Antonio Alberto Nhacundela

Catolino Armando Zimba

Gizela Vasco Muriane

Santos Valentina

Vadilex Mauro Miguel

Yúmina Ricardo

CÉLULAS FOTOVOLTAICAS DE SILICIO AMORFO

Licenciatura em Fisica com habilitações em pedagogia de ensino

Universidade-save

Massinga

2023
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Antonio Alberto Nhacundela

Catolino Armando Zimba

Gizela Vasco Muriane

Santos Valentina

Vadilex Mauro Miguel

Yúmina Ricardo

CÉLULAS FOTOVOLTAICAS DE SILICIO AMORFO

Trabalho da cadeira de Energia Solar

Fotovoltaica, apresentado no
Departamento de ciencias Naturais e
Exactas, curso de Fisica, para efeitos
avaliativos.

Docente: Dr. Marsilio Neves

Universidade-save

Massinga

2023
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Índice

I.Introdução ................................................................................................................. iv
II.Objectivos ................................................................................................................ iv
1.1.1.Gerais: ................................................................................................................ iv
1.1.2.Especificos: ......................................................................................................... iv
III.Metodologias .......................................................................................................... iv
4.Célula Fotovoltaica de Silício Amorfo ....................................................................... 5
4.1.1.Efeito Fotovoltaico ............................................................................................... 5
4.2.O Processo de Dopagem.......................................................................................... 5
4.2.1.Dopagem com fósforo .......................................................................................... 6
4.2.2.Dopagem com Boro ............................................................................................. 6
5.1.Células de silício amorfo ......................................................................................... 7
5.1.1.Modulo de silício amorfo ..................................................................................... 8
5.2.Estrutura da Célula Fotovoltaica de Silício Amorfo ............................................... 12
6.Conclusão ................................................................................................................ 14
7.Referências Bibliográficas ....................................................................................... 15
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I.Introdução

O emprego de sistemas energéticos baseados em fontes renováveis tem sido uma

alternativa aos combustíveis fósseis para a redução das emissões de gases de efeito
estufa. Embora a tecnologia de módulos solares seja vantajosa do ponto de vista das
emissões de tais gases, muitos desafios ainda estão sendo estudados quanto ao fim-de-
vida desse produto electroeletrónico. Para a produção dos módulos solares existem
vários tipos de celulas solares usados, porém, dos diferentes tipos de celulas solares
fotovoltáicos existentes para a produção dos módulos fotovoltáicos, no presente
trabalho trata-se de Celula Fotovoltaica de Silício Amorfo.

II.Objectivos

Objectivo Geral:

 Compreender a célula solar fotovoltaica de silício de amorfo.

Objectivos específicos:

 Descrever o princípio de funcionamento de uma celula Fotovoltaica de silicio

amorfo.
 Identificar as características de uma celula Fotovoltaica de silicio amorfo.

III.Metodologias

Para a elaboração e materialização do presente trabalho recorre-se a consultas

bibliográficas as quais estão referenciados na última página do mesmo.
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4.Célula Fotovoltaica de Silício Amorfo

Uma célula fotovoltaica é um dispositivo responsável por converter a energia luminosa

em energia elétrica. Um conjunto de células fotovoltaicas encapsuladas forma os
chamados módulos fotovoltaicos – também conhecido como placas solares ou painéis
fotovoltaicos. (MESSENGER, 2005)

As células são produzidas com material semicondutor que, através do efeito

fotovoltaico, convertem a radiação solar em energia elétrica.Há vários tipos de células
fotovoltaicas, que utilizam tecnologias e/ou materiais diferentes, mas a mais popular
(usada pelos fabricantes de painéis solares) é a que utiliza o silício cristalizado.
(MESSENGER, 2005)

4.1.1.Efeito Fotovoltaico

O efeito fotovoltaico foi observado pela primeira vez pelo físico francês Alexandre
Edmond Becquerel, em 1839 (utilizando o primeiro componente eletrônico da história)
e, devido à similaridade, foi confundido com o efeito fotoelétrico.O efeito fotoelétrico é
a emissão de elétrons por um material, geralmente metálico, quando exposto à radiação
eletromagnética de frequência alta o suficiente (e que varia para cada material) para que
os seus fótons energizem os elétrons do material. (MESSENGER, 2005)

