CAPITULO 01 ELETRNICA DE POTNCIA

1.1 O que Eletrnica de Potencia?

a rea da eletrnica que se preocupa no processamento da energia eltrica
visando obter maior eficincia, menores perdas no processo de converso de
energia; baseando se na utilizao de semicondutores operados regime de
chaveamento, para realizar o controle do fluxo de energia entre fontes e cargas.

1.2 Qual o Mtodo mais eficiente para controle da potencia eltrica?

aquele com uso de chaveamento como dispositivos de controle.

1.3 Qual a desvantagem do uso de um Reostato para controle de Potencia

Eltrica entregue a uma carga?
a baixa eficincia, aumentando as perdas de energia devida o aquecimento do
reostato.

1.4 Explique porque uma chave superior a um reostato para controle de

potencia eltrica entregue a uma carga?
devido a perda de potencia na chave ser menor que no reostato, no havendo
dissipao de potncia, no ocorrendo perdas.

1.5 Um Reostato de 20 est ligado a uma carga resistiva de 30 . Se a fonte

de tenso for de 120 V. Determine a potencia dissipada pelo reostato?

dados:
reostato = 20 (rt)
resistencia de carga= 30 (rl)
vcc= 120 v
potencia dissipada reostato (p.r)?

clculo da corrente do circuito (i)

v=r x i
I = = = = 2,4 A
= I x RT = 2, 4 x 20 = 5, 76 x20 = 115, 20 Watts.
Uma chave controla um aquecedor de 20 conectado a uma fonte AC de 208 V.
Se a chave estiver ligada. Determine a potncia consumida pelo aquecedor e
pela chave?

VL= 208 V
RL = 20
Pot.Aquecedor = = = = 2,163 Kw

Pot.Chave = 2,163 Kw

1.6 Repita o problema 1.6 se a chave estiver desligada?

= 0 W, Pois a tenso na carga L=0 V.

1.7 Uma chave ideal controla uma carga de 20 conectada a uma fonte AC de
120 V. Se a chave estiver ligada por 20% do tempo, Determine a potencia
consumida pela carga?
Calculo com a chave fechada 20% do tempo.
VL= 120 V
20% de VL = 0,2x120 v= 24 V
RL = 20
PL = = = =28,80 W

1.8 A figura 1.8 mostra uma chave ideal sem perdas por chaveamento. Se a
queda de tenso no estado ligado for de 2,0 v e a corrente de fuga for de 1mA.
Calcule a perda de potencia na chave quando ela estiver:
A) LIGADA

IC= = 9,8 A (corrente de conduo do circuito)

Calculo da perda de potencia durante o estado ligado ()

()= 2,0 V x 9,8 A = 19,6 W

B) DESLIGADA

CALCULO DA PERDA DE POTENCIA DURANTE O ESTADO DESLIGADO ()

() = 2,0 V x 1mA = 2 V x 10-A = 0,002w=2 mW (Desprezvel)

1.9 Enumere as caractersticas de uma chave ideal.

A) LIGA E DESLIGA INSTANTANEAMENTE
B) QUANDO EST DELSIGADA, A QUEDA DETENSO NULA.
C) QUANDO EST ABERTA, A CORRENTE QUE ATRAVESSA NULA.
D) NO DISSIPA POTNCIA
E) QUANDO EST FECHADA, DEVE SUPORTAR CORRENTES ALTAS.
F) QUANDO EST ABERTA, DEVE SUPORTAR TENSES ELEVADAS.
G) QUE UTILIZE POUCA POTNCIA PARA CONTROLE DE OPERAO.
H) QUE SEJA ALTAMENTE CONFIVEL.
I) QUE SEJA LEVE E PEQUENA.
J) QUE TENHA BAIXO CUSTO.
K) QUE NO PRECISE DE MANUTENO.

