ÍNDICE

1. Introdução..................................................................................................................2

1.1. Objectivos...............................................................................................................3

1.1.1. Geral................................................................................................................3

1.1.2. Específicos......................................................................................................3

1.2. Metodologia............................................................................................................3

2. DOPAGEM DE SEMICONDUTORES....................................................................4

2.1. Semicondutor tipo-N...........................................................................................4

2.2. Semicondutor tipo-P...........................................................................................5

3. Métodos de dopagem.................................................................................................6

3.1. Durante o crescimento do cristal........................................................................6

3.2. Por liga................................................................................................................6

3.3. Por implantação iônica........................................................................................7

3.4. Por difusão..........................................................................................................7

4. HETERJUNÇÃO DO TIPO 1, 2 E 3.........................................................................8

4.1. HETEROJUNÇÃO CARBONO/SILÍCIO.........................................................8

4.2. HETEROJUNÇÃO NANO TUBOS DE CARBONO/SILÍCIO........................9

5. CONCLUSÃO..............................................................................................................11

6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS................................................................................12
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1. Introdução

A energia solar fotovoltaica consiste na conversão direta da luz em eletricidade,

fundamentada no que chamamos de Efeito Fotovoltaico, que acontece quando as
partículas de luz, ou seja, os pacotes de energia associados a luz conhecidos como
fotões, incidem na superfície do módulo fotovoltaico. O cientista que percebeu e relatou
esse fenômeno foi Edmond Becquerel em 1839, observando que a incidência de luz
sobre uma superfície feita com um material semicondutor resultou no surgimento de
uma diferença de potencial elétrico. O sistema fotovoltaico é formado por um conjunto
de placas formadas por várias células e fabricadas com materiais semicondutores,
tradicionalmente semicondutores extrínsecos a base de silício ou germânio.

Os semicondutores possuem características que os diferem tanto de isolantes como de

condutores. Nos semicondutores uma das variáveis muito importantes é a temperatura
em que estes materiais se encontram. Para entender melhor podemos utilizar a teoria de
bandas de energia a respeito das bandas de valência e de condução, em que estas bandas
são constituídas pelo conjunto de energias permitidas ou níveis de energia que poderão
ser ocupados pelos muitos eletrões dos átomos que constituem os materiais.
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1.1. Objectivos
1.1.1. Geral
 Falar sobre a dopagem dos semicondutores
1.1.2. Específicos
 Definir o conceito de semicondutores;
 Descrever os métodos de dopagem;
 Analisar a eficiência dos semicondutores da héterojunção

1.2. Metodologia
O método é o caminho ou estratégia usado para atingir um objectivo traçado.
Para a elaboração e materialização do presente trabalho recorreu-se às consultas
bibliográficas, as quais estão referenciados na última página do mesmo. Como etapas
começa-se pela mobilização das obras, sua leitura crítica, elaboração do texto e
correcções finais do mesmo.
Adopta-se igualmente o método analítico para que o trabalho possa a atingir seus
objectivos, desenvolvendo um raciocínio demostrativo, partindo do exame de conceitos,
e conexões que conduzirão as afirmações conclusivas a respeito do trabalho em
pesquisa.
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1. DOPAGEM DE SEMICONDUTORES

Os semicondutores usados na construção das células fotovoltaicas são os

semicondutores dopados, ou seja, que receberam na sua composição uma pequena
quantidade de outro elemento, comumente chamados de impurezas. Os semicondutores
dopados podem ser do tipo n e do tipo p. Um dos matérias utilizados é o silício dopado
com fósforo para obter um material silício tipo N, onde N irá indicar que os portadores
de carga negativa (elétrons) da banda de condução estão em maior número que os
buracos da banda de valência, ou seja, os elétrons são os portadores em maioria
enquanto os buracos são os portadores em minoria. Com o mesmo material e o mesmo
processo de dopagem, acrescentando Boro ao invés de Fósforo temos o Silício tipo P,
onde P irá indicar que os portadores de carga positiva (buracos) da banda de valência
estão em maioria que os elétrons na banda de condução. Cada célula solar irá ser
composta por uma camada fina de Silício tipo N e outra camada mais espessa com
Silício tipo P, que juntas criam um campo elétrico. Quando os fótons atingem uma
célula solar, acaba ocorrendo a liberação de elétrons que estão em excesso na camada
do átomo negativo passando para a camada do átomo positivo, assim os elétrons irão
fluir deixando os átomos e preenchendo lacunas em átomos diferentes, esse fluxo acaba
criando uma corrente elétrica.

