Semicondutores

Prof. Danilo Minhoni

▪ Condutores
▪ Semicondutores
▪ Cristais de silício
▪ Semicondutores intrínsecos
▪ Dopagem de um semicondutor
▪ Semicondutores extrínsecos
▪ Diodo não polarizado
▪ Polarização direta
▪ Polarização reversa
▪ Ruptura

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▪ Cobre → bom condutor → porque?
▪ Núcleo do átomo de cobre → 29 prótons (cargas positivas);
▪ Átomo de cobre com carga neutra → 29 elétrons (cargas negativas) circulando o
núcleo;
▪ Os elétrons viajam em órbitas (camadas) distintas;
▪ 2 elétrons na primeira camada;
▪ 8 elétrons na segunda;
▪ 18 na terceira e
▪ 1 na camada mais externa

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Órbitas Estáveis:
▪ O núcleo positivo atrai os elétrons;
▪ Porque os elétrons não se chocam com o núcleo?
▪ O movimento circular cria uma força centrífuga (externa);
▪ Essa força é igual à força de atração do núcleo;

▪ Qto maior a órbita de um elétron, menor a atração do núcleo;

▪ Órbita mais externa → elétron circula mais lentamente;

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Núcleo:
▪ A órbita mais importante na eletrônica é a externa → órbita de valência;
▪ Controla as propriedades elétricas do átomo;
▪ Átomo de cobre:
▪ Núcleo → 29 prótons;
▪ Órbitas interiores → 28 elétrons;

▪ Elétrons de valência → na maior órbita em torno do núcleo;

▪ Por isso, a atração sentida pelo elétrons de valência é baixa.

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Elétron livre:
▪ Atração entre núcleo e elétron de valência → muito baixa;
▪ Logo, uma força externa pode facilmente deslocar este elétron do átomo de cobre;
▪ Elétron de valência = elétron livre;
▪ O menor valor de tensão pode deslocar os elétrons livres de um átomo para o
outro;

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▪ Melhores condutores → um elétron de valência;
▪ Melhores isolantes → oito elétrons de valência;
▪ Semicondutor → possui propriedades elétricas entre as do condutor e as do
isolante;
▪ Semicondutor → quatro elétrons de valência;

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Germânio:
▪ Possui quatro elétrons na órbita de valência;
▪ Era o único material disponível para a fabricação de dispositivos semicondutores;
▪ Apresentava sensibilidade à variação de temperatura

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Silício:
▪ Elemento abundante na natureza;
▪ Átomo de silício → 14 prótons e 14 elétrons;
▪ A órbita de valência possui 4 elétrons;

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▪ Cristal → padrão ordenado formado por átomos de silício;
▪ Cada átomo compartilha seus elétrons com quatro átomos vizinhos;
▪ Oito elétrons na camada de valência;

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Ligações covalentes:
▪ Cada átomo vizinho compartilha um elétron com o átomo central;
▪ Logo, os elétrons não pertencem a um átomo isolado → compartilhamento;
▪ A mesma ideia vale para todos os outros átomos de silício;
▪ Cada átomo dentro do cristal de silício tem quatro vizinhos;
▪ Cada elétron compartilhado está sendo puxado no sentido oposto, o elétron torna-
se uma ligação entre os núcleos → ligação covalente;
▪ Cristal de silício → bilhões de átomos de silício com 8
elétrons de valência (ligações covalentes);

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▪ Ligação covalente do átomo de silício:

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Saturação de valência:
▪ Ligação covalente → permite estabilidade química → corpo sólido de silício;
▪ Órbita de valência com 8 elétrons → saturada;

Saturação de valência: n = 8

▪ A órbita de valência não pode manter mais de oito elétrons;

▪ Elétrons de valência → elétrons de ligação → fortemente atraídos pelos átomos;

