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Semicondutores: Transistores – E- MOSFETs

MOSFE

Ts

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs MOSFE Ts Não concordo com o acordo ortográfico 6/22/16 Por
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs MOSFE Ts Não concordo com o acordo ortográfico 6/22/16 Por
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs MOSFE Ts Não concordo com o acordo ortográfico 6/22/16 Por

Não concordo com o acordo ortográfico

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Tipos de Transistores

PNP

BJTs

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Tipos de Transistores

Canal P

NPN

JFET

Canal N

Canal P

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Tipos de Transistores

MESFET

FETs

Enriquecimento

Canal N

MOSFET

Canal P

Deplexão

Canal N

BJT: Transistores bipolares de junção (Bipolar Junction Transistor)

FET: Transistores de efeito de campo (Field Effect Transistor).

JFET: Transistores de efeito de campo de junção (Junction Field

Effect Transistor).

MESFET: Transistores de efeito de campo de metal semiconductor.

(MEtal Semiconductor Field Effect Transistor).

MOSFET: Transistores de efeito de campo de metal-óxido-

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Tipos de Transistores

6/22/16

semiconductor. Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Por : Luís Timóteo

2

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Símbolos de Transistores

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Símbolos de TransistoresTransistor , bipolar , NPN Transistor , bipolar , PNP Transistor , JFET , Canal-N Transistor , JFET , Canal-P Transistor , MOSFET , Canal-N , Modo Deplexão Transistor , MOSFET , Canal-N , Modo Enriquecimento Transistor , MOSFET , Canal-P , Modo Deplexão Transistor , MOSFET , Canal-P , Modo Enriquecimento 6/22/16 Por : Luís Timóteo 3 " id="pdf-obj-2-54" src="pdf-obj-2-54.jpg">

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFETS de Enriquecimento e de Deplexão

Comparação de símbolos e canais

Deplexão Enriquecimento Deplexão
Deplexão
Enriquecimento
Deplexão

Enriquecimento

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFETS de Enriquecimento

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

O

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-

Semicondutor MOSFET

Transistor

MOSFET

-

É

o

mais importante componente

semicondutor fabricado actualmente. O MOSFET, que em grande parte

substituiu o JFET, teve um efeito mais profundo sobre o

desenvolvimento da electrónica, foi inventado por Dawon Kahng e

Em Martin 2009 Atalla, foram em fabricados 1960. cerca de 8 milhões de transistores MOSFET

para cada pessoa no mundo; esse número dobrou em 2012.

Possuem elevada capacidade de integração, isto é, é possível fabrica-

los nas menores dimensões alcançáveis pela tecnologia empregada.

São componentes de simples operação e possuem muitas das

características eléctricas desejáveis para um transistor, especialmente

para MOSFET: aplicações Transistor digitais. de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor

(do inglês, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor);

São transistores formados pela associação entre um condutor, um

isolante óxido e semicondutores tipo p e n (um deles fortemente

dopado). Assim como o JFET, o seu princípio de funcionamento baseia-se no

controlo do canal pela condução entre os terminais fonte (S) e dreno

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  O  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Transistores

5

(D) através da porta de controlo (G).

6/22/16

Por : Luís Timóteo

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

De acordo com o tipo de canal, os MOSFETs podem ser classificadas

como:

MOSFETs

Canal N

  • Tipo Enriquecimento (E-MOSFET). Tipo Deplexão (D-MOSFET).

Canal P

  • Tipo Enriquecimento (E-MOSFET). Tipo Deplexão (D-MOSFET).

