UNIVERSIDADEAGOSTINHONETO

FACULDADEDEENGENHARIAS

TRABALHO PRÁTICO

IGBTs E SUAS APLICACOES NA INDÚSTRIA PARA CONTROLE

DE VELOCIDADE DE MOTORES

MODULACAO PWM PARA ACIONAMENTO DE IGBT NO

SECTOR DA INDÚSTRIA

O DOCENTE
..............................................
José Inácio

1
Este trabalho foi realizado por: Henrique Manuel Rodrigues ,
Estudante do quarto ano de Engenharia de petróleos na
faculdade Engenharia da Universidade Agostinho Neto.

Luanda ao 25 de Janeiro de 2023

2
Objectivos Geral e Especificos

Aprofundar os conhecimentos de uma maneira geral em IGBTS , sua maneira de

funcionamentos e principalmente conhecer as suas principais utilidades no no mundo
industrial e não só.

3
Índice
Objetivos Geral e Específicos………………………………….3
Introdução……………………………………………………….5
Uso Drivers IGBT de Alta corrente com
proteção integrada Para Controle Confiável
de velocidade de Motores Industriais………….……………….6
Modulação …………………………………………………………………………….…..……8
IGBT……………………………………………………….……8
Gate Driver………………………………………………………………………………9
Bootstrap………………………………………………………………………………….10
Conclusão………………………………………………………………………………….11
Bibliografia………………………………………………………………………………..12

4
INTRODUÇÃO

Em meio a evolução tecnológica e os processos de automação industrial,

diversos recursos inteligentes surgem para trazer facilidades aos equipamentos.
IGBT é um transistor de efeito de campo bipolar que combina as características dos
transistores MOSFET e BJT. Ele é amplamente utilizado em aplicações de
potência ,como motores elétricos, conversores DC-DC, inversores, retificadores e outros
dispositivos eletrônicos. Ele funciona como um transístor MOSFET quando está ligado
e como um transistor BJT quando está desligado. Isso significa que o IGBT pode
conduzir corrente com baixa perda de energia quando está ligado e pode ser facilmente
desligado usando uma pequena tensão.
Este periférico possui uma estrutura de três camadas, com um canal N entre duas
camadas P. A camada N é chamada de camada ativa, a camada P esquerda é chamada
de camada de base e a camada P direita é chamada de camada coletora. Assim a
corrente flui da base para o coletor quando a porta está ligada. O dispositivo pode ser
classificado em duas categorias: IGBTs discretos e IGBTs integrados. Os IGBTs
discretos são transistores que são fabricados separadamente do circuito integrado onde
serão usados. Os IGBTs integrados são transistores que são fabricados juntamente com
outros componentes em um único circuito integrado.
COMO FUNCIONA O IGBT?
O funcionamento do IGBT é baseado na junção bipolar. A junção bipolar é
formada pelo encontro de dois tipos de materiais semicondutores, cada um com suas
características elétricas distintas. Ao aplicar uma tensão a essa junção, os elétrons são
atraídos para o lado de maior potencial elétrico, enquanto as lacunas são atraídas para o
lado de menor potencial elétrico. A principal vantagem do IGBT em relação aos outros
dispositivos semicondutores é sua alta eficiência na condução da corrente.
OS DIFERENTES TIPOS DE IGBT
Os IGBTs são transistores que podem ser operados tanto em modo de condução
como em modo de corte, sendo ideais para aplicações de alta corrente e/ou tensão.
Atualmente, existem diversos tipos de IGBTs no mercado, cada um com suas
próprias características e aplicações específicas. Aqui estão alguns dos principais tipos
disponíveis:
IGBT DE METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR (MOS) Este é o tipo mais
comum, e é amplamente utilizado em aplicações industriais e automotivas. Ele
apresenta excelente desempenho em termos de corrente e tensão, além de ser
r0elativamente barato.

