Electrónica 1. Componentes Semicondutores

Componentes semicondutores
Curso UniTrain
“Eletrônica 1 - Componentes semicondutores”
Curso nº: CO4204-5A Versão 1.0.0.0
Autor: Frank Wulke
Lucas-Nülle GmbH · Siemensstraße 2 · D-50170 Kerpen (Sindorf) · Tel.: +49 2273 567-0
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All rights reserved.

Table Of Contents
Objetivos de aprendizagem 5
Material 7
Placa "Diodos" 8
Placa "Diodos Zener e componentes optoeletrônicos" 9
Placa "Circuitos de transistores" 10
Introdução - Semicondutores 12
Condutores, isolantes e semicondutores 13
Modelo atômico 15
Elétrons livres 17
Estrutura do cristal de silício 18
Resistência específica de semicondutores 20
Condutividade e comportamento da temperatura 22
Dopagem 24
Descrição de componentes 26
Diodos 29
Junção p-n 30
Símbolo da ligação 31
Polarização inversa 32
Experimento com a polarização inversa 33
Polarização direta 36
Experimento com a polarização direta 37
Experimento em tensão CA 41
Teste de conhecimentos 46
Curvas características 48
Registro das curvas características estáticas 49
Registro das curvas características dinâmicas 54
Busca de erros 60
Diodos Zener 67
Fundamentos 68
Limitação da tensão em tensão CC 70
Limitação da tensão em tensão CA 74
Busca de erros 79
Estabilização da tensão 81
Dependência da carga 83
Busca de erros 90
Dependência da tensão de entrada 92
Análise das correntes 98
Outros diodos 109
Outros tipos de diodos 110
Optoeletrônica 115
LED 116
Componentes optoeletrônicos 118
Curva característica dinâmica de infravermelho 121
Análise do fototransistor 125
Comportamento como acoplador óptico 129
Busca de erros 136
Sensor fotoelétrico tipo garfo 138
Transistores 146
Introdução - Transistores bipolares 147
Circuitos básicos de transistores 149
Transistor como chave 151
Transistor como chave 153
Transistor como amplificador 159
Configuração do ponto de operação 162
Busca de erros 169

Circuito emissor sem retroalimentação negativa 171
Busca de erros 176
Circuito emissor com retroalimentação de corrente negativa 178
Busca de erros 188
Circuito emissor com retroalimentação de tensão negativa 190
Busca de erros 195
Circuito coletor 197
Busca de erros 202
Outros tipos de transistores 204
Copyright 215
Objetivos de aprendizagem
Bem-vindo ao curso UniTrain Componentes semicondutores! O time LUCAS-NÜLLE deseja-lhe

muita diversão e sucesso durante o curso e a realização dos experimentos. As próximas páginas lhe
fornecerão uma visão geral do conteúdo do curso e dos materiais necessários.
No curso UniTrain “Componentes semicondutores”, são realizados experimentos com diversos

diodos em diferentes ligações e, a partir deles, obtêm-se o comportamento e o modo de operação
dos diodos. Componentes optoeletrônicos (LEDs, fototransistores) são analisados por meio de
experimentos em seus circuitos de aplicação típicos como o acoplador óptico e o sensor
fotoelétrico tipo garfo, gravando suas curvas características e seu comportamento operacional.
O comportamento de transistores é analisado em dois circuitos básicos de transistores
frequentemente utilizados. O circuito emissor é analisado com e sem retroalimentação. Por fim, um
segundo tipo de circuito conhecido como circuito coletor é analisado.
O conhecimento obtido nos exercícios pode ser aplicado em diversas buscas de erros com distinta
relevância prática.
Conteúdo (didático)
Diodos:
familiarização com diversos tipos de diodos: diodo de silício, diodo de germânio,
diodo Zener
determinação do efeito de válvula e de retificação de diodos
tensão de joelho
registro das curvas características estáticas e dinâmicas do diodo
determinação dos parâmetros e do comportamento dos diodos em polarização
direta e inversa
análise da estabilização da tensão e circuitos limitadores com diodos Zener
determinação dos limites de potência e corrente de diodos
LED infravermelho:
parâmetros do LED infravermelho
curva característica do LED infravermelho
fototransistor
acoplador óptico
comportamento do circuito
tempo de retardo
sensor fotoelétrico tipo garfo
Transistor:
transistores como chaves
Configuração do ponto de operação (tensão de bias)
circuito emissor sem retroalimentação
circuito emissor com retroalimentação negativa de tensão e corrente
circuito coletor
impedância da entrada e da saída de circuitos emissores
Pré-requisitos
conhecimento dos fundamentos da tecnologia de corrente contínua e alternada, como,
por exemplo, dos adquiridos nos cursos CO4204-4D Tecnologia de corrente contínua e
CO4204-4F Tecnologia de corrente alternada.
Material
CO4203-
Interface UniTrain
2A
CO4203- Bancada de experimentos

2B UniTrain
SO4203-
Placa UniTrain “Diodos”
7A
SO4203- Placa UniTrain “Diodos Zener /

7C Optoeletrônica”
SO4203- Placa UniTrain “Transistor -

7E circuitos básicos”
Acessórios de medição UniTrain

SO4203-
(resistores shunt, cabos de
2J
medição e jumpers)
LM2330 Multímetro Multi 13S opcional
Segunda bancada de
CO4203-
experimentos UniTrain (opcional)
2B
como estação de acoplamento.
É necessário ter o Flash-Player instalado para visualizar algumas animações.

Caso você não possua o Flash-Player instalado em seu sistema, é possível fazer
o download de uma versão atual no site da Adobe.
Placa "Diodos"
A placa de experimento UniTrain “Diodos” SO4203-7A contém três circuitos, com as quais
analisam-se as propriedades de diferentes diodos.
Passe a seta do mouse sobre a figura para descobrir mais sobre cada componente da placa.
Dados técnicos:
Tensão operacional:
CC: 0...15 V
CA: 0...10 V / 0...100 Hz
Grupos de função:
Circuito I: 3 diodos diferentes com

resistor de série
Circuito II: Diodo de silício
com resistor de série
Circuito III: Limitação da tensão com
2 diodos Zener
Dimensões:
160 x 100 mm (largura x altura)
Descrição do funcionamento:
Na parte superior, encontram-se três diodos, um de germânio, um de silício e um Zener, que podem
ser conectados a um resistor de série através da tensão de alimentação. No circuito, encontra-se
também um shunt para a medição da corrente.
Na parte inferior à esquerda, encontra-se um diodo com resistor de série.
A parte inferior esquerda contém um circuito limitador de tensão montado com dois diodos Zener.
A alimentação de tensão ocorre através de conectores de 2 mm.

Placa "Diodos Zener e componentes optoeletrônicos"
A placa de experimento UniTrain “Diodos Zener e componentes optoeletrônicos” SO4203-

7C contém dois circuitos, um estabilizador de tensão e um sensor fotoelétrico.
Dados técnicos:
+15 VCC
Grupos de função:
Circuito I: 2 diodos Zener para a

estabilização da tensão com resistor
de série e 4 resistores de carga
diferentes
Circuito II: Sensor fotoelétrico tipo
garfo com LED infravermelho e
fototransistor
Dimensões:
Na parte superior, realiza-se a estabilização de tensão com dois diodos Zener e diferentes resistores
de carga.
A parte inferior contém um sensor fotoelétrico, que pode ser utilizando tanto como um acoplador
óptico aberto quanto como um sensor fotoelétrico tipo garfo. Propriedades do LED infravermelho e
do fototransistor podem ser analisados. A corrente do diodo pode ser alterada no potenciômetro.
A alimentação de tensão da parte superior ocorre através de conectores de 2 mm.
A parte inferior é alimentada por um sistema bus.

Placa "Circuitos de transistores"
A placa de experimento “Circuitos de transistores” SO4203-7E contém uma variante de circuito de

transistor, com a qual se podem montar diversos circuitos básicos utilizando-se jumpers de 2 mm.
Dados técnicos:
+15V 0-10 Vpp / 1 kHz
Circuito do transistor:
Transistor BC140 (folha de dados,

em inglês)
Circuito emissor sem e com
retroalimentação negativa
Retroalimentação negativa de tensão
e corrente
Circuito coletor
Funções de proteção:
Proteção contra inversão de

polarização
Proteção contra sobretensão de até
24 V
Dimensões:
O circuito contém um circuito de transistor, com o qual os seguintes experimentos podem ser
realizados:
Circuito emissor sem retroalimentação negativa
Circuito emissor com feedback negativo
Circuito coletor
A alimentação de tensão ocorre através do sistema bus. A tensão do sinal é conectada às entradas
de 2 mm.
Introdução - Semicondutores
Nas próximas páginas, você receberá algumas informações fundamentais sobre semicondutores.
Condutores, isolantes e semicondutores
A condutividade elétrica de um material depende essencialmente da sua quantidade de elétrons

livres. Assim diferenciam-se condutores, não-condutores e semicondutores, sendo estes a base para
os componentes tratados neste curso.
Condutores
Uma corrente elétrica só pode passar por materiais, em que haja portadores de carga (normalmente
elétrons livres) que se movimentem livremente. Denominam-se condutores de eletricidade aqueles
materiais que contêm muitos elétrons livres, cuja movimentação sofre pouca resistência. O gráfico a
seguir mostra o movimento de elétrons livres entre os átomos de um condutor.
átomo
elétrons
livres
Condutores sólidos são predominantemente metais, tais como ouro, prata, cobre, alumínio ou ferro.
Um condutor não-metálico é o carbono (grafite). Líquidos também podem ser condutores, como, por
exemplo, mercúrio, metais derretidos ou soluções aquosas de sais, ácidos e bases.
Isolantes (não-condutores)
Materiais que possuem apenas poucos elétrons livres são denominados isolantes ou não-
condutores. Praticamente nenhuma corrente pode fluir por eles. O gráfico a seguir demonstra isso:
átomo
elétron
livre
Vidro, porcelana, âmbar, borracha, papel, algodão e plástico, entre outros, são materiais sólidos não-
condutores. Por isso, eles servem para isolar condutores uns dos outros. Na verdade, esses
materiais indicam que não há não-condutores ideais, mas somente condutores com uma
condutividade muito baixa. A passagem entre condutores e não-condutores não é, portanto,
marcada por um limite claro. Pelo contrário, ela se dá de maneira tênue.
Semicondutores
Aqueles materiais descritos como semicondutores ocupam uma posição especial entre condutores e
não-condutores; eles são significativos sobretudo para a produção de componentes eletrônicos
como diodos, transistores e ligações integradas. Os materiais semicondutores mais importantes são
o silício (Si), o germânio (Ge) e o arsenieto de gálio (GaAs). A condutividade desses materiais é
obtida por um método chamado dopagem, o qual faz com que os chamados elétrons-lacuna (ou
lacunas), que podem ser imaginados como “lacunas de elétrons”, façam parte da corrente, ao lado
dos elétrons livres. Esses portadores de carga são, ao contrário dos elétrons livres, positivamente
carregados. O gráfico seguinte elucida o movimento dos portadores de carga nesses tipos de
semicondutores.
átomo
elétron
livre
lacuna
A quantidade de elétrons livres (elétrons e lacunas no caso de semicondutores) de um material