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFETS de Enriquecimento e de Deplexão

Comparação de símbolos e canais

D D Canal N S S Tipo Tipo Enriquecimento Deplexão D D Canal P S S
D
D
Canal N
S
S
Tipo
Tipo
Enriquecimento
Deplexão
D
D
Canal P
S
S
Tipo
Tipo

Enriquecimento

Deplexão

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Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs MOSFETs MOSFETS de Enriquecimento e de Deplexão – Metal Comparação de símbolos e canais S
MOSFETs
MOSFETs
MOSFETS de Enriquecimento e de Deplexão –
Metal
Comparação de símbolos e canais
S
G
D
S
G
D
E-MOSFET
Óxido
D-MOSFET
Enriquecimento (n)
Deplexão (n
Semiconductor
n
n
n
n
Metal
p
p

Formado por uma placa de metal e um

semicondutor, separados por

uma zona de óxido de semicondutor - por exemplo SiO 2 - de uns 100 nm

de espessura. Possui quatro eléctrodos:

 Porta, (Gate em inglês), simbolizada com G; que se conecta á placa metálica. Fonte (Source)
 Porta, (Gate em inglês), simbolizada com G; que se conecta á placa
metálica.
Fonte (Source) e Dreno (Drain), ambos simétricos, que se integram no
D
D
D
substrato.
D
Substrato (Body), geralmente conectado electricamente com a fonte.
substrato
substrato
substrato
G
substrato
G
G
G
p
n
p
n
nMOS-FET
de Enriquecimento
pMOS-FET
de Enriquecimento
nMOS-FET
pMOS-FET
de Deplexão
S
S
de Deplexão
S
S

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de Enriquecimento E-MOSFET -

A distinção

Simbologia

entre os terminais do canal continua

a

ser

feita pela

conexão do substrato (SS) a um dos terminais, que passa a ser

Em denominado dispositivos o terminal discretos, fonte a (S). dissipação térmica continua a ser feita

através do terminal de Dreno (D).

D G S
D
G
S

G

G
G
D S
D
S

G

D G S
D
G
S

Substrato

Substrato

D/S

D/S

SSSubstrato

Canal n

SSSubstrato

Canal p

S/D

S/D

D G S
D
G
S

O MOSFET tem 3 ou 4 terminais: G, D, S e B (de 'bulk' ou substrato) mas o B está normalmente ligado à fonte (Source) S. Caso tenha dissipador, é ligado ao Drain (Dreno) Pode ser do tipo NMOS (tipo N) ou PMOS do (tipo P).

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Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Encapsulamentos….

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Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

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MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n)

Estrutura

O MOSFET de enriquecimento é fabricado sobre um substrato tipo p,

onde são criadas duas regiões fortemente dopadas tipo n (Fonte – S e

Dreno – D). Uma fina camada de dióxido de silício (isolante) é crescida

sobre a superfície do substrato, cobrindo a área entre as regiões da

Fonte e Dreno. São feitos contactos de metal Gate (G) para as regiões da Fonte, Source
Fonte e Dreno. São feitos contactos de metal Gate (G) para as regiões da Fonte,
Source (S)
Oxide
Drain (D)
Dreno, Porta e Corpo.
(SiO 2 )
Metal
n +
Área do canal
n +
Semiconductor Tipo-p
Substrato (corpo)
(SS )Corpo(Body)

MOSFET Enriquecimento – O canal não existe e tem de ser criado

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

Por : Luís Timóteo

11

-> VT> 0

6/22/16

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

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MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n)

 Estrutura S G D Metal W Óxido (S i O 2 ) n + n
 Estrutura
S
G
D
Metal
W
Óxido
(S i O 2 )
n +
n +
L
Região Source
Canal
Substrato
tipo –P
(Corpo)

Região Drain

Source(S) Gate(G) Drain (D) Metal Óxido (S i O 2 ) n+ Canal n+ L Substrato
Source(S) Gate(G)
Drain (D)
Metal
Óxido (S i O 2 )
n+
Canal
n+
L
Substrato tipo –P
(Corpo)
 L = 0.1 to 3 m

W = 0.2 to 100 m

T ox = 2 to 50 nm

Estrutura física de um transistor MOSFET canal N enriquecimento:

Dimensões típicas L = 0.1 a 3 m, W = 0.2 a 100 m, e

a espessura do

óxido (T ox ) é na ordem de

2 a 50nm.

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MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n)

Estrutura

Metal

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Met SiO 2 S al G D N + N + P - + Substrato
Met
SiO 2
S
al
G
D
N +
N +
P -
+
Substrato

Contactos

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G D N + P - N +
G
D
N +
P -
N +

S

metálicos

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Óxido

Semiconducto

Símbolo

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D

Substrato

S

MOSFET de

enriquecimento

(acumulação) de canal N.