O efeito fotovoltaico é a criação de uma diferença de potencial, ou uma tensão elétrica

sobre uma célula formada por várias camadas de matéria semicondutora transformando
a radiação eletromagnética recebida pelo sol em energia elétrica.

Quando um cristal foi dopado, ele passa a ser denominado de semicondutor extrínseco.

1.1. Semicondutor tipo-N

O objetivo da dopagem é para conseguirmos mais elétrons na banda de condução de um
semicondutor puro. Essas impurezas são átomos com 5 elétrons na camada de valência.
Esses átomos são chamados de pentavalentes.
Cada um dos elétrons do átomo de silício forma uma ligação covalente com cada um
dos elétrons de valência do átomo de impureza. No entanto, um dos elétrons do átomo
de impureza sobra e fica sem ligação. O elétron que sobra fica livre, ou seja, vai para a
banda de condução.
Assim, a dopagem produz um grande número de elétrons na banda de condução. Esses
elétrons, somados àqueles produzidos pela geração térmica, formam os portadores de
carga majoritários no cristal. As lacunas agora são portadores minoritários.
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O silício dopado dessa forma é conhecido como semicondutor do tipo-N, onde N

significa negativo. Portanto, os semicondutores do tipo-N possuem maior número de
portadores de cargas negativas (elétron).
A figura seguinte mostra um cristal dopado com impurezas pentavalentes.

Figura 1: Semicondutor tipo-N.

1.2. Semicondutor tipo-P

A obtenção de semicondutores com lacunas adicionais é conseguida adicionando-se
impurezas trivalentes ao cristal de silício.
Impurezas trivalentes, como você sabe, tem somente 3 elétrons na órbita de valência.
Cada um dos elétrons do átomo de silício forma uma ligação covalente com cada um
dos elétrons de valência do átomo de impureza trivalente.
Em outras palavras, aparece uma lacuna em cada átomo de impureza trivalente.
Controlando a dopagem (quantidade de impurezas adicionada ao silício) pode-se
controlar o número de lacunas no cristal dopado.
Um semicondutor dopado com impurezas trivalentes é conhecido como semicondutor
do tipo-P, em que P vem de positivo. Portanto, os semicondutores do tipo-P possuem
maior número de portadores de lacunas.
A figura a seguir mostra o cristal de silício dopado com impurezas trivalentes.

Figura 2: Semicondutor tipo-P.

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Portanto, as lacunas são os portadores majoritários em um semicondutor tipo-P e

elétrons portadores minoritários. Os átomos trivalentes também são conhecidos como
átomos de impurezas aceitadoras. Cada lacuna no cristal de silício pode aceitar um
elétron durante a recombinação.

2. Métodos de dopagem
A dopagem pode ser feita em quatro situações, a saber:
 Durante o crescimento do cristal;
 Por liga;
 Por difusão;
 Por implantação iônica.
Vejamos alguns comentários sobre cada um dos processos indicados.

2.1. Durante o crescimento do cristal

O material de base sofre um aquecimento até se transformar em massa cristalina
fundente, estado em que se efetua o acréscimo do material de dopagem. CALLISTER
(1997)
Durante esse processo térmico, o nosso cristal vai “crescendo”, posicionando-se os
átomos da dopagem na cadeia cristalina que se forma.
2.2. Por liga
O material de base é levado à fusão conjuntamente com o de acréscimo, formando-se
assim uma liga. Após essa formação e esfriamento, os dois materiais estão agregados
entre si. A Figura abaixo apresenta o caso de um transistor de germânio (Ge) ao qual
foram acrescentadas partículas de índio (In).

Figura 3: Semicondutores obtidos por liga.

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2.3. Por implantação iônica

Átomos eletricamente carregados (com íons) de material dopante em estado gasoso são
“acelerados” por um campo elétrico e “injetados” na cadeia cristalina do semicondutor.
O método da implantação iônica é o mais preciso e o mais sofisticado entre os
mencionados, permitindo um ótimo controle tanto de posicionamento quanto de
concentração da dopagem feita. MILLMAN, HALKIAS (1981)

2.4.

