alterada
devido a forma não-linear da curva
característica.
Resistência CC ou Estática
A aplicação de uma tensão DC num
circuito contendo um díodo semicondutor
resultará em um ponto de operação sobre a
curva do díodo inalterado com o tempo. A
resistência do díodo no ponto de operação pode
ser encontrada simplesmente encontrando os
valores correspondentes de V D e I D aplicando-
se a seguinte equação:
Os níveis de resistência DC no joelho e
abaixo deste serão maiores do que os níveis de
resistência obtidos para a região de aumento
vertical da curva. Os níveis de resistência na
região de polarização reversa serão bem
maiores.
De modo geral, portanto, quanto maior a
corrente que passa através de um díodo, menor o
nível de resistência CC.
9
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

Uma linha recta desenhada tangente à

curva através do ponto Q definirá uma variação
particular da tensão e corrente, e pode ser usada
para determinar a resistência ac ou dinâmica
para esta região da curva do díodo. Um esforço
deveria ser feito para manter a variação em
tensão e corrente tão pequena quanto possível,
equidistante de cada lado do ponto Q. Na forma
de equação,
Figura 1-19. Determinação da resistência CC de
um díodo em um ponto de operação específico.

Resistência AC ou Dinâmica
A resistência CC de um díodo independente
da forma da curva característica na região que Quanto mais íngreme a inclinação, menor
circunda o ponto de interesse. o valor de ΔVd para a mesma variação em ΔId, e,
menor a resistência. A resistência ac na região
Se uma senoide, ao invés de uma entrada
de aumento vertical da curva característica é,
DC for aplicada, a situação mudará
portanto, bem pequena, enquanto que a
completamente. A entrada variando moverá o
resistência ac é muito maior em níveis de
ponto de operação instantâneo para cima e para
correntes baixas.
baixo em uma região da curva, definindo uma
mudança específica na corrente e tensão
conforme a Fig. 1-20. Sem variações da tensão
aplicada, o ponto de operação seria o ponto Q,
que aparece na Fig. 3-9 determinado pelos
níveis DC aplicados. A designação do ponto Q é
obtida da palavra quiesciente, que significa
“nível invariável ou estacionário”.

Figura 1-21. Determinação da resistência ac no

ponto Q.

Mas na prática usa-se a equação:

Ele indica que a resistência dinâmica pode

Figura 1-20. Definição da resistência dinâmica o
AC.
ser encontrada simplesmente substituindo-se o
valor quiescente da corrente de díodo na
equação. É importante ter em mente que a
equação acima é precisa apenas para valores de
I D na região de aumento vertical da curva.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 10

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
De modo geral, portanto, quanto maior o
ponto Q de operação (corrente menor ou tensão
inferior), maior a resistência CA.
Resistência AC Média
Se o sinal de entrada for suficientemente
grande para produzir a amplitude mostrada na
Fig. 3-11, a resistência associada do dispositivo
para esta região é chamada resistência ac média.
A resistência ac média é por definição,
determinada pela linha recta determinada entre
as duas intersecções estabelecidas pelos valores
máximo e mínimo. Na forma de equação:
Figura 1-22. Determinação da resistência ac média
entre os limites indicados.
1.7 Circuitos Equivalentes do
Díodo
Um circuito equivalente é uma combinação
de elementos adequadamente escolhidos para
melhor representarem as características reais de
um dispositivo, sistema ou região particular de
operação.
Circuito Equivalente Linear por Partes
Uma técnica para se obter um circuito
equivalente para o díodo é aproximar as
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
características do dispositivo por segmentos de
recta. O circuito equivalente resultante é
naturalmente chamado circuito equivalente
linear por partes. Para a região de inclinação da
curva equivalente, a resistência ac média, é o
nível de resistência que aparece no circuito
equivalente, próximo ao dispositivo real. Em
essência, ela define o nível de resistência do
dispositivo quando ele está “ligado”. O díodo
ideal é incluído para estabelecer que só existe
uma direcção de condução através do
dispositivo e que uma condição de polarização
reversa resulta no estado de circuito-aberto
para o circuito. Como o díodo semicondutor de
silício não alcança o estado de condução até V D
atingir 0,7 V para polarização directa, uma
bateria V T opondo-se à direcção de condução
deve aparecer ao circuito equivalente. A bateria
especifica simplesmente que a tensão através
do sistema deve ser maior do que a tensão
limiar da bateria para que a condução através
do dispositivo na direcção imposta pelo díodo
ideal possa ser estabelecida. Quando isso
ocorre, a resistência do díodo terá o específico
de r AV .
Figura 1-22. Componentes do circuito equivalente
linear.
Contudo deve-se ter em mente que V T no
circuito equivalente não é uma fonte de tensão
independente. Em geral o nível aproximado de
r AV pode ser determinado de um ponto de
operação específico da folha de especificações.
11
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Figura 1-23. Definição do circuito equivalente
linear, usando-se segmentos de recta para aproximar a
curva característica.
Circuito Equivalente Simplificado
Para a maioria das aplicações, a
resistência r AV é suficientemente pequena para
ser desprezada em comparação com outros
elementos do circuito. A retirada de r AV do
circuito equivalente é o mesmo que dizer que a
curva característica do díodo apresenta a forma
mostrada na Fig. 1-24.
Figura 1-24. Circuito equivalente simplificado para
o díodo semicondutor de silício.
Circuito Equivalente Ideal
Se depois de se remover r AV , estabelece-se
que um nível 0,7 V pode ser ignorado em
comparação a nível de tensão aplicada. Neste
caso, o circuito equivalente será reduzido para
um díodo ideal somente.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
Figura 1-25. Díodo ideal e sua curva característica.
1.8 Folhas de Especificações do
Díodo
Os dados sobre dispositivos
semicondutores específicos são normalmente
fornecidos pelo fabricante de duas formas. Mais
fequentemente, trata-se de uma breve
descrição, limitada talvez a uma página. O outro
modo é uma análise completa das
características, usando-se gráficos, desenhos,
tabelas e assim por diante. Em todo caso,
entretanto, existem dados específicos que
devem ser incluídos na utilização correcta do
dispositivo. São eles:
1. Tensão directa V F (para uma corrente e
temperatura específicas).
2. A corrente direita máxima I F (para uma
temperatura específica).
3. A corrente de saturação reversa I R
(para uma tensão e temperatura
específicas).
4. A tensão reversa nominal (TPI ou TPR
ou T(BR), onde BR vem do termo
“ruptura” (breakdown) ( a uma
temperatura específica)).
5. O nível máximo de dissipação de
potência para uma temperatura em
particular.
6. Níveis de capacitância.
7. Tempo de recuperação reverso t rr .
8. Faixa de operação de temperatura.
Dependendo do tipo de díodo
considerado, dados adicionais também podem
ser fornecidos.
12
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