depende de sua estrutura atômica. Assim, primeiramente, um modelo atômico simples deve ser
observado mais uma vez.
Modelo atômico
Todos os estados e processos elétricos estão ligados à existência de pequenas partículas

elementares chamadas elétrons.
O elétron é o portador da menor quantidade de eletricidade, do quantum elementar da

eletricidade.
Os elétrons são unidades componentes do átomo do elemento químico. O átomo (do grego atomos:
o indivisível) foi considerado como o menor e indivisível componente da matéria durante muito
tempo. Hoje em dia, no entanto, sabe-se que este não é o caso. Ao invés disso, átomos têm uma
estrutura verdadeiramente complexa, que pode ser visualizada em modelos atômicos. O modelo
atômico mais significativo até hoje é o de Niels Bohr. Imagina-se a estrutura de um átomo como algo
similar ao nosso sistema solar: no centro, encontra-se onúcleo atômico, assim como o Sol em nosso
sistema solar. Os elétrons movimentam-se em torno dos núcleos, assim como os planetas em torno
do Sol. Os átomos de diferentes elementos diferem entre si pela grandeza do núcleo e pela
quantidade de elétrons que o circulam. Os elétrons movimentam-se em órbitas definidas, com
diferentes inclinações, elípticas ou circulares, com variados diâmetros e formam, assim, a nuvem de
elétronsdo átomo. O diâmetro do núcleo do átomo é aproximadamente 10.000 vezes menor do que
o do átomo todo.
Átomos são compostos de núcleo e eletrosfera.
Elétrons são carregados negativamente. O núcleo atômico é, por sua vez, composto por nêutrons,
eletricamente neutros, e por prótons, carregados positivamente. Com isso, ele possui um
carregamento geral positivo. Uma vez que a quantidade de elétrons e prótons em um átomo é
idêntica, o átomo em si é eletricamente neutro. A animação seguinte mostra o modelo atômico
completo.
próton
nêutron
elétron
O átomo mais simples é o de material mais leve, do hidrogênio. Ele possui apenas um elétron e,
portanto, um próton também. Porém, não possui nenhum nêutron. O átomo de oxigênio, por
exemplo, possui oito elétrons ao todo, os quais orbitam o núcleo, sendo dois em um nível mais
interno e seis em um nível mais externo. Já o átomo de alumínio contém 13 elétrons em três níveis
com trajetos de diferentes diâmetros. O átomo mais pesado existente na natureza é o do urânio, que
possui 92 elétrons distribuídos em sete níveis. A ilustração seguinte mostra os modelos atômicos
simplificados de hidrogênio, oxigênio e alumínio. Os níveis eletrônicos são aqui representados em
apenas um mesmo plano e como círculos para simplificar. Além disso, abdicou-se de uma
representação detalhada da composição do núcleo atômico.
núcleo
atômico
hidrogênio oxigênio alumínio
Cada nível eletrônico pode admitir uma quantidade máxima específica de elétrons. Podem-se
encontrar, no máximo, dois elétrons no primeiro nível (o mais interno), oito no segundo e dezoito
elétrons no terceiro.
Elétrons livres
Como já visto anteriormente, os elétrons dentro de um átomo movimentam-se em diversos níveis

eletrônicos, que possuem diferentes distâncias em relação ao núcleo atômico. Cada nível atômico
corresponde a um conteúdo energético específico do elétron, que, quanto maior for, maior o raio do
nível eletrônico. Elétrons nos níveis mais externos possuem, portanto, a maior energia e são
conectados ao núcleo atômico com menos força do que os elétrons dos níveis interiores. Esses
elétrons são chamados de elétrons de valência. Eles são responsáveis pela ligação dos átomos
entre si na estrutura atômica. A construção de um elemento a partir de seus átomos acontece de
maneira que os elétrons de valência de cada átomo se interliguem com os respectivos elétrons de
valência dos átomos vizinhos, formando pares de elétrons com eles. Através das ligações de vários
átomos em cadeia, forma-se, especificamente para cada material, uma estrutura cristalina exclusiva,
definida pelo número de elétrons de valência.
A seguinte ilustração mostra o modelo atômico simplificado do cobre. Podem-se encontrar, no

máximo, dois elétrons no primeiro nível (o mais interno), oito no segundo e dezoito elétrons no
terceiro.
Energia
elétron
de
valência
Uma vez que a ligação dos elétrons de valência com o núcleo é relativamente fraca, eles podem, ao
absorverem uma quantidade de energia suficientemente grande, deixar o nível eletrônico mais
externo, não permanecendo mais ligados ao átomo. Na verdade, estamos falando dos chamados
elétrons livres, que, com maior ou menor liberdade, movimentam-se entre os átomos na estrutura
atômica de um material. Esses elétrons livres desempenham um papel crucial na condutividade dos
materiais.
Estrutura do cristal de silício
A estrutura da retícula cristalina de um semicondutor é explicada de modo exemplar por um

semicondutor elementar, o silício.
O silício é o 14º elemento da tabela periódica. De acordo com ela, um átomo de silício possui 14
prótons, 14 nêutrons e 14 elétrons. De acordo com o modelo atômico de Bohr, os dois níveis
atômicos internos são completamente ocupados com elétrons (2 + 8). No nível atômico externo, o
átomo de silício possui quatro elétrons, os elétrons de valência. Eles são responsáveis pela
condutividade. Os elétrons dos níveis internos não são mostrados na figura seguinte.
Os átomos procuram alterar a quantidade de elétrons na camada de valência a fim de que ela fique
completa. Átomos de silício podem tanto doar seus quatro elétrons de valência quanto receber
quatro elétrons dos átomos vizinhos. Devido ao elevado grau de pureza do cristal, eles não têm
nenhuma chance de se conectarem com átomos de elementos químicos estranhos. Então, eles
constróem ligações entre si, nas quais os respectivos elétrons de valência circulam de um lado para
o outro, entre os átomos vizinhos, para que as camadas de valência de alguns átomos sejam
preenchidas por um curto tempo. Esse processo é chamado de ligação covalente.
Semicondutores compostos têm um comportamento similar, apesar da estrutura mais complexa.
Eles são designados de acordo com o grupo de seus elementos. Por exemplo, arsenieto de gálio ou
antimoneto de índio são representantes do grupo Semicondutores III-V, enquanto o seleneto de
cádmio, do grupo Semicondutores II-VI.
Resistência específica de semicondutores
A condutividade de um material depende do número de portadores de carga livres (elétrons e

lacunas). O valor recíproco da condutividade de um material é denominado resistência específica. A
resistência específica de semicondutores está entre aquelas dos condutores metálicos e dos não-
condutores (isolantes). A tabela seguinte fornece uma visão geral da classificação em condutores,
semicondutores e isolantes. A seguir são especificados alguns materiais que tem frequente
aplicação na eletrotécnica e na eletrônica.
Resistência
Condutividade
Descrição específica ρ Material
κ (1/(Ωcm))
(Ωcm)
Isolantes 1020 10-20 Âmbar
1018 10-18 Parafina
1016 10-16 Poliestireno
1014 10-14 Carbono
1012 10-12 Porcelana
1010 10-10 PVC
Mármore,
108 10-8 vidro
Semicondutores 106 10-6 Selênio
104 10-4 Silício, puro
Germânio,
100 100 puro
Arsenieto
-2 2
10 10 de índio ou
de gálio
Condutores 10-6 106 Cobre
10-8 108 Prata
Além do selênio e do germânio, materiais semicondutores ainda hoje em dia raramente encontrados,
o silício é o material mais difundido. Além disso, semicondutores compostos “modernos”
e semicondutores orgânicos como, por exemplo, arsenieto de gálio, sulfeto de zinco ou
pentaceno tornam-se cada vez mais significativos. Estes são aplicados na optoeletrônica
predominantemente.
No caso de materiais semicondutores puros, o grau de pureza é de 1010, ou seja, existe um átomo
de elemento químico estranho para cada 1010 átomos semicondutores.
Condutividade e comportamento da temperatura
Alguns elétrons rompem as suas ligações de acordo com a quantidade de energia. Esses elétrons
deixam uma carga negativa faltando no átomo, uma lacuna. Essa lacuna representa uma carga
positiva. O elétron livre fica se movendo livremente dentro do cristal até encontrar uma lacuna de
novo e, assim, retornar a uma ligação atômica fixa. Trata-se de uma recombinação.
Uma parte da condução intrínseca é originada por este processo. Os elétrons de átomos localizados
nas bordas da retícula cristalina são responsáveis por uma outra parte da condução intrínseca, já
que eles não entram em nenhuma ligação covalente. Em terceiro lugar, entram em questão átomos
de elemento químico estranho restante.
A condutividade intrínseca é definida pela chamada densidade de portadores de carga intrínseca (ou
própria), que por sua vez define a quantidade de elétrons disponíveis para a condutividade, para um
volume específico de um material.
Comportamento da temperatura
Com o aumento da temperatura, isto é, com entrada de energia, a estrutura cristalina passa a vibrar
cada vez mais e a quantidade de ligações rompidas aumenta. Dessa maneira, encontram-se cada
vez mais elétrons livres no cristal, ou seja, a densidade intrínseca de portadores de carga de um
semicondutor depende da temperatura. Com temperaturas crescentes , aumenta a quantidade de
portadores de carga livres e, com isso, também a condutividade, diminuindo a resistência. Ao baixar
a temperatura, encontram-se cada vez menos elétrons livres à disposição, a condutividade diminui e
a resistência aumenta. A densidade de portadores de carga de um semicondutor é indicada,
portanto, para uma temperatura específica. Esta é também a razão pela qual o desempenho
característico de um elemento semicondutor é dado em fichas de dados sempre relacionado a uma
temperatura ambiente específica (normalmente 25° C). A tabela seguinte mostra a densidade de
portadores de carga de alguns semicondutores a 300° Kelvin (aprox. 27° Celsius):
Densidade intrínseca de
Material
portadores de carga ni
Metais 2 * 1022 cm-3
Germânio 2,33 * 1013 cm-3
Silício 1,02 * 1010 cm-3
Arsenieto de
gálio 2,0 * 106 cm-3
Um semicondutor puro não apresenta nenhuma condutividade instrínseca durante a formação de

pares a 0° Kelvin (zero absoluto). Semicondutores possuem um coeficiente de temperatura negativo
devido a esse comportamento.
A temperatura de referência de 300° Kelvin é de grande valor para a caracterização dos

materiais semicondutores. Em fichas de dados de componentes, adota-se geralmente uma
temperatura ambiente de 25° Celsius.
Dopagem
O comportamento elétrico de um semicondutor pode ser influenciado pela inserção proposital de

