JFET | MOSFET | IGBT | CONVERSORES

Guião de Trabalho Aulas Título: Nº.: 3

Disc: Eletrónica de Potência Sigla: Ele. Pot

Curso: CTeSP – Mecatrónica

Ano letivo 2023/2024 Helder Barbosa (helderbarbosa@estg.ipvc.pt)
Prof:

Objetivos:
• Aprender algumas aplicações práticas utilizando o Jfet; Mosfet e IGBT;
• Aprender a dimensionar circuitos de polarização para os componentes aplicados;
• Analisar o funcionamento e resposta do JFET, Mosfet e IGBT;
• Compreender a aplicação e principio de funcionamento dos componentes apresentados;
• Interpretar os diferentes circuitos de disparo e sua importância;
• Compreender a importância dos circuitos conversores e as suas aplicações;
• Aplicar os conhecimentos básicos de eletrónica;
• Aplicar conhecimentos sobre diferentes componentes eletrónicos;
• Aplicar ferramentas de simulação Proteus.
Indicações:
• Durante o trabalho o aluno deverá tirar as notas e PrintScreens que achar necessários para realizar o
relatório.
• O relatório para este trabalho deverá ser entregue na plataforma moodle, no prazo a definir pelo professor.
• Este trabalho de avaliação será dividido em duas componentes uma teórica e outra prática/simulação.
Para a parte teórica podem usar a bibliografia recomendada da disciplina ou outra que considerem relevante.
No caso da pesquisa de informação na Internet é obrigatório registar os websites.
• Para avaliação deste trabalho há um peso muito significativo para a fundamentação e rigor teórico/prático,
descrição pormenorizada e espírito critico de todos os passos
• Toda a informação que considerem pertinente deve constar no relatório deste trabalho. Devem utilizar o
relatório modelo disponibilizado.
Componente teórica:
Breve abordagem sobre os conceitos teóricos:
• Transístor bipolar de potência (TBP ou BJT) - (constituição, principio de funcionamento, diferentes tipos
e aplicações típicas);
• Analisar datasheet do BC547D e do 2N2906A – Apresentar principais caracteristicas(polaridade; UCE;
IC; Hfe)
• Transístor Unipolar ou FET (Transístor de Efeito de Campo) - (constituição, principio de funcionamento,
diferentes tipos e aplicações típicas);
o JFET (Junction Field Effect Transístor) (caracterizar);
▪ Diferentes tipos de polarização;
▪ Transcondutância
▪ Analisar as principais caracteristicas do 2N2609 e do 2N3459 (Vgs; Idss; gfs)
o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transístor) (caracterizar).
• Transístor IGBT (Isolated Gate Bipolar Transístor) - caracterizar;
• Conversores Eletrónica de Potência – (definição e explicação resumida dos diferentes tipo);
• Conversor Buck (caracterizar e apresentar esquema tipo);
• Conversor Boost e conversor Buck – Boost (caracterizar e apresentar esquema tipo).

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Implementação Prática -
1 - Considere o seguine circuito:

Rg = 1MΩ
Rd=2,2KΩ
Rs=1KΩ
Idss=2mA
Vp=-8V

1.1 – Apresente o ponto de interseção entre a reta de funcionamento e a curva caracteristica,

atendendo aos valores apresentados (Vgsq e Idq), através de uma análise gráfica.
1.2 – Calcule o valor de (Vgsq e Idq), através das expressões matemáticas abordadas.
1.3 – Calcular Vs, Vd e Vds.
1.4 – Potência em Rd e Rs.
1.5 – Potencia no FET e VG
1.6 – Potência na Fonte VDD

2. – Conforme o esquema abaixo apresentado e atendendo ao estudo do JFET, explique a sua

aplicabilidade e principio de funcionamento.

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3. – Apresente através da simulação pelo Proteus a explicação do circuito abaixo apresentado.

3.1 – Atendendo aos conteúdos abordados caracterize o esquema apresentado.

4. Implemente o seguinte esquema abaixo apresentado:

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4.1. Caracterize o circuito apresentado e descreva resumidamente a sua função.

4.2.Demonstre, attravés da simulação o funcionamento do esquema apresentado

Votos de Bom Trabalho.

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