1.9 Análise por Recta de Carga

A intersecção da recta de carga com a
curva característica determinará o ponto de
operação do sistema. Esta análise é chamada de
análise por recta de carga. Calculados os parâmetros, o desenho da
recta será:
Consideremos o circuito da Fig. 1-26,
nota-se que a “pressão” estabelecida pela
bateria tenta forçar uma corrente através do
circuito no sentido horário. O facto de esta
corrente e o sentido de condução do díodo
estarem “casados” revela que o díodo está no
estado “ligado” e a condução foi estabelecida. A
polaridade resultante através do díodo será
como mostrada e o primeiro quadrante será a
região de interesse para a polarização directa. Figura 1-27. Desenho da recta de carga e o ponto
de operação.

Figura 1-26. Configuração série do díodo.
Aplicando a LKT no circuito vem:
As duas variáveis da equação acima (V D e
I D ) são as mesmas representadas pelos eixos
coordenadas na curva característica do díodo.
As intersecções da recta de carga com a
curva característica do díodo determinam-se
fazendo V D = 0 V e I D = 0 A na equação acima.
1.10 Configurações
série/paralelo de díodos com
entradas DC
Para cada configuração, o estado de cada
díodo deve ser inicialmente determinado. Estes
devem ser substituídos pelos seus circuitos
equivalentes.
Em geral, um díodo está no estado “ligado”
se a corrente estabelecida pelas fontes é tal que
sua direcção está no mesmo sentido que a seta do
símbolo do díodo, e V D ≥ 0,7 V para o silício, V D ≥
0,3 V para o germânio e V D ≥ 1,2 V para o
Arseneto de Gálio.
Se um díodo está no estado “ligado”, pode-
se representar apenas a fonte com a tensão V D ,
caso esteja “desligado” utiliza-se o circuito
aberto.

e
Figura 1-28. Configuração série do díodo e o
modelo equivalente do díodo “ligado”.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 13