átomos de elementos químicos estranhos (impurezas). Nesse caso, impureza significa que um
átomo de elemento químico estranho de um valor maior (mais elétrons de valência) ou menor
(menos elétrons de valência) é inserido no semicondutor no lugar de um átomo original. Assim, é
gerado um excedente nos portadores de carga negativos (elétrons) ou nos positivos (lacunas). Em
ambos os casos, isso leva a um aumento da quantidade de portadores de carga livres.
A densidade de portadores de carga de um semicondutor pode ser aumentada através da adição

proposital de átomos de elemento químico estranho. Dependendo da quantidade de átomos de
elemento químico estranho, a resistência específica pode, portanto, variar amplamente.
A contaminação deliberada de um semicondutor com átomos de elemento químico estranho é

chamada dopagem. É feita uma diferenciação entre dopagem-n (elétrons) e dopagem-p (lacunas).
Esta diferença está representada nas duas imagens a seguir.
Dopagem-n com átomo de fósforo de valência 5.

Dopagem-p com átomo de boro de valência 3.
Descrição de componentes
Semicondutores são descritos por diferentes códigos compostos de números e letras.
De acordo com a norma americana, a descrição de semicondutores começa com xN, seguida por
uma sequência numérica. Tal descrição indica, sobretudo, a quantidade de junções p-n. Logo,
semicondutores 1N são diodos, enquanto semicondutores 2N são transistores. Este modo de
descrição também é denominado código Jedec.
De acordo com a norma europeia, a descrição de semicondutores começa com duas ou três
combinações de letras, também seguidas por uma sequência numérica. A primeira letra diz respeito
à matéria-prima, a segunda, à finalidade, enquanto a terceira, ao produtor. A tabela a seguir mostra,
para exemplificar, um panorama geral, determinado de acordo com a norma da Pro electron.
Primeira letra:
Letra Matéria-prima
A Germânio
B Silício
Material com uma diferença muito grande de banda

C
de energia (>1,3 eV), p. ex. o arsenieto de gálio
Material com uma diferença muito pequena de

D banda de energia (menor do que 0,6 eV), p. ex. o
antimoneto de índio
Material para semicondutores fotossensíveis e

R
geradores de efeito Hall
Segunda letra:
Letra Finalidade
A Diodo (em geral)
B Diodo capacitivo
C Transistor de baixa frequência
D Transistor de potência de baixa frequência
Ε Diodo túnel
F Transistor de alta frequência

G Diodo de oscilador para aplicações de alta frequência
H Sonda de campo Hall
K Gerador de efeito Hall em circuito magnético aberto
L Transistor de potência de alta frequência
M Gerador de efeito Hall em circuito magnético fechado
P Componente sensível à radiação
Q Componente gerador de radiação
R Tiristor de baixa potência
S Transistor de comutação
T Tiristor
U Transistor de comutação de potência
X Diodo multiplicador
Y Diodo de potência
Z Diodo Zener
No modo de denominação asiático, os transistores PNP começam com 2SA ou 2SB e os

transistores NPN, com 2SC ou 2SD. Subsequentemente, há também um código numérico.
Antigamente, transistores eram descritos da maneira russa por Π000 a Π999 (Π corresponde à letra
P do alfabeto latino). Atualmente, o transistores de germânio são descritos por 1T000 até 1T999 ou
por ΓT000 até ΓT999 (Γ corresponde ao G do alfabeto latino). Transistores de silício recebem a
denominação 2T000-2T999 ou KT000-KT999.
Defina o material e a finalidade dos componentes a seguir.

Qual material semicondutor é utilizado no componente ilustrado e de qual componente se
trata?
Material semicondutor: ______________
Componente: ______________
Qual material semicondutor é utilizado no componente ilustrado e de qual componente se

trata?
Silício
Arsenieto de gálio
Germânio
Diodo Zener
Transistor de comutação de potência
Sonda de campo Hall
Diodos
Nas próximas páginas, você irá descobrir os fundamentos básicos sobre diodos.
Junção p-n
Componentes semicondutores são produzidos a partir de materiais semicondutores dopados tanto

do tipo positivo quanto do tipo negativo. A área de transição entre as áreas dopadas é de
importância decisiva para a função dos componentes semicondutores. Nas transições, é criada uma
área, na qual os portadores de carga livres movimentam-se sobre as regiões perimetrais. Então, os
elétrons migram para a área positiva e as lacunas, para a área negativa. Com isso, ocorrem as
recombinações, em que quase todos portadores de carga livres são combinados. Cria-se uma
camada de bloqueio, na qual não há nenhum portador de carga livre.
Com a distribuição ordenada dos portadores de carga, cria-se uma região de carga, que age
contrariamente a uma maior difusão. Assim, essa zona fica com espessura de poucos µm.
A zona criada através da região de depleção empobrecida de portadores de carga funciona como
um dielétrico de um capacitor. Apesar da capacitância ser bem pequena, ela se torna notavelmente
problemática nas altas frequências.
Símbolo da ligação
Um componente com um junção p-n é descrito como um diodo. O diodo possui duas conexões,
identificadas como cátodo e ânodo. No componente real, o cátodo é identificado por um anel. O
símbolo de ligação de um diodo parece-se com o seguinte:
Ânodo Cátodo
A figura seguinte elucida mais uma vez a organização do intervalo n-p, bem como o cátodo e o
ânodo, em comparação com um diodo real.
Polarização inversa
Se o pólo positivo de uma fonte de tensão encontrar-se no material N e o pólo negativo no P,

origina-se um campo elétrico. Devido a esse campo, os elétrons livres do material N migram para o
pólo positivo e os lacunas no material P são preenchidos pelos elétrons do pólo negativo. A região
de depleção amplia-se.
Aumentando-se a tensão, a região de depleção amplia-se significativamente. Uma vez que a região
de depleção tenha se expandido sobre toda a extensão do cristal, um aumento da tensão levaria a
um repentino e forte fluxo de corrente, que destruiria a junção p-n. A tensão, por meio da qual a
região de depleção se ampliou por todo o cristal, é denominada tensão reversa máxima.
Experimento com a polarização inversa
O experimento mostra o comportamento de um diodo em polarização reversa. Para tal, a tensão de

entrada é alterada e os efeitos são medidos na saída com carga.
Monte o seguinte experimento com a placa “Diodos” SO4203-7A:
A seguinte animação elucida a estrutura experimental:

Öffnen Sie die Gleichspannungsquelle im Menü Instrumente /
Spannungsquellen oder durch Klick auf das nebenstehende Bild. Nehmen
Sie die folgenden Einstellungen vor:
AMPLITUDE: 10 V
RANGE: -10 V
Klicken Sie auf den Schalter "Power", um den Ausgang der

Gleichspannungsquelle einzuschalten.
Öffnen Sie Voltmeter A im Menü Instrumente / Messgeräte.
Wählen Sie folgende Einstellungen:
RANGE: 10 V
MODE: AV
DC
Öffnen Sie Voltmeter B im Menü Instrumente / Messgeräte.

RANGE: 20 V
MODE: AV
DC
Qual é a tensão de saída UA?
____V
Diminua a tensão de saída na fonte de tensão CC de -10 V para 0 V.
A tensão de saída UA é alterada?
Não Não altere o

intervalo de
Sim medição do
voltímetro.
Qual afirmação em relação ao fluxo de corrente no circuito está correta?
No circuito, passa uma corrente independente do valor da

tensão de entrada. A corrente é
No circuito, passa uma corrente que depende do valor da definida pela
tensão de entrada. tensão aplicada
em R3.
Nenhuma corrente passa pelo circuito.
Polarização direta
Se o pólo negativo de uma fonte de tensão encontrar-se no material N e o pólo positivo no P,

origina-se novamente um campo elétrico. Devido a esse campo, os elétrons livres extras são
pressionados pelo pólo negativo para o material N e os elétrons no material P são puxados pelo pólo
positivo, de modo que as lacunas migram para o pólo positivo. A região de depleção diminui.
Quando a tensão aumenta, a região de depleção é dissipada completamente e origina-se um fluxo

de corrente. A intensidade da tensão a ser aplicada para que um corrente flua depende do material
do semicondutor e é denominada tensão direta UF.
A tensão direta é, tipicamente, de aprox. 0,3 V em um diodo de germânio e de 0,7 V em diodo de

silício.
Experimento com a polarização direta
Este experimento demonstra o comportamento de um diodo na polarização direta. Para tal, a tensão
de entrada é alterada e os efeitos são medidos na saída com carga.