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MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Criação do Canal entre Dreno

Análise para VGS = 0V e

(D)  Consideremos e Fonte (S) um MOSFET canal VDS ≈ 0V n, tipo Enriquecimento (ou
(D)
Consideremos
e Fonte (S)
um
MOSFET
canal
VDS ≈ 0V
n,
tipo
Enriquecimento (ou
intensificação), com o substrato (SS) conectado á fonte (S), polarizado
por uma tensão V DS (entre D e S) e outra V GS (entre G e S).
 Ov
+
n
+
n +
Região de deplexão do substrato
 Como não existe um canal condutor entre as regiões dos terminais S
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-

e D, o que prevalece são duas junções pn inversamente polarizadas.

A resistência entre D e S é da ordem de 10 12 Ω.

A corrente no canal é desprezível (da ordem de pA

a nA).

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6/22/16

Por : Luís Timóteo

14

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

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MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Criação do Canal entre Dreno

(D) e Fonte (S)

Análise para VGS 0V e

VDS 0V

Etapa # 1: A tensão positiva VGS, é aplicada ao terminal de Porta (G),

causando um acumular de cargas positivas ao longo do eléctrodo de

metal.

 Ov + V GS + n + n +
 Ov
+
V GS
+
n +
n +

Etapa # 2: Este “acumular“ de cargas positivas, faz com que as lacunas

livres do substrato p, por debaixo do eléctrodo da Porta (G), sejam

repelidas da região.

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Criação do Canal entre Dreno

Análise para VGS 0V e

(D) e Fonte (S)

VDS 0V

Etapa # 3: Como resultado desta "migração“, aparecem cargas

negativas, antes neutralizadas pelas lacunas

livres. +  Ov V GS + n + n +
livres.
+
 Ov
V GS
+
n +
n +
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Etapa # 4: A tensão positiva da Porta (G) também atrai electrões das

regiões n + do Dreno-Fonte, para o canal.

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MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Criação do Canal entre Dreno

Análise para VGS 0V e

(D) e Fonte (S)

VDS 0V

Etapa # 5: Logo que atingido um número suficiente “destes” electrões,

é criada uma região – n,…. entre o Dreno (D)

Fonte (S)…

+  Ov V GS +
+
 Ov
V GS
+

e a

n + n +
n +
n +

Etapa

#

6:

Este

canal

recém formado, fornece um

caminho

para

a

corrente

fluir

entre

o

Drene

e

a

Fonte.

Este canal induzido, também é conhecido por camada de in

O valor de V GS mínimo para a formação de canal é chamado de tensão de

limiar (Threshold) e é representada por V T . Para um MOSFET canal n, V T é

positivo e tipicamente está dentro da faixa de 1 a 3 V.

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MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

É positiva para MOSFETs Tipo-n, e negativa para os do tipo -p

Criação do Canal entre Dreno

(D) e Fonte (S)

Voltagem

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(V T )

é

o

limiar

Overdrive voltage/Efectiva

menor

valor

de

v GS

necessário

(V OV ) é a

diferença entre a v GS

para formar um canal condutor

entre o Dreno (D) e a Fonte (S).

aplicada e

V

OV

V

t

.

V

GS

V

T

Tipicamente

0.6V dc .

entre

0.3

e

Efeito

de

Campo-E – Quando

uma

tensão

positiva

v GS

é

aplicada, desenvolve-se um

campo eléctrico entre o eléctrodo

da Porta (G) e o canal –n induzido

- sendo a condutividade deste

canal afectada pela intensidade

 Capacitância do óxido (C ox ) – é a capacitância da placa  OX paralela
 Capacitância do óxido (C ox ) –
é
a
capacitância
da
placa
OX
paralela
C
do
Em F/m
condensador
2
por
OX
t
unidade
de
OX
área
da
Porta(G)
(F/m 2 ).
– é permitividade do SiO 2 = 3.45E-11(F/m)
 ox
é
a espessura da camada de SiO 2 .
t ox –
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Por : Luís Timóteo

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deste campo.