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Lacuna:
▪ O aquecimento provoca agitação no cristal de silício;
▪ As vibrações dos átomos podem deslocar um elétron da órbita de valência;
▪ Elétron liberado → ganha energia e muda para outra camada mais externa,
tornando-se um elétron livre;
▪ Saída do elétron → vazio na órbita de valência → lacuna;
▪ Lacuna → carga positiva → atrai e captura outro elétron;
▪ Lacunas → diferença crítica entre condutores e semicondutores;
▪ Para aumentar o número de lacunas e elétrons livres → dopagem;

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▪ Semicondutor intrínseco → semicondutor puro;

Fluxo de elétrons livres:

▪ Cristal de silício entre placas metálicas carregadas;
▪ Energia térmica produz um elétron livre e uma lacuna;
▪ Elétron livre → órbita mais externa;
▪ Placa carregada negativamente → elétron livre repelido
para o lado esquerdo;
▪ Move-se de uma órbita externa para outra até atingir a
placa positiva

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Fluxo de lacunas:
▪ A lacuna atrai o elétron de valência do ponto A;
▪ O elétron move-se para a lacuna → cria uma lacuna no ponto A;
▪ É o mesmo que mover a lacuna original para a direita;
▪ Os elétrons movem-se pelo caminho indicado pelas setas;
▪ As lacunas movem-se no sentido oposto;
▪ As lacunas funcionam como cargas positivas;
▪ Vão no sentido da placa metálica com carga negativa.

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Dois tipos de fluxos:
▪ Semicondutor intrínseco → elétrons livres = lacunas;
▪ Energia → produz elétrons livres e lacunas aos pares;
▪ Tensão aplicada → elétrons livres circulam para o lado esquerdo e as lacunas para
o direito do cristal;
▪ Elétrons livres → passam para o fio e vão para o terminal positivo da bateria;
▪ Elétrons livres do terminal negativo da bateria → circulam para o lado direito do
cristal;

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▪ Elétrons livres entram no lado direito do cristal e recombinam com as lacunas;
▪ Deslocam pelas lacunas até o lado esquerdo do cristal;
▪ Observa-se que não existe fluxo de lacunas fora do semicondutor;
▪ Elétrons livres e lacunas movem-se em sentidos opostos;
▪ A corrente em um semicondutor é a combinação de dois tipos de fluxos:
▪ Fluxo de elétrons livres;
▪ Fluxo de lacunas;

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▪ Dopagem → aumenta a condutividade de um semicondutor;
▪ Adição de impureza ao cristal intrínseco → altera condutividade elétrica;
▪ Semicondutor dopado → semicondutor extrínseco;
▪ Um semicondutor extrínseco pode ser dopado para ter excesso de elétrons livres
ou de lacunas.
▪ Existem dois tipos de semicondutores extrínsecos:
▪ Semicondutores tipo n
▪ Semicondutores tipo p

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Semicondutores tipo n:
▪ Para aumentar o número de elétrons → adicionar átomos pentavalentes ao silício;
▪ Átomos pentavalentes → possuem 5 elétrons na camada de valência (Arsênio,
Antimônio, Fósforo);
▪ Esses átomos doam um elétron para o cristal de silício → doadores de impurezas;
▪ Silício dopado com impureza pentavalente → semicondutor tipo n;
▪ O número de elétrons livres é muito maior que o número de lacunas;
▪ Elétrons livres → portadores majoritários;
▪ Lacunas → portadores minoritários.

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Semicondutores tipo p:
▪ Para aumentar o número de lacunas → adicionar átomos trivalentes ao silício;
▪ Átomos trivalentes → possuem 3 elétrons na camada de valência (Alumínio, Boro,
Gálio);
▪ Silício dopado com impureza trivalente → semicondutor tipo p;
▪ O número de lacunas é muito maior que o número de elétrons livres;
▪ Lacunas → portadores majoritários;
▪ Elétrons livres → portadores minoritários.