AMPLITUDE: 0V
RANGE: 10 V

RANGE: 10 V
MODE: AV
DC

RANGE: 20 V
MODE: AV
DC
Aumente a tensão de entrada com a fonte de tensão CC lentamente em intervalos de 0,1 V, até que
a tensão de saída configurada dentro da faixa de medição possa ser medida.
Em qual tensão de entrada UE você mede uma tensão de saída?
O menor valor
marcado para a
Tensão de entrada UE = ______ V
tensão de saída
é de 0,1 V
A diferença entre esta tensão de entrada UE e a tensão de saída UA é a tensão direta do

diodo. Qual é o valor dela?
Tensão direta UF = ______ V UF = UE - UA

No instrumento virtual Fonte de tensão CC, aumente a tensão de entrada até 10 V e
observe a tensão de saída.
Quais afirmações estão corretas?
A tensão de saída aumenta apenas dentro do intervalo de

milivolts.
A tensão de saída aumenta proporcionalmente à tensão de
entrada, descontando-se a tensão direta.
Também aqui, a
A tensão de saída cai novamente se a tensão de entrada for corrente é
aumentada novamente. definida pela
tensão aplicada
Na polarização direta, flui uma corrente dependente do valor
no resistor R3.
da tensão de entrada.
Na polarização direta, flui sempre uma corrente constante.
Nenhuma corrente flui na polarização direta.
Experimento em tensão CA
Este experimento simples mostra o diodo na retificação da tensão alternada. Para tal, aplica-se uma
tensão alternada no circuito mostrado e a tensão de saída é medida com o osciloscópio.

Öffnen Sie den Funktionsgenerator im Menü Instrumente /
Spannungsquellen oder durch Klick auf das nebenstehende Bild.
Nehmen Sie die folgenden Einstellungen vor:
AMPLITUDE: 100 %
DÄMPFUNG: 1:1
FREQUENZ: 50 Hz
FUNKTION: Sine
Klicken Sie auf den Schalter "Power", um den Ausgang des

Funktionsgenerators einzuschalten.
Öffnen Sie das Oszilloskop im Menü Instrumente /

Messgeräte.
Channel A: 5 V / div; DC; Y-POS:

Channel B: 5 V / div; DC; Y-POS:
Time: 5 ms / div
Mode: XT
Trigger: CHANNEL B; steigend; LEVEL: div;
PRETRIGGER: div;
Coloque o osciloscópio no modo avançado através do botão .
Com o osciloscópio, meça a tensão de entrada UE e a tensão de saída UA no resistor R3. Registre o
oscilograma obtido no gráfico do campo a seguir. Além disso, clique na tela do osciloscópio com o
botão direito do mouse e escolha “copiar”. Clique no símbolo para carregar o resultado da
medição.
Avalie o oscilograma e associe as afirmações a seguir.
correto falso
Durante a meia-onda positiva da tensão de
entrada, a tensão de saída corresponde
aproximadamente à tensão de entrada.
entrada, a tensão de saída é de 0 V.
entrada, a tensão de saída é invertida.
entrada, não passa nenhuma corrente.
entrada, passa uma corrente positiva.
entrada, passa uma corrente dependente da
tensão em R3 .
Durante a meia-onda negativa da tensão de
entrada, a tensão de saída corresponde
aproximadamente à tensão de entrada.
entrada, a tensão de saída é de 0 V.
entrada, a tensão de saída é invertida.
entrada, não passa nenhuma corrente.
entrada, passa uma corrente dependente da
tensão em R3 .
Teste de conhecimentos
Quais afirmações a respeito da condutividade de semicondutores estão corretas?
Em altas temperaturas, semicondutores são ótimos

isolantes.
Em baixas temperaturas, semicondutores são ótimos
isolantes.

A condutividade dos semicondutores é melhor do que a dos
isolantes e pior do que a dos metais.
Semicondutores conduzem eletricidade em apenas uma
direção. Correto!
Semicondutores são termistores de coeficiente de

temperatura positiva.

Semicondutores são termistores de coeficiente de
temperatura negativa.
A condutividade dos semicondutores não depende da
temperatura.
Qual afirmação sobre o material semicondutor silício está correta?
A resistência do silício aumenta linearmente conforme a

temperatura aumenta.
A resistência do silício depende da temperatura.
A resistência do silício diminui conforme a temperatura Infelizmente
aumenta. falso.
Um cristal de silício aumenta a sua resistência se houver
iluminação.
O silício é um material semicondutor trivalente.
Associe as afirmações com os tipos de diodos correspondentes.
Diodo de Diodo de
germânio silício
É apropriado para correntes mais intensas
Tensão de joelho é de 0,7 V.
Tensão de joelho é de 0,3 V.
É construído para tensões inversas maiores.
Possui correntes menores na polarização
inversa.
Qual afirmação em relação ao diodo esquematicamente representado está correta?
Sperrschicht
Conectando-se o terminal A ao pólo positivo e o terminal B

ao pólo negativo de uma fonte de tensão, uma corrente
direta flui.
Conectando-se o terminal A ao pólo negativo e o terminal B
ao pólo positivo de uma fonte de tensão, forma-se uma
região de depleção.
ao pólo negativo de uma fonte de tensão, a região de
depleção aumenta.
ao pólo negativo de uma fonte de tensão, uma pequena
corrente inversa flui.
Conectando-se o terminal A ao pólo negativo e o terminal B
ao pólo positivo de uma fonte de tensão, uma corrente direta
flui.
Curvas características
O comportamento do diodo na polarização direta e na inversa pode ser representado graficamente

por uma curva característica, que descreve a relação entre a corrente do diodo e a tensão do diodo.
Faz-se uma diferenciação entre a polarização direta (Forward) e a polarização inversa (Reverse).
No experimento seguinte, a curva característica de um diodo de silício é fornecida empiricamente.

Para tal, uma tensão CC é aplicada no diodo D1 pelo resistor de série R1. Esta tensão aumenta
gradualmente; a tensão direta UF) e a corrente contínua (IF) são medidas e inseridas em uma tabela
de valores para a geração de um diagrama. Por fim, o mesmo experimento é realizado novamente a
partir da mudança de polaridade. Assim, são medidas a tensão reversa (UR) e a corrente reversa de
transiente (IR).
Registro das curvas características estáticas
Este experimento mostra a relação entre a corrente e a tensão no polarização direta. Para tal, a
tensão de entrada é alterada e os efeitos sobre a tensão do diodo e a corrente são medidos.

AMPLITUDE: 0 V
RANGE: 1 V

RANGE: 2 V
MODE: AV
DC
Öffnen Sie den Strommesser B im Menü Instrumente / Messgeräte.

RANGE: 50 mA
MODE: AV
DC
SHUNT: 10 Ohm
Ajuste os valores solicitados na tabela um a um com a fonte de tensão CC. Coloque a fonte de
tensão CC na faixa de 10 V para valores maiores do que 1 V. Meça a tensão do diodo UF e a
corrente do diodo IF com os aparelhos de medição e registre os valores na tabela.
24
IF / mA
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
UF / V
Após um registro bem-sucedido da sequência de medições, carregue a tabela na representação do
diagrama clicando no símbolo do diagrama .
A partir de qual tensão o diodo começa a conduzir?
A partir da tabela,
faça a leitura do
_____V valor que
corresponde a I
>= 1mA.
Esta tensão é denominada Tensão de joelho e depende do material do semicondutor.
Ajuste os valores negativos solicitados na tabela para a medição da polarização inversa. Meça a
tensão do diodo UR e a corrente do diodo IR com os aparelhos de medição e registre os valores na
tabela a seguir.
2,0
IR / mA
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
UR / V
Após registrar com êxito a sequência de medições, carregue a tabela na representação do diagrama
clicando no símbolo do diagrama .
Na segunda sequência de medição, há corrente passando?
Não
Sim
Registro das curvas características dinâmicas
Este experimento demonstra o comportamento de um diodo em tensão alternada. Para tal, uma
tensão alternada é aplicada nos diodos e a tensão e a corrente são representadas pelo osciloscópio.
Monte o seguinte experimento com a placa “Diodos” SO4203-7A para o registro da curva
característica de um diodo de silício:

Abra o instrumento virtual Gerador de funções na opção do menu Instrumentos | Fontes de tensão
| Gerador de funções ou clique no gráfico abaixo e selecione as configurações conforme mostrado
na tabela seguinte. Depois, ligue o instrumento pelo botão POWER.
AMPLITUDE: 100 %
DÄMPFUNG: 1:1
FREQUENZ: 1 HHz
FUNKTION: Dreieck


Messgeräte.
Channel A: 1 V / div; ; Y-POS:

Channel B: 50 mv / div; ; Y-POS:
Time: 200 ms / div
Mode: X/Y
Trigger: CHANNEL ; ; LEVEL: div;
PRETRIGGER: div; off
Com o osciloscópio, meça a tensão do diodo U e, indiretamente, a corrente do diodo I. Copie o

oscilograma obtido no gráfico do campo a seguir. Clique na tela do osciloscópio com o botão direito
do mouse e escolha “copiar”. Clique no símbolo para carregar o resultado da medição.
Qual é o valor por unidade da corrente na sua medição indireta?
O shunt é de 0
____________ mA / div
Ohm.
Altere o experimento para o registro da curva característica do diodo de germânio através da

substituição dos jumpers e da entrada A+. Com o osciloscópio, meça a tensão do diodo U
e, indiretamente, a corrente I do diodo de germânio. Arraste o oscilograma obtido novamente para o
gráfico do campo a seguir.
Como se alterou a curva do diodo de germânio em relação à do diodo de silício?
A curva é mais acentuada.

A curva é mais quadrada.
A curva é mais achatada.
Altere o experimento para o registro da curva característica do diodo Zener através da substituição
dos jumpers e da entrada A+. Com o osciloscópio, meça a tensão do diodo U e, indiretamente, a
corrente I do diodo Zener. Arraste o oscilograma obtido novamente para o gráfico do campo a
seguir.
Quais afirmações sobre o decorrer da curva característica estão corretas?
Na polarização direta, o diodo Zener comporta-se como um

diodo simples de silício.
Na polarização direta, o diodo Zener comporta-se como um
diodo simples de germânio.
Na polarização direta, não flui nenhuma corrente.
Na polarização inversa, flui uma corrente que aumenta
linearmente.
Na polarização inversa, flui uma corrente a partir de uma
determinada tensão.
Busca de erros
Ao abrir esta página do curso, um erro é ativado automaticamente no circuito representado abaixo.
Tente localizar este erro com base no conhecimento obtido nos experimentos anteriores.
Utilize os diversos instrumentos de medição representados no exemplo do esquema de circuito.
Dica:
Se você tiver dificuldade em localizar algum erro, feche esta página e realize medições
comparativas do circuito sem erros.
Qual erro está presente?
A tensão em X14 é de UB.

As tensões em X5 e X8 estão trocadas.
Meça as tensões
A tensão em X11 é de UB. em todos os
A tensão em X11 é de aprox. 0,7 V mais do que a tensão em pontos deste
X14. circuito.
A tensão em X3 é de 0 V.
Qual seria uma possível causa para o erro?
O circuito é interrompido em R1.

