Capı́tulo II

Revisão de Semicondutores

II.1 - Materiais Semicondutores

Um material semicondutor (silı́cio ou germânio, por exemplo) puro é chamado semicondutor

intrı́nseco. Nesse tipo de semicondutor, a agitação térmica provoca a quebra de algumas ligações
covalentes entre átomos do cristal. Com isso, teremos o surgimento de um par elétron-buraco,
onde o elétron ganha energia térmica suficiente para saltar da banda de valência para a banda de
condução. Nessa banda, o elétron estará livre para constituir uma corrente elétrica. Os buracos, por
sua vez, também podem ser responsáveis pela condução de corrente. O mecanismo de condução de
corrente elétrica através de buracos ocorre da seguinte forma: uma ligação covalente é rompida e o
elétron oriundo dessa ligação é transferido para o buraco presente em uma outra ligação, deixando
para trás um buraco na ligação covalente da qual ele fazia parte. Dessa forma, esse efeito pode
ser modelado como se o buraco fosse uma partı́cula que mudou a sua posição no semicondutor. Se
esse processo se repetir várias vezes, teremos um movimento de buracos através do sólido. Como
os buracos são, essencialmente, uma ausência de elétrons, eles podem ser tratados como partı́culas
portadoras de carga positiva, e seu movimento ao longo do semicondutor produzirá uma corrente
elétrica. Mesmo que um buraco não seja propriamente uma partı́cula, seu comportamento fı́sico se
assemelha ao de uma. Portanto, podemos tratá-lo como uma partı́cula de carga positiva na análise
de semicondutores.
Após um certo intervalo de tempo posterior à criação de um par elétron-buraco, o elétron livre
na banda de condução fatalmente perderá energia e voltará à banda de valência, restabelecendo uma
ligação covalente contendo um buraco, a qual não é necessariamente a mesma ligação que originou o
par elétron-buraco. A esse fenômeno de restabelecimento de uma ligação covalente é dado o nome de
recombinação, enquanto que o surgimento de um par elétron-buraco é denominado geração. Em
um semicondutor intrı́nseco submetido à uma temperatura superior ao zero absoluto, a geração e a
recombinação de pares elétron-buraco estão ocorrendo continuamente, de forma que a concentração
de buracos e elétrons livres permanece aproximadamente constante ao longo do tempo.
Em um semicondutor intrı́nseco, as concentrações de elétrons livres (ni ) e de buracos (pi ) são
exatamente iguais (ni = pi ), pois sempre que uma ligação covalente é rompida, teremos a formação
de um elétron livre e de um buraco. Além disso, essas concentrações intrı́nsecas variam com a
temperatura, pois quanto maior for a agitação térmica, mais ligações covalentes serão rompidas e
mais pares elétron-buraco serão gerados.
As concentrações de elétrons e buracos em um material semicondutor podem ser desequilibradas
caso sejam adicionados determinados átomos de impurezas ao sólido. Esse processo de adição de
impurezas recebe o nome de dopagem. Para fazer com que a concentração de elétrons seja maior

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Capı́tulo II 4

Íons Dopantes
(Fósforo)

n>p

Si N
Recozimento

Semicondutor Intrínseco Semicondutor Tipo N

Figura II.1: Dopagem de um cristal de silı́cio através da implantação de impurezas de fósforo,

produzindo um material semicondutor do tipo N.

que a de buracos, adicionam-se átomos pentavalentes ao material — Fósforo, Arsênio ou Antimônio,

