Electrónica 6. Dispositivo Semicondutor de Potência 06.11.21

Dispositivo semicondutor de potência
Curso UniTrain
"Eletrônica 6 - Dispositivo semicondutor de potência"
Curso n.º: CO4204-5P Versão 1.0.0.0
Lucas-Nülle GmbH · Siemensstraße 2 · D-50170 Kerpen (Sindorf) · Tel.: +49 2273 567-0
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Todos os direitos reservados.
Conteúdo didático 3
Material 4
Placa experimental "Dispositivo semicondutor de potência" 5
Tiristor 7
Introdução 8
Experimento ângulo de fase e registro da curva característica 10
Experimento com tensão contínua 16
Triac 19
Introdução 20
Experimento comportamento de comutação 21
Experimento ângulo de condução de corrente 25
MOSFET 34
Introdução 35
Experimento registro de curva característica 36
Experimento tempo de comutação 41
Experimento medição de potência 44
IGBT 48
Introdução 49
Experimento registro de curva característica 51
Experimento tempo de comutação 56
Experimento medição de potência 59
Teste de conhecimento 63
Copyright 65
Conteúdo didático
Bem vindo ao curso UniTrain Dispositivo semicondutor de potência! O time da LUCAS NÜLLE

deseja muita diversão e sucesso ao trabalhar os temas do curso e na execução dos experimentos.
As páginas a seguir fornecem uma visão geral do conteúdo do curso e dos materiais necessários.
No curso UniTrain "Dispositivo semicondutor de potência" vamos inspecionar experimentalmente as
ligações típicas de diferentes dispositivos semicondutores de potência e abordar assim o
comportamento e o funcionamento do amplificador operacional.
Conteúdo didático
Poder explicar a estrutura e modo de funcionamento de tiristores, Triacs, MOSFET e
IGBTs.
Conseguir denominar as diferenças entre os componentes
Determinar o ângulo de fase e o intervalo de controle de tiristores e Triacs
Conseguir avaliar a qualidade de diferentes ligações de controle
Registrar curvas características de corrente e tensão de diferentes componentes de
potência com o osciloscópio
Registrar e interpretar as curvas características de transmissão e controle de MOSFETs
e IGBTs.
Medir a tensão de joelho de MOSFETs e IGBTs.
Determinar os tempos de comutação de MOSFETs e IGBTs por meio de medições com o
osciloscópio
Determinar a dissipação de potência através da medição de corrente e tensão
Requisitos
Conhecimentos básicos sobre semicondutores, como p.ex. o curso
UniTrain correspondente "Eletrônica 1: Componentes semicondutores".
Material
CO4203-2A Interface UniTrain
CO4203-2B Placa experimental UniTrain
Placa UniTrain "Dispositivo
SO4201-7H
semicondutor de potência"
Acessórios de medição UniTrain
CO4203-2J (placa shunt, cabos de medição e
jumpers)
LM2330 Multímetro opcional Multi 13S
Segunda placa experimental
CO4203-2B UniTrain opcional como docking
station
Placa experimental "Dispositivo semicondutor de potência"
A placa experimental SO4201-7H "Dispositivo semicondutor de potência" dispõe de quatro diferentes
componentes semicondutores de potência e resistores de carga.
Mover o cursor do mouse sobre a imagem para saber mais sobre cada um dos componentes
da placa.
Dados técnicos:
Tensão operacional:
Triac, Tiristor 42 V, AC
MOSFET, IGBT 15 V, DC
Grupos de funções:
Tiristor = TIC 126
TRIAC = TIC 226
IGBT = BUP 202
MOSFET =BUZ 31
Resistores de carga:
100 Ω / 5 W
47 Ω / 5 W
22 Ω / 5 W
Lâmpada incandescente de 12V
Descrição de funções
Com esta placa experimental UniTrain é possível inspecionar as curvas características e o modo de
funcionamento de componentes eletrônicos de potência. As ligações precisam ser montadas, neste