Figura 4:Representação do processo de implantação iônica.

Por difusão
Nesse processo, vários discos do metal tetravalente básico (por exemplo, o silício) são
elevados a temperaturas da ordem de 1000 ºC e, nessas condições, colocados na
presença de metais em estado gasoso (por exemplo, boro). Os átomos do metal em
estado gasoso se difundem no cristal sólido. Sendo o material sólido do tipo n, cria-se,
assim, uma zona n. Sua representação é feita na Figura a seguir.

Figura 5: Representação do processo de difusão.

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3. HETERJUNÇÃO DO TIPO 1, 2 E 3
Por existirem várias pesquisas com abordagens em pontos diferentes da célula solar
(diferentes elementos químicos, dopagens, revestimentos, etc) e essas pesquisas estão
longe de chegarem a um ponto em comum em relação a um único tipo especifico de
célula que apresenta melhor qualidade, pode-se dizer que para cada ponta desse leque de
pesquisas, existe um Estado da Arte especifico.

Por conta de ser um tipo de célula fotovoltaica nova (menos de dez anos), e por
apresentar bons resultados além de um futuro promissor, o Estado da Arte aqui
abordada será em relação às células solares com Heterojunção entre Carbono e Silício,
dando ênfase especificamente as células com heterojunção entre Nano tubos de Carbono
e Silício.

3.1. HETEROJUNÇÃO CARBONO/SILÍCIO

Semelhante ao Silício, o Carbono (C) é um elemento abundante na natureza.

Nano materiais de Carbono, que tem seu tamanho ou estrutura controlada em nano
escala, se tornaram um dos campos de pesquisa científicos mais ativos, e existem em
uma variedade de alótropos, como os fulerenos, nano tubos de Carbono, Grafeno e
outros. Uma das principais vantagens do uso de nano materiais de Carbono está na
flexibilidade, área de superfície, estabilidade química, mobilidade e propriedades
optoeletrônicas, assim os alótropos de Carbono com propriedades semicondutoras
passaram a ser estudados no uso de células solares com o Silício, surgindo assim as
células de heterojunção Carbono/Silício.

Os materiais de Carbono são altamente versáteis, assim, se camadas de Carbono com

diferentes bandas proibidos e alótropos variados podem ser preparados, uma célula
fotovoltaica pode ser produzida, onde o Carbono serve de múltiplas funções, como
eletrodo superior, zona coletora (lacunas) e também como camada antireflexão.
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Figura 6: Estrutura típica de uma célula com heterojunção Carbono/ Silício

A heterojunção é o nome dado a uma junção entre metal – semicondutor, ou entre dois
semicondutores diferentes, e não mais entre dois semicondutores iguais com dopagens
diferentes, que é o caso da heterojunção entre o Carbono e o Silício, que vem
reascendendo o entusiasmo na pesquisa em células solares, principalmente com os nano
tubos de Carbono e o Grafeno, materiais primeiramente relatados em 1991 e 2004,
respectivamente. A revolução nessa área se deu pelo fato de que na heterojunção tem-se
um aumento na eficiência da dissociação de elétrons na junção pn, e que esse processo é
bem mais rápido do que na homojunção, devido à estrutura atômica do Carbono.

Figura 7: Desenvolvimento das células solares de heterojunção Carbono/Silício

Fonte: Li et al,2015.

Os materiais de Carbono formam dois tipos de ligações quando em contato com

substratos de Silício: Junção p-n, que ocorre entre dois semicondutores e a junção
Schottky, que ocorre entre um metal e um semicondutor. A junção p-n na heterojunção
do Carbono/Silício abordada nesse trabalho, funciona com o Carbono funcionando
como o elemento portador de lacunas, ou seja, o Carbono tem uma dopagem do tipo p, e
o efeito fotovoltaico ocorre da mesma forma da Junção de Silício tipo p e tipo n.

3.2. HETEROJUNÇÃO NANO TUBOS DE CARBONO/SILÍCIO

Nano tubos de Carbono (NTC) são estruturas cilíndricas formadas por alótropos de
Carbono organizados em geometria hexagonal contínua. Pode-se dizer de forma
simplificada que os NTCs são camadas de grafeno enroladas em forma de cilindro e
“tampada” com estruturas de fulereno. Dependendo da forma como a camada de
Grafeno é enrolada (zigzag, armchair ou quiral), os nano tubos podem ter propriedades
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metálicas ou semicondutoras (com bandgaps variáveis entre 0,4-2,0 eV), sendo na

maioria das vezes 40% metálicos. A Figura abixo ilustra as formas da camada de
Grafeno enrolada.