por exemplo. A dopagem pode ser realizada da seguinte forma: ı́ons dos átomos de impureza são
acelerados por um campo elétrico e implantados no material semicondutor, conforme mostrado na
Figura II.1. Após a implantação dos ı́ons, o material é aquecido até uma temperatura de cerca de
1000o C (recozimento), de modo que a maior agitação térmica faça com que os átomos dopantes
se difundam através do sólido. Então, o material é resfriado lentamente de modo que os átomos
consigam se rearranjar de forma regular ao longo do sólido. Durante esse rearranjo, os átomos de
dopantes serão alocados na rede cristalina do sólido, ocupando lugares que antes eram ocupados
por átomos do semicondutor (átomos de silı́cio, por exemplo). Esse processo de substituição de
átomos de semicondutor por átomos de dopantes na rede cristalina é conhecido como ativação
de dopantes. Ao substituir um átomo tetravalente do semicondutor na rede cristalina, o átomo
dopante pentavalente irá estabelecer quatro ligações covalentes com os átomos adjacentes, restando
um elétron que ficará livre. Dessa forma, cada átomo de impureza pentavalente irá contribuir com
um elétron livre para o material, mas não contribuirá com um buraco. Consequentemente, o material
apresentará uma concentração de elétrons livres maior que a concentração de buracos (n > p). Aos
átomos dopantes que contribuem com um elétron livre dá-se o nome de impurezas doadoras, pois
eles doam elétrons para o material. Já ao material dopado com impurezas doadoras, dá-se o nome
de material do tipo N, em virtude do fato de que n > p.
Analogamente, se um material semicondutor intrı́nseco for dopado com impurezas trivalentes —
Boro, Gálio ou Índio, por exemplo —, cada átomo de impureza irá substituir um átomo tetravalente
do semicondutor e estabelecer apenas três ligações covalentes com os átomos adjacentes, restando
uma ligação com buraco. Consequentemente, cada átomo de impureza contribuirá com um buraco,
sem contribuir com um elétron livre. Como um material dopado com impurezas trivalentes apresenta

Íons Dopantes
(Boro)

p>n

Si P
Recozimento

Semicondutor Intrínseco Semicondutor Tipo P

Figura II.2: Dopagem de um cristal de silı́cio através da implantação de impurezas de boro, produzindo
um material semicondutor do tipo P.

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Capı́tulo II 5

uma concentração de buracos maior que a concentração de elétrons livres (p > n), esse material é
conhecido como semicondutor do tipo P. Além disso, como as impurezas trivalentes contribuem
com buracos que podem, eventualmente, receber elétrons livres para a recombinação, essas impurezas
são conhecidas como impurezas aceitadoras.
Um semicondutor dopado é denominado extrı́nseco, em oposição ao semicondutor intrı́nseco.
Apesar de a concentração de elétrons livres ser diferente da concentração de buracos em um semi-
condutor extrı́nseco, a seguinte relação é válida:

n · p = n2i , (II.1)

onde n e p são, respectivamente, as concentrações de elétrons livres e buracos no semicondutor

extrı́nseco, e ni é a concentração de elétrons livres no semicondutor intrı́nseco sob a mesma tempe-
ratura.
De acordo com (II.1), quando um semicondutor é dopado, o aumento da concentração de um dos
portadores leva à redução da concentração do portador complementar. Considere, por exemplo, um
semicondutor do tipo N. Nesse semicondutor, o aumento na concentração de elétrons livres também
aumenta a recombinação de buracos com uma parcela dos elétrons livres adicionais, reduzindo a con-
centração total de buracos de modo a satisfazer (II.1). Além disso, quanto maior for a concentração
de impurezas doadoras adicionadas a esse semicondutor, menor será a concetração de buracos.
Na prática, a concentração de impurezas adicionadas a um semicondutor é muito maior que a
concentração intrı́nseca de portadores. Dessa forma, podemos considerar que em um semicondutor
tipo N, dopado com uma concentração de impurezas doadoras ND , apresentará uma concentração de
elétrons livres dada por n ∼
= ND . Consequentemente, a partir de (II.1), a concentração de buracos
nesse mesmo semicondutor será dada por p ∼ = n2i /ND . Analogamente, em um semicondutor tipo
P, dopado com uma concentração de impurezas aceitadoras NA , apresentará uma concentração de
buracos p ∼
= NA e uma concentração de elétrons livres n ∼
= n2 /NA .i
Como em um semicondutor tipo N a concentração de elétrons é significativamente maior que
a concentração de buracos. Por essa razão, os elétrons são os portadores de carga majoritários,
enquanto que os buracos são os portadores minoritários. Assim, quando um material do tipo N
estiver conduzindo uma corrente elétrica, a maior parte das cargas em movimento serão elétrons.
Analogamente, em um semicondutor tipo P, os buracos é que são os portadores majoritários, en-
quanto que os elétrons são os minoritários. Portanto, a maior parcela da corrente elétrica em um
material do tipo P será composta por buracos.
A seguir, é apresentado um exemplo numérico para que o leitor possa ter uma idéia da or-
dem de grandeza das concentrações de elétrons e buracos normalmente encontradas em materiais
semicondutores.

