Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
As células são produzidas com material semicondutor que, através do efeito fotovoltaico,
convertem a radiação solar em energia elétrica.
Há vários tipos de células fotovoltaicas, que utilizam tecnologias e/ou materiais diferentes,
mas a mais popular (usada pelos fabricantes de painéis solares) é a que utiliza o silício
cristalizado.
Essa tecnologia foi a mesma desenvolvida pela empresa Bell Laboratories nos anos 50, e que
foi utilizada em satélites nos anos 60. A maioria das usinas fotovoltaicas e das casas que têm
energia solar fotovoltaica utilizam painéis solares com células de silício cristalizado,
principalmente do tipo policristalino.
Efeito Fotovoltaico
O efeito fotovoltaico foi observado pela primeira vez pelo físico francês Alexandre Edmond
Becquerel, em 1839 (utilizando o primeiro componente eletrônico da história) e, devido à
similaridade, foi confundido com o efeito fotoelétrico.
Para entender como funciona o efeito fotovoltaico, devemos conhecer o modelo atômico,
que demonstra o comportamento das partículas que compõem um átomo.
Simplificando, é necessário saber que os semicondutores têm a “banda de valência”
completamente cheia e a “banda de condução” vazia, mas o “band-gap” dos semicondutores
é de 1 eV (um elétron-volt). Isso faz com que um semicondutor se comporte como um
isolante à 0° Kelvin, mas, com o aumento da temperatura, começam a conduzir eletricidade,
agindo como um condutor. Por isso o nome: semicondutor.
Quando um elétron deixa o seu lugar de origem, fica um buraco que é preenchido por outro
elétron, pelo efeito da recombinação. Essa recombinação de elétrons faz com que o cristal
fique eletricamente neutro. Um semicondutor puro, que não tem impurezas, é chamado de
intrínseco.
Para que seja possível aproveitar essa corrente elétrica do interior de um semicondutor
intrínseco, é necessário perturbar a sua formação cristalina. Isso é feito adicionando-se
elementos químicos que atrapalharão a ligação atômica do semicondutor.
Esse processo se chama dopagem. Para exemplificar, vamos detalhar o processo de dopagem
do semicondutor silício.
O Processo de Dopagem
O silício possui quatro elétrons de valência e necessita de mais quatro átomos vizinhos para
formar uma ligação covalente. Se inserirmos um elemento de 5 elétrons de valência (ex.:
fósforo ou arsênio) o quinto elétron ficará fracamente ligado ao átomo de origem e, quando o
semicondutor estiver à temperatura ambiente, esse elétron ficará livre, fazendo com que o
cristal de silício dopado com esse material fique negativamente carregado. Esse é um
semicondutor do Tipo N.
Se ao silício for adicionado um dopante com 3 elétrons de valência, ficará faltando um elétron
na estrutura cristalina. Em temperatura ambiente, com a liberação de elétrons, o
semicondutor ficará positivamente carregado se tornando um semicondutor do Tipo P.
Para formar uma célula solar (ou um diodo) são unidos os dois tipos de semicondutor. Na
área da união, chamada de Junção-PN, os elétrons livres do semicondutor tipo N migrarão
para o semicondutor tipo P para ocuparem esses espaços.
Essa migração não ocorre indefinidamente, pois forma-se um campo elétrico na área de
junção que impede que os elétrons continuem fluindo.
Efeito Fotovoltaico
Ao receberem fótons de luz visível, os elétrons são energizados, mas não conseguem fluir da
camada N para a camada P. Se ligarmos as duas camadas externamente, podemos aproveitar
a corrente elétrica que se forma na passagem dos elétrons de uma camada para outra.
A célula solar clássica. É composta de uma lâmina de silício purificado dopada, ao mesmo
tempo, com boro e fósforo. A parte dopada com fósforo, do tipo-N, fica exposta ao sol. A
parte dopada com boro, do tipo-P, fica na parte inferior da célula, e é maior que o tipo-N.
São colocados contatos frontais e traseiros, sendo que os contatos frontais, sobre a parte
tipo-N, causam sombra e reflexão, diminuindo a eficiência da célula.
Temos então uma relação de máxima eficiência, quando a célula tem o máximo de contatos
frontais possível, mas tem a menor área possível.
As células fotovoltaicas de silício cristalizado absorvem a radiação solar em uma faixa muito
estreita do espectro da radiação.
Fótons com energia superior à necessária (próximos à luz ultravioleta, com frequência mais
alta) concedem energia em excesso, que será transformada em calor. Fótons com energia
inferior à necessária (próximos à luz infravermelha, com frequência mais baixa) não
concedem energia suficiente para a liberação dos elétrons de sua orbita, e essa energia é
convertida em calor.