caso, pelos próprias pessoas que participante do curso.
Com os diferentes resistores de carga integrados podem ser representadas as diferentes condições
operacionais. O modo de funcionamento de um controle de entrada de fase pode ser mostrado com
uma lâmpada incandescente. No entanto, a lâmpada incandescente deve ser utilizada apenas com
um resistor de carga.
A alimentação de tensão da placa experimental ocorre através de condutores e não através do
sistema BUS da placa experimental UniTrain.
Tiristor
Introdução
Tiristores são componentes semicondutores que substituem, em muitas aplicações, interruptores
mecânicos e relés.
Similar a um diodo, o tiristor possui uma curva característica de passagem e uma de bloqueio. Ao
contrário do diodo, o tiristor pode apenas ser condutor na direção de passagem, quando for aplicada
uma tensão adequada no seu terceiro eletrodo de controle.
O tiristor é fácil de inflamar, mas não pode ser bloqueado facilmente. Esse comportamento pode ser
evidenciado por sua estrutura interna e seu circuito equivalente.
As quatro camadas semicondutoras com três junções p-n formam, dependendo da polaridade da
tensão aplicada, pelo menos uma camada de bloqueio. Se o anodo for negativo em relação ao
catodo, são formadas duas camadas de bloqueio. Caso o anodo seja positivo será formada apenas
uma camada de bloqueio.
Se uma determinada tensão for aplicada na conexão de controle (porta), então a camada de
bloqueio é desfeita, no caso do anodo positivo, e o tiristor passa para a sua condição de condução e
é inflamado. Esta condição é mantida até que a corrente que passa pelo tiristor fique abaixo de um
determinado valor, o da corrente de manutenção, e o tiristor se extingue novamente. As camadas de
bloqueio são em seguida novamente formadas.
Sendo assim, a extinção do tiristor é apenas possível com circuitos específicos ou através de uma
passagem no zero da corrente, assim como ocorre no caso da tensão alternada.
O funcionamento do tiristor pode ser evidenciado através da estrutura interna e do circuito
equivalente a seguir, com dois transistores complementares:
A corrente na porta controla a base de um transistor unipolar, que a partir disto controla o segundo
transistor unipolar. Se ambos são controlados, ambos estão na condição condutora. O tiristor só
pode ser novamente extinguido, em casos excepcionais, através da porta.
Ficha de dados TIC126
Experimento ângulo de fase e registro da curva
característica
Neste experimento vamos determinar o ângulo de fase mínimo e máximo do tiristor. Em
seguida vamos registrar diferentes curvas características para a caracterização de tiristores.
Montar o circuito conforme o seguinte esquema de circuito e animação. Medir a tensão de carga
com o osciloscópio.
Abrir a alimentação trifásica no menu Instrumentos / fontes de
alimentação.
Adotar os seguintes ajustes:
U: 12 V
f: 50 Hz
Acionar o botão POWER.
Nota: A tensão indicada no instrumento corresponde a tensão entre
uma fase e o ponto neutro da rede. O valor medido pode diferir do valor
indicado, já que a tensão não é regulada.
Abrir o osciloscópio no menu Instrumentos - Dispositivos de
medição.
Configurar como indicado a seguir:
Channel A: 5 V / div; DC; Y-POS: 0
Channel B: 5 V / div; DC; Y-POS: 0
Time: 2 ms / div
Mode: X/T
Trigger: CHANNEL A; Rising edge; LEVEL: 0 div;
PRETRIGGER: 0 div;
Reajustar o potenciômetro P1 uma vez por todo o intervalo de controle e determinar assim o ângulo
de fase mínimo e máximo.
Qual ângulo de fase mínimo e máximo pode ser ajustado?