1.10 Enumere algumas aplicaes comuns da eletrnica de potencia nas

seguintes reas.
A) RESIDENCIAL: ACIONAMENTO DE ILUMINAO
B) INDUSTRIAL: AQUECIMENTO INDUTIVO, ACIONAMENTO DE BOMBAS E
MOTORES.
C) COMERCIAL: ACIONAMENTO DE ELEVADORES, NOBREAK.
D) SISTEMA DE ENERGIA ELETRICA: TRANSMISSO EM ALTAS TENSES
CC; FONTES DE ENERGIA ALTERNATIVA (VENTO, SOLAR, ETC..). E
ARMAZENAMENTO DE ENERGIA.
E) TELECOMUNICAES: FONTES DE ALIMENTAO CC
F) AEROESPACIAL: SISTEMA DE ALIMENTAO DE SATLITES E SISTEMA
DE ALIMENTAO DE NAVES.
G) TRANSPORTE: METR, CARGAS DE BATERIAIS...

1.11 Se a fonte de tenso, na figura 1.8, for de 150 V e a resistncia de carga for
de 1. Calcule a perda na conduo, a perda por chaveamento e as perdas
totais para os ciclos de trabalhos e para as frequncias dadas na tabela 1.2.
Considere VCE (sat)=1,1 V, (On)= 1,0 S e (Off) = 1,5 S

a) Para F=1 KHz e 20 %

- Perdas por conduo
VCE (sat)= 1,1 v
VS=150 v
ICmax= = 150 A

() = x Imaxx d = 1,1 v x 150 A x 0,2 = 33 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

- Perda Total (Pt)

= + = 33 w + 9,375 = 42,375 1,86 = 34,62 w

b) Para F=1 KHz e 50 %

- Perdas por conduo

() = Imax x d = 1,1 v x 150 A x 0,5 = 82,5 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

- Perda Total
= + = 82,5 w + 9,375 w = 91,875 w

c) Para F=1 KHz e 75 %

- Perdas por conduo

() = ICxd = 1,1 v x 150 A x 0,75 = 123,75 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

- Perda Total
= + = 123,75 w + 9,375 w = 133,125 w

d) Para F=2 KHz e 20 %

- Perdas por conduo
() = ICxd = 1,1 v x 150 A x 0,2 = 33 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 2x= 18,75w

- Perda Total.
= + = 33w + 18,75w = 51,75 w

e) Para F=2 KHz e 50 %

- Perdas por conduo
() = ICxd = 1,1 v x 150A x 0,5 = 82,5 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 2x= 18,75w

- Perda Total.
= + = 82,5 w +18,75 =101,25 wf) Para F=2 KHz e 75 %
- Perdas por conduo
() = ICxd = 1,1 v x 150A x 0,75 = 123,75 w
- Perdas por chaveamento
= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 2x= 18,75w
- Perda Total.
= + = 123,5 w + 18,75 w = 142,5 w

1.12 Se a fonte de tenso, na figura 1.6, for de 120 v e a resistncia de carga for
de 10. Calcule a perda por chaveamento quando = 1,0 S e quando o transistor
passar de desligado para ligado e vice-versa com uma frequncia de 5,0 KHZ.

CALCULO DA CORRENTE DO CIRCUITO

= = = 12 A

CALCULO DA POTENCIA POR CONDUO

= VCEsat x = 1,1 x 12 =13.2 W

CALCULO DA PERDA DE ENERGIA DURANTE O ACIONAMENTO

= x VCE max x Imax x = 120 x 12x1,0 x = 480 .J

CALCULO DA PERDA DE ENERGIA DURANTE O DESLIGAMENTO

= x VCE max x Imax x = 120 x 12x1,0x = 480 .J

CALCULO DA PERDA TOTAL DE ENERGIA

= + =2 x 480 .J=960 .J

CALCULO DA PERDA MDIA DE POTNCIA DURANTE O CHAVEAMENTO

= x VCE max x Imax x . F= x 120 v x 12 x (1,0 x )x 5x= 2,4 w

CAPITULO 02 DIODOS DE POTNCIA

2.1 Que tipo de semicondutor utilizado em diodos de potncia?

R- So feitos normalmente de germnio e de silcio.
2.2 Quais as vantagens principais do diodo de silcio?
R Suportam maiores correntes e temperaturas tendo uma resistncia reversa
maior.
2.3 Qual a condioque polariza diretamente um diodo?
R Quando a tenso no anodo mais positiva que no catodo, nesta condio o
diodo est diretamente polarizado, podendo conduzir corrente com pequena
queda de tenso em seus terminais.
2.4 Qual a condio que polariza inversamente um diodo?
R Quando a tenso no catodo mais positiva que no anodo, diz que o diodo
est inversamente polarizado, bloqueando assim o fluxo de corrente.
2.5 Qual a tenso nos terminais de um diodo ideal diretamente polarizado?
R Zero.
2.6 Desenhe um circuito chave equivalente para um diodo diretamente
polarizado.