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Figura 1-29. Díodo invertido, determinação do
estado do díodo e modelo equivalente.
Estes métodos podem ser estendidos à
análise de configurações paralela e série-
paralela. Para cada aplicação, simplesmente
adapte as etapas sequenciais utilizadas nas
configurações série com díodo.
1.11 Tipos de díodos e suas
aplicações
Diodos rectificadores são os tipos mais
comuns. Eles são usados nas fontes de
alimentação para converter a tensão CA em CC.
Além destes díodos, existem od díodos Zener
que são muitos importantes na regulação de
tensão. Também existem os díodos
optoelectrónicos, incluindo o LED, Schottky,
varactores e outros.
Diodo Emissor de Luz - LED
Os LEDs substituíram as lâmpadas
incandescentes em muitas aplicações devido a
vários fatores: baixo consumo de energia,
tamanho reduzido, resposta rápida a
chaveamentos e longo ciclo de vida. A Figura 1-
30 mostra as partes de um LED de baixa
potência padrão. Assim como num diodo
comum, o LED tem um anodo e um catodo que
necessitam ser adequadamente polarizados
para que opere corretamente.
Figura 1-30. Partes constituintes de um LED.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
A Figura 1-31a mostra uma fonte
conectada a um resistor em série com um LED.
Em um LED polarizado diretamente, os
electrões livres atravessam a junção pn e se
recombinam com as lacunas. À medida que
esses electrões passam de um nível maior de
energia para um menor, eles irradiam energia
na forma de fótons. Nos diodos comuns, essa
energia é irradiada sob a forma de calor; em um
LED, essa energia é irradiada sob a forma de luz.
Este efeito é conhecido como
eletroluminescência.
Figura 1-31. LED como indicador. (a) Circuito
básico; (b) Circuito prático.
A cor da luz, que corresponde ao
comprimento de onda da energia dos fótons,é
determinada principalmente pelo gap nas
bandas de energia (espaço entre as bandas de
energia) dos materiais semicondutores que são
usados.
Usando elementos como o gálio, arsênio e
fósforo, um fabricante pode produzir LEDs que
irradiam luz vermelha, verde, amarela, azul,
laranja, branca ou infravermelha (invisível).
LEDs que produzem radiação visível são
úteis como indicadores em aplicações como
painéis de instrumentação, roteadores de
Internet e assim por diante. O LED
infravermelho encontra aplicações em sistemas
de segurança, controles remotos, sistemas de
controle industriais e outras áreas que
necessitam de radiação invisível.
Para a maioria dos LEDs disponíveis
comercialmente, a queda de tensão típica é de
1,5 V a 2,5 V para correntes entre 10 mA e 50
mA. A queda de tensão exata depende da
corrente no LED, da cor, da tolerância,
juntamente com outros fatores. A não ser
14
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
quando indicado em contrário, usaremos uma
queda de tensão nominal de 2 V quando
estivermos a analisar com LED.
Diodo VARICAP
O varactor (também chamado de
capacitância variável com tensão, varicape,
epicape e diodo de sintonia) é muito utilizado
nos receptores de televisão, receptores de FM e
outros equipamentos de comunicação, pois
pode ser usado para sintonia electrónica.
Na Figura 1-32a, a camada de depleção
está entre a região p e a região n. Estas regiões
são como placas de um capacitor, e a camada de
depleção é como um dielétrico. Quando um
diodo é polarizado reversamente, a largura da
camada de depleção aumenta com a tensão
reversa. Como a camada de depleção fica mais
larga com o aumento da tensão reversa, a
capacitância diminui. A ideia é que a
capacitância pode ser controlada pela tensão
reversa.
Figura 1-32. O Varactor. (a) As regiões dopadas
como placas de um capacitor separadas por um
dieléctrico; (b) Circuito equivalente CA; (c) Símbolo
esquemático; (d) Gráfico da capacitância versus tensão
reversa.
A Figura 1-32b mostra o circuito
equivalente CA para um diodo reversamente
polarizado. Em outras palavras, assim que um
sinal CA for aplicado, o varactor funciona como
um capacitor variável.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
A Figura 1-32c mostra o símbolo
esquemático para um varactor. A inclusão de
um capacitor em série com o diodo é para
lembrar que o varactor é um dispositivo que foi
otimizado para apresentar uma propriedade de
capacitância variável.
A Figura 1-32d mostra como a
capacitância varia com a tensão reversa. Este
gráfico mostra que a capacitância diminui
quando a tensão reversa aumenta. A ideia
realmente importante aqui é que a tensão
reversa controla a capacitância.
Durante o seu uso, ele é conectado em
paralelo com um indutor para formar um
circuito ressonante paralelo. Esse circuito tem
apenas uma frequência na qual a impedância
máxima ocorre. A frequência é chamada de
frequência de ressonância. Se a tensão CC
reversa no varactor mudar, a frequência de
ressonância também muda. Esse é o princípio
por trás da sintonia eletrônica de uma estação
de rádio, um canal de TV e outros.
Diodo Túnel
Aumentando o nível de dopagem de um
diodo de retaguarda, podemos obter uma
ruptura em 0 V. Além disso, uma dopagem forte
distorce a curva direta, como mostra a Figura 1-
33a. O diodo que apresenta um gráfico como
este é chamado de diodo túnel.
Figura 1-33. O Diodo Túnel. (a) Ruptura ocorre em
0 V; (b) Símbolo Esquemático.
A Figura 1-33b mostra o símbolo
esquemático para um diodo túnel. Esse tipo de
diodo exibe um fenómeno conhecido como
região de resistência negativa. Isso significa que
um aumento na tensão direta produz uma
15
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

diminuição na corrente direta, pelo menos
numa parte do gráfico entre VP e VV. A
resistência negativa dos diodos túneis é útil nos
circuitos de alta frequência chamados de
osciladores.
terminais definindo a tensão de saída são
conectados directamente ao sinal de entrada via
o curto-circuito produzido pelo díodo.