Os limites de ângulo de fase está condicionados através da
lógica de controle simples> O ângulo de fase máximo ajusta-
se com amplitude máxima da tensão operacional (90°).
O ângulo de fase máximo ajusta-se com uma amplitude da
tensão operacional de 45°.
O ângulo de fase mínimo é de aprox. 30°. Apenas a partir
deste ângulo a corrente de controle é alta o suficiente para
gerar a ignição do tiristor.
O ângulo de fase mínimo é de aprox. 0°.
Registrar a forma da tensão do tiristor (canal A) e da tensão de carga (canal B) para um ângulo de
fase de 45°. Copiar o oscilograma obtido para o campo adequado abaixo. Para isso, clicar com o
botão direito do mouse na tela do osciloscópio e selecionar "copiar". Em seguida é possível
adicionar a tela do osciloscópio no campo adequado com auxílio da interface .
Abrir o medidor de tensão duplo no menu Instrumentos /
Dispositivos de medição.
Favor selecionar os seguintes ajustes para ambos os canais:
CHANNEL C:
CHANNEL D:
RANGE: 20 V
RANGE:
MODE: AV
MODE:
DC
Registrar a curva característica de transmissão do circuito do tiristor o máximo possível. Controlar o
ângulo de fase no osciloscópio e medir a tensão de saída contínua correspondente (canal C).
Transferir os valores medidos para a tabela Em seguida visualizar a curva característica resultante
ao clicar no símbolo do diagrama .
10
Ua in V
0
0 30 60 90 120 150 180
alpha in °
Como você avalia o intervalo de controle deste circuito com controle do tiristor através da
corrente da porta?
Isto resulta em um intervalo de controle maior e dentro deste
intervalo a potência pode ser levemente regulada.
Isto resulta em um intervalo de controle muito limitado, no
entanto a potência pode ser levemente regulada dentro do
intervalo de controle.
isto resulta em um intervalo de controle muito limitado e
dentro deste intervalo a potência pode ser apenas regulada
de forma aproximada.
Colocar o osciloscópio em operação XY e registrar a curva característica de corrente e tensão.
Alterar o controle da porta por meio do potenciômetro e observar a curva característica. Copiar uma
curva característica para o campo correspondente.
(Canal A tensão do tiristor; canal B tensão de carga)
Qual influência tem o ângulo de controle na forma do diagrama?
O oscilograma mostra que o tiristor bloqueia enquanto há
um meia onda negativa. A corrente é então igual a zero. O
tiristor pode ser apenas controlado enquanto há uma meia
onda positiva. A tensão máxima, com a qual o tiristor
permanece bloqueando, pode ser determinada como segue.
Quando o tiristor é acionado, então ele apresenta baixa
impedância na direção de passagem e a tensão que diminui
nele corresponde a tensão da direção de passagem. A
corrente é limitada pelo resistor de carga.
O oscilograma mostra que o tiristor bloqueia enquanto há
um meia onda negativa. A corrente é então igual a zero. O
tiristor pode ser apenas controlado enquanto há uma meia
onda positiva.
Quando o tiristor é acionado, então ele apresenta alta
impedância e a tensão que diminui nele corresponde a sua
tensão máxima. A corrente é limitada pela tensão da porta
aplicada.
Experimento com tensão contínua
No experimento a seguir vamos verificar o comportamento do tiristor ao aplicar uma tensão contínua.
Alterar a estrutura do experimento anterior como mostrado no esquema de circuito e animação
seguintes.
Alterar a tensão de alimentação para 10 V tensão CC e acionar o tiristor com o controle da porta
através do potenciômetro. Como carga utilizar apenas o resistor.
Abrir s Alimentação de corrente contínua no