O efeito fotovoltaico é o surgimento de uma tensão elétrica em um material

semicondutor, quando este é exposto à luz visível. Os dois efeitos estão relacionados,
mas são processos diferentes.Para entender como funciona o efeito fotovoltaico,
devemos conhecer o modelo atômico, que demonstra o comportamento das partículas
que compõem um átomo. (MESSENGER, 2005)

Simplificando, é necessário saber que os semicondutores têm a “banda de valência”

completamente cheia e a “banda de condução” vazia, mas o “band-gap” dos
semicondutores é de 1 eV (um elétron-volt). Isso faz com que um semicondutor se
comporte como um isolante à 0° Kelvin, mas, com o aumento da temperatura, começam
a conduzir eletricidade, agindo como um condutor. Por isso o nome: semicondutor.

4.2.O Processo de Dopagem

O silício possui quatro elétrons de valência e necessita de mais quatro átomos vizinhos
para formar uma ligação covalente. Se inserirmos um elemento de 5 elétrons de valência
(ex.: fósforo ou arsênio) o quinto elétron ficará fracamente ligado ao átomo de origem e,
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quando o semicondutor estiver à temperatura ambiente, esse elétron ficará livre, fazendo
com que o cristal de silício dopado com esse material fique negativamente carregado.
Esse é um semicondutor do Tipo N (MESSENGER, 2005)

4.2.1.Dopagem com fósforo

Se ao silício for adicionado um dopante com 3 elétrons de valência, ficará faltando um

elétron na estrutura cristalina. Em temperatura ambiente, com a liberação de elétrons, o
semicondutor ficará positivamente carregado se tornando um semicondutor do Tipo P.
(MESSENGER, 2005).

4.2.2.Dopagem com Boro

Para formar uma célula solar (ou um diodo) são unidos os dois tipos de semicondutor.
Na área da união, chamada de Junção-PN, os elétrons livres do semicondutor tipo N
migrarão para o semicondutor tipo P para ocuparem esses espaços.Essa migração não
ocorre indefinidamente, pois forma-se um campo elétrico na área de junção que impede
que os elétrons continuem fluindo.

5.Célula fotovoltaica de silício amorfo

As células fotovoltaicas podem ser classificadas de acordo com o tipo de tecnologia

envolvida na camada semicondutora, sendo divididas em três gerações tecnológicas:

Primeira geração: células fotovoltaicas de silício monocristalino e multicristalino

(ambos conhecidos pela sigla c- Si).

Segunda geração: células fotovoltaicas de filmes finos de silício amorfo (a-Si),

telurento de cadmio (CdTe), seleneto de cadmio (CdS), arseneto de gálio (GaAs),
cadmio-índio-gálio-selênio (CIGS) e cadmio-índio-selênio (CIS).

Terceira geração: células fotovoltaicas orgânicas/ poliméricas. Os módulos

fotovoltaicos de terceira geração encontram-se ainda em fase de desenvolvimento e
encontram problemas de escalabilidade.
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Figura 1 Reepresentação da forma construtiva de uma celula de silício amorfa

5.1.Células de silício amorfo

As células de silício amorfo são as que apresentam o custo mais reduzido, mas em
contrapartida o seu rendimento elétrico é também o mais reduzido (aproximadamente 8
% a 10%, ou 13% em laboratório. As células de silício amorfo são películas muito finas,
o que permite serem utilizadas como material de construção, tirando ainda o proveito
energético. O fato de serem finas permite que essas células sejam muito usadas em
matérias de construção. Mas elas também duram menos do que as células de silício
cristalizado, durando apenas 10 anos enquanto as células mono-cristalinas e pli –
cristalinas duram em torno de 20 anos.

O silício amorfo (sem forma) não possui uma estrutura cristalina, mas sim uma rede
irregular. Devido a isso, ocorrem ligações livres que absorvem o hidrogênio até a sua
saturação. O silício amorfo hidrogenado (a – Si:H) é criado em reatores de plasma, pela
deposição de silano gasoso (SiH4), em temperaturas entre 220 oC e 250 o
C
(WECKEND, 2016).

