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DISPOSITIVOS DE POTNCIA
Francisco Andreson de Mesquita da Silva
Emerson Thadeu da Silva Souza
Agosto de 2014
SUMRIO
APRESENTAO..................................................................................
................................... 03
DESENVOLVIMENTO............................................................................
.................................. 04
CONSIDERAES
FINAIS...............................................................................................
.......... 11
REFERNCIAS DE
PESQUISA..........................................................................................
.......... 12
APRESENTAO
Um dos conceitos da eletrnica de potncia utilizao de novas
tecnologias no tratamento da energia eltrica visando obter maior ganho e
uma melhor qualidade. Para obterem essas melhorias na eletrnica de potncia
utilizam-se dispositivos semicondutores operando por meio de chaveamentos
para realizar o controle do fluxo de energia e a converso de formas de onda
de tenses e correntes entre fontes e cargas.
Neste trabalho estaremos apresentando alguns desses componentes
eletrnicos de potncia, no intuito de ampliar nosso conhecimento dos
mesmos.
O Transstor Bipolar
A principal funo do transistor poder controlar a corrente. Ele
construdo em uma estrutura de cristais semicondutores, formando duas
camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do
tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. As
extremidades so denominadas de emissor e coletor, e a camada central
chamada de base. Essa caracterstica viabiliza dois modos de criao.
Caractersticas Construtivas
-
Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno basecoletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.
seja
considerado
um
dispositivo
dativo.
Este
efeito
amplificao,
MOSFET
encontrado principalmente em MP3 players, rdios para automveis, caixas
amplificadas, sons residenciais, computadores, entre outros eletrnicos.
A corrente negativa aplicada ao gate deve durar um certo tempo para que haja
o bloqueio e a amplitude dessa corrente deve ser capaz de bloquear o
componente. Como exemplo, um GTO de 2500V, 600A necessita de uma
corrente negativa de e de 150mA, para bloque-lo. Atualmente encontra-se
GTO com valores de at 2500A e 4500V, com uma frequncia mxima de
chaveamento de alguns kHz.
Princpio de funcionamento
A caracterstica principal do GTO a sua capacidade de entrar em conduo e
bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo
de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando
a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande
parte de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina,
desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e
sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se
esta corrente se mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no
necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura seguinte mostra
o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada
e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa
na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres
(lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados pelo
gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da barreira de
potencial na juno J2.
TRANSISTOR IGBT
O transistor bipolar de gatilho isolado (IGBT insulated gate bipolar transistor)
um dispositivo que combina as caractersticas de atuao rpida e de alta
capacidade de potncia do transistor bipolar com a caracterstica de controle
de tenso pelo gatilho do MOSFET. Em termos mais simples, as caractersticas
coletor-emissor so similares quelas dos transistores bipolares, mas as formas
de controle so as mesmas do MOSFET.
Em termos simplificados, pode-se analisar o IGBT como um MOSFET, no qual a
regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores
minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente
polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em
comparao a um MOSFET similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de
uma polarizao entre gatilho e emissor. Para o IGBT, o acionamento tambm
ocorre por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2
(polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide duas regies
muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando
polarizado reversamente.
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equivalente a um IGBT
Nesta representao temos um transistor PNP excitado por MOSFET de canal N
numa configurao pseudo-Darlington. O transistor JFET foi includo no circuito
equivalente para representar a contrao no fluxo de corrente entre os poos
p.
Atualmente existem duas estruturas bsicas utilizadas na construo dos
IGBTs, as quais so:
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tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente da
carga, a qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo ou Irr. O
mximo da corrente Irr ocorre quando as somas das tenses instantneas
sobre o IGBT e o diodo igualam a tenso de alimentao.
CONSIDERAES FINAIS
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REFERENCIAS
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<http://www.arvm.org/exames/trasistor>
Acesso
em
01/08/2014 >
Acesso
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01/08/2014
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<http://www.magazineluiza.com.br/portaldalu/mosfet-o-que-e/505/ >
Acesso
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01/08/2014
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<http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6417-art977>
Acesso em 01/08/2014
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01/08/2014 Disponvel em:
<http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/878-conheca-ogto-e-igct-art122.html> Acesso em 01/08/2014
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<http://www.ebah.com.br/content/ABAAABKLYAC/eletronica-potencia>
Acesso
em 01/08/2014.
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