menu Instrumentos / Fontes de Alimentação.
Fazer as seguintes configurações:
DC Voltage V1: 10 V
DC Voltage V2: 0
DC Voltage V3: 0
Abrir o Voltímetro A no menu Instrumentos / Dispositivos de medição ou

clicando sobre a imagem abaixo. Adotar os seguintes ajustes:
RANGE (INTERVALO): 1 V
MODE (MODO): RMS
DC
Abrir o instrumento virtual amperímetro duplo no
menu Instrumentos / Dispositivos de medição.
Selecionar os seguintes ajustes para ambos os canais:
CHANNEL E:
CHANNEL F:
RANGE: 300 mA
RANGE:
MODE: RMS
MODE:
DC
Ajustar o potenciômetro de volta a posição máxima a esquerda e determinar a resistência
de passagem do tiristor com uma medição de corrente e tensão.
UThy = _____V
IThy = _____mA RThy= UThy / IThy
RThy = _____Ω
Triac
Introdução
O Triac é um componente semicondutor que é utilizado em muitas aplicações, ao invés de um
interruptor mecânico, relé, transistor de comutação ou reguladores de tensão e potência.
Diferente de um tiristor, o Triac apresenta uma curva característica de passagem em ambas as
direções e pode ser comparado, em seu comportamento e curva característica, a dois tiristores
conectados em antiparalelo.
Através da divisão do Triac em dois tiristores parciais, é possível evidenciar seu funcionamento. As
quatro camadas semicondutoras de ambos os tiristores parciais com três junções p-n formam,
dependendo da polaridade da tensão aplicada, pelo menos uma camada de bloqueio.
Se for aplicada uma determinada tensão na conexão de controle (porta), então a camada de
bloqueio é desfeita no caso do anodo positivo, e o tiristor passa para a sua condição de condução e
é inflamado. Esta condição é mantida até que a corrente que passa pelo Triac fique abaixo de um
determinado valor, o da corrente de manutenção, e o tiristor parcial se extingue novamente. As
camadas de bloqueio são novamente formadas. Sendo assim, a extinção do Triac é apenas possível
através de uma passagem no zero (valor abaixo da corrente de manutenção) da corrente, assim
como ocorre no caso da tensão alternada. O funcionamento do Triac pode ser evidenciado através
da estrutura interna e circuito equivalente a seguir, de dois tiristores parciais:
A corrente da porta controla a porta de um dos tiristores parciais, que o torna condutor em sua
direção de passagem. O Triac pode ser novamente extinguido através da porta.
Ficha de dados TIC226N
Experimento comportamento de comutação
Neste experimento vamos inspecionar o comportamento de comutação do Triac em dependência da
corrente da porta.
Montar o circuito conforme o seguinte esquema de circuito e animação. Medir a tensão de carga
com o osciloscópio.
alimentação.
U: 12 V
f: 50 Hz
medição.
Time: 2 ms / div
Mode: X/T
PRETRIGGER: 0 div;
oComo a lâmpada se comporta quando o potenciômetro é ajustado por todo o intervalo?
A lâmpada permanece desligada.
A lâmpada acende, assim que se atinge um determinado
ponto do ajuste, depois é possível variar a luminosidade da
lâmpada.
A lâmpada acende através de um grande intervalo de ajuste
com brilho máximo.
Qual curso apresenta a tensão de carga quando o potenciômetro é acionado?
Primeiramente cai apenas uma parte da meia onda de
tensão na lâmpada, depois é adicionada uma parte da
segunda meia onda. Por fim ambas as meia ondas de
tensão caem quase que totalmente na carga.
Ambas as meia ondas de tensão caem na lâmpada. As meia
ondas passam completamente.
A onda de tensão completa cai na lâmpada. As meia ondas
passam completamente.
Ajustar o potenciômetro de forma que flua uma corrente de carga. Qual ângulo de fase
ocorre neste caso?
O ângulo de fase é: ____°
Experimento ângulo de condução de corrente
No experimento a seguir vamos investigar a relação entre o ângulo de condução de corrente e a
corrente da porta (tensão no potenciômetro P1). O ângulo de condução de corrente é determinado
com auxílio do osciloscópio. Por fim é determinada a curva característica de corrente e tensão do
Triac.
Deve-se adotar a estrutura do experimento anterior sem alterações.

alimentação.
U: 12 V
f: 50 Hz
medição.
Time: 2 ms / div
Mode: X/T
PRETRIGGER: 0 div;
Abrir o medidor de tensão duplo no menu Instrumentos /