6/22/16

A camada de óxido SiO actua

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MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Análise para VGSVT e VDS

0V MOSFET com V GS > V T e com uma pequena tensão

A profundidade do canal é uniforme e o dispositivo actua como

  • V DS

aplicada.

uma resistência.

A condutância do canal é proporcional à tensão efectiva, ou tensão da

Gate em excesso, (V GS - V T ).

  • V GS

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Canal n induzido

V + + DS I S =I D I D I D n + n +
V
+
+
DS
I S =I D
I D
I
D
n +
n +

A corrente de Dreno (D),

é proporcional à (V GS - V T ) e

  • V DS .

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Análise para VGSVT e VDS

0V

Corrente de Dreno I D , sob pequena tensão V DS

I D mA V GS =V T +3V V GS =V T +2V V GS =V
I D mA
V
GS =V T +3V
V
GS =V T +2V
V
GS =V T +1V
V
GS <V T
V
DS

Para V DS pequeno o canal comporta-se como uma resistência

variável.

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MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Análise para aumento

de

Com tensões V DS pequenas (<<V GS ), o canal é

VDS

Mantendo-se V GS constante, com um valor maior que VT e aumentando-

uniforme.

se V DS , observa-se que o canal induzido sofre um estreitamento e a sua

resistência aumenta correspondentemente. i G = 0  Uma vez estabelecido o canal de S G
resistência aumenta correspondentemente.
i G = 0
 Uma vez estabelecido o
canal de
S
G
D
i S = i D
i
condução (V GS ≥ V T ), a elevação da
D
n+ n+ Substrato tipo –P (Corpo) B
n+
n+
Substrato tipo –P
(Corpo)
B
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tensão

V DS

irá

provocar

o

estreitamento do canal na direcção

da região do Dreno, (Pinched-off).

O canal induzido adquire uma forma afunilada.

O Canal aumenta VDS.

a

resistência com o aumento de

A Corrente de Dreno é controlada por ambas as duas tensões (VDS/VGS).

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MOSFETs

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MOSFETs

MOSFETs

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Análise para aumento

de

Uma vez que a profundidade do canal induzido depende directamente

VDS

da quantidade de cargas negativas acumuladas abaixo do dieléctrico,

que por sua vez depende da ddp entre a Gate e o canal, deduz-se que:

Quanto maior for V DS , menor será essa ddp e;

Mais estreito o canal se tornará próximo ao dreno.

V DS V GS -

V T

G
G
S D
S
D

V DS = 0 I D =0

Quando V GD = V T ou V GS - V DS = V T , o canal fecha-se, “pinched off”.

 

A camada de inversão desaparece junto ao Dreno (D).

Mas a corrente de Dreno I D , não desaparece, fica constante (similar ao

 

6/22/16

JFET)…!

Por : Luís Timóteo

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MOSFETs

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MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Sintetizando o

Funcionamento

V GS < V T < V V GS T V DS  0 V GS
V GS < V T
<
V
V GS
T
V DS  0
V
GS
S
G
D
Óxido
(S i O 2 )
n+
n+
L
Substrato tipo –P
(Corpo)
Zona de
B
Deplexão no
Substrato
V GS >
V GS >
V V T V
V
V
T
V
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+

   

Óxido

(S O

i

)

2

V GS >

V DS 0

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GS S G D Canal tipo n induzido +++++++++++++ ------------------------ n+ n+ Substrato tipo –P (Corpo)
GS
S
G
D
Canal tipo n
induzido
+++++++++++++
------------------------
n+
n+
Substrato tipo –P
(Corpo)
B
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Zona de

Deplexão no

Substrato

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MOSFETs

= V – – Transistores Transistores V DS V DS = V GS GS V V
=
V
– –
Transistores Transistores
V DS
V DS = V GS
GS
V
V
MOSFETs
MOSFETs
T
MOSFET de enriquecimento-  E- MOSFET (n) - Caracteristicas
i G = 0
Sintetizando o
S
G
D
Funcionamento
i S = i D
i
D
V DS 