5
 IGBT HÍBRIDO Este tipo combina as vantagens do MOSFET e do BJT,
proporcionando uma alta corrente de condução com baixa resistência interna. Ele é ideal
para aplicações que requerem altas correntes, como motores elétricos e inversores
DC/AC. IGBT POWER MOSFET Este é um tipo especializado de MOSFET que
apresenta uma excelente corrente de condução e baixa resistência interna. Ele é muitas
vezes utilizado em conjunto com um IGBT híbrido para obter o melhor desempenho
possível.
IGBT J-FET Este é um transistor unipolar que apresenta uma boa corrente de
condução e baixa resistência interna. ventiladores industriais, sensores, conectores,
fontes, IHM, transdutores e muito mais. Atendemos as principais Industrias, que
abrangem desde mineração, automotivos, usinagem, à frigoríficos, supermercados,
telecomunicações, etc.
VANTAGENS DE UTILIZAR O IGBT
Este é um periférico que atua como um transistor, e combina as características
de um transistor bipolar e um MOSFET. Ele tem uma estrutura de porta isolada, o que
significa que a porta não está ligada ao dreno, e é controlada por uma tensão. Assim, o
IGBT é mais fácil de ser controlado do que um MOSFET, permitindo maior precisão na
condução do circuito. Além disso, o IGBT tem uma maior capacidade de suportar
correntes elevadas do que um transistor bipolar.
Uma das principais vantagens é a sua alta densidade de potência, o que significa
que podem conduzir grandes correntes com pouco espaço. Outra vantagem é ser mais
barato do que os outros tipos de transistores, tornando-se uma opção popular para
muitas aplicações. Ele também apresenta uma alta fiabilidade e pode ser facilmente
substituído se necessário.

USO DRIVERS IGBT DE ALTA CORRENTE COM PROTEÇÃO INTEGRADA

PARA CONTROLE CONFIÁVEL DE VELOCIDADE DE MOTORES
INDUSTRIAIS

Em um esforço contínuo para reduzir custos e diminuir o consumo de energia

em aplicações de controle industrial, os projetistas estão recorrendo a motores de
corrente contínua sem escovas (BLDC) de alta frequência e alta corrente. Eles
dependem cada vez mais de transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) mais
rápidos em vez de transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico
(MOSFETs) para comutação mais rápida a fim de aumentar a densidade de potência.
No entanto, para operar de forma eficiente e segura, os projetistas precisam incluir
circuitos de buffer entre a saída do controlador do motor BLDC e os transistores de
potência IGBT. Circuitos discretos compreendendo circuitos “totem-pole” de transistor
de junção bipolar (BJT) podem desempenhar essa função de buffer, mas essas soluções
normalmente não possuem proteção contra transientes de alta tensão e alta corrente.
Eles também não são capazes de mudar o nível da saída de baixa tensão do controlador
digital para tensões e correntes mais altas necessárias para acionar adequadamente os

6
IGBTs. Adicionar esses circuitos também complica e retarda o processo de design,
consome espaço e aumenta a lista de materiais (BOM)

Para resolver esses problemas, uma nova geração de gate drivers integrados de
alta frequência para aplicações de motores BLDC combina os circuitos de buffer e
boost necessários para acionar IGBTs, ao mesmo tempo que incorpora circuitos de
proteção. Juntamente com recursos para aumentar a eficiência, esses dispositivos
exigem menos dispositivos periféricos e têm temperaturas operacionais mais baixas.
Seu tamanho menor aumenta ainda mais a densidade de potência do motor de alta
frequência e economiza espaço.

Noções básicas de driver de motor BLDC Um tipo comum de motor elétrico é o

tipo CC trifásico, no qual o movimento do rotor é induzido pelo campo magnético
rotativo gerado pela energização dos enrolamentos em uma sequência controlada
(comutação). A velocidade do rotor é proporcional à frequência de operação do motor.
A modulação por largura de pulso (PWM) é sobreposta à frequência operacional básica
para controlar a corrente, o torque e a potência de inicialização. A operação em alta
frequência oferece algumas vantagens inerentes. Por exemplo, a ondulação da corrente
– um artefato da entrada de corrente alternada (CA) após a retificação – é reduzida, o
que, por sua vez, reduz o tamanho e o custo dos componentes passivos necessários para
a filtragem. A operação de alta frequência também reduz a força eletromotriz irregular
(EMF) que pode resultar de uma entrada senoidal menos que perfeita nas bobinas do
motor – diminuindo a vibração e o desgaste do motor. Em geral, a comutação de
frequência mais alta aumenta a densidade de potência, permitindo o uso de motores
fisicamente menores para uma determinada potência de saída. Embora existam
variações, um sistema de controle de malha fechada típico para operação em alta
frequência compreende: Uma entrada de controle de velocidade, um controlador que
supervisiona a comutação do motor gerando o PWM apropriado para o driver Um
driver que alterna os transistores de potência do lado baixo e alto Transistores de
potência, em topologia meia ponte H, que energizam as bobinas do motor Em um motor
BLDC controlado por sensor, a malha de controle é fechada por meio de feedback dos
sensores de efeito Hall que monitoram o eixo rotativo do motor (Figura 1). Os modelos
sem sensor calculam a posição do motor a partir do EMF traseiro (BEMF). (Para obter
mais informações sobre como projetar um sistema de controle de circuito fechado
completo para motores BLDC trifásicos com sensor e sem sensor,