Dispositivos de medição.
Favor selecionar os seguintes ajustes para ambos os canais:
CHANNEL C:
CHANNEL D:
RANGE: 20 V
RANGE:
MODE: RMS
MODE:
DC
Registrar a tensão do Triac e a tensão de carga para diferentes ângulos de condução de corrente.
Copiar os oscilogramas obtidos para os campos adequados abaixo. Para isso, clicar com o botão
direito do mouse na tela do osciloscópio e selecionar "copiar". Em seguida é possível adicionar a tela
do osciloscópio no campo adequado com auxílio da interface .
Para isso, ajustar a tensão na saída do potenciômetro para os seguintes valores:
Tensão do potenciômetro em 0V
Medir e anotar cada um dos ângulos de fase para a meia onda positiva assim como para a
meia onda negativa.
Meia onda positiva α = ____°
Meia onda negativa α = ____°
Qual ângulo de fase ocorre neste caso?
Tensão máximo do potenciômetro (12V)

Quais ângulos de fase máximos e mínimos podem ser ajustados com os respectivos
ângulos de condução de corrente?
O ângulo de fase máximo α é aprox. = ____°
O ângulo de fase mínimo α é aprox. = ____°
Avaliar a qualidade deste controle. Como é possível melhorar o intervalo de controle?
O acionamento através de um pulso ao invés da corrente da
porta possibilita um aumento do intervalo de controle da
corrente de carga.
O acionamento através de um pulso ao invés da corrente da
porta evita um aumento do intervalo de controle da corrente
de carga.
O intervalo de controle é ilimitado e é possível reduzir
devagar a intensidade do brilho da lâmpada.
O intervalo de controle é limitado e não é possível reduzir
devagar a intensidade do brilho da lâmpada.
Registrar a curva característica de corrente e tensão. Para isso ajustar o osciloscópio na operação
X/Y.
Como ocorrem as assimetrias na curva característica?
As assimetrias na curva característica são causadas pela
redução da tensão aplicada.
As assimetrias na curva característica são causadas pelo
aumento da tensão aplicada.
As assimetrias na estrutura física do Triac levam a uma
curva característica correspondente. Como os componentes
são utilizados com alta tensão e alta corrente, as assimetrias
não desempenham um papel importante.
MOSFET
Introdução
No caso dos transistores de efeito de campo trata-se de transistores unipolares, cuja condutividade é
controlada através do efeito de campo da tensão de controle aplicada.
No caso do MOSFET utilizado aqui, trata-se de um tipo MOSFET de intensificação com auto
bloqueio com conexão da porta com camada de isolamento.
Ao aplicar uma tensão positiva na porta, o campo elétrico positivo pressiona portadores de carga do
espaço entre a fonte e o dreno no interior do cristal e atrai elétrons livres para a superfície. Ao
superar um valor limite surge um canal condutor entre a fonte e o dreno, um canal condutor N. Ao
aumentar ainda mais a tensão na porta, mais elétrons são fornecidos a porta aumentando assim a
condutividade do trecho dreno-fonte.
Ficha de dados BUZ31
Experimento registro de curva característica
No próximo experimento vamos investigar o comportamento de comutação do MOSFET. A curva
característica da corrente de carga em dependência da tensão porta-fonte é registrada.
Montar o circuito conforme o seguinte esquema de circuito e animação.
DC Voltage V1: 12 V
DC Voltage V2:
DC Voltage V3:

MODE (MODO): RMS
DC
CHANNEL E: CHANNEL F:
RANGE: 300 RANGE: 300
mA mA
MODE: RMS MODE: RMS
DC DC
Como se comporta a lâmpada quando o potenciômetro é ajustado por todo o intervalo?
Em um amplo intervalo a lâmpada acende completamente e
depois desliga.
Em um amplo intervalo a lâmpada acende completamente e
depois desliga. Apenas em um pequeno intervalo, no qual o
MOSFET vai para sua condição de condutor, a luminosidade
poder ser alterada.
A lâmpada permanece apagada.
Para a próxima medição remover a lâmpada do circuito de carga.
Registrar a corrente de carga em dependência da tensão porta-fonte. Registrar os valores medidos
da corrente de carga na seguinte tabela. Ao clicar no símbolo do diagrama é mostrado
graficamente a curva característica resultante.
300
I(L) in mA
250
200
150
100
50
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
U(GS) in V
Qual é a tensão limiar do transistor?
A tensão limiar é UGS ≅ ____V
Medir a corrente da porta e a tensão porta-fonte para o MOSFET completamente controlado. Para
isso, remover o condutor de medição entre MP2 e a porta G e medir a corrente da porta com o
canal F do amperímetro duplo.
O que pode-se afirmar sobre o tipo de controle, assim como sobre a potência de controle?
Quando o transistor bloqueia completamente, flui uma
pequena corrente de porta. O transistor absorve 20% da
potência.
Um controle e porta não é possível com este tipo de
transistor. A potência é completamente consumida.
Quando o transistor está completamente condutor, não flui
corrente de porta. O transistor pode ser controlado sem
quaisquer perdas de potência.
Experimento tempo de comutação
No próximo experimento vamos investigar o tempo de comutação do MOSFET. Para isso, registrar
no osciloscópio a tensão porta-fonte com o canal A e a tensão dreno-fonte com o canal B.
medição.
Time: 100 ns / div
Mode: X/T
PRETRIGGER: 5 div; single

DC Voltage V1: 12 V
DC Voltage V2:
DC Voltage V3:
Abrir o Gerador de Funções no menu Intrumentos / Fontes de

Alimentação ou clicando na imagem ao lado. Configurar conforme
indicado a seguir:
AMPLITUDE: 50 %
ATENUAÇÃO: 1:1
FREQUÊNCIA: 1 kHz
FUNÇÃO: Logic
Clicar no botão "Power" para acionar a saída do Gerador de
Funções.
Ligar o osciloscópio com a interface no modo ampliado e utilizar a função do cursor do
osciloscópio para determinar o tempo de comutação.
Ajustar a menor base de tempo possível para registrar com o osciloscópio um processo de
comutação com exatidão. Para isso, determinar o tempo até o acionamento completo (condição de
disparo) do MOSFET.
Determinar o tempo de comutação do MOSFET.
Utilizar a função
O tempo de comutação é aprox. ____µs. cursor do
osciloscópio.
Experimento medição de potência
No próximo experimento vamos determinar a dissipação de potência do MOSFET.
DC Voltage V1: 12 V
DC Voltage V2:
DC Voltage V3:

RANGE (INTERVALO): 100 mV
MODE (MODO): RMS
DC
CHANNEL E:
CHANNEL F:
RANGE: 300 mA
RANGE:
MODE: RMS
MODE:
DC
Determinar a dissipação de potência no MOSFET acionado através da medição de corrente
e tensão.
UDS = ____mV
IDS = ____mA PV = UDS • IDS
PV = ____mW
Nota: Uma superação (overrun) do intervalo de medição ajustado é mostrado através do LED
OVR. Alterar para o próximo intervalo de medição mais alto, quando o LED brilha.
Qual é a tensão e a corrente de vazamento na condição de bloqueio do MOSFET?
UDS = ____V
IDS = ____mA
Como você avalia as possibilidades de aplicação do MOSFET para processo de comutação
rápidos?
A baixa dissipação de potência na condição de condução e
as baixas correntes de vazamento na condição de bloqueio
fazem do transistor um interruptor ideal, quando um
processo de comutação precisa ser rápido, como p.ex. para
um atuador com modulação por largura de pulso. Além disso
os MOSFETs possuem uma rápida transição de comutação
e podem ser rapidamente controlados quase sem dissipação
de potência. Apenas a capacitância entre porta e fonte
apresentam neste caso um efeito.
MOSFETs possuem transições de comutação muito lentas e
não podem ser controlados sem dissipação de potência.
MOSFETs possuem alta dissipação de potência na condição
de condução e altas correntes de vazamento na condição de
bloqueio, por este motivo o MOSFET é um interruptor lento e
inapropriado para processos de comutação rápidos, como
p.ex. para para um atuador com modulação por largura de
pulso.
IGBT
Introdução
No caso dos transistores bipolares de porta isolada trata-se de transistores bipolares, cujo
comportamento de resistência é controlado através do efeito de campo da tensão de controle
aplicada.
O Insulated Gate Bipolar Transistor, abreviado IGBT, combina as propriedades do MOSFET com a
do transistor bipolar:
alta impedância de entrada
alta velocidade de comutação
com auto bloqueio, alta tensão reversa na direção de passagem
baixa perda por atenuação.
Estrutura:
Esquema de circuito equivalente:
Através do esquema de circuito equivalente: é possível evidenciar o funcionamento do componente.
Ao aplicar uma tensão positiva na porta, o primeiro transistor é controlado, que depois vai controlar o
segundo transistor. Com isso, ocorre um tipo de realimentação positiva de ambos os transistores,
que explica o comportamento limiar do aumento da corrente. Através do dimensionamento das
resistências, assim como da dopagem de cada uma das camadas semicondutoras, é evitado o
acoplamento do IGBT. Para desligar o componente é suficiente uma redução da tensão porta-
emissor abaixo do valor limite.
Ficha de dados BUP 213
Experimento registro de curva característica
No próximo experimento vamos investigar o comportamento de comutação do IGBT. A curva
característica da corrente de carga em dependência da tensão porta-emissor é registrada.
DC Voltage V1: 12 V
DC Voltage V2:
DC Voltage V3:

MODE (MODO): RMS
DC
CHANNEL E:
CHANNEL F:
RANGE: 300 mA
RANGE:
MODE: RMS
MODE:
DC
Como se comporta a lâmpada quando o potenciômetro é ajustado através de todo o
intervalo?
O brilho da lâmpada não pode ser alterado com o
potenciômetro.
A lâmpada permanece desligada.
Apenas em um pequeno intervalo, no qual o IGBT muda
para a condição de condução, pode alterar o brilho.
Para a próxima medição remover a lâmpada do circuito de carga.
Registrar a corrente de carga em dependência da tensão porta-emissor. Registrar os valores
medidos da corrente de carga na seguinte tabela. Ao clicar no símbolo do diagrama é mostrado
graficamente a curva característica resultante.
300
I(L) in mA
250
200
150
100
50
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
U(GS) in V
Qual é o limite de comutação do transistor?
O limite de comutação UGE é ≅ ____V.
Medir a corrente da porta e a tensão porta-emissor para o IGBT completamente controlado. Para
isso, remover o condutor de medição entre MP2 e a porta G e medir a corrente da porta com o
canal F do amperímetro duplo.
O que pode-se determinar sobre o tipo de controle, assim como a potência de controle?
Quando o transistor está completamente condutor, não flui
nenhuma corrente de porta. O transistor não pode ser
controlado sem dissipação de potência.
Quando o transistor está completamente bloqueado, flui uma
baixa corrente de porta. O transistor absorve 20% da
potência.
Um controle da porta não é possível com este tipo de
transistor. A potência é totalmente consumida.
Experimento tempo de comutação
No próximo experimento vamos investigar o tempo de comutação do IGBT. Para isso, registrar no
osciloscópio a tensão porta-emissor com o canal A e a tensão coletor-emissor com o canal B.
medição.
Time: 100 ns / div
Mode: X/T
PRETRIGGER: 5 div; single

DC Voltage V1: 12 V
DC Voltage V2:
DC Voltage V3:
Abrir o Gerador de Funções no menu Intrumentos / Fontes de