2.7 Desenhe um circuito chave equivalentes para um diodo inversamente

polarizado.
2.8 Defina o valor da PIV de um diodo.
E a tenso mxima inversa que pode ser ligada nos terminais de um diodo sem
ruptura, se for excedido o diodo conduz inversamente e ser danificado.

2.9 Como testar um diodo com um ohmimetro?

R Ligando o ohmimetro de tal modo que polarize o diodo diretamente havendo
leitura de baixa resistncia, invertendo a polaridade do ohmimetro dever haver
leitura infinita de resistncia ou circuito aberto. (DIODO OK). Para os casos de
resistncia infinita de ambos os lados medidos (DIODO ABERTO OU
DEFEITUOSO), para os casos de leitura de baixa resistncia em ambos os lados
do diodo (DIODO EM CURTO CIRCUITO OU DEFEITUOSO)
2.10 No circuito mostrado na figura 2.19determine Id. Qual a tenso inversa
mxima nos terminais do diodo?

Tenso mxima inversa = 15 V (tenso da fonte).

CAPITULO 03 TRANSISTORES DE POTNCIA
3.1 Faa uma lista dos terminais de um transistor bipolar de juno.
Coletor (C), Base (B) e Emissor (E).
3.2 Descreva como as junes base-emissor e coletor-base devem ser
polarizadas para um BJT passar ao estado ligado.
A juno base- emissor est diretamente polarizado, enquanto a juno coletor-
base fica polarizada inversamente.
3.3 Descreva como as junes base-emissor e coletor-base devem ser
polarizada para um BjT passar ao estado deligado.
Tanto a juno base-emissor quanto enquanto a juno coletor-base fica
polarizada inversamente.
3.4 Qual terminal fica com a tenso mais negativa em um transmissor PNP?
Emissor(E)
3.5 Dentre os terminais de um BJT, quais os dois que atuam como um contato
de uma chave?
Base(B) e Emissor(E)
3.6 Dentre os terminais de um MOSFET, quais os dois que atuam como contato
de uma chave?
Porta (G) e Fonte (-S)
3.7 Dentres os terminais de um UjT, quais os dois que atuam como terminais de
controle ?
Emissor (E) e Base (B)
3.8 Para que usado o terminal B2 em um UJT ?
Para polarizao do dispositivo
3.9 Na figura 3.4 , Vcc = 200 v, RC = 20 , =20, Vce(sat) = 1,0 v e Vbe(sat) =
1,2 v determine:
a) O valor mnimo de Ib necessriopara assegurar o estado ligado saturado.
IC= = = 9,95 A
b) A perda de potencia no estado ligado do transistor.
Pon = VCE x IC = 1,0 x 9,95 = 9,95 w
3.10 Na figura 3.4 , Vcc = 200 v e Rc = 20 . O BJT passa para o estado ligado
e para o desligado com frequncia de 5 khz, tsw(on) = 1s e tsw(off) = 1,5 s.
Determine as perdas de potencia por chaveamento.
ICmax = = = 10 A
- Perdas por chaveamento

= x Ima x = x200 v x 10 x =333,3 x j

= x ICma x = x200 v x 10 x 1,5 x 0=500 x j

= + = 333,3 x j + 500 x j =833,3 x j

= x F x d= 833,3 x j x 5000 Hz = 4,16 w

3.11 Uma chave BJT controla potencia DC para uma carga resistiva de 5 . A
fonte de tenso DC Vs = 120 V, Vce (sat) = 1,2 V, Vbe(sat) = 1,5 V, a resistncia
de base de 1,5 e tenso de polarizao de base Vbb = 5 v. Se a frequncia
for de 5 khz com tsw(on) = 1 s tsw(off) = 1,5 s, determine:
a) ?
IC= = = 23,76 A IB= = = 75,66 A
= = = 0,314
b) A perda de potencia no BJT.
ICmax = = = 24 A
- Perdas de Potencia
= x Ima x = x120 v x 24 x =480 x j