V DS
n+
n+
V
V
(pequeno)
Substrato tipo –P
(Corpo)
i G = 0
B
S
G
D
i S = i D
i
>
V
– –
D
V DS > V GS
V DS
GS
V
V
n+
n+
T
i G = 0
Substrato tipo –P
(Corpo)
S
G
D
i S = i D
i
D
B
n+
n+
Substrato tipo –P
(Corpo)
B
6/22/16
Por : Luís Timóteo
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MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Análise para VGS V T e VDS 0V – Saturação

(Pinch-off) V DS = V GS –V T = V V DS GS –V T G
(Pinch-off)
V DS = V GS –V T
=
V
V DS
GS –V T
G
S
D
n+
n+

O

canal

induzido

ou

“camada de

Inversão” estreita-se no lado do Dreno

(D). V DS > V GS –V T > V –V T V DS GS S
(D).
V DS > V GS –V T
>
V
–V T
V DS
GS
S
G
D
V
V
DSat
D
À medida que V DS aumenta acima V GS -V T
 V DSAT , o comprimento da região estreita
L
n+
L
n+
(pinch-off), L aumenta:
A
Tensão "extra"
-
é dissipada
na
(V DS
V Dsat )
distância L.
A queda de tensão na resistência do canal induzido,
A corrente de Dreno, I D satura.
permanece
V
.
dsat

Nota: Os electrões são arrastados para o Dreno pelo campo-E, quando entram

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

região de pinch-off.

6/22/16

Por : Luís Timóteo

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Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Regiões de operação do MOSFET

A operação de um MOSFET pode assim, ocorrer em três diferentes

regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre os seus terminais.

Para o transistor NMOS os modos são:

REGIÃO DE CORTE: quando VGS < VT

VGS é a tensão entre a Porta (Gate) e a Fonte (Source) e VT é a tensão

de threshold (limiar) de condução do dispositivo. Nesta região o

transistor permanece desligado e não há condução entre o Dreno

(Drain) e a Fonte (Source).

V

GS

V

T

I

D

0

V GS=0v

V GD

n + n + + + + + + + + + + + + +
n +
n +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
+ +
-
-
-
-
-
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
-
-
-
-
-
+

Não há Canal.

IDS=0.

Com zero volts aplicados á Porta

(G), existem dois diodos back-to-

back em série entre Dreno (D) e

Fonte(S).

"Eles" evitam a condução de corrente do Dreno para a Fonte, quando é

aplicada uma voltagem VDS, produzindo resistência muito alta

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

(10 12 ohms)

6/22/16

Por : Luís Timóteo

26

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Regiões de operação do MOSFET

EGIÃO DE TRIODO (ou região linear): Quando V GS > V T e V DS < V GS – V T

Onde VDS é a tensão entre Dreno (D) e Fonte (S). O transistor é ligado, e

o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o Dreno e a

Fonte. O MOSFET opera como uma resistência, controlada pela tensão

da porta (G).

r

DS

DS

I

D

V

1 W k ' ( n L
1
W
k
'
(
n
L

V

GS

V

T

1  ) k n
1
)
k
n

'

W

L

V

OV

A corrente de Dreno é controlada

não

só por

V DS mas também por

V

A profundidade do canal muda de

GS

.

uniforme a forma afunilada no lado

do Dreno.

A corrente do dreno para a fonte é:

 C W  2  n ox I   2 V  V 
C
W

2
n
ox
I
2 V
V
V
V
D
GS
th
DS
DS
2
L
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de Enriquecimento canal n – Princípios de funcionamento

Regiões de operação do MOSFET

REGIÃO DE SATURAÇÃO:

V GD V T

I S =I D I D I DS n+ n+
I S =I D
I D
I
DS
n+
n+

V GSV T

  • V DS V GS -V T

Canal estreita-se junto ao Dreno

IDS independente de VDS.

Dispositivo satura.

Similar a uma fonte de corrente.

Se V DS > V GS - V T , então V GD < V T , e o canal fica estrangulado (pinched-

off), pois a camada de inversão, não atinge a Drain (D).

Neste caso, a condução é provocada pelo mecanismo de dispersão de

electrões sob a influência da tensão positiva da Drain (D).