Esses circuitos são capazes de gerar um

sinal senoidal, similar àqueles produzidos em
um gerador CA. Mas diferente do gerador CA
que converte energia mecânica em um sinal
senoidal, um oscilador converte energia CC em
um sinal senoidal.

1.12 Entradas Senoidais:

Rectificadores de Meia-Onda
Consideremos um circuito da Fig. 1-34. No
momento utilizaremos o modelo ideal para
assegurarmos que a abordagem não inclua mais
uma complexidade matemática.
Figura 1-35. Região de condução (0 →T/2).
Para o período T/2 →T, a polaridade de
entrada v i é mostrada na Fig. 1-36, a polaridade
através do díodo ideal produz um estado
“desligado” com um circuito aberto como
modelo equivalente.

Figura 1-36. Região de não-condução (T/2 →T).

Figura 1-34. Rectificador de meia-onda.
O circuito da figura acima é chamado de
rectificador de meia-onda irá gerar uma forma
de onda v 0 que possuirá um valor médio de uso
particular no processo de conversão ac-dc.
O resultado é a ausência de um caminho
para que as cargas fluam e V D = 0 V para o
período T/2 →T. A entrada v i e a saída v 0 foram
traçadas juntas na Fig. 1-37 para que possa
haver uma comparação.

Durante o intervalo t = 0 →T/2 na Fig 1-

34, a polaridade da tensão aplicada v i é tal que
estabelece uma “pressão” no sentido indicado e
liga o díodo com a polaridade indicada.
Substituindo pelo curto-circuito equivalente
para o díodo ideal, resulta no circuito
equivalente da Fig. 1-35, onde o sinal de saída é
uma réplica exacta do sinal de entrada. Os dois

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 16

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

Aplicando a LKT, torna-se óbvio que a TPI

máxima do díodo deve igualar-se ou ser maior
do que o valor de pico da tensão aplicada.

TPI máxima ≧ Vm

1.13 Rectificadores de Onda

Completa

Circuito Ponte
Figura 1-37. Sinal rectificado de meia-onda. O nível dc obtido a partir de uma entrada
senoidal pode ser melhorado 100% utilizando-
O sinal de saída v 0 tem agora uma área se um processo chamado rectificação de onda
resultante média determinada por: completa. O circuito mais usual empregado para
realizar tal função é mostrado na Fig. 1-39, com
Vcc = Vdc = 0,318Vm = Vm/π
seus quatro díodos com uma configuração em
O processo de se remover metade do sinal ponte.
de entrada para estabelecer um nível dc é
denominado rectificação de meia-onda. Para
situações onde V m >> V K , para determinar o
valor médio com um relativo alto grau de
precisão, pode ser utilizada a expressão:

Vdc = 0,318(Vm – V K )

Tensão de Pico Inverso - TPI Figura 1-39. Rectificador em ponte de onda

A tensão de pico inversa (TPI) ou TPR completa.
(tensão de pico reversa) é de suma importância
Durante o período de t = 0 até T/2, a
no projecto de sistemas de rectificação. Sabe-se
polaridade do sinal de entrada é mostrada na
que a tensão máxima nominal do díodo não deve
Fig. 1-40. As polaridades resultantes através dos
ser ultrapassada na região de polaridade
díodos ideais são mostradas, revelando que D 2
reversa, ou o díodo entrará na região de
e D 3 estão em condução enquanto que D 1 e D 4
avalanche Zener. A TPI máxima permitida para
estão no estado “desligado”.
o rectificador de meia-onda pode ser
determinada como na Fig. 1-38, que mostra o
díodo reversamente polarizado com uma tensão
aplicada máxima.

Figura 1-40. Circuito rectificador para o período

0→T/2 do sinal de entrada v i .
Figura 1-38. Determinação da TPI máxima exigida
para rectificador de meia-onda.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 17

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

O resultado é a configuração da Fig.

abaixo e uma vez que os díodos são ideais, a
tensão na carga v 0 = v i .

Figura 1-43. Formas de ondas dos sinais de

entrada e saídas para um rectificador de onda completa.

Como a área acima do eixo para o ciclo

completo é agora o dobro da área obtida por um
rectificador de meia-onda, o nível dc também
dobra:

Vcc = Vdc = 0,636Vm = 2Vm/π

Se os díodos de silício ao invés de díodos

ideais fossem empregados como mostra a Fig. 1-
44, aplicando LKT ao longo do caminho de
Figura 1-41. Caminho de condução para a região condução resulta em:
positiva de v i .

