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A figura ilustra a
variação da curva
I-V com a
temperatura para
a célula
fotovoltaica de
silício cristalino
A figura b) ilustra
a variação da
curva I-V com a
radiação incidente
para a célula
fotovoltaica de
silício cristalino
Onde:
𝑰𝟎 - corrente inversa máxima de saturação do díodo
D – constante.
ε – hiato do silício: ε = 1,12 eV
m’ – factor de idealidade equivalente, m’= m/NSM em que
NSM é o número de células ligadas em série
T – temperatura da célula em K
VT – potencial térmico em V
𝑽+𝑰∙𝑹𝒔 𝑽 + 𝑰 ∙ 𝑹𝒔
𝑰 = 𝑰𝒔 − 𝑰𝑫 − 𝑰𝑷 = 𝑰𝒔 − 𝑰𝟎 𝒆 𝑹𝑷 −𝟏 − (eq.5.22)
𝑹𝑷
O silício monocristalino
É o material mais usado na composição das células
fotovoltaicas, atingindo cerca de 60% do mercado.
A uniformidade da estrutura molecular resultante da
utilização de um cristal único é ideal para potenciar o
efeito fotovoltaico.
O rendimento máximo atingido em laboratório ronda
os 24%, o qual em utilização prática se reduz para
cerca de 15%.
O silício amorfo
d) Módulo fotovoltaico.
Fonte: Manual de apoio
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Capítulo V. Central Solar
𝑮 𝒓
𝑰𝒎𝒂𝒙 = 𝒓 ∙ 𝑰𝒎𝒂𝒙 (eq.5.23)
𝑮
𝑷𝑨𝑪
𝜼𝒊𝒏𝒗 = (eq.5.26)
𝑽𝒎𝒂𝒙 ∙ 𝑰𝒎𝒂𝒙 Onde:
PAC é a potência entregue à rede.
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Capítulo V. Central Solar
5.6. Aplicações ligadas a rede
Onde: 𝒊=𝟏
𝜂𝑖𝑛𝑣 - Rendimento de MPPT + inversor;
n – números de períodos de tempo considerado;
Δt – Intervalo de tempo considerado;
Pmax(G,T) – potência máxima do módulo em função da radiação solar
incidente e da temperatura da célula no intervalo de tempo
considerado.
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Capítulo V. Central Solar