Eletrônica Analógica

AULA 10

Introdução e Conceitos

TEORIA DOS SEMICONDUTORES

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 1

 Plano de Ensino / Avaliações

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 2

 Plano de Ensino / Avaliações

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 3

 Plano de Ensino / Avaliações

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 4

 Plano de Ensino / Avaliações

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 5

 Plano de Ensino / Avaliações

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 6

 Eletrônica Analógica - Introdução
DO QUE TRATA A ELETRÔNICA ANALÓGICA

• INTRODUÇÃO À TEORIA DOS SEMICONDUTORES

• DIODOS
• CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO
• REGIÃO DE RUPTURA
• RETA DE CARGA
• CIRCUITOS RETIFICADORES

• DIODO ZENER
• ZENER COMO REGULADOR DE TENSÃO
• POLARIZAÇÃO DIRETA E REVERSA DO ZENER

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 7

 Eletrônica Analógica - Introdução
DO QUE TRATA A ELETRÔNICA ANALÓGICA

• CIRCUITOS RETIFICADORES NÃO CONTROLADOS

• RETIFICADOR DE MEIA ONDA
• RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
• FILTROS CAPACITIVOS

• TJB (TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR )

• OPERAÇÃO DO TBJ
• CONFIGURAÇÃO BASE COMUM
• CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM
• CONFIGURAÇÃO COLETOR COMUM
• SIMBOLOGIA

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 8

 Eletrônica Analógica - Introdução
DO QUE TRATA A ELETRÔNICA ANALÓGICA

• CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO DO TJB

• POLARIZAÇÃO FIXA
• RETA DE CARGA DO TJB
• POLARIZAÇÃO ESTÁVEL NO EMISSOR
• POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

• TJB ATUANDO COMO CHAVE

• CIRCUITO INVERSOR

• TJB ATUANDO COMO FONTE DE CORRENTE

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 9

 Eletrônica Analógica - Introdução

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 10

 CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS
De maneira bem simples, a classificação dos materiais em relação a seu comportamento
elétrico e feita dividindo-os em isolantes e condutores.

• Os condutores são materiais que permitem a passagem da corrente elétrica em seu

interior quando submetidos a uma diferença de potencial, pois possuem cargas
elétricas livres.
• Exemplos: alumínio, cobre, ferro etc.

• Os isolantes são materiais que, em condições normais, não permitem a passagem da

corrente elétrica em seu interior, pois não possuem cargas elétricas livres.
• Exemplos: madeira, plásticos, borracha, porcelana, etc.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 11

 CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS
Existe outro tipo de material que apresenta características elétricas intermediárias entre
os isolantes e os condutores: os semicondutores. Esses materiais têm sido muito
utilizados na indústria eletrônica desde a década de 1950, tanto na construção de
componentes como na de circuitos integrados. Os principais semicondutores são o
SILÍCIO e o GERMÂNIO, apesar de existirem outros materiais.

Os semicondutores são uma classe especial de elementos

cuja condutividade está entre a de um bom
condutor e a de um isolante.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 12

 OS TIPOS DE SEMICONDUTORES

• Em geral, os materiais semicondutores recaem em uma de duas classes:

• cristal singular e composto.

• Semicondutores de cristal singular, como germânio (Ge) e silício (Si), têm uma
estrutura de cristal repetitiva.

• Já os semicondutores compostos, como arseneto de gálio (GaAs), sulfeto de cádmio

(CdS), nitreto de gálio (GaN) e fosfeto de arseneto de gálio (GaAsP), compõem-se de
dois ou mais materiais semicondutores de estruturas atômicas diferentes.

Os três semicondutores mais frequentemente usados na

construção de dispositivos eletrônicos são Ge, Si e GaAs.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 13

 O SEMICONDUTOR INTRÍNSECO
O semicondutor em seu estado puro é chamado de intrínseco, tendo pouca ou nenhuma
utilidade quando está nessas condições.