Uma interrupção em D2.
Os terminais em D3 estão trocados.
Os temrinais do ânodo de D1 e de D2 estão trocados.
Como semicondutores podem ser facilmente destruídos?
Com frequências altas.

Com uma temperatura ambiente muito baixa.
Com uma corrente de carga muito baixa.
Com o acúmulo de muita poeira.
Com uma corrente de carga muito alta e sobretensão.
Em quais circuitos a lâmpada acende?
Qual afirmação sobre diodo está correta?
Em um circuito retificador, o potencial negativo é utilizado no

ânodo.
A direção do movimento dos elétrons corresponde, em um
diodo, à direção da seta do símbolo.
Em um diodo de desacoplamento, o potencial positivo deve Insira aqui um
estar aplicado no cátodo no caso de polarização direta. texto de
referência
Caso um diodo bloqueie um circuito, deve-se aplicar opcional!
potencial positivo no ânodo.
Caso um diodo esteja ligado a um circuito de corrente
alternada, flui uma corrente considerável apenas em uma
meia-onda.
Em qual circuito a lâmpada acende?
Forneça os valores dos potenciais dados em que os diodos conduzem ou bloqueiam.
conduz bloqueia
Diodos Zener
Nas páginas seguintes, você aprenderá o modo de funcionamento e as áreas de aplicação

de diodos Zener.
Fundamentos
Diodos Zener possuem esse nome graças ao físico C. M. Zener. Na eletrônica, os diodos Zener
possuem uma grande importância como elementos limitadores de tensão.
Diagrama de circuito do diodo Zener.
Os diodos Zener também funcionam como uma válvula para a corrente elétrica. Eles permitem a
corrente flua desimpedidamente (polarização direta), do ânodo para o cátodo, e comportam-se,
nesse sentido, como diodos de silício normais. Na polarização inversa, eles bloqueiam a corrente,
entretanto, até uma certa tensão, a tensão Zener. Quando a tensão Zener é atingida, o diodo Zener
torna-se condutor.
A tensão Zener é definida no processo de fabricação. Existem diversos tipos de diodos, começando
com pequenas tensões, como p. ex. 2,7 V, até uma faixa acima de 100 V. Diodos Zener são
operados, geralmente, em polarização inversa.
Diodos reais:
Em componentes reais, há uma descrição do tipo impressa sobre eles. O cátodo é
identificado por um anel. A tensão de ruptura ou tensão Zener também está impressa no
diodo.
Um diodo real possui propriedades que não diferem muito de um diodo ideal. No entanto, as
características de bloqueio ou de fluxo desimpedido não são ideais. Essas características podem ser
percebidas principalmente na curva característica dos diodos Zener.
Polarização direta:
Diodos Zener possuem uma tensão baixa de aprox. 0,7 V. A parte de polarização direta
não é interessante para as aplicações típicas.
Características de bloqueio:
Os diodos Zener tornam-se condutores após ultrapassarem a tensão Zener, definida de
acordo com os diodos e especificada para uma corrente IZ = 5 mA. Eles possuem uma
baixa resistência, cujo valor pode ser determinado a partir da subida da curva
característica de bloqueio.
Diodos Zener possuem limites que não podem ser ultrapassados, como p. ex. a
temperatura máxima ou a potência dissipada máxima.
Limitação da tensão em tensão CC
Este experimento demonstra o comportamento da limitação da tensão de um diodo Zener. Para isso,
a tensão de entrada UE aumenta gradualmente e a tensão de saída UA é medida. Os valores são
inseridos em uma tabela de valores e, em seguida, representados em um diagrama.

AMPLITUDE: 0 V (Anfangswert)
RANGE: 10 V

RANGE: 10 V
MODE: AV
DC

RANGE: 10 V
MODE: AV
DC
Aumente a tensão de entrada UE em intervalos de 1 V e meça a tensão de saída UA. Registre os

valores na tabela. Carregue a tabela na representação do diagrama clicando no símbolo do
diagrama .
10
Ua / V
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ue / V
A tensão é bloqueada em qual valor?
_____ V
Quais afirmações a respeito do diodo Zener estão corrretas?
Quando o limite é atingido, a tensão de saída quase não

aumenta com o aumento da tensão de entrada.
A tensão de saída aumenta de modo linear ao atingir o
limite.
Há várias
O diodo Zener não possui nenhuma influência sobre a respostas
tensão de saída quando está abaixo do limite. possíveis.
Abaixo do limite, a tensão de saída aumenta de modo quase
linear.
A tensão de saída cai quando atinge o limite.
Limitação da tensão em tensão CA
Este experimento demonstra o comportamento da limitação da tensão de dois diodos Zener ligados
em série. Para isso, a tensão alternada UE na entrada e a tensão de saída UA são medidas com o
osciloscópio.

AMPLITUDE: 100 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 50 Hz
FUNKTION: Sine


Messgeräte.

Channel B: 5 V / div; DV; Y-POS:
Time: 5 ms / div
Mode: X/T
Trigger: CHANNEL A; ; LEVEL: div;
PRETRIGGER: div; steigend
Com o osciloscópio, meça a tensão de entrada UE e a tensão de saída UA. Arraste o oscilograma
obtido novamente para o gráfico do campo a seguir.
A tensão de saída da meia-onda positiva está limitada a qual valor?
____ V
A tensão de saída da meia-onda negativa está limitada a qual valor?
____ V
Qual efeito possui a utilização de diodos Zener na tensão de saída?
Uma tensão CA é retificada.

O diodo Zener não possui nenhuma influência sobre a
tensão de saída abaixo do limite.
O aumento da tensão de saída possui o mesmo valor da
tensão do diodo Zener.
Há várias
A queda da tensão de saída possui o mesmo valor da respostas
tensão do diodo Zener. possíveis.
A tensão de saída é limitada ao valor da tensão do diodo
Zener.
Um dos circuitos após a saída pode ser protegido contra
amplitudes muito grandes.
Busca de erros
Ao abrir esta página do curso, um erro é ativado automaticamente no circuito representado abaixo.
Tente localizar este erro com base no conhecimento obtido nos experimentos anteriores.
Para tal, utilize os diversos instrumentos de medição representados no exemplo do esquema de

circuito.
Dica:
Os potenciais em X24 e X27 são idênticos.

Os potenciais em X25, X26 e X27 são idênticos.
Meça as tensões
Os potenciais em X23, X24 e X27 são idênticos. em todos os
Os potenciais em X26 e X27 são idênticos. pontos do
circuito.
Os potenciais em X23 e X24 são idênticos, assim como em
X27 e X26.
Uma interrupção em R4.

Uma transposição de D5.
Uma transposição de D6.
Estabilização da tensão
Aqui, representa-se o circuito de aplicação típica de diodos Zener.
Diodos Zener são utilizados para a estabilização de tensões CC ou tensões CC onduladas.

Encontra-se o circuito básico frequentemente combinado com transistores de potência e/ou
amplificadores operacionais.
O objetivo do circuito é manter a tensão no resistor de carga o mais constante possível nos casos de
uma tensão de entrada variável ou de uma resistência de carga oscilante. O resistor de série R1 é
responsável pela limitação de corrente. Nele, a tensão diferencial entre a tensão de alimentação
fornecida e a tensão Zener dos diodos, a qual representa a tensão de saída, sofre uma queda.
O efeito estabilizador do circuito de diodos Zener deve-se ao fato de que, no intervalo superior da
curva característica da tensão de ruptura, uma grande alteração da corrente implica somente uma
pequena alteração da tensão. Isso pode ser bem compreendido no exemplo a seguir, retirado da
folha de dados dos diodos do tipo ZPD.
(folha de dados completa, em inglês)
Este efeito, entretanto, só pode ser mantindo em uma pequena área de trabalho. Caso a tensão de
entrada ou a resistência de carga seja muito pequena, a tensão no resistor de carga diminui e perde-
se o efeito estabilizador. Caso a tensão de entrada seja muito grande, as correntes I e IZ aumentam
rapidamente e origina-se, no resistor de série e no diodo Zener, uma grande potência dissipada, que
leva à destruição do componente se o dimensionamento não estiver correto.
Para o exemplo mostrado no esquema de circuito, resultam os seguintes cálculos:
A tensão em R1 pode ser UR1 = 7 V - 4,7 V =

calculada diretamente 2,3 V
A partir dela, divide-se a I = UR1 / R1 = 2,3 V /

corrente I por R1 180 Ohm = 12,8 mA
A corrente IA pode ser dividida IA = 4,7 V / 680 Ohm

por R5 = 6,9 mA
Assim, pode-se calcular

IZ = I - IA = 5,9 mA
também a corrente do diodo IZ
Caso o fabricante do diodo Zener forneça a potência dissipada máxima de 0,5 W na folha de dados,
calcula-se a corrente máxima para a tensão Zener fornecida
IZ, MAX = 0,5 W / 4,7 V = 106 mA

Dependência da carga
Este experimento mostra a tensão de saída em relação a diferentes resistências de carga. Além
disso, este comportamento é comparado entre diferentes diodos Zener e sem diodos Zener.
Monte o seguinte experimento com a placa “Diodos Zener e componentes optoeletrônicos” SO4203-
7C. As pontes, representadas por linhas tracejadas, são modificadas ao longo do experimento:
A seguinte animação elucida a estrutura experimental no início:

AMPLITUDE: 10 V
RANGE: 10 V

RANGE: 10 V
MODE: AV
DC
A tabela seguinte descreve a relação entre as sequências das medições, a estabilização e as pontes
correspondentes.
Sequência Estabilização
Ponte
de medição da tensão
sem diodo
A -
Zener
B com ZPD 4,7 X5:X6
C com ZPD 6,2 X7:X8
A seguinte animação elucida a estrutura experimental das sequências de medição:

Além disso, a tabela a seguir também fornece a relação entre as diferentes cargas e as pontes
correspondentes.
Nº Carga Ponte(s)
1 680 Ω X15:X16
2 390 Ω X13:X14
3 220 Ω X11:X12
4 150 Ω X9:X10
5 108 Ω X9:X10 + X13:X14
6 89 Ω X9:X10 + X11:X12
A seguinte animação elucida a estrutura experimental dos resistores de carga:
Com o voltímetro, registre três sequências de medição da tensão de saída UA para uma resistência
de carga variável e uma tensão de entrada fixa de 10 V. Insira os valores na tabela. Após registrar
com êxito a sequência de medições, carregue a tabela na representação do diagrama.
10
Ausgangsspannung / V
9
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700
Ausgangswiderstand / Ohm
Qual é o respectivo valor máximo da tensão de saída?
UA = ____ V sem Diode
UA = ____ V com 4,7 V Z-Diodo
UA = ____ V com 6,2 V Z-Diodo

Quais das seguintes afirmações estão corretas?
A tensão de saída sem o diodo é constante.