= x ICma x = x120 v x 10 x 1,5 x 0= 720 x j

= + = 480 x j + 720 x j =1200 x j

= x F x d= 1200 x j x 5000 Hz = 6,0 w

3.12 Uma chave BJT controla potencia DC para uma carga resistiva de 5 . Se
a fonte de tenso DC Vs = 120 V, Vce (sat) =1,2 V, e o tempo de ligao for de
1 s, determine:
a) As perdas dp BJT no estado ligado.
IC = = = 24 A
Pon = VCE(sat) x IC = 1,2 x 24 = 28,8 w
b) A perda de energia no BJT durante o tempo de ligao da chave.
- Perdas de Potencia
= x ICma x = x120 v x 24 x 0=480 x j

3.13 Na figura 3.4, Vcc = 200 V , Rc = 20 , Rb = 5 , = 30 e Vbe = 0,6 V

quando a chave esta ligada. Determine a tenso mnima de entrada necessria
para ligar a chave.

3.14 Na figura 3.4, Vcc = 300 V , Rc = 20 . O BJT passado para estado ligado
e desligado com uma frequncia de 2 khz, sendo tsw(on) = 10 s, tsw(off) = 1,2
s e Vce(sat) = 1,6 V. Determine as perdas totais de potencia por chaveamento.
ICmax = = = 15 A
- Perdas de Potencia
= x Ima x = x300 v x 15 x 10x 0=7,5 x j

= x Ima x = x300 v x 15x1,2 x =0,9 x j

= + = 7,5 x j + 0,9 x j= 8,4 x j

= x F x d= 8,4 x j x 2000 Hz = 16,8 w

3.15 Uma chave MOSFET controla a potencia para uma carga de 5 . A fonte
de tenso DC Vs = 120 v, RDs(on) = 0,1 , a frequncia de chaveamento de
25 Khz ton=150 ns e o ciclo de trabalho igual a 0,6 . Determine:

a) A Perda de energia durante o estado ligado

ID = = = 23,53 A
- Perdas de Energia
= ID x RDs(on) x = (23,53) x0,1 x 150x = 8,3 x j

b) A Perda de potencia na chaveno estado ligado

= x F = 8,3 x j x 25000 Hz =0,2 w

3.16 Uma chave IGBT controla a potencia para uma carga de 15 . A fonte de
tenso DC Vs = 440 v, VCE(sat) = 1,5 v, a frequncia de chaveamento de 2
Khz, ton=20 ns e o ciclo de trabalho igual a 0,6 . Determine:

a) O Valor nominal mnimo de corrente do IGBT

ICmax = = = 29,2 A
IC(avg) = IC(max) x d = 29,2 x 0,6 = 17,54 A

b) A Perda de potencia no estado ligado

= VCE x IC(avg) = 1,5 x 17,54 = 26,31 w

c) A Perda de potencia na ligao da chave

= VCC x IC(max) x ton x fsw = 440 x 29,2 x 20 x j x 2000 Hz =0,08 w

CAPITULO 04 DISPOSITIVOS TIRITORES

4.1 Qual a principal diferena entre um diodo e um SCR?
que o SCR possui um terceiro terminal denominado de Gatilho, que usado
para controle, atravs do qual se aplica um pulso que provoca o "disparo" do
dispositivo.
4.2 duas condies devem ser atendidas para fazer com que um SCR passe
para um estado ligado. Quais so elas?
So elas: Que o SCR esteja polarizado diretamente e que a sua porta (Gatilho)
receba uma corrente positiva
4.3 Que efeito tem a corrente de porta no SCR depois que o dispositivo passa
ao estado ligado?
Depois que o SCR recebe a corrente na porta, a mesma no ter mais nenhuma
finalidade.
4.4 Como varia a tenso de disparo com a corrente de porta?
Quando o SCR estiver polarizadodiretamente, uma pequena corrente direta
denominada de corrente no estado desligado flui pelo dispositivo. Essa regio
da curva, conhecida como regio de bloqueio direto. Entretanto, se a polarizao
direta for aumentada at que a tenso do anodo alcance um limite crtico
denominado de tenso de disparo direta (Vfbo), o SCR passa para o estado
ligado. A Tenso do SCR cai ento para um valor baixo entre 1 a 3 v e a corrente
aumenta no mesmo instante limitada apenas pelos componentes em srie ao
SCR.
4.5 Como passar um SCR ao estado ligado quando o terminal da porta estiver
aberto?
Quando a Juno Porta-Catodo estiver polarizada diretamente, o SCR passar
para o estado ligado.
4.6 Que requisitos devem ser atendidos pelo circuito de acionamento de porta?
Que o SCR esteja polarizado diretamente e sua corrente positiva da porta no
ultrapasse os limites de sua regio de operao.
4.7 Explique a operao de um SCR usando o modelo de dois transistores.
Pode-se representa um SCR como dois transistores separados e
complementares, um NPN (Q1) e Outro PNP (Q2). O coletor de Q1 a base do
Q2 e a base de Q1 o coletor de Q2. Uma tenso positiva na porta polariza
diretamente a juno base-emissor do transistor Q1, passando-o para o estado
ligado. Isso possibilita a passagem de corrente atravs do coletor do NPN. Se o
Anodo do SCR estiver positivo, a juno emissor-base do PNPestar
diretamente polarizada, passando para o estado ligado. Na prtica o PNP suprir
o NPN com sua corrente de base para que ambos os transistores entrem em
processo de saturao. A retirada da tenso da porta, no far com que o SCR
passe para o estado desligado at que a corrente principal (anodo para catodo)
seja interrompida.
4.8 Determine os valores mdios e RMS na forma de onda de corrente mostrada
na figura 4.6 usando o mtodo de aproximao Im = 80 A, To = 4ms e T = 20
ms.
Calculo dos valores RMS da corrente
IRMS = = = 35,77 A
Clculo dos Valores Mdio da Corrente
Iavg = = = 16 A
4.9 Determine a corrente RMS de um SCR quando a corrente media DC for de
80 A, com um ngulo de conduo de 20.
Usando a tabela 4.2, Para = 20, temos que fo= 5,0 Fator de Forma
Irms = fo x Iavg = 5 x 80 = 400 A
4.10 Determine a corrente RMS de um SCR quando a corrente media DC for de
120 A, com um ngulo de conduo de 40.
Usando a tabela 4.2, Para = 40, temos que fo= 1,8 Fator de Forma
Irms = fo x Iavg = 1,8 x 120 = 216 A
4.11 Faa um esboo da forma de onda da corrente de sada de um SCR que
controla uma carga quando VDRM for ligeiramente excedido, o que provocar o
disparo sem qualquer acionamento na porta.

4.12 Quando a corrente sustentao de um SCR maior, a -30C ou a +30C?

Maior em +30C
4.13 Defina IH. Quando acorrente de sustentao cria um problema?
a corrente mnima de Anodo para manter o SCR em conduo, denominada
de corrente de sustentao. Ocorrer um problema se esta corrente sofrer uma
reduo para valores abaixo do valor crtico.
4.14 Explique o significado do valor nominal di/dt de um SCR. O que dever
ocorrer com um SCR quando (di/dt)max for ultrapassado? Como esses efeitos
podem ser reduzidos?
a taxa de subida crtica da corrente no estado ligado em um determinado
intervalo de tempo, bastante pequeno, que o fabricante estabele para que o SCR
trabalhe em um valor seguro. Se este valor for ultrapassado o SCR ser
danificado. E para evitar esse problema devemos colocar uma indutncia em
srie com o dispositivo para se opor as variaes de correntes, amortecendo a
corrente de subida do anodo.
4.15 Explique o significado do valor nominal dv/dt de um SCR. O que dever
ocorrer com um SCR quando (du/dt)MAX for ultrapassado? Como esses efeitos
podem ser reduzidos?
a taxa de subida crtica da tenso no estado desligado em um determinado
intervalo de tempo. Se este valor for ultrapassado, poder vir a queimar o
dispositivo SCR. Para evitar estes problemas, usamos um circuito RC
(SNUBBER) que ir se opor a variao de tenso no dispositivo, evitando a sua
queima.
4.16 Determine o valor mnimo da indutncia L em serie necessria para proteger
m SCR contra um di/dtexcessivo. O dispositivo tem um valor nominal di/dt de 10
A /us e a fonte de tenso AC de 220 V.
L = = = 22uF

4.17 Por que um snubber necessrio em um Tiristor? Esboce um circuito

snubber e explique como ele funciona:
O circuito snubber necessrio para evitar disparos no programados devido s
valores altos de dv/dt. Quando o SCR estive no estado desligado, o capacitor
carregara positivamente. Quando o SCR passar para o estado ligado, o capacitor
descarregar e se somar ao dv/dt. Portanto, uma pequena resistncia( Rs)
acrescida em srie com o capacitor para amortecer a descarga e para limitar a
corrente transitria de passagem para o estado ligado.