O estudo de semicondutores pode ser feito de duas maneiras:

• por meio do conceito de bandas de energia (analise que utiliza conceitos da Física)
• por meio do conceito de ligação covalente (que e uma abordagem da Química).

** Usaremos a segunda por apresentar significado mais concreto. camada de valência.

A figura ao lado, de maneira simplificada, a

estrutura do átomo de Si, que possui quatro
elétrons na ultima camada, conhecida como
camada de valência. Para facilitar o entendimento,
representamos, na figura, o átomo de silício
somente com o núcleo e a camada de valência.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 14

 O SEMICONDUTOR INTRÍNSECO
Como o numero de elétrons é igual ao numero de prótons, o átomo é dito neutro. Muitas vezes
nos referimos ao silício como “cristal de silício”, porque o arranjo geométrico de seus átomos é
feito de forma simétrica e regular em todas as direções, motivo pelo qual o chamamos de cúbico.
Nesse arranjo um átomo de Si se liga a quatro átomos vizinhos por ligações covalentes, em que
cada átomo fornece um elétron, formando, na ultima camada, oito elétrons, o que configura uma
situação estável. A figura abaixo ilustra, no plano, o arranjo espacial dessa configuração.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 15

 O SEMICONDUTOR INTRÍNSECO
É importante notar que, nas condições indicadas na figura anterior, o silício se comporta como
isolante, pois não existem cargas livres. No entanto, com O AUMENTO DA TEMPERATURA, a
energia térmica fornecida ao cristal provoca a “quebra” de algumas ligações covalentes,
liberando, assim, elétrons de valência. Os espaços vazios deixados por causa de tais
rompimentos se comportam como cargas elétricas positivas, denominadas lacunas ou buracos.
A figura abaixo representa a mesma estrutura da figura anterior, mas com uma das ligações
covalentes rompidas.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 16

 O SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

A aplicação de uma diferença de potencial na estrutura do silício possibilita o movimento dessas

cargas elétricas (elétron livre e lacuna): os elétrons se dirigem para o polo positivo da fonte
externa e as lacunas, para o polo negativo.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 17

 O SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

A figura abaixo mostra o instante seguinte, em que um elétron de valência com energia suficiente
pode preencher a lacuna, demonstrando que ela se deslocou para a direita, no sentido do polo
negativo da bateria.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 18

 O SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

Esse fenômeno se repete para outro elétron de valência, como ilustra a figura abaixo. Assim,
existe no semicondutor uma corrente de elétrons livres da direita para a esquerda e uma corrente
de lacunas da esquerda para a direita.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 19

 O SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO
Na prática, não usamos o semicondutor intrínseco, e sim o extrínseco. O semicondutor extrínseco é obtido
através da adição de elementos chamados de impurezas (outros tipos de átomos), cuja principal finalidade
é alterar algumas propriedades elétricas, principalmente a resistividade em relação ao fluxo de elétrons.
Tais impurezas, embora apenas adicionadas na proporção de uma parte para 10 milhões, podem alterar a
estrutura a ponto de modificar totalmente as propriedades elétricas do material.

Ao processo de adição de impurezas aos semicondutores intrínsecos, com a finalidade de transformá-los

em extrínsecos, damos o nome de DOPAGEM.

Existem dois tipos de semicondutores extrínsecos:

• o Material do tipo “N” e o Material do tipo “P”.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 20

 O SEMICONDUTOR TIPO N
O semicondutor do tipo N é obtido adicionando-se ao cristal puro (de silício ou germânio) uma
impureza do tipo pentavalente, isto é, que tem em sua última camada cinco elétrons de valência.
Em geral, o material mais utilizado é o fósforo “P”. Neste acaso, alguns de seus átomos são
substituídos pelo átomo do fósforo, e, como o número de átomos da impureza é muito menor
que o de átomos do semicondutor, essa impureza se ligará a quatro átomos de silício, conforme
ilustra a figura abaixo. Observe que cada átomo de silício contribui com um elétron para que
ocorra uma ligação compartilhada, sobrando um elétron. Esse quinto elétron está fracamente
ligado ao átomo, bastando uma energia muito pequena para torná-lo livre. Uma importante
observação dessa situação é que não foi gerada nenhuma lacuna!

