Eletrônica básica - Introdução Prof.

Luiz Marcelo Chiesse da Silva

ELETRÔNICA BÁSICA

1.INTRODUÇÃO
A eletrônica surgiu em meados de 1950, com a descoberta por pesquisadores dos
laboratórios da empresa Bell, nos Estados Unidos, de um componente obtido da mistura
controlada de elementos semicondutores (que possuem características elétricas entre os
elementos condutores e os elementos não condutores). Esta descoberta deu origem a
diversos componentes elétricos, capazes de “controlar” a corrente e tensão elétrica de forma
diferente dos componentes elétricos usuais, como resistências, indutores e capacitores.
Estes componentes são estudados até hoje, e deles são criados novos dispositivos,
que por apresentarem um comportamento elétrico diferente são chamados de eletrônicos.
Atualmente, podemos dividir o estudo da eletrônica em:

 básica;
 analógica;
 digital;
 de potência.

A eletrônica básica estuda o princípio de funcionamento dos materiais

semicondutores e os componentes eletrônicos básicos: o diodo e o transistor. Na eletrônica
digital e analógica, estuda-se o transistor na geração dos sinais de tensão digitais e
analógicos, assim como os respectivos circuitos, são estudados. A eletrônica de potência
compreende dispositivos eletrônicos especiais fabricados para o controle de grandes
capacidades de corrente, tensão e potência.

1.1.SEMICONDUTORES
O início da eletrônica se deu com a pesquisa e criação de materiais que possuíam
características elétricas especiais em relação ao modo como controlavam a condução da
corrente elétrica. Estes materiais, designados semicondutores, são a base de todos os
dispositivos eletrônicos fabricados, pois quanto à resistência elétrica é possível classificá-los
como:

• MATERIAIS CONDUTORES: oferecem uma resistência mínima, ou quase nula, à

passagem da corrente elétrica. Incluem-se praticamente todos os metais e suas ligas
(misturas de metais), alguns gases e líquidos cujas características químicas facilitam a
condução da corrente elétrica, como o carvão, metais, …..

• MATERIAIS NÃO CONDUTORES (ISOLANTES): oferecem grande resistência à

passagem da corrente elétrica. O vidro, água pura (destilada), madeira, borracha, papel
seco, a maioria dos plásticos são, em maior ou menor grau, isolantes.

• MATERIAIS SEMICONDUTORES: materiais cuja resistência à passagem da corrente

elétrica se situa entre os condutores e isolantes. Muitos minerais podem apresentar esta
classificação, sendo os mais utilizados atualmente, na eletrônica, o germânio e o silício.

Os elementos semicondutores são aqueles que possuem características elétricas que

se situam entre os elementos condutores e os não condutores. Na tabela periódica,
podemos observar que os elementos condutores são aqueles que apresentam na última
camada da eletrosfera, também chamada de camada de valência, poucos elétrons. A
condutividade elétrica dos elementos se apresenta do meio da tabela para as extremidades,
com os elementos semicondutores situados a meio termo.

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Grupo / 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Período

1 H1 He2

2 Li3 Be4 B5 C6 N7 O8 F9 Ne10

3 Na11 Mg12 Al13 Si14 P 15 S 16 Cl17 Ar18

4 K 19 Ca20 Sc21 Ti22 V 23 Cr24 Mn25 Fe26 Co27 Ni28 Cu29 Zn30 Ga31 Ge32 As33 Se34 Br35 Kr36

5 Rb37 Sr38 Y 39 Zr40 Nb41 Mo42 Tc43 Ru44 Rh45 Pd46 Ag47 Cd48 In49 Sn50 Sb51 Te52 I 53 Xe54

6 Cs55 Ba56 La57 Hf72 Ta73 W 74 Re75 Os76 Ir77 Pt78 Au79 Hg80 Ti81 Pb82 Bi83 Po84 At85 Rn86

7 Fr87 Ra88 Ac89 Rf104 Db105 Sg106 Bh107 Hs108 Mt109 Uun110

Lantanídeos Ce58 Pr59 Nd60 Pm61 Sm62 Eu63 Gd64 Te65 Dy66 Ho67 Er68 Tm69 Yb70 Lu71

Actinídeos Th90 Pa91 U92 Np93 Pu94 Am95 Cm96 Bk97 Cf98 Es99 Fm100 Md101 No102 Lr103

Tabela Periódica.

Analisando inicialmente o princípio da condução da corrente elétrica em um condutor

pela representação simplificada do modelo atômico, dadas pelas figuras a seguir:

elétron em sua
órbita

núcleo (prótons e
nêutrons)

Figura 1 - Átomo (Modelo de Bohr).

Os elétrons na última camada da eletrosfera são chamados de elétrons livres, porque

são retirados do átomo facilmente, com pouca energia, facilitando a condução elétrica.
Como exemplo, o átomo de cobre:

Figura 2 - Átomo de cobre (representação simplificada).