7
Vantagens dos drivers IGBT integrados É mostrado um circuito “totem-pole” de
transistor de junção bipolar (BJT) projetado para acionar um transistor de potência (.
Além das vantagens óbvias, como complexidade de projeto reduzida, tempo de
desenvolvimento reduzido e tamanho menor, os drivers IGBT integrados de alta
corrente resolvem todos os problemas de uma solução discreta. Os dispositivos também
minimizam o efeito do ruído de comutação de alta frequência, localizando o driver de
alta corrente fisicamente próximo ao interruptor de alimentação, ao mesmo tempo que
reduzem a dissipação de energia e o estresse térmico nos controladores.

Conclusão A exigência de maior densidade de potência em motores BLDC industriais

impôs demandas à eletrônica de controle que são difíceis de atender com soluções
convencionais de componentes MOSFET discretos. Os drivers IGBT fornecem uma
solução para a operação de alta frequência e alta corrente necessária para acionar IGBTs
em motores BLDC de alta densidade de potência. À medida que estes dispositivos
evoluíram, tornaram-se mais integrados e fáceis de usar, ao mesmo tempo que
acrescentaram funcionalidades para proteger os transístores de potência, melhorar a
eficiência e poupar espaço.

MODULAÇÃO PWM

A estratégia de modulação é o processo de mudança de estado dos componentes

eletrônicos de um conversor. E por meio dela é possível gerar uma tensão fundamental
de saída tão próxima quanto possível do sinal de referência [18]. Como se deseja obter
uma tensão alternada na saída de um inversor de tensão pode-se aplicar uma tensão
senoidal para modulação dos semicondutores. Por isso, entre as 2 Revisão Bibliográfica
18 modulações citadas anteriormente, a mais utilizada em inversores de tensão é a
modulação PWM senoidal, conhecida pelo termo SPWM (Sinuisodal PWM). Ainda, a

8
modulação PWM descontínua com topo liso (DFTPWM) é muitas vezes utlizadas com
a finalidade de minimizar o número de comutações dos interruptores, reduzindo assim
as perdas de energia inerentes às comutações. Outra técnica para os inversores trifásicos
é a SVPWM, pelos seguintes fatos [19], [20]:  Fácil implementação digital; 
Diminuição do conteúdo harmônico da tensão de saída;  Redução do número de
comutações nos interruptores;  Aumento do índice de modulação de amplitude do
inversor. A técnica de modulação SVPWM tem por princípio a teoria de fasores
espaciais e associa a cada estado de condução das chaves um vetor espacial da tensão de
saída do inversor. Por esse fato, é preciso determinar qual tipo de inversor será
utilizado, sendo mais específico, escolher entre os inversores trifásicos com: três braços
a três fios [4], três braços a quatros fios [21], ou quatro braços a quatro fios [22]. No
presente trabalho, será abordado o inversor com três braços a três fios, para maiores
detalhes sobre as demais configurações basta recorrer às fontes bibliográficas. 2.2.1

Modulação SVPWM O inversor trifásico com três braços a três fios é ilustrado na
Figura 3. Figura 3 - Inversor trifásico com três braços a

Adota-se que as chaves pertencentes ao um mesmo braço inversor são comandadas de

forma complementar, por exemplo, as chaves S1 e S2, ou, S5 e S6.