Mesmo dentro da faixa aproveitável, apenas uma parte dos fótons têm a energia correta para
o efeito, e os fótons com mais energia contribuem com maior geração de calor.
Com o calor, as células fotovoltaicas de silício cristalino perdem eficiência, pois a tensão da
célula cai e, portanto, a potência que essa pode gerar cai também.
Um dos mais conhecidos é o Método Czochralski (desenvolvido pelo químico polonês “Jan
Czochralski”), que consiste em derreter novamente o silício em um cadinho (representado na
figura abaixo) de quartzo, em temperatura em torno de 1420 °C.
Começando com as lâminas já devidamente dopadas com boro, ou seja, do tipo-P, será criada
uma camada superior do tipo-N, através do processo de difusão de vapor de fósforo em um
forno de difusão a temperaturas em torno de 800°C a 900 °C, criando a junção-PN.
Como o silício cristaliza livremente, há a formação de vários cristais, por isso o nome
policristalino.
Os vários cristais aumentam as perdas por recombinação, fazendo com que as células de
silício policristalino sejam levemente menos eficientes que as de silício monocristalino.
Durante o processo de solidificação são criados lingotes de silício policristalino que serão
serrados em barras, utilizando uma serra-fio e depois cortados em lâminas (waffers) de
aproximadamente 0.3 mm de espessura, mais uma vez por uma serra-fio.
Após a serragem e limpeza, as lâminas serão dopadas com fósforo (em apenas uma face) e
será aplicada uma camada de material antirreflexo (que aumentará a absorção luminosa). Por
fim, serão impressos os contatos frontais e traseiros.
As células fotovoltaicas de película fina foram a promessa para baratear o custo dos módulos
fotovoltaicos, desde os anos 90. Devido a vários fatores, não conseguiram substituir o silício
cristalizado como padrão para produção das células fotovoltaicas.
Os átomos dos materiais utilizados são mais susceptíveis à contaminação por “átomos
estranhos”. Isso significa que é mais fácil de “dopar” esse material, e assim obter o
semicondutor (tipo-P ou tipo-N), o que reduz seus custos na medida em que utiliza menos
material em sua fabricação.
Além disso, o silício cristalizado vive mais tempo – com fabricantes dando até 20 anos de
garantia de eficiência mínima – enquanto os fabricantes das células fotovoltaicas de películas
finas garantem em torno de 10 anos.
Cada uma das tecnologias apresentadas tem suas desvantagens, quando comparadas à
tecnologia de silício cristalizado.
O silício amorfo (sem forma) não possui uma estrutura cristalina, mas sim uma rede irregular.
Devido a isso, ocorrem ligações livres que absorvem o hidrogênio até a sua saturação.
O dopante é adicionado pela mistura de gases que contém o devido material: o “diborano”
(B2H6 – hidreto de boro) para o tipo-P, e o “fosfina” (PH3 – hidreto de fósforo) para o tipo-N.
Devido à pequena extensão da difusão do a-Si:H dopado (pois é uma película extremamente
fina), os elétrons e buracos livres na junção-PN não sobrevivem tempo suficiente para gerar
uma corrente elétrica externa (devido à recombinação dos elétrons).
Por isso, uma camada de a-Si:H intrínseco (não dopado) é colocada entre camadas de a-Si:H
do tipo-N e do tipo-P, na qual as cargas elétricas duram mais tempo. É nessa camada que
acontece a absorção da luz e liberação dos elétrons.
Como contatos frontais, podem ser utilizados o Óxido de Estanho (SnO), o Óxido de Estanho e
Índio (ITO – do inglês: Indium Tim Oxide) ou o Óxido de Zinco (ZnO).
Se os materiais forem depositados na parte frontal do vidro, como mostrado na figura, será
criada uma estrutura do tipo p-i-n (tipo-P; tipo-I, de intrínseco; tipo-N).
Os materiais podem ser depositados em uma sequência inversa (n-i-p) na parte traseira do
substrato. Isso permite que sejam criados módulos fotovoltaicos flexíveis em substrato leves
não transparentes, como plástico ou metal, que são mais adequados à colocação em
telhados.
A principal desvantagem do silício amorfo está na sua baixa eficiência, que diminui ainda
mais durante os primeiros 6 a 12 meses de operação, devido à degradação induzida pela luz
(através do efeito Staebler-Wronsky), antes de se estabilizar e alcançar a potência nominal de
operação.
Alguns fabricantes produzem células empilhando as estruturas p-i-n umas sobre as outras.
Com essa técnica, é possível criar células que aproveitam uma parte maior do espectro da
radiação solar, otimizando cada camada para uma banda de cor específica, através da mistura
com outros materiais, por exemplo, o germânio (a-SiGe).