Como os electrões são negativos deixam o canal, e são acelerados em

direção á Drain(D).

A Tensão através do canal estrangulado tende a permanecer fixa em

(V GS - V T ), e a corrente do canal permanece constante com o aumento

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de Enriquecimento

6/22/16

da VDS.

Por : Luís Timóteo

28

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de Enriquecimento canal n – Princípios de funcionamento

Regiões de operação do MOSFET

EGIÃO DE SATURAÇÃO: quando V GS > V T e V DS > V GS – V T

G Canal S D Saturado - + - + V DSsat =V GS - V T
G
Canal
S
D
Saturado
-
+
-
+
V DSsat =V GS - V T
V DS – V DSsat
L-L
L
L

A corrente de Dreno(D) é agora relativamente independente da tensão

de Dreno V DS e é controlada somente pela tensão da porta (V GS ) de
de Dreno V DS e é controlada somente pela tensão da porta (V GS ) de tal
forma que:
C
W
I
n
ox
I
V
V
 2
D
V
V
D
GS
T
GS
T
2
L
K

o valor da corrente deixa de aumentar, assumindo um valor constante – Zona de Saturação. O MOSFET tem comportamento de fonte de corrente.

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de Enriquecimento

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Análise para VGS V T e VDS 0V – Saturação

(Pinch-off)

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

G

S Pinched-off D channel - + - + V DSsat =V GS - V T L-L
S
Pinched-off
D
channel
-
+
- +
V DSsat =V GS - V T
L-L
L
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento
L
L
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

V DS V DSsat

Os electrões passam através da zona limitada (Pinched-off) em

alta velocidade, e a fluxo constante, assim como um jacto de água

por um orifício apertado…

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  MOSFET de enriquecimento

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET -n

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Aprendemos muito sobre MOSFETs de enriquecimento,

mas ainda não estabelecemos uma relação matemática

entre iD, VGS, ou VDS. Como podemos determinar os

valores numéricos correctos para tensões e correntes de

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

um MOSFET num determinado momento?

A

descrição

matemática

do

comportamento

do

MOSFET de

enriquecimento é relativamente simples! Nós realmente precisamos de

nos preocupar com apenas 3 equações.

Especificamente, nós expressarmos a corrente de Dreno iD, em função

de VGS e VDS, para cada um dos três modos de funcionamento do

MOSFET (Corte, Tríodo, e Saturação).

Além disso, precisamos definir matematicamente os limites entre cada

um destes três modos!

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET

Mas, primeiro, precisamos examinar alguns parâmetros físicos

fundamentais, que definem o dispositivo MOSFET. Estes parâmetros

incluem:

k ′ Parâmetro do processo de

Transcondutância [A/V 2 ].

W/L

- Relação do Aspecto físico do Canal

k′- Parâmetro do processo de Transcondutância, é uma constante que

(comprimento/largura).

depende da tecnologia de processo usado para fabricar um circuito

integrado. Portanto, todos os transistores dum determinado substrato,

irão tipicamente ter o mesmo valor deste parâmetro.

W/L - é simplesmente a proporção da largura (W) e do comprimento (L)

do canal. Este é o parâmetro do dispositivo do MOSFET, que pode ser

alterado e modificado pelo designer do circuito, para satisfazer as

especificações dum circuito ou de um transistor.

Nós também podemos combiná-las para formar um parâmetro único do

MOSFET, o Parâmetro K: 1  W    A K  k ' 
MOSFET, o Parâmetro K:
1
W 
A
K
k ' 
 ......
2
2
L
V

Agora

podemos

descrever

matematicamente o comportamento de

um MOSFET de enriquecimento. Vamos fazer um modo de cada vez.

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

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MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Modos

Corte (Cutoff)

Esta relação é muito simples, se o MOSFET está na corte, a corrente de

Dreno iD, é simplesmente de zero!

i D =0 (CUTOFF mode)

Tríodo (Triode)

Quando no modo de tríodo, a corrente de Dreno é dependente tanto

VGS como de VDS:

i

D

W  

L

 

k'

V

GS

V

T

V

DS

1

2

V

2

DS

K 2 V

GS

V

T

V

DS

V

2

DS

(TRIODE mode)

Esta equação é válida para ambos os transistores NMOS e PMOS, (se

estiverem no modo TRÍODO). Recorde-se que para os dispositivos PMOS,

os valores de VGS e VDS são negativos, mas notar que isso dará

resultado(correcto) de um valor positivo de iD.