Exemplo ii.1

Considere que um sólido de silı́cio puro na temperatura ambiente apresenta ni = 1010 cm−3 . Ao dopar esse
material com NA = 1015 cm−3 , quais serão, aproximadamente, as concentrações de elétrons livres e buracos
no semicondutor tipo P resultante?

Solução:

Para a concentração de buracos, teremos que:

p∼ 15 −3
= NA = 10 cm .

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Capı́tulo II 6

Consequentemente, a partir de (II.1), teremos que a concentração de elétrons será dada por:

n2i
n∼
= = 105 cm−3 .
NA

Este exemplo mostra as ordens de grandeza normalmente encontradas em semicondutores práticos. A

enorme diferença entre as concentrações de elétrons livres e buracos obtidas ilustram bem o significado de
portadores majoritários e minoritários em um semicondutor extrı́nseco.

II.2 - A Junção PN

Uma junção PN é formada quando temos dois materiais tipo P e tipo N em contato, conforme
mostrado na Figura II.3. Na junção PN, há uma grande concentração de elétrons livres na região
tipo N e uma pequena concentração dessas mesmas partı́culas na região tipo P. Por outro lado, há
uma grande concentração de buracos na região tipo P e uma pequena concentração dessas partı́culas
na região N. Na Figura II.3, por simplicidade, estão representados apenas os portadores majoritários
em cada uma das duas regiões da junção.

Semicondutor Tipo P Semicondutor Tipo N

Íon Fixo Positivo Buraco

Íon Fixo Negativo Elétron Livre

Figura II.3: Uma junção PN.

Na região tipo N, um elétron, ao deixar um átomo de impureza doadora e passar para a banda
de condução, deixa para trás um ı́on positivo na rede cristalina do material semicondutor. Tais
ı́ons representam cargas elétricas fixas na rede cristalina, pois os átomos de impureza não podem se
movimentar do mesmo modo que os elétrons livres. A carga elétrica desses ı́ons fixos é compensada
pela carga dos elétrons livres correspondentes, fazendo com que o material tipo N se mantenha
eletricamente neutro. Analogamente, na região tipo P, um elétron, ao se recombinar com o buraco
produzido por uma impureza aceitadora, produzirá um ı́on negativo fixo na rede cristalina do mate-
rial. Entretanto, as cargas elétricas desses ı́ons são compensadas pelas cargas positivas dos buracos
formados em átomos de silı́cio que perderam seus elétrons para os átomos de impurezas aceitado-
ras. Assim, o material tipo P se mantém eletricamente neutro. Os elétrons livres, os buracos e os
correspondentes ı́ons em cada material da junção PN estão representados na Figura II.3.
Devido à diferença de concentração de elétrons e buracos em ambos os lados da junção, uma
parcela dos elétrons da região N se difunde, por simples agitação térmica, através da junção até a
região P, onde estes apresentam uma concentração menor. Esse movimento de elétrons dá origem
a uma corrente elétrica denominada corrente de difusão. Analogamente, os buracos da região