Para a fabricação das células solares CIGS, o substrato de vidro é inicialmente revestido com
uma fina camada de molibdênio em um processo de pulverização catódica.
A camada do tipo-P de CIGS pode ser fabricada pela vaporização simultânea dos elementos
cobre, índio, gálio e selênio em uma câmara de vácuo, sob temperaturas entre 500°C e 600°C.
Como contato frontal transparente, é utilizado o óxido de zinco dopado com alumínio
(ZnO:al), que é do tipo-N. Entre os dois tipos de semicondutor (P e N), é colocada uma
camada de óxido de zinco intrínseco e uma camada de sulfato de cádmio, o que ajuda a
reduzir perdas provocadas pela combinação entre o oxido de zinco e o CIGS.
Diferentemente do silício amorfo, as células de CIGS não sofrem degradação sob a ação da
luz. Mas é necessário um selamento robusto, para evitar a degradação do óxido de zinco, o
que inutilizaria o módulo.
As Placas Solares com células fotovoltaicas CIGS são os mais eficientes, dentre as tecnologias
de película fina, apresentando até 11% de eficiência.
Infelizmente o seu custo não está tão baixo quanto o do silício, além do uso de índio, que é
um material raro, altamente requisitado pela indústria de smartphones. O índio é o
componente principal das telas táteis (touchscreen) capacitivas.
As células fotovoltaicas de CdTe são fabricadas em um substrato de vidro, com uma camada
de condutor transparente como contato frontal, onde geralmente é utilizado o óxido de
estanho e índio (OTI).
O contato frontal é revestido com uma finíssima camada de Sulfeto de Cádmio (CdS) que é
um semicondutor do Tipo-N, depois com uma camada de Telureto de Cádmio (CdTe), que é
do Tipo-P.
Esse procedimento pode ser feito por uma espécie de impressão em tela (silk-screen).
Para fabricar módulos maiores, ou com maior eficiência, pode-se utilizar de disposição por
vaporização em uma câmara de vácuo com temperaturas de aproximadamente 700°C.
A junção P-N de CdS-CdTe é ativada quando entra em contato com uma atmosfera com cloro.
Além das tecnologias citadas acima, que são as mais ativas comercialmente, existem outras
que são resultado de muita pesquisa e desenvolvimento, mas que por diversos motivos não
alcançaram o mercado liderado pelo silício policristalino.
O composto arseneto de gálio permite a criação das células fotovoltaicas com até 28% de
eficiência. Contudo, o custo de fabricação desse composto inviabiliza o seu uso terrestre, que
foi utilizado apenas em aplicações espaciais para a exploração do sistema solar.
Ao se afastar do sol a irradiância solar diminui, tornando-se necessário o uso de maior área
de captação, caso se utilizasse as tecnologias comerciais comuns.
Devido ao fato de serem constituídas de mais de uma tecnologia, possuem custo de produção
mais elevado, mas a eficiência fica em torno de 18,5%, o que não torna o seu preço
convidativo.
As células fotovoltaicas orgânicas foram apresentadas em 1991 pelo professor suíço Michael
Gratzel, por isso são também chamadas de células Gratzel. As células orgânicas captam
energia do sol de maneira semelhante à forma como as plantas realizam a fotossíntese,
através de um ‘corante’ orgânico, por isso o nome.
A produção das células não é complicada, mas há problemas de estabilidade dos materiais
utilizados para permitir a captação dos elétrons liberados pelo efeito fotovoltaico.
No fim das contas, temos o percentual da radiação solar que é aproveitada pelas células
fotovoltaicas na tabela abaixo. Os fabricantes trabalham em técnicas de produção
aprimoradas que visam diminuir as perdas individuais e coletivas das células fotovoltaicas,
para alcançar a máxima eficiência, que hoje já alcança valores em torno de 16%.
É importante não confundir a eficiência das células solares fotovoltaicas com a eficiência dos
módulos fotovoltaicos. O painel solar têm sua eficiência baseada na sua área total e na
potência-pico que consegue fornecer.
Concluindo, podemos ver pelo texto acima que são muitas as tecnologias que utilizam o
processo fotovoltaico e possibilitam transformar a luz do sol em energia elétrica.
Outro item muito importante nesse processo é o inversor solar, também conhecido como
inversor fotovoltaico.
Agora que você conhece os diferentes tipos de células fotovoltaicas, suas vantagens e
desvantagens, ficará bem mais fácil na hora de escolher os módulos fotovoltaicos do seu
sistema de energia solar. E aí, gostou do artigo? Não deixe de compartilhar conosco a sua
opinião através dos comentários abaixo.
www.bluesol.com.br
Energia Solar em Corbélia – PR: Sua Conta de Luz 95% Mais Barata
Quer saber quanto você pode economizar produzindo sua própria energia?