Para a região negativa do sinal de entrada,

os díodos D 1 e D 4 estão conduzindo, resultando
na configuração da Fig. 1-42. O resultado O valor de pico da tensão de saída V 0 é
importante é que a polaridade através do dado por:
resistor de carga R é a mesma, estabelecendo
um segundo pulso positivo.

Figura 1-44. Determinação de V 0max para díodos

de silício na configuração ponte.

Para situações onde V m >>2V K pode ser

aplicado à equação abaixo para o valor médio
com relativo alto grau de precisão.

Vdc = 0,636(Vm – 2V K )
Figura 1-42. Caminho de condução para a região
negativa de v i . A TPI ou PIV exigida para cada díodo
(ideal) pode ser determinada da Fig. 1-45,
Ao longo de um ciclo completo, as tensões
obtida do pico positivo do sinal de entrada. Para
de entrada e saída serão as mesmas como
o loop indicado, a tensão máxima através de T é
mostrada na Fig. 1-43.
V m e a TPI máxima é definida por:

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 18

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

PIV ≧ Vm Durante a porção negativa do sinal de

entrada, o circuito comporta-se como mostra a
Fig. 1-48, invertendo as funções dos díodos, mas
mantendo a mesma polaridade da tensão
através do resistor de carga R.

Figura 1-45. Determinação de PIV permitida para

configuração ponte.

Transformador com Derivação

Central
Um rectificador de onda completa
também pode aparecer com dois díodos como
na Fig. 1-46. Neste caso há necessidade de um
transformador com derivação central para que
o sinal de entrada apareça em cada secção do
secundário do transformador.
Figura 1-48. Condições do circuito para a região
negativa.

O circuito da Fig. 1-49 nos auxiliará a

determinar a TPI para cada díodo neste
rectificador de onda completa.

Figura 1-46. Rectificador de onda completa,

utilizando transformador de derivação central.

Durante a porção positiva de v i aplicado

ao primário do transformador, o circuito se
comportará como mostra a Fig. 1-47. D 1 assume
o curto-circuito equivalente, e D 2 o circuito-
Figura 1-49. Determinando o valor da PIV para os
aberto equivalente, determinados pelas tensões
díodos do rectificador de onda completa com
no secundário e pelos sentidos das correntes transformador CT.
resultantes. A tensão de saída também é
mostrada na mesma figura. Aplicando a tensão máxima no
secundário, e V m sendo determinada pelo
adjacente, resulta em

TPI ≧ 2Vm
Figura 1-47. Condições do circuito para a região
positiva.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 19

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

1.14 O filtro de entrada com

Indutor
Observando a Figura 1-50a, temos o tipo
de filtro chamado de filtro de entrada com
Filtrando a saída de um
indutor (bobina ou choque). A fonte CA rectificador
produz uma corrente no indutor, capacitor e A Figura 1-51 mostra um filtro de entrada
resistor. A corrente CA em cada componente com bobina entre um retificador e uma carga. O
depende da reatância indutiva, reatância retificador pode ser de meia onda, onda
capacitiva e da resistência. completa com derivação central ou onda
completa em ponte.

Figura 1-50. (a) Filtro de entrada com indutor; (b)

Circuito equivalente CA.
O reactor (indutor, bobina ou choque)
tem uma característica física primária de se
opor à variação da corrente. Por isto, o filtro de
entrada com choque idealmente reduz a
corrente CA no resistor de carga a zero. Para
uma segunda aproximação, ela reduz a corrente
CA na carga para um valor muito baixo.
Figura 1-51. Rectificador com filtro de entrada
com bobina.
A saída do retificador tem dois
componentes diferentes: uma tensão CC (o valor
médio) e uma tensão CA (a parte flutuante),
conforme mostra a Figura 1-52.

A primeira exigência para um bom

projeto do filtro de entrada com indutor é ter o
valor de X C na frequência de entrada muito
menor que R L . Quando essa condição é
satisfeita, podemos ignorar a resistência de Figura 1-52. A forma de onda da saída do
rectificador tem componente CC e CA.
carga e usar o circuito equivalente da Figura 1-
50b. A segunda exigência para um bom projeto Cada uma delas age como fontes
do filtro de entrada com bobina é ter o valor de separadas. Tão logo a tensão CA é concebida, X L
X L muito maior que X C na frequência de entrada. é muito maior do que X C e isto resulta numa
tensão CA muito baixa no resistor de carga.
Quando essa condição é satisfeita, a
tensão de saída CA se aproxima de zero. Por O circuito age tão logo a tensão CC é
outro lado, como a bobina se aproxima de um concebida conforme mostra a Figura 1-53. Com
curto-circuito na frequência de 0 Hz e o frequência de 0 Hz, a reatância indutiva é zero e
capacitor se aproxima de um circuito aberto na a reatância capacitiva é infinita. Resta apenas a
frequência de 0 Hz, a corrente pode passar para resistência em série com o indutor. Se R S é
a resistência da carga com um mínimo de perda. muito menor que R L , a maior parte da
componente CC aparecerá no resistor de carga.
O circuito funciona como um divisor de
tensão reativo, onde X L é muito maior que X C ,
quase toda a tensão CA fica na bobina. Neste
caso, a tensão na saída é igual a:

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 20

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Figura 1-53. Circuito equivalente CC.
É assim que o filtro de entrada com
bobina funciona: quase todo o componente CC
passa para o resistor de carga e quase todo o
componente CA é bloqueado.
Desse modo, obtemos uma tensão CC
quase perfeita, uma tensão que é quase
constante, como a tensão na saída de uma
bateria. A Figura 1-54 mostra a forma de onda
filtrada para um sinal de onda completa. A única
diferença para uma tensão CC perfeita é a
pequena tensão CA na carga. Esse pequeno valor
de tensão CA na carga é chamado de ondulação
(ou ripple).
Figura 1-54. A forma de onda da saída filtrada é
uma corrente direta com uma pequena ondulação.
1.15 O filtro de entrada com
Capacitor
O filtro de entrada com indutor produz
uma tensão CC de saída igual ao valor médio de
um retificador de tensão. O filtro de entrada
com capacitor produz uma tensão CC de saída
igual ao valor de pico da tensão retificada. Este
tipo de filtro é muito mais usado nas fontes de
alimenta
A Figura 1-55(a) mostra uma fonte CA, um
diodo e um capacitor. O segredo para entender
o filtro de entrada com capacitor é compreender
o que este circuito simples faz durante o
primeiro quarto do ciclo.
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
Figura 1-55. (a) Filtro de entrada com capacitor
sem carga; (b) Tensão CC pura na saída; (c) O Capacitor
permanece carregado quando o díodo é desligado.
Inicialmente o capacitor está
descarregado. Durante o primeiro quarto de
ciclo da Figura 1-55(b), o diodo está
diretamente polarizado. Como ele idealmente
funciona com uma chave fechada, o capacitor
carrega e sua tensão torna-se igual à da fonte em
cada instante do primeiro quarto de ciclo. A
carga continua até que a entrada alcance seu
valor máximo. Nesse ponto a tensão no
capacitor é igual a Vp.
Após a tensão de entrada alcançar o valor
de pico, ela começa a descarregar. Assim que a
tensão de entrada torna-se menor que Vp, o
diodo desliga. Nesse caso, ele funciona como
uma chave aberta na Figura 1-55c. Durante os
ciclos restantes, o capacitor permanece
totalmente carregado e o diodo permanece
aberto. É por isso que a tensão de saída é
constante e igual a Vp.
Para o capacitor ser aplicado como filtro
de entrada, precisamos conectar um resistor de
carga em paralelo com o capacitor, conforme
mostra a Figura 1-56(a). Enquanto a constante
de tempo RLC for muito maior que o período, o
capacitor permanecerá quase que totalmente
carregado e a tensão na carga será
aproximadamente igual a Vp. A única diferença
de uma tensão CC perfeita é a pequena
ondulação vista na Figura 1-56(b). Quanto
menor o valor de pico a pico desta ondulação
mais perfeita será a tensão CC na saída.
21
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

1.16 Díodos Zener

A análise de circuitos empregando díodo
Zener é muito semelhante aos anteriores.
Inicialmente o estado do díodo deve ser
determinado, e em seguida deve haver uma
substituição do modelo aproximado apropriado
e uma determinação de variáveis do circuito.
Figura 1-56. (a) Filtro de entrada com capacitor
com carga; (b) Tensão de saída é contínua com uma
pequena ondulação; (c) A saída com rectificador de onda
completa tem uma menor ondulação.

Entre os picos, o diodo está desligado e o

capacitor descarrega pelo resistor da carga. Em
outras palavras, o capacitor fornece corrente
para a carga. Como o capacitor descarrega
apenas um pouco entre os picos, a ondulação
Figura 1-57. Circuitos equivalentes aproximados
pico a pico é pequena. Quando chega o próximo
do díodo Zener nas três regiões possíveis de aplicação.
pico, o diodo conduz brevemente e descarrega o
capacitor do valor de pico. Vi e RL fixos
O circuito mais simples que utiliza díodo
Filtrando uma onda completa Zener aparece na figura 1-58. A tensão DC
Se conectarmos um retificador de onda aplicada é fixa, como resistor de carga. A análise
completa com tomada central ou em ponte a um pode fundamentalmente dividida em duas
filtro de entrada com capacitor, a ondulação de etapas.
pico a pico é cortada ao meio. A Figura 1-56c
mostra por quê. Quando uma tensão em onda
completa é aplicada ao circuito RC, o capacitor
descarrega apenas até a metade. Portanto, a
ondulação de pico a pico é a metade daquele
valor em relação ao retificador de meia onda.