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P também se difundem através da junção até a região tipo N, onde estes estão em menor número.
Como os buracos são portadores de carga positiva, o movimento destes produz uma corrente corrente
de difusão da região tipo P para a região tipo N. Além disso, como os elétrons se difundem da região
tipo N para a região tipo P, o sentido da corrente de difusão produzida por eles também vai da
região tipo P para a região tipo N — sentido convencional da corrente elétrica. Dessa forma, as
correntes de difusão de elétrons e buracos se somam.
Após atravessarem a junção, os elétrons livres irão se recombinar com os buracos da região tipo
P, deixando para trás os ı́ons positivos das impurezas doadoras na região tipo N. Os buracos, por
sua vez, ao cruzarem a junção irão se recombinar com elétrons da região tipo N, deixando para
trás os ı́ons negativos das impurezas aceitadoras na região tipo P. Dessa forma, ocorre um acúmulo
de cargas positivas na região tipo N nas proximidades da junção. Assim como cargas negativas se
acumulam na região tipo P nas proximidades da junção. Esse acúmulo de cargas dá origem a um
~ conforme mostrado na Figura II.4.
campo elétrico E,

E
Semicondutor Tipo P Semicondutor Tipo N

Região de Depleção

Figura II.4: Região de depleção em uma junção PN.

~ se opõe ao fluxo de difusão de portadores através da junção. Assim, quanto

O campo elétrico E
mais portadores cruzam a fronteira da junção, mais cargas se acumulam em ambos os lados, aumen-
tando a intensidade do campo. Em um determinado momento, a força elétrica produzida pelo campo
~ equilibra o efeito de difusão, cessando o movimento lı́quido de portadores através da junção. Uma
E
vez cessada a corrente de difusão, a região em torno da junção ficará praticamente sem portadores
livres em virtude das recombinações. Essa região pobre em portadores livre é denominada região
de depleção.
~ que equilibra o efeito de difusão através da junção cria uma diferença de
O campo elétrico E
potencial elétrico ao longo da região de depleção. Essa diferença de potencial que aparece na junção
PN é denominado potencial de barreira, pois ele cria uma verdadeira barreira que impede o fluxo
de portadores livres por difusão.

II.2.1 - Junção PN Polarizada Reversamente

Para polarizar uma junção PN reversamente, deve-se conectar uma fonte de tensão com a pola-
~ é
ridade indicada na Figura II.5 1 . Com essa polaridade, a fonte de tensão VD o campo elétrico E
reforçado. Os buracos da região P são afastados da junção, e o mesmo ocorre com os elétrons da
1 Dica: Para polarizar reversamente uma junção PN, deve-se conectar o nó de potencial positivo ao material do

tipo N (negativo) e conectar o nó de potencial negativo ao material do tipo P (positivo).

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Capı́tulo II 8

região N. Isso faz com que a largura da região de depleção aumente. Além disso, essa largura será
tão maior quanto maior for a tensão reversa VD aplicada.

VD

E
Semicondutor Tipo P Semicondutor Tipo N

Região de Depleção

Figura II.5: Uma junção PN polarizada reversamente, mostrando o aumento da intensidade do campo
~ e o afastamento dos elétrons e buracos da junção, aumentando a largura da região de depleção.
elétrico E

Como a região de depleção praticamente não apresenta portadores livres — ou seja, funciona
como um material isolante —, uma junção PN reversamente polarizada não experimenta uma sig-
nificativa circulação de corrente. A corrente reversa que aparece em uma junção PN reversamente
polarizada é formada por portadores minoritários — elétrons livres na região P e buracos na região
N — que são impulsionados pelo campo elétrico E. ~ Como a concentração de portadores minori-
tários é muito pequena, a corrente em uma junção PN reversamente polarizada IS é da ordem de
10−14 a 10−12 A. Como tais portadores minoritários são gerados termicamente, a corrente reversa
IS aumentará com a temperatura.