Com o diodo de 4,7 V, a tensão de saída é a mais constante
possível.
Com o diodo de 6,2 V, a tensão de saída é a mais constante
possível.
Nos diodos Zener, a tensão de saída é estabilizada abaixo
da tensão da joelho.
Nos diodos Zener, a tensão de saída é estabilizada
aproximadamente na tensão da joelho.
Quando maior a resistência de carga, melhor é a
estabilização.
A estabilização melhora quando a resistência de carga se
aproxima de 0 Ω.
Busca de erros
Para achar o erro representado no circuito abaixo, utilize o conhecimento obtido anteriormente. Ao
abrir esta página, aparece um erro automaticamente no circuito em questão. Determine o erro por
meio de aparelhos de medição e apresente uma solução:
Dica:
Nenhuma estabilização com D1.

Nenhuma estabilização com D2.
Estabilização a +0,7 V com D1.
Estabilização a +0,7 V com D2.
A tensão de saída é sempre de 0 V.
Interrupção em R1.
Inversão da polarização de D2.
Interrupção em D2.
Inversão da polarização de D1.
Interrupção em D1.
Dependência da tensão de entrada
Este experimento mostra a tensão de saída em relação a diferentes tensões de entrada. Além disso,
este comportamento é comparado entre diferentes diodos Zener e sem diodos Zener.

AMPLITUDE: 0 V
RANGE: 10 V

RANGE: 10 V
MODE: AV
DC
correspondentes.
Sequência de Estabilização da
Ponte
medição tensão
A sem diodo Zener -
B com ZPD 4,7 X5:X6
C com ZPD 6,2 X7:X8
:
Com o voltímetro, registre três sequências de medição da tensão de saída UA para uma tensão de
entrada variável e uma resistência de carga fixa de 680 Ω. Insira os valores na tabela. Após registrar
com êxito a sequência de medições, carregue a tabela na representação do diagrama.
10
Ausgangsspannung UA [V]
9
2 ZPD 6.2
ZPD 4.7
1
Ohne Diode
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Eingangsspannung UE [V]
Qual das curvas características de saída é praticamente constante entre tensões de entrada
de 8 V e 10 V?
Curva característica de saída sem diodo Zener.

Curva característica de saída com diodo Zener de 4,7 V.
Curva característica de saída com diodo Zener de 6,2 V.
Nenhuma das curvas características de saída.
Se a tensão de entrada é alterada abaixo da tensão de

joelho, a tensão de saída é praticamente constante.
Se a tensão de entrada é alterada acima da tensão de
joelho, a tensão de saída é praticamente constante.
O diodo Zener não possui nenhuma influência sobre o
circuito em uma variação de tensão de entrada abaixo da
tensão de joelho.
O diodo Zener não possui nenhuma influência sobre o
circuito em uma variação de tensão de entrada acima da
tensão de joelho.
O diodo Zener estabiliza a tensão de saída em variações da
tensão de entrada acima da tensão de joelho.
O diodo Zener estabiliza a tensão de saída em variações da
tensão de entrada abaixo da tensão de joelho.
Análise das correntes
Este experimento mostra o comportamento das correntes dependendo de diferentes resistências de

carga. Além disso, este comportamento é comparado entre diferentes diodos Zener e sem diodos
Zener.

AMPLITUDE: 10 V
RANGE: 10 V

Öffnen Sie den Doppelstrommesser im Menü Instrumente /
Messgeräte.
Wählen Sie folgende Einstellungen für beide Kanäle:
CHANNEL E: CHANNEL F:
RANGE: 300 RANGE: 300

mA mA
MODE: AV MODE: AV
DC DC
correspondentes.
Sequência Estabilização
Ponte
de medição da tensão
sem diodo
A -
Zener
B com ZPD 4,7 X5:X6
C com ZPD 6,2 X7:X8

Além disso, a tabela a seguir também fornece a relação entre as diferentes cargas, os pontos de
conexão do amperímetro e eventuais pontes.
Nº Carga Entradas + Ponte(s)
X15:X16 + nenhuma
1 680 Ω
ponte
2 390 Ω X13:X14+ nenhuma ponte
X11:X12 + nenhuma
3 220 Ω
ponte
4 150 Ω X9:X10 + nenhuma ponte
5 108 Ω X9:X10 + pontes: X10:X14

6 89 Ω X9:X10 + pontes: X10:X12
A seguinte animação elucida a estrutura experimental dos resistores de carga:
Com o voltímetro, registre três sequências de medição da a corrente de carga IL e a corrente dos
diodos Zener para uma resistência de carga variável e uma tensão de entrada fixa de 10 V. Insira os
valores na tabela. Após registrar com êxito a sequência de medições, carregue a tabela na
representação do diagrama.
45
Strom [mA] 40
35
30
25
20
15
10
0
0 100 200 300 400 500 600 700
Ausgangswiderstand [Ohm]
Em resistências de carga de baixa impedância, a corrente

dos diodos Zener é 0 Ampère.
Quanto menor a impedância da carga, maior a corrente do
diodo Zener.
No diodo Zener flui a maior corrente quando a carga possui
alta impedância.
O diodo Zener estabiliza melhor em cargas de alta
impedância.
A corrente total corresponde à corrente de carga em cargas
pequenas.
Considere a corrente de diodos Zener em diferentes cargas. Associe as afirmações
corretamente.
O diodo Zener estabiliza __

A corrente do diodo Zener em carga infinita é __
A potência dissipada do diodo Z em carga infinita
__
é
O diodo Zener pode ser destruído por sobrecarga
__
em
O diodo Zener não possui nenhuma influência no
__
circuito em
No que um diodo Zener se diferencia de um diodo de retificação?
A tensão de ruptura de um diodo Zener é sempre maior do a

de um diodo retificador.
A tensão CC de um diodo Zener é sempre maior do a de um
diodo retificador.
Diodos Zener são normalmente operados em polarização
inversa.
Diodos Zener, ao contrário de diodos retificadores, possuem
três terminais.
Diodos Zener, ao contrário de diodos retificadores, podem
ser controlados em polarização direta.
Em um circuito, a tensão no resistor RL deve ser estabilizada em 12 V. Com qual dos
circuitos representados isto seria, a princípio, possível?
A tensão em um resistor de carga RL deve ser estabilizada. Qual dos circuitos
representados é adequado para qual tensão?
nenhuma
5,6 V 0,7 V
estabilização
Qual tensão U2 mostra o aparelho no circuito?
U2 ≈ 0,7 V
U2 ≈ 4 V
U2 ≈ 6 V
U2 ≈ 10 V
U2 ≈ 16 V
Qual afirmação está correta para o circuito a seguir?
O circuito limita a tensão CC.

O circuito limita a tensão CC e a tensão CA.
O circuito limita apenas a tensão CA.
Para a limitação da tensão CA apenas V1 é necessária.
Para a limitação da tensão CA V1 e V2 são necessários.
No circuito de estabilização seguinte, a resistência R1 = 100 Ω. Qual corrente I1 em mA flui

quando UZ = 9,1 V?
I1 = ____mA
Outros diodos
Como complemento, você encontra informações sobre tipos de diodos e suas aplicações na página
seguinte.
A imagem mostra a curva característica de um diodo túnel.

Outros tipos de diodos
Além dos diodos já mencionados, existem outros diodos especiais. Por exemplo:
Diodos Schottky
Diodos PIN
Diodos capacitivos
Diodos túnel
Diodos backward
A seguir, serão descritos o modo de funcionamento e as áreas de aplicação dos diodos.
Diodos Schottky
Neste diodo, há um metal conectado ao semicondutor dopado do tipo negativo. Como consequência,
gera-se uma tensão de joelho de aprox. 0,35 V e a curva característica cresce de modo
acentuado. Além disso, a baixa tensão possibilita um tempo menor de comutação. Este diodo é
utilizado em circuitos de alta frequência como um comutador mais rápido tanto na tecnologia digital
quanto na analógica.
Diagrama de
Estrutura Curva característica
circuito
Diodos PIN
O nome PIN deriva da sequência de zonas na estrutura deste diodo. Entre o semicondutor do tipo p
e do tipo n, é inserida uma zona de condutividade intrínseca (Intrinsic-Zone), a zona I. Origina-se
uma capacitância. Em frequências baixas, este diodo comporta-se como um diodo convencional.
Acima de 10 Mhz, a capacitância do diodo tem um efeito tão forte, que as correntes alternadas fluem
sem impedimento. O limite depende de uma corrente contínua sobreposta.
Diagrama de
Estrutura Curva característica
circuito
Diodos capacitivos
A capacitância disponível na polarização inversa é utilizada propositalmente nestes diodos. Através
da aplicação de uma tensão na região de depleção, a largura desta pode variar. Esta corresponde à
alteração da distância das placas no capacitor. Subsequentemente, altera-se a capacitância. Quanto
maior a tensão na polarização inversa, menor a capacitância. Estes diodos possuem uma chance
muito grande de alteração de sua capacitância.
Diagrama
de Estrutura Curva característica
circuito
Diodos túnel
Estes diodos são compostos por germânio fortemente dopado. Por isso, origina-se uma região de
depleção muito delgada. Na polarização direta, a corrente já flui a partir de uma tensão bem baixa de
aprox. 10 mV, embora a região de depleção ainda não esteja formada. Forma-se um “túnel” na
região de depleção. Esta corrente aumenta até um valor máximo e, depois, começa a
diminuir. Nesta queda, origina-se uma região de resistência negativa. No restante do processo, a
corrente do diodo flui. Na polarização inversa, não dá nenhuma característica de bloqueio. Com este
diodo, estágios de amplificadores e osciladores podem ser montados no intervalo de alta frequência.
Ele também pode ser utilizado como uma chave mais rápida.
Diagrama
circuito
Diodos backward
Estes diodos de germânio possuem uma estrutura semelhante à dos diodos túnel, mas são menos
dopados. Eles possuem um pequeno efeito túnel na polarização direta, que, no entanto, não é
utilizada. Na polarização inversa, não há nenhum tipo de efeito, de modo que uma corrente intensa
já flui mesmo com uma tensão muito baixa. Devido a esse comportamento, este diodo é operado de
modo contrário, ou seja, para trás. Diodos backward podem retificar tensões bem baixas e podem
ser utilizadas em intervalos de alta frequência. A curva característica mostra a comparação com um
diodo túnel (tracejado).
Diagrama
circuito
Optoeletrônica
Os fundamentos introdutórios da Optoeletrônica serão elucidados nas próximas páginas.

