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10/06/2022 Tecnologia de Energias Renováveis
Capítulo V. Central Solar
No processos fotovoltaicos
A radiação solar incide sobre uma superfí cie de um cristal
semicondutor, célula solar, e produzem directamente uma
corrente eléctrica por efeito fotovoltaico.
a) Superfície activa de uma célula fotovoltaica típica b) Pormenor da grelha colectora metálica na superfície
Fonte: Manual de apoio
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Capítulo V. Central Solar
5.1. Central fotovoltaica - Célula fotovoltaica
5.1.3. Constituição interna de uma célula fotovoltaica típica
5.2.1.Estabelecimento do modelo
𝑽
(eq.5.1)
𝑰𝑫 = 𝑰𝟎 ∙ 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 −𝟏
I0 - corrente inversa máxima de saturação do díodo;
V – tensão aos terminais da célula;
m – factor de idealidade do díodo (díodo ideal: m = 1; díodo
real: m > 1);
𝑲∙𝑻
VT – designado por potencial térmico 𝑽𝑻 =
𝒒
K: constante de Boltzmann (K = 1,38x10-23 J/K)
T: temperatura da célula em K
q: carga eléctrica do electrão (q = 1,6x10-19 C)
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Capítulo V. Central Solar
5.2. Modelo matemático de um díodo e três parâmetros
5.2.1.Estabelecimento do modelo
A corrente I que circula pela carga é, portanto (ver o
circuito da célula fotovoltaica equivalente)
𝑽
(eq.5.2)
𝑰 = 𝑰𝒔 − 𝑰𝑫 = 𝑰𝒔 − 𝑰𝟎 ∙ 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 −𝟏
Dois pontos de operação da célula merecem atenção
particular, nomeadamente:
o Curto-circuito exterior
V = 0; ID = 0; I = Is = Icc (eq.5.3)
A Icc é o valor máximo da corrente de carga, igual, portanto, à corrente
gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor é uma característica da célula,
sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condições de
radiação incidente e temperatura.
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Capítulo V. Central Solar
5.2. Modelo matemático de um díodo e três parâmetros
5.2.1.Estabelecimento do modelo
Circuito aberto
I=0
𝑰𝒔
𝑽𝒄𝒂 = 𝒎 ∙ 𝑽𝑻 ∙ 𝒍𝒏 𝟏 +
𝑰𝟎 (eq.5.4)
5.2.1.Estabelecimento do modelo
Condições de referência
𝑽
(eq.5.5)
𝑷 = 𝑽 ∙ 𝑰 = 𝑽 𝑰𝒄𝒄 − 𝑰𝟎 𝒆𝒎∙𝑽𝑻
−𝟏
P - potência eléctrica de saída
A potência máxima obtém-se para dP/dV = 0 , o que é
equivalente a:
𝑰𝒄𝒄
𝑽 𝑽 𝑽 𝑽 +𝟏
𝑰 𝟎
𝑰𝒄𝒄 + 𝑰𝟎 𝟏 − 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 − ∙ 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 = 𝟎 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 = (eq.5.6)
𝒎 ∙ 𝑽𝑻 𝑽
+𝟏
𝒎 ∙ 𝑽𝑻
5.2.1.Estabelecimento do modelo
Condições de referência
Um método iterativo mais sofisticado é o de Newton, o
qual exibe uma convergência mais rápida. A expressão de
cálculo é:
𝒌 𝒌
𝑽𝒎𝒂𝒙 𝒌 𝑽𝒎𝒂𝒙
𝑽𝒎𝒂𝒙
𝑰𝒄𝒄 + 𝑰𝟎 𝟏 − 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 − ∙ 𝒆𝒎∙𝑽𝑻
𝒌+𝟏 𝒌 𝒎 ∙ 𝑽𝑻
𝑽𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝒎𝒂𝒙 − 𝒌 (eq.5.9)
𝑽𝒎𝒂𝒙 𝒌
𝑰𝟎 𝒎∙𝑽𝑻
𝑽𝒎𝒂𝒙
− ∙𝒆 𝟐+
𝒎 ∙ 𝑽𝑻 𝒎 ∙ 𝑽𝑻
𝑽𝒎𝒂𝒙
(eq.5.10)
𝑰𝒎𝒂𝒙 = 𝑰𝒄𝒄 − 𝑰𝟎 𝒆𝒎∙𝑽𝑻 −𝟏
Os valores de Vrca, Ircc e Prmax são característicos da célula,
sendo dados fornecidos pelo fabricante para as condições de
referência. A maioria dos fabricantes indica também os valores
de Vrmax e Irmax.
𝑷𝒎𝒂𝒙
𝜼= (eq.5.12)
𝑨∙𝑮
em que G é a radiação solar incidente por unidade de superfície.
O quociente entre a potência de pico e o produto Vrca ∙ Ircc
chama-se fill factor (factor de forma):
𝑷𝒓𝒎𝒂𝒙
𝑭𝑭 = 𝒓 (eq.5.13)
𝒓
𝑽𝒄𝒂 ∙ 𝑰𝒄𝒄
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Capítulo V. Central Solar
5.2. Modelo matemático de um díodo e três parâmetros
5.2.1.Estabelecimento do modelo
Condições de referência
Para as células do mesmo tipo, os valores de Vrca e Ircc são
aproximadamente constantes, mas a forma da curva I-V
pode variar consideravelmente.
As células em uso comercial apresentam um factor de
forma entre 0,7 e 0,85, e é desejável trabalhar com células
em que o factor de forma seja o maior possível.
𝑽− 𝑽𝒓𝒄𝒂
𝒓 (eq.5.14)
𝑰= 𝑰𝒓𝒄𝒄 𝟏− 𝒆 𝒎∙𝑽 𝑻
𝑽𝒓𝒄𝒂 𝑽
𝒎∙𝑽𝒓 𝒎∙𝑽𝒓
Considerando que 𝒆 𝑻 ≫ 𝟏 𝑒 𝑞𝑢𝑒 𝒆 𝑻 ≫𝟏
Neste caso, o factor 𝒎 é um parâmetro de ajuste da curva I-V.
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Capítulo V. Central Solar
5.2. Modelo matemático de um díodo e três parâmetros
5.2.2. Desenvolvimento do modelo e aplicação
Da eq. 5.17 obtém-se para o factor de idealidade do dí odo
resolvendo a eq. 5.12 em ordem a Ir0 , substituindo depois na
eq. 5.14, tendo em conta a eq. 5.13 e que:
𝑽𝒓
𝒄𝒂 𝑽𝒓
𝒎𝒂𝒙
𝒎∙𝑽𝒓 𝒎∙𝑽𝒓 𝑽𝒓𝒎𝒂𝒙 − 𝑽𝒓𝒄𝒂 (eq.5.18)
𝒆 𝑻 ≫𝟏 𝒆 𝒆 𝑻 ≫𝟏 𝒎= 𝒓 𝑰𝒓
𝑽𝑻 ∙𝒍𝒏(𝟏− 𝒎𝒂𝒙 )
𝑰𝒓𝒄𝒄
A eq. 5.18 permite calcular o factor de idealidade do díodo
apenas em função dos parâmetros característicos da célula
fornecidos pelos fabricantes. Este modelo considera o factor m
como constante. O modelo de um díodo e três parâmetros (m,
I0, IS) é completado com a eq. 5.16.
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Capítulo V. Central Solar
5.2. Modelo matemático de um díodo e três parâmetros
Curva I-V de uma célula típica de silício cristalino; resultados experimentais; condições de referência:
θr = 25 ºC, Gr = 1000 W/m2; A = 0,01 m2
Fonte: Manual de apoio
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