Figura 8: Desenvolvimento das células solares de heterojunção Carbono/Silício

Fonte: Li et al,2015.
Os nano tubos de Carbono de paredes múltiplas (dos quais os nano tubos de parede
dupla fazem parte) foram relatados pela primeira vez em 1991 por Lijima, em seguida
os nano tubos de parede simples foram sintetizados em 1993 (Pinho et al, 2014).
A primeira célula de heterojunção NTC/Si foi fabricada pela primeira vez em
1999, porém a primeira aplicação de sucesso foi relatada foi em 2007, onde NTCs de
parede dupla foram usadas com Silício com dopagem-n, com uma eficiência de apenas
1,3%. Assim novos projetos ópticos e novas tecnologias foram empregados para
melhoras a heterojunção, chegando a eficiência de 7,4% em 2008, e a 17% apenas oito
anos depois, em 2015.
Após o uso de nano tubos de parede dupla, foi à vez dos nano tubos de paredes simples
e múltiplas serem testadas no uso de células solares com Silício, por conta de sua banda
proibida sintonizável e melhor transporte de portadores os NTCs de parede simples
foram considerados mais adequados. As propriedades dos NTCs de parede simples se
mostraram extremamente sensíveis ao ambiente, pois ao serem expostos ao ar, os nano
tubos absorveriam o oxigênio e sofreriam uma dopagem do tipo-p, por conta da
afinidade com os elétrons do ar.
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4. CONCLUSÃO

As células solares já fazem parte, apesar de timidamente, da parte da alimentação de

muitas cargas elétricas ao redor do mundo, principalmente no setor rural, onde levar a
energia elétrica da rede fica mais caro.

Tendo em vista aspectos observados, evidencia-se que na buscar de células solares cada
vez mais viáveis economicamente, as células com heterojunção Carbono/Silício vem se
mostrando como uma nova oportunidade de célula solar portátil, mais leve, flexível e
mais eficiente, principalmente pelo fato de já ter chegado a uma eficiência de 17%, que
é a eficiência média das células de Silício disponíveis no mercado, em apenas oito anos,
mostrando que a jornada dos nano materiais está apenas começando, com uma
promissora capacidade de alcançar valores de eficiência mais altos com a continuidade
de seu estudo.

Em virtude do que foi mencionado, as células de Heterojunção Carbono/Silício ainda

passam por algumas dificuldades para saírem dos laboratórios e chegarem até o
mercado consumidor, dentre todas as desvantagens das células seus principais gargalos
encontram-se na qualidade dos materiais, instabilidade dos dopantes, controlabilidade
do cristal, tamanho e estrutura dos materiais de Carbono

Conclui-se que o uso prático dessas células ainda levarão algumas décadas de

melhorias e colaborações entre engenheiros e cientistas, se concentrando principalmente

na melhoria da eficiência, materiais de uso e complexidade de fabricação, pois como foi
dito anteriormente, o grande salto na eficiência das células de heterojunção em pouco
tempo se deve principalmente a tecnologia já existente das células com homojunção de
Silício da primeira geração, sendo a síntese de nano materiais de Carbono atual a
oportunidade para melhorias no futuro, desempenhando um grande papel
principalmente no campo de películas fotovoltaicas finas e portáteis, onde cada nova
tecnologia encontrada ou projeto estrutural encontrado daria um passo adiante para a
aplicação prática de uma célula mais fina, eficiente e barata.
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5. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
 CALLISTER, W. D. Jr. Materials science engineering: an introduction. J. Wiley &
Sons, 1997.
 MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Eletrônica: dispositivos e circuitos. São Paulo:
McGraw-Hill, 1981. V. 1.
 Pinho, João T., and Marco A. Galdino. "Manual de engenharia para sistemas
fotovoltaicos." Rio de Janeiro: CEPEL–CRESESB (2014).
 Li, Xinming, ZhengLv, andHongwei Zhu. "Carbon/Silicon Heterojunction Solar
Cells: State of the Art and Prospects." AdvancedMaterials 27.42 (2015).