II.2.2 - Junção PN Polarizada Diretamente

Para polarizar diretamente uma junção PN, deve-se conectar uma fonte de tensão à junção
conforme mostrado na Figura II.62 . A tensão aplicada com a polaridade mostrada na figura provoca
~ Como esse campo estava impedindo o fluxo de portadores por difusão,
a redução do campo elétrico E.
a redução da intensidade do campo fará com que o fluxo de difusão volte a acontecer, dando origem
a uma corrente elétrica ID dada por:
 
ID = IS eVD /φT − 1 , (II.2)

onde IS é a corrente na junção com polarização reversa e φT é a tensão térmica, dada por:

kT
φT = , (II.3)
q

onde k é a constante de Boltzman, T é a temperatura absoluta (em Kelvins) e q é a carga do elétron.

Com a condução de corrente através da junção, portadores são progressivamente injetados em
cada um das regiões P e N — elétrons são injetados na região P e buracos são injetados na região
N. Devido às recombinações, a concentração de portadores injetados cai exponencialmente conforme
2 Dica: Para polarizar diretamente uma junção PN, deve-se conectar o nó de potencial positivo ao material do tipo

P (positivo) e conectar o nó de potencial negativo ao material do tipo N (negativo).

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Capı́tulo II 9

VD

ID

E
Semicondutor Tipo P Semicondutor Tipo N

Figura II.6: Uma junção PN polarizada diretamente, mostrando a redução da intensidade do campo
~ e a difusão de elétrons e buracos através da junção, dando origem à corrente ID .
elétrico E

avançamos além da junção, conforme mostrado na Figura II.7. As curvas representando as concen-
trações de portadores minoritários em função da distância em relação à junção são aproximadamente
simétricas — conforme mostrado na Figura II.7 — quando ambos os materiais P e N foram dopados
com a mesma concentração de átomos de impurezas.
Caso a região P, por exemplo, tenha sido dopada com uma concentração bem maior de dopantes
que a região N, a quantidade de buracos injetados na região N na condição de polarização direta será
bem maior que a quantidade de elétrons injetados na região P. Assim, o gráfico das concentrações de
portadores injetados assumirá o aspecto mostrado na Figura II.8. Nessa figura, adota-se a convenção
de que a maior concentração de dopantes é representada pelo sı́mbolo “+” ao lado da letra que indica
o tipo do material semicondutor — nesse caso exemplo, como o material tipo P é mais dopado que
o tipo N, temos P +.
De acordo com o gráfico da Figura II.8, percebemos que os buracos injetados na região N con-
seguem penetrar muito mais além da junção do que os elétrons injetados na região P. Isso ocorre

VD

ID

P Buracos N

Elétrons

Concentração de Concentração de
Elétrons na Região P Buracos na Região N

Figura II.7: Variação da concentração de portadores injetados em função da distância em cada uma das
regiões de uma junção PN diretamente polarizada. Nessa figura, assume-se que ambos os materiais da
junção foram dopados com a mesma concentração de impurezas.

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Capı́tulo II 10

VD

ID

P+ Buracos N

Elétrons

Concentração de
Buracos na Região N
Concentração de
Elétrons na Região P

Figura II.8: Variação da concentração de portadores injetados em função da distância em cada uma das
regiões de uma junção PN diretamente polarizada. Nessa figura, assume-se que o material tipo P foi
dopado com concentração de impurezas maior que o material tipo N.

porque a quantidade de buracos injetados é bem grande, e a quantidade de elétrons disponı́veis na

região N para realizarem a recombinação não é proporcionalmente tão grande, em virtude da fraca
dopagem da região N. Desse modo, grande parte dos buracos injetados consegue percorrer uma
grande distância dentro da região tipo N sem sofrer recombinação. Isso se reflete na baixa taxa de
decaimento da exponencial que indica a concentração de buracos na região N, conforme mostrado
na Figura II.8.
Por outro lado, a quantidade de elétrons injetada é bem pequena em comparação com a concen-
tração de buracos que esses elétrons encontram ao adentrarem na região P. Desse modo, os elétrons
injetados rapidamente serão recombinados com buracos e, consequentemente, não conseguirão pe-
netrar muito além da junção. Por essa razão, a taxa de decaimento da exponencial que indica a
concentração de elétrons na região P é significativamente elevada, conforme mostrado na Figura
II.8.

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