O dopante é adicionado pela mistura de gases que contém o devido material: o diborano
(BsH6 – hidreto de boro) para tipo –P e o fosfina (PH3 – hidreto de fosforo) para tipo –
N. Devido a pequena extensão da difusão do a Si :H dopado (pois é uma película
extremamente fina), os eletroes e buracos livres na junção PN não sobrevivem tempo
suficiente para gerar uma corrente elétrica externa (devido a recombinação dos
eletroes).

Por isso uma camada de a-Si:H intrínseco (não dopado) é colocada entre camadas de a-
Si:H do tipo –N e do tipo P, na qual as cargas elétricas duram mais tempo. É nessa
camada que acontece a absorção da luz e liberação dos eletroes.
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5.1.1.Modulo de silício amorfo

Caderson e Wronsi descrevem o primeiro tipo de célula de silício amorfo (conhecida

como a -Si) comercialmente bem sucedida em 1976.Essa tecnologia tem sido
historicamente associada ao mercado consumidor de eletrônicas portáteis, como
calculadoras portáteis (Figura 2).

Figura 2: calculadoras portando células de silício amorfo ( destacado em vermelho)

A quota de mercado da tecnologia de a-Si (2% em 2015) é primariamente atribuído a

menor eficiência de conversão desse tipo de célula em comparação com as células de
silício cristalino. O custo de gás de germânio (GeH2), usado na deposição de
semicondutor de a – SiGe, também é outro fator que limita a expansão da tecnologia.
Apesar disso, é esperado que a quota de mercado de a – Si alcance a do c – Si até 2050
(MESSENGER, 2005)

As células solares de silício amoro podem ser produzidas por meio de processos mais
econômicos, do que os utilizados para a produção de silício cristalino. Um exemplo é a
etapa de deposição a vapor por plasma, processo no qual são produzidas nanocamadas
de semicondutor em larga escala, e que é impossível de ser realizado com monocristais.
(HEGEDUS, 2003)

O processo roll-to-roll é o mais utilizado para células flexíveis. Esse processo se

caracteriza por uma estreia a qual transporta a matéria-prima por câmaras onde ocorre a
deposição a gás dos semicondutores (Figura 3).
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Figura 3: Esquema de equipamento para para o processo de deposição roll-to-roll

A deposição da camada de alumínio e oxido de zinco ( back reflector) é feita pelo

método conhecido como R sputtering. Em seguida, as nove camadas de a – Si e a-SiGe
são produzidas por um sistema de deposição química a vapor (CVD, do inglês chemical
vapor deposition), depositando as camadas de base e do meio (tipo – n e tipo – i,
respectivamente) por micro-ondas (MW-CVD). Ocorre, então, a deposição da camada
semicondutora de topo por um processo de deposição por deposição química a vapor
por rádio frequência (RF-CVD, do inglês radio frequency chemical vapor deposition).
(HEGEDUS, 2003)

A deposição de uma camada de oxido de índio-estranho ocorre por sputtering DC a

vácuo. O produto é então cortado em células individuais de 3556 mm x 239 mm e
aplica-se a grade metálica para coleta de corrente acima da camada de oxido
transparente condutor (TCO, do inglês transpart conducting oxide). A camada
polimérica de proteção mecânica é finalmente aplicada e busbars de cobre são
conectados as extremidades do modulo para fechar contato com a grade metálica.

O silício amorfo, como o nome indica, não possui estrutura ordenada/ cristalina e
ligações covalentes não satisfeitas no silício, criando os chamados defeitos de
coordenação (dangling bonds). Isso resulta em um material semicondutor com menor
eficiência e indesejável para geração fotovoltaica em larga escala. Apesar disso, um
processo de passivação por hidrogênio permitiu reduzir as ligações covalentes
incompletas (HEGEDUS, 2003)

Dentre as vantagens de utilizar - se o silício amorfo como semicondutor está o fato de

este possuir um coeficiente de absorção no aspectro visível muito maior que o silício
cristalino. Isso resulta em menor espessura e consequentemente, menor quantidade de
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material semicondutor, possibilitando a sua produção na forma de filmes finos, com

camadas dopadas tipo – p com espessura mínima de 0 nm e tipo –n de 20 nm. A
dopagem é necessária a fim de criar um campo elétrico que forca os carregadores
eletrogerados a regiões especificas do semicondutor, fechando o circuito. Além disso,
tanto a adição de uma camada intrínseca semicondutora (chamada de camada i), como a
adição das camadas p e n, aumentam a formação de pares eletroniacuna, viabilizando o
silício amorfo como material fotovoltaica (HEGEDUS, 2003)