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Modos

Saturação (Saturation)

Quando estiver no modo de saturação, a corrente de Dreno do MOSFET

é (aproximadamente), dependente unicamente de VGS:

Assim,

1 2 i  k'    W   V  V  
1
2
i
k'  
W  
V
V
K V
V
 2
(Saturation mode)
D
GS
T
GS
T
2
L
vemos
que
a
corrente
de
Dreno
iD,
na

saturação ,é proporcional ao excesso de tensão da Gate

ao quadrado!

Esta equação é igualmente válida para os dois tipos de

transistores NMOS e PMOS (se estiverem no modo de

saturação).

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

OK, então agora sabemos a expressão para a corrente de Dreno iD, em

cada um dos três Modos de funcionamento de um MOSFET, mas como

saberemos em que modo está o MOSFET?

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Limites do

Temos que determinar os limites matemáticos de cada modo. Tal como

antes, vamos fazer um modo de cada vez!

Corte (Cutoff)

Um MOSFET está no corte quando nenhum canal foi induzido. Assim,

para um dispositivo NMOS de enriquecimento:

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Se V GS -V T 0, então o NMOS está no CORTE

Similarmente, para um dispositivo PMOS de enriquecimento temos:

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Se V GS -V T 0, então o PMOS está no CORTE

Tríodo (Triode)

Para o modo tríodo, sabemos que temos um canal induzido (ou seja,

uma camada de inversão está presente).

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Limites do

Tríodo (Triode) (Cont)

Além disso, sabemos que quando em modo tríodo, a

tensão VDS não é suficientemente grande para NMOS,

ou suficientemente pequena (isto é, suficientemente

negativa) para o PMOS, para estrangular (pinch off) o

canal induzido.

quão

grande

é

que

VDS

precisa

de

ser,

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Mas

para

“estrangular” um canal NMOS? Como podemos determinar

se o estrangulamento ocorreu?

A resposta a essa pergunta é surpreendentemente simples. O canal

induzido de um dispositivo NMOS está “estrangulado” se a tensão VDS é

maior do que o excesso de voltagem da Gate!

Se

V DS

V GS
V
GS

-V T , então o NMOS está "pinched off"

imilarmente, para um dispositivo PMOS de enriquecimento temos:

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Se V DS V GS -V T , então o PMOS está "pinched off"

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

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MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Limites do

Tríodo (Triode) (Cont)

Estas condições, significam que um canal NMOS não está

estrangulado se:

E consequentemente, um canal PMOS não está

estrangulado se:

V DS V GS -V T

V DS V GS -V T

Assim, podemos dizer que um dispositivo NMOS está no modo de

TRIODO:

Se V GS -V T  0 , e V DS <V GS -V T ,
Se V GS -V T  0 , e V DS <V GS -V T , então o NMOS está no

modo TRIODO

Similarmente para um dispositivo PMOS:

Se V GS -V T  0 , e V DS V GS -V T ,
Se V GS -V T  0 , e V DS V GS -V T , então o PMOS está no modo

TRIODO

Saturação (Saturation)

Lembremo-nos de que no

induzido,

canal

e

de modo

que

de

Saturação, um canal está

esse

Assim, podemos afirmar que para um NMOS:

está “estrangulado” ( pinched off).

Se V GS -V T 0 , e V DS V GS -V T , então o NMOS está no modo

SATURAÇÂO

Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

6/22/16

Por : Luís Timóteo

37

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Limites do

Saturação (Saturation) (Cont)

E para um dispositivo PMOS:

Se V GS -V T  0 , e V DS  V GS -V T
Se V GS -V T  0 , e V DS  V GS -V T , então o PMOS está no modo

SATURAÇÂO

Podemos agora construir uma expressão completa (contínua) relativas á

corrente de Dreno iD, para tensões VDS e VGS.