NOME COMPLETO *
EMAIL *
TELEFONE *
CEP *
ESCOLHA O INTERESSE *
Avançar
ebook-energia-solar-fotovoltaica
blue sol
Para que seja possível aproveitar essa corrente elétrica do interior de um semicondutor
intrínseco, é necessário perturbar a sua formação cristalina. Isso é feito adicionando-se
elementos químicos que atrapalharão a ligação atômica do semicondutor.
Esse processo se chama dopagem. Para exemplificar, vamos detalhar o processo de dopagem
do semicondutor silício.
O Processo de Dopagem
O silício possui quatro elétrons de valência e necessita de mais quatro átomos vizinhos para
formar uma ligação covalente. Se inserirmos um elemento de 5 elétrons de valência (ex.:
fósforo ou arsênio) o quinto elétron ficará fracamente ligado ao átomo de origem e, quando o
semicondutor estiver à temperatura ambiente, esse elétron ficará livre, fazendo com que o
cristal de silício dopado com esse material fique negativamente carregado. Esse é um
semicondutor do Tipo N.
Se ao silício for adicionado um dopante com 3 elétrons de valência, ficará faltando um elétron
na estrutura cristalina. Em temperatura ambiente, com a liberação de elétrons, o
semicondutor ficará positivamente carregado se tornando um semicondutor do Tipo P
Para formar uma célula solar (ou um diodo) são unidos os dois tipos de semicondutor. Na
área da união, chamada de Junção-PN, os elétrons livres do semicondutor tipo N migrarão
para o semicondutor tipo P para ocuparem esses espaços.
Essa migração não ocorre indefinidamente, pois forma-se um campo elétrico na área de
junção que impede que os elétrons continuem fluindo.
Ao receberem fótons de luz visível, os elétrons são energizados, mas não conseguem fluir da
camada N para a camada P. Se ligarmos as duas camadas externamente, podemos aproveitar
a corrente elétrica que se forma na passagem dos elétrons de uma camada para outra.
O silício amorfo (sem forma) não possui uma estrutura cristalina, mas sim uma rede irregular.
Devido a isso, ocorrem ligações livres que absorvem o hidrogênio até a sua saturação.
O dopante é adicionado pela mistura de gases que contém o devido material: o “diborano”
(B2H6 – hidreto de boro) para o tipo-P, e o “fosfina” (PH3 – hidreto de fósforo) para o tipo-N.
Devido à pequena extensão da difusão do a-Si:H dopado (pois é uma película extremamente
fina), os elétrons e buracos livres na junção-PN não sobrevivem tempo suficiente para gerar
uma corrente elétrica externa (devido à recombinação dos elétrons).
Por isso, uma camada de a-Si:H intrínseco (não dopado) é colocada entre camadas de a-Si:H
do tipo-N e do tipo-P, na qual as cargas elétricas duram mais tempo. É nessa camada que
acontece a absorção da luz e liberação dos elétrons.
Como contatos frontais, podem ser utilizados o Óxido de Estanho (SnO), o Óxido de Estanho e
Índio (ITO – do inglês: Indium Tim Oxide) ou o Óxido de Zinco (ZnO).
Se os materiais forem depositados na parte frontal do vidro, como mostrado na figura, será
criada uma estrutura do tipo p-i-n (tipo-P; tipo-I, de intrínseco; tipo-N).
Os materiais podem ser depositados em uma sequência inversa (n-i-p) na parte traseira do
substrato. Isso permite que sejam criados módulos fotovoltaicos flexíveis em substrato leves
não transparentes, como plástico ou metal, que são mais adequados à colocação em
telhados.
A principal desvantagem do silício amorfo está na sua baixa eficiência, que diminui ainda
mais durante os primeiros 6 a 12 meses de operação, devido à degradação induzida pela luz
(através do efeito Staebler-Wronsky), antes de se estabilizar e alcançar a potência nominal de
operação.
Alguns fabricantes produzem células empilhando as estruturas p-i-n umas sobre as outras.
Com essa técnica, é possível criar células que aproveitam uma parte maior do espectro da
radiação solar, otimizando cada camada para uma banda de cor específica, através da mistura
com outros materiais, por exemplo, o germânio (a-SiGe).
As células de silício amorfo são as que apresentam o custo mais reduzido, mas em
contrapartida o seu rendimento eléctrico é também o mais reduzido (aproximadamente 8% a
10%, ou 13% em laboratório). As células de silício amorfo são películas muito finas, o que
permite serem utilizadas como material de construção, tirando ainda o proveito energético.