LED
A optoeletrônica é uma parte da eletrônica que trata da transformação de sinais ópticos em sinais
elétricos e vice-versa. O acoplamento de sinais ópticos e eletrônicos também faz parte da
optoeletrônica. Os conhecimentos de optoeletrônica constituem a base para a sua aplicação na área
da tecnologia de comunicações na transferência de sinais ópticos por cabos de fibra óptica.
Os sinais ópticos podem estar no intervalo visível da luz. A princípio, porém, o intervalo entre
infravermelho e ultravioleta é suficiente para o intervalo de radiação óptica.
As fontes emissoras de luz mais comuns são:
LEDs em diversas cores visíveis

LEDs infravermelhos
OLEDs
Diodos laser
Os receptores fotossensíveis mais comuns são:
Fotorresistência
Fotodiodo
Fototransistor
Fototiristor
Célula fotovoltaica
LED
Existem LEDs (diodos emissores de luz) em diferentes cores. As mais comuns são vermelho, verde
e amarelo. Recentemente, há também LEDs azuis e brancos. Além das cores visíveis, existem LEDs
que emitem luz invisível ao olho humano, luz infravermelha.
As curvas características da tensão da corrente de LEDs diferem de maneira insignificante das

curvas de diodos normais. A tensão de joelho da curva característica depende do material do
semicondutor utilizado e, com isso, da cor do LED.
Tensão
Cor Semicondutores de
joelho
IR Arsenieto de
1,3 V
(infravermelho) gálio-alumínio
1,6 V -
vermelho Fosfeto de gálio
2,1 V
Fosfeto de
laranja 2,0 V
arsenieto de gálio
amarelo Fosfeto de gálio 2,2 V
verde Fosfeto de gálio 2,4 V
4,0 V -
azul Nitreto de gálio
4,5 V
Nitreto de gálio e
branco 3,5 V
índio
A radiância é praticamente proporcional à corrente do diodo. Todavia, os LEDs possuem valores-

limite, que não podem ser ultrapassados, senão o componente é destruído. Os dados exatos podem
ser retirados da respectiva ficha de dados do fabricante.
No nosso circuito, o LED infravermelho é protegido contra sobrecorrentes por meio de um resistor de
série de R7 = 402 Ohm e o seu cátodo já está conectado ao terra.
Além disso, LEDs não são muito resistentes à tensão inversa. Por isso, no circuito, o diodo adicional
D3 mantém as tensões negativas afastadas do LED.
Componentes optoeletrônicos
Fototransistor
O fototransistor é, assim como o fotodiodo, um detector de sinais ópticos. Diferentes tipos de

fototransistores possuem diferentes sensibilidades espectrais. Por isso, eles precisam estar sempre
sintonizados com o emissor.
O fototransistor possui, assim como um transistor normal, um emissor e um coletor. A base, porém,
não está disponível como terceira conexão. Ao invés disso, a junção base-coletor se dá em uma
grande superfície. Durante a radiação, é gerada, através da absorção de fótons, uma corrente de
base, que atrai para si uma intensa corrente entre coletor e emissor por meio da amplificação da
corrente interna.
O campo de linhas características da saída quase não difere daquele de um transistor normal.
Os tempos de aumento e queda de fototransistores comerciais permanecem dentro de alguns µs. A
frequência-limite, consequentemente, encontra-se na faixa de algumas centenas de kHz.
Nos seguintes experimentos, o transistor já possui um resistor de série R6 = 18 kOhm no coletor

com a tensão de alimentação de 15 V, enquanto o emissor já está conectado ao terra.
Acoplador óptico
Se o emissor e o receptor estiverem integrados em um componente fechado, trata-se de um
acoplador óptico. Acopladores ópticos servem, sobretudo, para a isolação galvânica do potencial
elétrico. Assim, tensões que apresentam risco à vida das pessoas podem ser controladas, p. ex., por
acopladores ópticos ou fototiristores, já que o potencial que apresenta perigo é mantido distante pelo
acoplador. No campo da tecnologia digital, utilizam-se acopladores ópticos frequentemente na
isolação do potencial elétrico para se evitarem loops do terra.
Sensor fotoelétrico tipo garfo
Barreiras fotoelétricas são uma aplicação típica da optoeletrônica. Se o receptor e o emissor

estiverem pertos um do outro e montados em uma forquilha em forma de U, trata-se de um sensor
fotoelétrico tipo garfo. Sensores elétricos tipo garfo são utilizados para, p. ex., contar incrementos de
um plataforma giratória ou para, simplesmente, provar se uma peça de trabalho está presente ou
não.
O sensor fotoelétrico tipo garfo utilizada na placa possui

um LED infravermelho, assim como um
fototransistor
Curva característica dinâmica de infravermelho
Este experimento demonstra o comportamento de um LED infravermelho em tensão alternada. Para

tal, uma tensão alternada é aplicada no LED infravermelho e a tensão e a corrente são
representadas pelo osciloscópio.
Com a placa “Diodos Zener e componentes optoeletrônicos” SO4203-7C, monte o seguinte

experimento para o registro da curva característica de um LED infravermelho.

AMPLITUDE: 100 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 10 Hz
FUNKTION: Sine


Messgeräte.
Channel A: 0,5 V / div; ; Y-POS:

Channel B: 2 V / div; ; Y-POS:
Time: 10 ms / div
Mode: X/Y
PRETRIGGER: div; A
Com o osciloscópio, meça a tensão do diodo U e, indiretamente, a corrente do diodo I do LED

infravermelho. Copie o oscilograma obtido no gráfico do campo a seguir.
Qual é a tensão de joelho do LED infravermelho?
UF = ____ V
Qual é a corrente de um LED infravermelho em polarização inversa?
IR = ____ mA
Análise do fototransistor
Este experimento mostra a relação da tensão entre coletor e emissor de acordo com a corrente do
LED infravermelho. Para tal, a corrente do LED infravermelho é alterada com o potenciômetro P1,
medida indiretamente por meio do resistor R7, que serve como shunt, e o efeito sobre a tensão entre
coletor e emissor é determinado.
7C:

Öffnen Sie den Strommesser A im Menü Instrumente / Messgeräte.
RANGE: 12 mA
MODE: AV
DC
SHUNT: 402 Ohm
RANGE: 20 V
MODE: AV
DC
No potenciômetro, ajuste, uma a uma, as correntes dos diodos solicitadas na tabela. Com os dois
aparelhos de medição, meça a tensão do transistor UCE e a corrente do diodo IF e registre os
resultados na tabela de valores.
15
UCE [V]
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IF [mA]
Após registrar com êxito a sequência de medições, carregue a tabela na representação do

diagrama.
Qual é a tensão mínima entre o coletor e o emissor do fototransistor?
Está tensão é
denominada
UCEsat = ____ V
tensão de
saturação UCEsat.
A partir de qual corrente de diodo IF a tensão de saturação UCEsat é atingida?
IF = ____ mA
Comportamento como acoplador óptico
Este experimento mostra o comportamento do sensor fotoelétrico como acoplador óptico. Para
tal, um sinal de onda triangular é aplicado na entrada, LED infravermelho, e a tensão de saída do
fototransistor UCE é medida com o osciloscópio.
As medições são são realizadas em diversas frequências, para que possamos encontrar uma
conclusão a respeito do comportamento do circuito e da frequência-limite.
Com a placa “Diodos Zener e componentes optoeletrônicos” SO4203-7C, monte o experimento

“Comportamento como acoplador óptico” a seguir:

AMPLITUDE: 40 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 100 Hz
FUNKTION: Dreieck


Messgeräte.

Channel B: 5 V / div; DC; Y-POS:
Time: 2 ms / div
Mode: X/Y
Trigger: CHANNEL A; ; LEVEL: div;
PRETRIGGER: div;
Com o osciloscópio, meça a tensão de saída UCE e a tensão de entrada do LED infravermelho.
Arraste o oscilograma obtido para o gráfico do campo a seguir.
Qual é a tensão UCE na saída do acoplador óptico para um tensão de entrada menor do que
1 V?
UCE = ____ V
Qual é a tensão UCE na saída do acoplador óptico para uma tensão de entrada maior do
que 2,5 V?
UCE = ____ V
Associe as afirmações corretamente.
Abaixo de uma tensão de entrada de +1 V, __

Acima de uma tensão de entrada de +2,5 V, __
Repita a medição para a frequência de 1 kHz. Para tal, ajuste o gerador de funções na frequência
correspondente. Para a medição seguinte, altere a base de tempo no osciloscópio para 200 µs /
div. Copie o oscilograma obtido no gráfico do campo a seguir.
Repita a terceira medição na frequência de 10 kHz. Para tal, ajuste o gerador de funções novamente
para a frequência correspondente. Para a medição seguinte, mude a base de tempo no osciloscópio
para 20 µs / div. Copie o oscilograma obtido novamente no gráfico do campo a seguir.
Com uma tensão de entrada negativa, o fototransistor

bloqueia.
Com uma frequência crescente, o intervalo entre condução e
não-condução diminui.
Com uma tensão de entrada negativa, o fototransistor passa
a conduzir a partir de aproximadamente -1 V.
Com uma frequência crescente, a histerese aumenta.
Com uma tensão de entrada positiva, o fototransistor
bloqueia.
O acoplador óptico é apropriado para altas frequências.
Com uma frequência crescente, o intervalo entre condução e
não-condução aumenta.
Com uma tensão de entrada positiva, o fototransistor
começa a conduzir a partir de aproximadamente +1 V.
O acoplador óptico é apropriado para baixas frequências.
Com uma frequência crescente, a histerese diminui.
Você também pode observar o comportamento da transferência do acoplador óptico no

decorrer do tempo. Para isso, coloque o modo de representação em X/T no
osciloscópio. Mude a resolução da tensão no canal A para 2 V / div e configure o gerador de
funções para sinal de onda quadrada. Repita as medições nas frequências mencionadas
acima.
Busca de erros
meio de aparelhos de medição e apresente uma solução.
Dica: se você tiver dificuldade em localizar algum erro, deixe esta página e realize medições
comparativas com o circuito sem erros.
O potencial de X22 está sempre em 0 V.