Alimentação ou clicando na imagem ao lado. Configurar conforme
indicado a seguir:
AMPLITUDE: 90 %
ATENUAÇÃO: 1:1
FREQUÊNCIA: 1 kHz
FUNÇÃO: Logic
Clicar no botão "Power" para acionar a saída do Gerador de
Funções.
Ajustar a menor base de tempo possível para registrar com o osciloscópio um processo de
comutação com exatidão. Para isso, determinar o tempo até o acionamento completo (condição de
disparo) do IGBT.
Ligar o osciloscópio com a interface no modo ampliado e utilizar a função do cursor do
osciloscópio para determinar o tempo de comutação.
Determinar o tempo de comutação do IGBT.
O tempo de comutação é de aprox. ____µs.
Experimento medição de potência
No próximo experimento vamos determinar a dissipação de potência do IGBT.
Montar o circuito experimental conforme representado.
DC Voltage V1: 12 V
DC Voltage V2:
DC Voltage V3:

MODE (MODO): RMS
DC
CHANNEL E:
CHANNEL F:
RANGE: 300 mA
RANGE:
MODE: RMS
MODE:
DC
Determinar a dissipação de potência no IGBT ligado através de uma medição de corrente e
tensão.
UCE = ____mV
ICE = ____mA PV = UCE • ICE
PCE = ____mW
Nota: Uma superação (overrun) do intervalo de medição ajustado é mostrado através do LED
OVR. Alterar para o próximo intervalo de medição mais alto, quando o LED brilha.
Qual é a corrente de vazamento na condição de bloqueio do IGBT?
UCE = ____V
ICE = ____mA
Como você avalia as possibilidades de aplicação do IGBT para processos de comutação
rápidos?
IGBTs possuem na condição de condução uma alta
dissipação de potência e na condição de bloqueio altas
correntes de vazamento, por este motivo o IGBT é um
interruptor lento e inadequado para processos de comutação
rápidos.
A baixa dissipação de potência na condição de condução e
as baixas correntes de vazamento na condição de bloqueio
fazem do transistor um interruptor ideal, quando um
processo de comutação precisa ser rápido, como p.ex. para
um atuador com modulação por largura de pulso. Além disso
os IGBTs possuem uma rápida transição de comutação e
podem ser rapidamente controlados quase sem dissipação
de potência. Apenas a capacitância entre porta e fonte
apresentam neste caso um efeito.
IGBTs possuem transições de comutação muito lentas e não
podem ser controlados sem dissipação de potência.
Teste de conhecimento
Como se denominam as conexões de um tiristor?
Catodo
Fonte
Anodo
Base
Várias respostas
Dreno são possíveis.
Porta
Emissor
Coletor
Quantas transições PN possui, no mínimo, um tiristor?
Um tiristor possui ____ transições PN.
Como um Triac pode ser apagado depois da ignição?
Ao ficar abaixo da corrente de retenção.
Através de um pulso de tensão na conexão da porta.
Através da tensão negativa na conexão da porta.
Como se denominam as conexões de um IGBT?
Catodo
Fonte
Anodo
Base
Várias respostas
Dreno são possíveis.
Porta
Emissor
Coletor
Um Triac é utilizado para o controle de potência de uma carga operada com tensão
alternada. Em qual meia onda do sinal de carga atua o Triac?
Na meia onda positiva do sinal de carga.
Na meia onda negativa do sinal de carga.
Em ambas meia ondas do sinal de carga.
Quais das seguintes afirmações estão certas sobre o MOSFET?
MOSFETs podem ser utilizados como interruptores
eletrônicos.
O MOSFET é um componente controlado por corrente.
As conexões de um MOSFET são denominadas porta, fonte
e dreno.
Um MOSFET comporta-se como um diodo. Várias respostas
são possíveis.
MOSFETs podem ser conectados praticamente sem
dissipação.
Entre a conexão da porta e o material semicondutor
encontra-se uma camada de óxido isolante.
Entre a porta e a fonte sempre flui uma alta corrente.
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Electrónica 6. Dispositivo Semicondutor de Potência 06.11.21

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