4.18 Determine os valores de um circuito snubber RC quando o SCR tiver os

seguintes valores nominais:
VDRM 200 V
(dv/dt)max 200 V/s
(di/dt)max 100 A/s
RL - 10
T= = = 1us = 1x s
C= = = 0,1 uF
Rs = = = 1,414 m
4.19 Qual a diferena entre um SCR do tipo inversor e um SCR do tipo controle
de fase?

4.20 Desenhe quatro SCRs em srie o circuito externo para equalizar as tenses.

4.21 Descreva os vrios mtodos usados para o SCR passar ao estado ligado.
- Por Pulso no Gate (Gatilho)
- Por sobre tenso
- Por Aumento da temperatura
- Por disparo de dv/dt
- Por luz ou Radiao

4.22 Descreva os vrios mtodos usados para o SCR passar ao estado

desligado em circuito DC.- Desviando a corrente de anodo por um caminho
alternativo
- Curto-circuitando o anodo e catodo do SCR
- Aplicando uma tenso inversa (polarizando o SCR inversamente)
- Forando a corrente de anodo a cair a zero por um perodo breve
- Abrindo o caminho externo proveniente da tenso de alimentao do anodo
- reduzindo azero, por um momento, a tenso de alimentao.
4.23 Desenhe os smbolos de um Triac e identifique seus terminais.

MT1 Terminal Principal 1; MT2 - Terminal Principal 2 G- Gate

4.24 Esboce a curva caracterstica V-I de um Triac

4.25 Enumere os quatro modos operacionais de um Triac.

Modo de Operao
Tenso entre MT2 e MT1
Tenso entre a Porta e MT1
Primeiro
Positivo
Positivo
Segundo
Positivo
Negativo
Terceiro
Negativo
Positivo
Quatro
Negativo
Negativo

4.26 Desenhe o smbolo de um Diac e identifique seus terminais.

A1= Anodo 1 e A2 = Anodo 2

4.27 Esboce a curva caracterstica V-I de um Diac.

4.28 Descreva a operao de um GTO.

R- O Tiristor de desligamento por Porta (GTO) uma chave semicondutora de
potencia que passa para o estado ligado como um SCR normal, isto , com um
sinal positivo na porta, sendo que este permanecer ligado mesmo que o sinal
da porta for removido. Alm disso, pode passar para um estado desligado por
meio de uma corrente de portanegativa, sendo que este permanecer desligado
at que um sinal positivo for aplicado a sua porta novamente. Ou seja, tanto em
operaes em estado ligado com em estado desligado so controlados pela
corrente da Porta.
4.29 Qual a vantagem principal do GTO sobre o SCR convencional?
A principal vantagem de um GTO a sua caracterstica de chaveamento, pois o
tempo de ligao semelhante ao SCR, mas o desligamento muito menor.
Isso permite o uso desses dispositivos em aplicaes de altas velocidades.
4.30 Desenhe o smbolo de um MCT e identifique seus terminais.

4.31 Descreva a operao de um MCT.

Um SCR combinado com dois Mosfet para formar o MCT, onde os dois
MOSFET tem o mesmo terminal de porta, que a porta do MCT, alm do mesmo
terminal da fonte que o anodo do MCT. O Mosfet Qoff, canal N, passa o SCR
para o estado desligado, enquanto que o Mosfet Qon, canal P, passa o SCR
para o estado ligado. Quando a tenso porta-anodo de -5V, Qon passa para o
estado ligado e fornece corrente de porta para o SCR. Isso faz com que o
dispositivo passe para o estado ligado. O MCT passa para o estado desligado
com aplicao de tenso portaanodo de aproximadamente de +10 v, a qual
passa Qoff para o estado ligado. Isso desvia a corrente do SCR e o faz passar
para o estado desligado.
4.32 Esboce a curva caracterstica V-I de um MCT.