Para um dispositivo NMOS:

Se e Se Se e
Se
e
Se
Se
e
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Limites do

Podemos agora construir uma expressão completa (contínua) relativas á

corrente de Dreno iD, para tensões VDS e VGS.

Para um dispositivo PMOS:

Se e Se Se e
Se
e
Se
Se
e
Semicondutores : Transistores – E- MOSFETs  Transistores  Transistores MOSFETs MOSFETs  Descrição matemática do

Semicondutores: Transistores – E-

MOSFETs

Transistores Transistores

MOSFETs

MOSFETs

Descrição matemática do comportamento de um MOSFET : Limites do

Vamos agora ver como estas expressões aparecem quando as

representamos graficamente. Especificamente, para o um dispositivo

NMOS, vamos representar a corrente iD em função de diferentes valores

de V DS e V GS :

V GS -V T V GS -V T V DS  V DS  Região Tríodo
V GS -V T
V GS -V T
V DS 
V DS 
Região Tríodo
Região Saturação
V DS =
V GS - V T
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V GS

Região Corte

V T

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MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Análise da corrente ID

corrente Dreno

I D , saturada e apenas controlada

pelos V GS Triodo Saturação VGS cria o V DS  V GS -V T V
pelos V GS
Triodo
Saturação
VGS cria o
V DS  V GS -V T
V DS  V GS -V T
 A linha dobra-se porque
a resistência do canal
aumenta com VDS.
canal.
 Aumentando
VGS
irá
aumentar
a
 A corrente satura, porque o
canal estreita muito (pinch-
off), junto ao Dreno, e VDS
deixa de afectar o canal .
condutância
do
Na canal.
região
de
 Quase um linha a direito,
saturação
apenas
com
a
inclinação
proporcional a (VGS-VT).
VGS controla
a
V
GS V T
corrente de Dreno.
 Na
região
subliminar,
a
corrente
de
Dreno
V
tem
uma
relação
DSsat =V GS -V T
Quando VDS aumenta a tensão VGD diminui até se tornar inferior a VT. O canal fecha-se do
exponencial
com
lado do Dreno (pinch-off), e o valor da corrente deixa de aumentar, assumindo um valor
VGS.
constante – Zona de Saturação.
6/22/16
Por : Luís Timóteo
41

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MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Curva Característica

As características I D -V DS de um dispositivo com K‘n (W / L) = 1,0
As características I D -V DS de um dispositivo com K‘n (W / L) = 1,0 mA/V 2 ..
W 
1
W
2
I
k '
(
V
V
)
V
V
k
'
(
V
V
)
V
D
n
GS
T
DS
DS
n
GS
T
DS
L
 
2
 
L
Um
MOSFET
de
enriquecimento
de
canal
n

com V GS e V DS aplicada e com

as indicações normais de

fluxo de corrente indicada. I D I G= 0 I S= I D
fluxo de corrente indicada.
I
D
I
G= 0
I
S= I D
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MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET (n) - Caracteristicas

Curvas Característica

Curva de transferência e curvas características de Dreno

Na ausência de canal para típicas de um nMOS. = 0 não há corrente I D
Na ausência de canal para
típicas de um nMOS.
=
0
não há corrente
I D .
É necessário um valor
V GS
mínimo de voltagem limiar V TP positiva de V GS
para
que
se forme
o canal.
Aumentando V GS aumenta o valor da corrente de saturação.
2
I
 K V
(
V
)
I D (mA)
DSat
GS
T
I D (mA)
10
10
V GS = 7 V
9
9
8
8
7
7
6
6
V GS = 6 V
5
5
4
4
3
3
V GS = 5 V
2
2
V
T
V GS = 4 V
1
1
V GS =2V= V TP
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
V
DS

V GS (V)

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MOSFETs

MOSFET de enriquecimento- E- MOSFET

Curvas Características : O valor de K

Se os valores VGS(on) e ID(on) tiverem sido fornecidos, eles podem ser

utilizados como o segundo ponto conhecido da curva, restando apenas

Sugestão:

determinar outros dois.

ponto:

arbitrar

VGS

entre