Figura 4: Configuração PIN e NIP em células de a-Si de junção simples e espessuras das camadas
p, i e n

No entanto, esse tipo de célula possui limitações tecnológicas que restringem a sua
aplicação. As células amorfas possuem apenas 15 % de eficiência em laboratório (como
visto na figura anterior), obtendo a menor eficiência dentre todos os tipos de células
comercializastes. Além disso, apresentam queda de eficiência conforme são expostas a
luminosidade, efeito conhecido como Staebler – Wronski, o qual separa o hidrogênio
estabilizante da estrutura do a – Si e cria as chamadas dangling bonds. Apesar disso o
material atinge um estado estacionário de eficiência após 1000h de uso (HEGEDUS,
2003).

Os semicondutores são normalmente dispostos em junção única (estrutura p – i – n) ou

junção tripla (estrutura p – i – n – p- i – n – p – i – n).

A estrutura de múltiplas junções (ou tandem) oi introduzida em 1997 como solução ao

problema da voltagem de saída das células de junção única. O empilhamento da
repetição p – i – n ocasiona a soma das voltagens de cada junção e, portanto, aumento
da voltagem total do modulo e consequentemente, da potência. Posteriormente,
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descobriu-se que a estrutura de multijuncoes também aumenta a estabilidade global da

célula, compensando, em parte, a perda de potência pelo efeito Staebler- Wronski.
(HEGEDUS, 2003).

Além da soma das voltagens, a potência da célula é incrementada por um melhor

aproveitamento do espectro solar. Escolhendo-se um gap de energia diferente para cada
junção, por meio de composições e ligas, como a – SiGe, a eficiência de absorção é
aumentada. Essa ideia baseia-se no princípio da divisão de espectro solar em secções
separadas, as quais teriam cada uma, um semicondutor dedicado. Capturam-se fotões de
maior energia nas camadas superiores e fotões de menor energia nas camadas inferiores.

Figura 5: Representação da estratigrafia das camadas presentes em uma célula de silício amorfo

Cada liga de semicondutor presente no modulo oferece um gap optico diferente e,

consequentemente, absorção de uma faixa diferente do espectro solar. A primeira
camada, normalmente feita de a – Si, consiste de um gap optico de 1, eV. A segunda
camada, chamada de intrínseca (i), normalmente é feita de uma liga de silício amorfo e
germânio (10- 15% de Ge) com gap optico de 1,6 eV. A terceira camada, também liga
de a – SiGe (40-50% Ge), tem um gap optico de 1,4 eV, absorvendo os fotões
vermelhos e na região do infravermelho, como mostra a figura 4.O material resultante,
portanto, captura uma maior percentagem da luz incidente (aproximadamente 2,5 vezes
mais) quando comparado a células de c – Si (HEGEDUS, 2003)

Um oxido transparente condutor (TCO), em geral o oxido de índio estanho (ITO), é

depositado acima da junção tripla, a fim de transportar a carga gerada nas camadas
semicondutores e, ao mesmo tempo, permitir a passagem dos fotões até essas camadas.
Um TCO mais barato, como o ZnO, é utilizado abaixo da junção tripla, promovendo o
 12

contato interior. A fim de proteger o ITO contra intempéries do meio ambiente, EVA é
depositado sobre o ITO. Um refletor metálico, normalmente de alumínio ou prata,
reflete os fotões não absorvidos de volta para a camada semicondutora durante a
operação da célula solar. O oxido de zinco funciona como condutor transparente, ou
seja, é um dos eletroes do sistema. Por ser texturizado, contribui para a reflexão interna
dos fotões na interface com o ITO. O substrato de aço inoxidável confere flexibilidade
ao modulo.

Dentre as junções múltiplas mais empregadas estão a de silício amorfo estabilizadas por
hidrogênio e conjugada a silício microcristalino (a – Si;H/µc – Si ) e as de silício
amorfo estabilizadas por hidrogênio conjugada a ligas de silício e germânio ( a –
Si;H/a– SiGe).