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▪ Fabricante dopa um cristal → metade tipo p e metade tipo n;
▪ Borda entre tipo p e tipo n → junção pn;
▪ Junção pn → base para diodos, transistores e circuito integrados;
▪ Cada átomo trivalente de silício produz uma lacuna → semicondutor tipo p;
▪ Os átomos pentavalentes e os elétrons livres → semicondutor tipo n;
▪ Cada pedaço de material semicondutor é eletricamente neutro;

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▪ Fabricante produz um cristal com material tipo p de um lado e tipo n do outro;
▪ Junção → borda onde as regiões se encontram;
▪ Diodo de junção → outro nome dado para um cristal pn;

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Camada de depleção:
▪ Devido à repulsão → elétrons livres do lado n tendem a se
espalhar em todas as direções;
▪ Alguns elétrons livres se difundem através da junção;
▪ Elétron livre entra na região p → torna-se um portador
minoritário;
▪ Logo se recombina com uma lacuna → lacuna desaparece;
▪ Elétron livre torna-se um elétron de valência;

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▪ Qdo um elétron passa pela junção → cria um par de íons;
▪ Íons positivos
▪ Íons negativos

▪ Esses íons ficam fixos na estrutura do cristal → não se movem

como elétrons e lacunas;
▪ Par de íons positivos e negativos → dipolo;
▪ Qdo número de dipolos aumenta → região próxima da junção
torna-se vazia de portadores de carga;
▪ Região vazia de portadores de carga → camada de depleção;

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Barreira de potencial:
▪ Cada dipolo tem um campo elétrico entre os íons;

▪ Logo, se um elétron livre entrar na camada de depleção, o campo elétrico tenta

empurrar esse elétron de volta para a região n;
▪ A intensidade do campo elétrico aumenta cada vez que um elétron cruza a junção;

▪ Campo elétrico entre os íons → barreira de potencial;

▪ Para os diodos de germânio → barreira de potencial é de 0,3 V;

▪ Para os diodos de silício → barreira de potencial é de 0,7 V;

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▪ Polarização direta:
▪ Aplicar uma fonte CC ao diodo;
▪ Terminal negativo da fonte conectado ao material tipo n;
▪ Terminal positivo da fonte conectado ao material tipo p.

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Fluxo de elétrons livres:
▪ A fonte “empurra” as lacunas e os elétrons livres em direção
à junção;
▪ Se a tensão da bateria for menor que a barreira de potencial
os elétrons não conseguem penetrar na camada de
depleção;
▪ Qdo penetram → os íons empurram os elétrons de volta
para a região n;
▪ Qdo a tensão for maior que a barreira de potencial →
lacunas e elétrons são empurrados para a junção;
▪ Desta vez os elétrons passam pela camada de depleção e
recombinam com as lacunas;

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Fluxo de um elétron:
▪ Elétron deixa o terminal negativo da bateria;
▪ Entra no lado direito do diodo;
▪ Passa pela região n até a camada de depleção;
▪ Se tensão da fonte > 0,7 V → elétron passa pela camada de
depleção;
▪ Combina-se com uma lacuna na região p → torna-se um
elétron de valência;
▪ Continua passando de uma lacuna para outra, até atingir o
lado esquerdo do diodo;
▪ Qdo deixa o lado esquerdo do diodo → nova lacuna aparece
→ processo reiniciado;

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▪ Polarização reversa:
▪ Aplicar uma fonte CC ao diodo;
▪ Terminal negativo da fonte conectado ao material tipo p;
▪ Terminal positivo da fonte conectado ao material tipo n.

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▪ Terminal negativo da bateria → atrai as lacunas;
▪ Terminal positivo da bateria → atrai os elétrons;
▪ Lacunas e elétrons livres afastam-se da junção → camada de depleção mais larga;
▪ Qto mais larga a camada de depleção → maior a barreira de potencial;
▪ Camada de depleção aumenta até qdo a diferença de potencial se igualar à tensão
reversa;
▪ Elétrons e lacunas param de se movimentar;
▪ Corrente aproximadamente zero.

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▪ Os diodos têm uma valor máximo de tensão nominal;
▪ Existe um limite de tensão a ser aplicada num diodo reversamente polarizado;
▪ Se a tensão reversa aumentar → tensão de ruptura;
▪ Na tensão de ruptura o diodo conduz intensamente;

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