Aqui está uma fórmula derivada que

utilizaremos para estimar o valor de pico a pico
Figura 1-58. Regulador Zener básico.
da ondulação de qualquer filtro de entrada com
capacitor: 1. Determine o estado do díodo Zener,
removendo este do circuito e calculando a tensão
através do circuito-aberto resultante.

Onde:

V R – Ondulação de pico a pico

I – Corrente CC na carga

f – Frequência da ondulação
Figura 1-59. Determinando o estado do díodo
C – Capacitância Zener.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 22

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

Se V ≥ Vz, o díodo Zener está “ligado” e se Zener está no estado “ligado” e que o díodo pode
V < Vz, o díodo está desligado. ser substituído por sua fonte Vz equivalente.

2. Substitua o circuito equivalente O I L máximo é dado pela lei de ohm:

apropriado e resolva as variáveis desejadas.

A potência dissipada pelo díodo Zener é

determinada por
Quando o díodo está no estado “ligado”, a
tensão através de R permanece fixa em:

Que deve ser menor do que a P ZM

especificada para o dispositivo.

Díodos Zener são frequentemente E I R permanece fixa em

utilizados em circuitos reguladores ou como
uma referência de tensão. O circuito anterior é
um regulador simples projectado para manter
uma tensão fixa através da carga R L . Para
A corrente no Zener
valores de tensão aplicada maiores do que a
exigida para “ligar” o díodo Zener, a tensão
através da carga será mantida em Vz volts. Se o
díodo Zener é empregado como uma tensão de
referência, ele fornecerá um nível para a Resultando em Iz mínimo, quando I L é
comparação com outras tensões. máximo, e um máximo Iz, quando I L é mínimo,
já que I R é constante.
Vi fixo e RL variável
Devido à tensão Vz, há uma faixa RL fixo, Vi variável
específica de valores de resistor (e, portanto, Para valores fixos de R L na Fig. 1-58, a
corrente de carga) que garantirá o estado tensão V i deve ser suficientemente grande para
“ligado” do Zener. Uma resistência de carga R L ligar o díodo Zener. A tensão mínima V i = V imin
muito pequena resultará em uma tensão V L que liga o díodo é determinada por
através do resistor de carga menor do que Vz, e
o dispositivo Zener estará no estado
“desligado”.

Para determinar a resistência de carga

O valor máximo de V i é limitado pela
mínima da Fig. 1-58 que ligará o díodo Zener,
corrente de Zener máxima I ZM . Então I Rmax é
calcula-se simplesmente o valor de R L que
dado por:
resultará em uma tensão na carga V L = Vz. Ou
seja:

Uma vez que I L está fixa e I ZM é o valor

máximo de Iz, a máxima tensão V i é definida por:
Qualquer valor de resistência de carga
maior do que R L obtido assegurará que o díodo

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 23

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

1.17 Circuitos Limitadores abaixo, mas existem algumas ideias para se ter
Há uma variedade de circuitos com em mente que auxiliam na busca de uma
díodos chamados limitadores (ou ceifadores) solução.
que possuem características de “limitar” uma
porção do sinal de entrada, sem distorcer o
restante da fonte de onda alternada. O
rectificador de meia onda é um exemplo mais
simples de um limitador com díodo – um
resistor e díodo.

Há duas categorias gerais de limitadores:

série e paralelo. A configuração série é definida Figura 1-61. Limitador série com uma fonte DC.

como aquela que tem o díodo em série com a

1. Imagine um esboço da resposta do
carga, enquanto o paralelo tem o díodo em um
circuito baseado na direcção do
ramo paralelo à carga.
díodo e nos níveis de tensão
aplicada.
Série
2. Determine a tensão aplicada
A resposta da configuração série da Fig. 1-
(tensão de transição) que causará
60a para várias formas de onda é fornecida na
a mudança de estado do díodo.
Fig. 1-60b.
3. Esteja sempre ciente dos terminais
e da polaridade de v 0 .
4. Pode ser útil traçar o sinal de
entrada acima da saída, e
determinar a saída a partir de
valores instantâneos da entrada.

Paralelo
O circuito da Fig. 1-62 é a mais simples
das configurações em paralelo com díodos, com
a saída resultante para os mesmos sinais de
entrada da Fig. 1-60. A análise das configurações
em paralelo é muito semelhante à utilizada em
configurações série.

Figura 1-60. Limitador série.

Não há um procedimento geral para

análise de circuitos do tipo mostrado na figura

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 24

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

Figura 1-62. Resposta ao limitador paralelo.