5.2.Estrutura da Célula Fotovoltaica de Silício Amorfo

O silício amorfo (sem forma) não possui uma estrutura cristalina, mas sim uma rede
irregular. Devido a isso, ocorrem ligações livres que absorvem o hidrogênio até a sua
saturação.O silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) é criado em reatores de plasma, pela
deposição de silano gasoso (SiH4), em temperaturas entre 220 °C e 250 °C.

O dopante é adicionado pela mistura de gases que contém o devido material: o

“diborano” (B2H6 – hidreto de boro) para o tipo-P, e o “fosfina” (PH3 – hidreto de
fósforo) para o tipo-N. (WECKEND, 2016).

Devido à pequena extensão da difusão do a-Si:H dopado (pois é uma película

extremamente fina), os elétrons e buracos livres na junção-PN não sobrevivem tempo
suficiente para gerar uma corrente elétrica externa (devido à recombinação dos
elétrons).

Por isso, uma camada de a-Si:H intrínseco (não dopado) é colocado entre camadas de a-
Si:H do tipo-N e do tipo-P, na qual as cargas elétricas duram mais tempo. É nessa
camada que acontece a absorção da luz e liberação dos elétrons.

Como contatos frontais, podem ser utilizados o Óxido de Estanho (SnO), o Óxido de
Estanho e Índio (ITO – do inglês: Indium Tim Oxide) ou o Óxido de Zinco (ZnO).

Se os materiais forem depositados na parte frontal do vidro, como mostrado na figura,

será criada uma estrutura do tipo p-i-n (tipo-P; tipo-I, de intrínseco; tipo-N).
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Os materiais podem ser depositados em uma sequência inversa (n-i-p) na parte traseira
do substrato. Isso permite que sejam criados módulos fotovoltaicos flexíveis em
substrato leves não transparentes, como plástico ou metal, que são mais adequados à
colocação em telhados.

A principal desvantagem do silício amorfo está na sua baixa eficiência, que diminui
ainda mais durante os primeiros 6 a 12 meses de operação, devido à degradação
induzida pela luz (através do efeito Staebler-Wronsky), antes de se estabilizar e alcançar
a potência nominal de operação. WECKEND, 2016).

Alguns fabricantes produzem células empilhando as estruturas p-i-n umas sobre as

outras.

Com essa técnica, é possível criar células que aproveitam uma parte maior do espectro
da radiação solar, otimizando cada camada para uma banda de cor específica, através da
mistura com outros materiais, por exemplo, o germânio (a-SiGe).Além disso, células
empilhadas sofrem menos os efeitos de envelhecimento, e as camadas de a-Si:H do
tipo-I são mais finas e, consequentemente, menos susceptíveis à degradação pela luz.
(WECKEND, 2016).
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6.Conclusão

Feito o trabalho conclui-se que o silício amorfo (sem forma) não possui uma estrutura
cristalina, mas sim uma rede irregular. Devido a isso, ocorrem ligações livres que
absorvem o hidrogênio até a sua saturação. O silício amorfo hidrogenado (a – Si:H) é
criado em reatores de plasma, pela deposição de silano gasoso (SiH4), em temperaturas
entre 220 oC e 250 oC. O dopante é adicionado pela mistura de gases que contém o
devido material: o diborano (BsH6 – hidreto de boro) para tipo –P e o fosfina (PH3 –
hidreto de fosforo) para tipo –N. Devido a pequena extensão da difusão do a Si :H
dopado (pois é uma película extremamente fina), os eletroes e buracos livres na junção
PN não sobrevivem tempo suficiente para gerar uma corrente elétrica externa (devido a
recombinação dos eletroes).A principal desvantagem de silício amorfo está na sua baixa
eficiência, que diminui ainda mais durante os primeiros a 2 meses de operação, devido a
degradação induzida pela luz (através do efeito Staebler-Wronsky), antes de se
estabilizar e alcançar a potência nominal de operação.
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7.Referências Bibliográficas

Hegedus, S S; Luque, A. Handboo of photovoltaic Science and engineering.

Wiley,2003.

Messenger, R; Ventre J. Photovoltaic Systems Engineering. 2a Edição. Boca Raton:CRC

Press, 2005.

Weckend,S, ade, A;Heath,G.End o life management: Solar photovoltaic panels. 2016.