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Aplicando-se energia a um material condutor, os elétrons da última camada dos

átomos adquirem energia para passar para o átomo vizinho, e o elétron do átomo vizinho
locomove-se para o próximo átomo, originando uma reação em cadeia: a corrente elétrica.

Figura 3 - Corrente elétrica entre os átomos de cobre.

Os elementos semicondutores, na tabela periódica, também situam-se entre os

condutores e os não condutores. Os principais elementos semicondutores que formam os
materiais utilizados atualmente na eletrônica são o Silício (Si) e o Germânio (Ge).

Figura 4 - Átomo de silício.

Na forma natural, um pedaço de silício puro encontra-se na forma de cristal, porque

seus átomos formam uma estrutura geométrica através de ligações covalentes entre eles: na
camada de valência de um átomo de Silício encontram-se quatro elétrons, que são
compartilhados com quatro átomos vizinhos . Assim, no cristal de silício, cada átomo possui
na útima camada eletrônica oito elétrons: quatro elétrons do próprio átomo + quatro elétrons
dos átomos vizinhos, como na representação da figura abaixo.

Figura 5 - Ligações covalentes entre os átomos de silício.

O cristal de silício puro é considerado não condutor, porque não existem elétrons
livres para se locomoverem. Um meio encontrado para melhorar esta característica foi a
introdução ou retirada de elétrons da estrutura do cristal, misturando-se outros elementos,
de modo a criar elétrons livres. Este processo chama-se dopagem a “mistura” controlada de
outros materiais ao cristal de silício ou germânio.

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1.2.DOPAGEM
Como o átomo de silício possui quatro elétrons na última camada, para originar
elétrons livres é inserido na estrutura do cristal um elemento que possui cinco elétrons na
camada de valência, ou seja, mistura-se um elemento pentavalente com o silício/germânio,
que é tetravalente. Do mesmo modo pode-se inserir um elemento no cristal de silício que
possua três elétrons na camada de valência, originando a falta de um elétron nas ligações
covalentes (criando uma carga elétrica equivalente à do elétron, mas positiva). A esta
mistura chamamos de dopagem, porque deve ser feita com as duas substâncias puras e
como a outra substância combinada com o silício/germânio está presente em menor
quantidade no cristal, ela comporta-se como uma impureza. Na tabela periódica,
observamos exemplos de elementos que podemos inserir entre os átomos do cristal de
silício:

- trivalentes: alumínio, boro, gálio;

- pentavalentes: arsênio, antimônio, fósforo.

Na figura abaixo temos a representação de um átomo de fósforo entre os átomos de

um cristal de silício.

Figura 6 - Dopagem de um cristal de silício com fósforo (impureza doadora).

Por ser um elemento pentavalente, o átomo de fósforo forma ligações com os átomos
de silício vizinhos, mas dos cinco elétrons da camada de valência do átomo de fósforo,
quatro formam ligações covalentes com os elétrons do silício. O elétron restante será um
elétron livre do composto. Como os elementos pentavalentes comportam-se desta forma na
dopagem, “doando” um elétron, eles são chamados de impurezas doadoras.
Este novo composto forma um cristal semicondutor formado pelo silício (ou germânio)
dopado com um elemento pentavalente, o qual é chamado de cristal semicondutor tipo
“N”, porque possui cargas elétricas negativas (dos elétrons livres) a mais.
Agora observemos um cristal de silício/germânio, dopado com uma substância
trivalente, como o boro, cujos átomos estão representados a seguir. Ao contrário do cristal
semicondutor tipo “N”, neste novo composto falta um elétron nas ligações covalentes do
átomo trivalente com os átomos de silício. A falta deste elétron cria o que é chamado de
lacuna (um “local” deixado pelo elétron). A lacuna comporta-se como uma carga elétrica
semelhante ao elétron, mas positiva (de sinal oposto). Ao aplicarmos energia a um cristal
deste tipo, surgem dois tipos de corrente elétrica: uma gerada normalmente pelos elétrons e
outra gerada em sentido contrário pelas lacunas, que são ocupadas pelos elétrons, surgindo
novos locais vagos (outras lacunas). Esta reação em cadeia gera um movimento semelhante
a corrente elétrica, mas de cargas positivas em vez de negativas.
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O elemento trivalente na dopagem é chamado de impureza aceitadora, porque em

relação ao silício, tem um elétron a menos. O cristal de silício/germânio dopado com uma
substância trivalente é chamado de cristal semicondutor tipo “P”, pois tem cargas
positivas (lacunas) geradas pela falta de elétrons em sua estrutura.

Figura 7 - Dopagem de um cristal de silício com boro (impureza aceitadora).

Para que o processo acima ocorra, as duas substâncias, o silício e o elemento

pentavalente ou trivalente, enquanto matéria-prima, devem passar por um tratamento
adequado para a purificação e para que ocorra uma combinação adequada entre os dois
materiais.

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