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 21

 O SEMICONDUTOR TIPO P
O semicondutor do tipo P é obtido adicionando-se quantidades controladas de impureza to tipo
trivalente ao material puro (semicondutor intrínseco). Um exemplo desse tipo de impureza é o
boro “B”. Como o boro é trivalente, seus três elétrons de valência serão compartilhados com
quatro átomos de silício das vizinhanças, porém uma das ligações não se completará.
•A ausência de um elétron nessa ligação poderá se comportar como uma lacuna!

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 22

 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS
No estado intrínseco, o número de elétrons livres no Ge e no Si é resultante apenas dos poucos elétrons na
banda de valência que adquiriram energia suficiente de fontes térmicas ou de luz para quebrar a ligação
covalente ou das poucas impurezas que não puderam ser removidas.
Em um material do tipo n, o número de lacunas não se alterou significativamente a partir desse nível
intrínseco. O resultado líquido é, portanto, que o número de elétrons supera o de lacunas. No caso do
material do tipo p, o número de lacunas é muito maior do que o número de elétrons, portanto:
• Em um material do tipo n, o elétron é chamado de PORTADOR MAJORITÁRIO e a lacuna de
PORTADOR MINORITÁRIO.
• Em um material do tipo p, a lacuna é o PORTADOR MAJORITÁRIO e o elétron é o PORTADOR
MINORITÁRIO.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 23

 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS
Quando o quinto elétron de um átomo doador deixa o átomo de origem, o átomo restante adquire uma
carga líquida POSITIVA: daí o sinal positivo na representação do íon doador. Pelos mesmos motivos, o
sinal NEGATIVO aparece no íon aceitador.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 24

 A JUNÇÃO DO TIPO PN
Se uma barra de material do tipo “P” é ligada metalurgicamente a uma barra de material do tipo
“N”, cria-se uma junção conhecida como junção PN, cujas características permitem a produção
de TODOS OS DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS.

Agora, que tanto o material do tipo p quanto o do tipo n estão disponíveis, podemos construir
nosso primeiro dispositivo eletrônico de estado sólido. O diodo semicondutor, cujas aplicações
são numerosas demais para serem citadas. O diodo é criado pela simples junção de um material
do tipo n com outro do tipo p, nada mais.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 25

 A JUNÇÃO DO TIPO PN SEM POLARIZAÇÃO → "𝑽𝑫 = 𝟎 𝑽"
No instante em que os dois materiais são “unidos”, os elétrons e as lacunas na região da junção
se combinam, resultando em uma falta de portadores livres na região próxima à junção, tal
como mostrado na Figura abaixo.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 26

 A JUNÇÃO DO TIPO PN SEM POLARIZAÇÃO → "𝑽𝑫 = 𝟎 𝑽"
No instante em que os dois materiais são “unidos”, os elétrons e as lacunas na região
da junção se combinam, resultando em uma falta de portadores livres na região
próxima à junção, tal como mostrado na Figura abaixo.

Essa região de íons positivos e negativos descobertos é chamada região de depleção devido
ao “esgotamento” de portadores livres na região.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 27

 O DIODO SEMICONDUTOR DE JUNÇÃO

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 28

 O DIODO (POLARIZAÇÃO REVERSA → 𝑽𝑫 < 𝟎)
Se um potencial externo de V volts for aplicado à junção p-n de modo que o terminal positivo seja ligado ao
material do tipo n e o terminal negativo ao material do tipo p, como mostrado na Figura 1.13, o número de
íons positivos descoberto na região de depleção do material do tipo n aumentará devido ao grande número
de elétrons livres atraídos para o potencial positivo da tensão aplicada. Por razões semelhantes, o número de
íons negativos descoberto aumentará no material do tipo p. O efeito líquido, portanto, será um alargamento
da região de depleção. Esse alargamento estabelecerá uma barreira grande demais para ser superada pelos
portadores majoritários, efetivamente reduzindo o fluxo deles a zero, como mostrado na Figura