IGBT

Para funcionamento desse semicondutor deve-se polarizar positivamente o

terminal coletor em relação ao terminal emissor, dessa forma deixando-o “ligado”.
Aplicando-se uma tensão positiva na porta maior que a tensão limiar, o IGBT
conduzirá. Para o bloqueio basta reduzir a tensão na porta para um valor menor que a
tensão limiar do dispositivo.

9
 Simbologia do IGBT. Para proteção contra tensão reversa, em casos da carga
não ser puramente resistiva, deve-se aplicar um diodo em antiparalelo. Em alguns
IGBT’s esse diodo já está presente e possuem características compatíveis com os
tempos de chaveamento do IGBT [34]. Para descobrir se o IGBT apresenta o diodo
basta conferir o datasheet do mesmo.

GATE DRIVER

Assim como abordado na seção anterior, o IGBT conduzirá ao aplicar uma

tensão, de amplitude de +15 V, entre o gate e o emissor. Ao analisar a Figura 2 nota-se
que os semicondutores S2, S4 e S6 possuem seus emissores conectados à referência da
fonte de alimentação, enquanto as chaves S1, S3 e S5 têm seus emissores ligados aos
coletores do semicondutor do mesmo braço. Dessa forma, tem-se uma referência
flutuante para os sinais de comando de seus gates [35]. Logo para acionar os IGBT’s
faz-se necessário o uso de um circuito específico para gerar estes sinais de comando
com referência flutuante. Esse é denominado circuito de comando de gate, e deve
permitir uma operação adequada do interruptor nos estados de comutação, condução e
bloqueio [.

Muitas vezes esses circuitos apresentam o isolamento entre o circuito de

controle e o circuito de potência, utilizando foto sensores de sinal para transmitir os
pulsos da entrada para a saída. Ou ainda, utilizando transformadores para desacoplar
eletricamente o sinal de comando e assim alterar a referência do pulso [31], [35]. Já
alguns circuitos não apresentam o isolamento. Eles utilizam a técnica conhecida como
Bootstrap, usada em inversores para potências menores que 2 kW e tensão menores que
600 V].

BOOTSTRAP

O circuito de gate driver que utiliza a técnica do bootstrap é baseado em

capacitores e um dispositivo comutator. Esse elemento comutator tem por finalidade
permitir o carregamento do capacitor, pela fonte que alimenta o driver, em determinado
momento e posteriormente utiliza-la no IGBT da parte “alta” do braço inversor [31].
Essa energia é armazenada no capacitor quando o IGBT da parte “baixa” da ponte está
conduzindo, pois a tensão da fonte cai sobre o capacitor, assim como ilustrado na Figura
12 (a). Num segundo instante, o gate driver conduzirá a tensão do capacitor para
disparar o IGBT de cima, sendo que o diodo impede que essa energia volte para a fonte,

10
como mostrado na Figura 12 (b) [31]. Deve-se atentar para o valor do capacitor
empregado, visto que esse depende diretamente da frequência de chaveamento dos
IGBT’s, pois, por exemplo, caso ele possua um valor muito alto de capacitância, maior
será seu tempo para carregar e descarregar, e caso a frequência de chaveamento seja
muito baixa, o capacitor não terá energia suficiente para descarregar para disparar o
semicondutor.

11
 CONCLUSAO

Através do presente trabalho, notou de que a exigência de maior densidade de potência

em motores BLDC industriais impôs demandas à eletrônica de controle que são difíceis
de atender com soluções convencionais de componentes MOSFET discretos. Os drivers
IGBT fornecem uma solução para a operação de alta frequência e alta corrente
necessária para acionar IGBTs em motores BLDC de alta densidade de potência. À
medida que estes dispositivos evoluíram, tornaram-se mais integrados e fáceis de usar,
ao mesmo tempo que acrescentaram funcionalidades para proteger os transístores de
potência, melhorar a eficiência e poupar espaço.

BIBLIOGRAFIA
[16] AHMED, A. Eletrônica de Potência. [S.l.]: Prentice Hall, 2000. [17] DE
OLIVEIRA, A. P. S. Estudo Comparativo e Análise Computacional de Inversores
Alimentados por Tensão e por Corrrente. Universidade Federal do Espírito Santo.
Vitória, p. 61. 2009

12