Figura 1-64. Díodo ligado e capacitor

4.6 Circuitos Grampeadores
O circuito grampeador é aquele que
“grampeia” o sinal em um nível DC diferente. O
circuito deve ter um capacitor, um díodo e um
elemento resistivo, mas pode empregar uma
fonte independente para introduzir um
deslocamento adicional. O valor de R e C deve
ser escolhido de maneira que a constante de
tempo seja grande o suficiente para assegurar
que a tensão através do capacitor não
descarregue significativamente durante o
intervalo em que o díodo não está em condução.
carregando para V volts.
Quando a entrada chaveia para o estado –
V, o circuito comporta-se como mostra a Fig. 1-
65, com circuito aberto equivalente para o díodo
determinado pelo sinal aplicado e a tensão
armazenada através do capacitor – ambos
“pressionando” a corrente através do díodo do
cátodo para o ânodo. Agora que R está de volta
ao circuito, a constante de tempo determinada
pelo produto RC é suficientemente grande para
estabelecer um período de descarga maior.

O circuito da Fig. 1-63 grampeará o sinal

de entrada ao nível zero (para díodos ideais). O
resistor R pode ser o resistor de carga ou uma
combinação paralela de carga e um resistor
projectado para fornecer o valor desejado de R.

Figura 1-65. Determinando v 0 com díodo

“desligado”.

A forma resultante na saída aparece na

Fig. 1-66 com o sinal de entrada.
Figura 1-63. Grampeador.

Durante o intervalo 0→T/2, o circuito

comportar-se-á como mostra a Fig. 4-24, com o
díodo no estado “ligado”, “retirando” o efeito do
resistor. A constante de tempo RC resultante é
tão pequena que o capacitor se carregará a V
volts muito rápido. Durante este intervalo, a
tensão de saída está directamente através do
curto-circuito e v 0 = 0 V.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 25

 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO
Figura 1-66. Tacado de v 0 .
Para o circuito grampeador:
A excursão total da saída é igual à excursão
total de entrada.
Em geral, os seguintes passos podem ser
úteis na análise de circuitos grampeadores:
1. Inicie a análise de circuitos
grampeadores considerando a
parte do sinal de entrada que
polarizará directamente o díodo.
2. Durante o período que o díodo está
no estado “ligado”, assuma que o
capacitor carrega-se
instantaneamente a um nível de
tensão determinada pelo circuito.
3. Assuma que, durante o período em
que o díodo está no estado
“desligado”, o capacitor se mantém
em nível de tensão estabelecido.
4. Durante toda análise, possua um
conhecimento contínuo da
localização e polaridade de
referência de v 0 para assegurar
que os níveis apropriados para v 0
foram obtidos.
5. Tenha em mente a regra geral que
a excursão total da saída deve
PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L.
estar de acordo com a excursão do
sinal de entrada.
4.7 Circuitos Multiplicadores
de Tensão
Circuitos multiplicadores de tensão são
empregados para manterem uma tensão de pico
relativamente pequena no transformador,
enquanto multiplica a tensão de pico na saída
em duas, três, quatro ou mais vezes da tensão de
pico rectificada.
Dobrador de Tensão
O circuito da Fig. 1-67 é um dobrador de
tensão de meia-onda.
Figura 1-67. Dobrador de tensão de meia-
onda.
Durante o meio ciclo de tensão positiva no
transformador, o díodo D 1 no secundário
conduz (e o díodo D 2 está cortado), carregando
o capacitor C 1 até a tensão de pico rectificada
(V m ). OOO díodo D 1 é idealmente um curto
durante este meio ciclo, e a tensão de entrada
carrega o capacitor C 1 até V m com a polaridade
mostrada na Fig. 1-68a. Durante o meio
negativo da tensão secundária, o díodo D 1 está
cortado e o díodo D 2 continua carregando o
capacitor C 2 . Uma vez que o díodo D 2 age como
curto durante o meio ciclo negativo, podemos
somar as tensões ao longo da malha de saída.
26
 CONCEITOS DE ELECTRICIDADE E ELECTRÓNICA – FÍSICA DO SEMICONDUTOR E DIODO

No próximo meio-ciclo, o díodo D 2 não

está conduzindo, e o capacitor descarregará
através da carga. Se não há carga conectada no
capacitor C 2 , os capacitores mantêm-se
carregados – C 1 em V m e C 2 em 2V m . Se, como
seria esperado, há uma carga conectada na saída
do dobrador de tensão, a tensão através do
capacitor C 2 sofre uma queda durante o meio-
ciclo positivo (na entrada), e o capacitor é
recarregado até 2V m durante o meio ciclo
negativo. A forma de onda na saída através do
capacitor C 2 é a de um sinal de meia onda
filtrado por um capacitor.

Figura 1-68. Operação dupla, mostrando cada

meio-ciclo da operação: (a) meio ciclo positivo; (b) meio-
ciclo negativo.

PROF. MASSAMBA AJ – INSTITUTO POLITÉCNICO INDUSTRIAL DE LUANDA I.P.I.L. 27