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 29

 O DIODO (POLARIZAÇÃO REVERSA → 𝑽𝑫 < 𝟎)

A corrente de saturação reversa raramente tem mais do que alguns microampères e é comumente em nA, exceto
para dispositivos de alta potência. O termo saturação vem do fato de que seu nível máximo é atingido rapidamente

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 30

 O DIODO (POLARIZAÇÃO REVERSA → 𝑽𝑫 < 𝟎)
A corrente de saturação reversa raramente tem mais
do que alguns microampères e é comumente em nA,
exceto
para dispositivos de alta potência. O termo saturação
vem do fato de que seu nível máximo é atingido
rapidamente e não se altera significativamente com o
aumento no potencial de polarização reversa, como
indicado na curva característica do diodo da Figura

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 31

 O DIODO (POLARIZAÇÃO DIRETA → 𝑽𝑫 > 𝟎)
Condição de polarização direta (V > 0 V) D

A condição de polarização direta ou “ligada” (on) é estabelecida mediante a aplicação do potencial positivo ao material do tipo p e
do potencial negativo ao material do tipo n, como mostrado na Figura abaixo. A aplicação de um potencial de polarização direta VD
“forçará” os elétrons no material do tipo n e as lacunas no material do tipo p a se recombinarem com os íons próximos à fronteira e a
reduzirem a largura da região de depleção, como mostrado na Figura 1.14(a). O fluxo resultante de portadores minoritários de
elétrons do material do tipo p para o do tipo n (e das lacunas do material do tipo n para o do tipo p) não se alterou em magnitude
(uma vez que o nível de condução é controlado principalmente pelo número limitado de impurezas no material), mas a redução na
largura da região de depleção resultou em um intenso fluxo de majoritários através da junção. Um elétron do material do tipo n agora
“vê” uma barreira reduzida na junção por causa da região de depleção reduzida e de uma forte atração para o potencial positivo
aplicado ao material do tipo p. À medida que a tensão aplicada aumentar em magnitude, a região de depleção continuará a diminuir
em largura até que uma torrente de elétrons possa passar através da junção, resultando em um aumento exponencial na corrente,
como mostra a região de polarização direta na curva característica da Figura do slide anterior.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 32

 O DIODO (POLARIZAÇÃO DIRETA → 𝑽𝑫 > 𝟎)
Note que a escala vertical da Figura é medida em miliampères (embora alguns diodos semicondutores tenham uma escala
vertical medida em ampères) e que a escala horizontal na região de polarização direta tem, no máximo, 1 V. É comum,
portanto, que a tensão através de um diodo em polarização direta seja inferior a 1 V. Observe também como a corrente
sobe rapidamente após o “joelho” da curva

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 33

 O DIODO SEMICONDUTOR DE JUNÇÃO

1) De maneira bem simples, como podemos classificar os materiais em relação a seu comportamento elétrico?
2) Qual seria a definição mais simples para um SEMICONDUTOR?
3) Em geral, os materiais semicondutores sáo compostos por duas classes. Quais são elas? Cite exemplos das duas
classes.
4) Quais são os 3 semicondutores mais usados na construção de dispositivos eletrônicos atualmente?
5) O que são os chamados semicondutores intrínsecos? E os extrínsecos? Dê exemplos.
6) Na prática utilizamos mais os semicondutores do tipo intrínseco ou extrínseco? Porque?
7) Como é normalmente chamada a adição de impurezas aos semicondutores intrínsecos, e quais os tipos de
impurezas existentes que podem ser criadas?
8) Descreva como é feito o processo de criação dessas impurezas nos semicondutores.
9) Descreva o que são portadores Majoritários e portadores Minoritários.
10) Descreva com suas palavras o que ocorre quando juntamos Materiais do tipo P e do tipo N.

11/08/2022 PROF. ANDRÉ BERTONI - ELA - AULA 10 34