O potencial de X24 está sempre em 0 V.
O potencial de X24 é sempre igual ao potencial de X25.
O potencial de X22 está sempre em +UB.
A saída do acoplador óptico sofreu um curto-circuito.

Há uma interrupção no coletor do fototransistor.
Há uma interrupção na base do LED infravermelho.
O LED infravermelho sofreu um curto-circuito.
Sensor fotoelétrico tipo garfo
Este experimento mostra o comportamento do sensor fotoelétrico tipo garfo. Para isso, uma tensão
CC é aplicada na entrada e a tensão de saída UCE é representada pelo osciloscópio. O sensor
fotoelétrico tipo garfo é bloqueado com uma folha de papel.
Com a placa “Diodos Zener e componentes optoeletrônicos” SO4203-7C, monte o experimento

“Sensor fotoelétrico tipo garfo” a seguir:

AMPLITUDE: 5 V
RANGE: 10 V

Messgeräte.
Channel A: 2 V / div; ; Y-POS:

Time: 500ms / div
Mode: X/T
Trigger: CHANNEL ; ; LEVEL: 1 div;
PRETRIGGER: div; B, steigend, single
Para a continuação da curva, você precisa de uma folha de papel normal (80 g/m²). Com o
osciloscópio, meça a tensão de saída UCE e a tensão de entrada do LED infravermelho. Inicie a
representação do oscilograma e passe a folha de papel várias vezes pelo sensor fotoelétrico. Arraste
o oscilograma obtido novamente para o gráfico do campo a seguir.
Combine corretamente a tensão de saída do sensor fotoelétrico tipo garfo com o estado.
Quando o sensor fotoelétrico tipo garfo é

__
bloqueado pelo papel, a tensão de saída é de
Quando o sensor fotoelétrico tipo garfo não é
__
bloqueado, a tensão de saída é de
Encontra combinação certa entre o estado do fototransistor e o estado do sensor

fotoelétrico.
Nenhuma
Interrupção
interrupção
O fototransistor bloqueia.
O fototransistor conduz.
Dobre a folha de papel no meio, para que fique com o dobro da gramatura, e repita o experimento.
Arraste o oscilograma obtido novamente para o gráfico do campo a seguir.
Qual afirmação a respeito da comparação entre as tensões de saída de acordo com
diferentes gramaturas de papel está correta?
Quanto mais fino o papel, maior a tensão de saída.

Quanto mais grosso o papel, maior a tensão de saída.
O estado de bloqueio do transistor não depende da
gramatura do papel.
Encontra a afirmação correta para o fototransistor em relação ao seu estado de bloqueio.
O estado não depende da gramatura do papel.

Quanto mais grosso o papel for, melhor é o bloqueio.
Quanto mais fino o papel for, melhor é o bloqueio.
Qual afirmação sobre a operação e as tarefas de diodos emissores de luz (LEDs) está
correta?
Eles são operados em polarização direta e servem para a

medição de intensidades de iluminação.
Eles são operados em polarização direta e servem como
fontes de luz de menor potência.
Eles são operados em polarização inversa e servem para a
medição de intensidades de iluminação.
Eles são operados em polarização inversa e servem como
fontes de luz de menor potência.
Em polarização inversa, LEDs operam como fontes de luz
de menor potência e, em polarização direta, para a medição
de intensidades de iluminação.
Quais afirmações sobre acoplador óptico estão certas?
Ele é constituído de vários fotodiodos como emissores.

Ele possui um LED como emissor.
Ele possui um LED como receptor.
Emissor e receptor são conectados eletricamente.
Emissor e receptor são separados galvanicamente.
Ele possui um LED como emissor, que é operado em
polarização inversa.
Ele possui um fototransistor como receptor.
O que ocorre com o circuito com o aumento da intensidade da luz?
A tensão UCE aumenta.

Uma corrente menor passa pelo circuito da base.
A corrente do coletor não se altera.
Uma corrente menor passa pelo circuito coletor.
A tensão UCE diminui.
Transistores
Nesta parte do curso, você aprenderá sobre o transistor e seu modo de operação como chave e
amplificador.
Introdução - Transistores bipolares
Transistores têm revolucionado o mundo da eletrônica desde a sua invenção, um pouco antes da
segunda guerra mundial. Os seus tamanhos decrescentes e a sua versatilidade os tornam, talvez, os
componentes eletrônicos mais úteis e importantes que existem. No presente curso, dois dos arranjos
possíveis para ligações básicas de transistores serão discutidos.
No caso do transistor original, conhecido como transistor de junção bipolar, duas camadas
semicondutoras circundam uma terceira camada.
Transistores de junção bipolar apresentam materiais semicondutores do mesmo tipo de condução

em ambos os lados. Uma fina camada do tipo oposto encontra-se no meio. Os dois lados são
denominados zona coletora (inglês: collector) e zona emissora, enquanto a camada no meio é
chamada de zona básica. A uma primeira vista, essa configuração assemelha-se a dois diodos
acoplados. Seria esperado que, entre a zona coletora e a emissora, nenhuma corrente passasse,
uma vez que há sempre uma tensão reversa em um dos contatos do diodo. O segredo está na baixa
intensidade da zona básica. Portadores de carga sempre conseguem transpôr uma pequena
distância para fora da passagem. Quando uma zona básica é alimentada com portadores de carga
pela aplicação de uma tensão, portadores de cargas suficientes ficam, em um determinado
momento, disponíveis para a transposição das tais lacunas e a corrente começa a fluir. Pelo fato do
fluxo de corrente entre o coletor e o emissor só ser “ligado” quando existirem uma tensão suficiente
e uma fonte de alimentação na camada básica, os transistores podem ser utilizados como chaves
eletrônicas que dependem do suprimento de corrente na base para serem ligadas e desligadas.
No seguinte exemplo de um transistor NPN, esse processo é visualizado:
Na sequência, a estrutura das respectivas camadas e o símbolo de ligação dos dois diferentes tipos
de transistores de junção bipolar são mostrados.
Transistor NPN Transistor PNP
Modelo de camadas Símbolo de ligação Modelo de camadas Símbolo de ligação
O quanto de corrente flui entre coletor e emissor depende da quantidade de portadores de carga na
zona básica, de modo que alterações da tensão e da intensidade da corrente na base levam a um
fluxo de corrente maior ou menor entre coletor e emissor. Uma pequena mudança na base já é
capaz de levar a uma grande mudança na tensão entre coletor e emissor. Este comportamento é
linear durante um longo intervalo; assim, um sinal de tensão modificado na base entre coletor e
emissor é exato, mas, com uma modificação na tensão substancialmente maior, ele é retornado.
Portanto, o transistor fortalece o sinal. Este é o segundo âmbito de aplicação usual para transistores.
Circuitos básicos de transistores
Os experimentos nesse módulo tratam de dois arranjos básicos de circuitos, nos quais são usados
transistores. Elas são descritas como circuito emissor e circuito coletor. Ambos os circuitos são
montados de maneira similar. A diferença está no fato de que, na ligação emissora, a entrada se
encontra entre a base e o emissor, enquanto a saída, entre a coletor e o emissor (isto é, o emissor é
ponto de referência comum para o sinal de entrada e saída). Já no caso da ligação coletora, o
coletor é o ponto de referência comum para o sinal de entrada e saída, sendo que a saída da ligação
encontra-se no emissor.
As características de tensão de ambas as ligações podem ser melhoradas com a adição de um loop
de feedback, através do qual o sinal de saída é absorvido e misturado ao sinal de entrada na base.
Pode-se conseguir um feedback com ajuda de um resistor (feedback ôhmico) ou através de
capacitores (feedback capacitivo). Os efeitos dos dois modos são analisados nos seguintes
experimentos.
Circuito emissor Circuito coletor
Além disso, em ligações de alta frequência, pode-se encontrar a ligação básica. Devido à sua alta
frequência-limite, ela é, muitas vezes, inserida em frequências maiores que 100 Mhz nos níveis de
entrada. Além disso, uma baixa resistência de entrada possibilita um ajuste em impedâncias de
antena.
Ligação básica
Transistor como chave
As chaves transistorizadas são uma das principais utilizações dos transistores. Elas servem para a
ligação rápida e sem contato de pequenos e médios carregamentos. Assim, o transistor é controlado
apenas entre dois estados. A mudança entre esses dois estados ocorre dentro de alguns
microssegundos.
Transistor bloqueado
Aqui, a corrente da base de entrada é IB = 0 A. O transistor é, portanto, bloqueado e nenhuma
corrente de coletor pode fluir. A tensão de saída Ua corresponde à tensão de alimentação UB, já que
não há nenhuma tensão no resistor RC.
Transistor controlado
Aqui, uma corrente na base é levada ao transistor por meio da aplicação de uma tensão de entrada
em RB. Como resultado, origina-se uma corrente do coletor, que deve ser tão grande, a ponto da
tensão de alimentação UB diminuir no resistor RC do coletor Assim, a tensão de saída Ua cai para
aproximadamente 0 V. Como a resistência do transistor entre coletor e emissor não cai para 0 Ω, a
tensão de saída não pode ser 0 V. A tensão residual é também chamada tensão de saturação
UCEsat.
Para que se tenha certeza de que a saturação foi atingida, não se utiliza apenas a corrente base
necessária para alcançar a corrente do coletor, mas, sim, uma corrente múltiplas vezes mais
intensa. Na sequência, o sinal da base é amplificado. A multiplicidade é também descrita como fator
de amplificação e possui, na prática, valores entre 2 e 10.
Transistor como chave
Este experimento mostra o comportamento do transistor como chave. Aqui, diferentes tensões são
aplicadas na base e a tensão no coletor é representada com o osciloscópio.
Monte o seguinte experimento com a placa “Circuitos de transistores” SO4203-7E:

AMPLITUDE: 0%
DÄMPFUNG: 1:!=
FREQUENZ: 0 Hz
FUNKTION: DC POS


Messgeräte.
Channel A: 500 mV / div; ; Y-POS:

Time: 1 s / div
Mode: X/T
PRETRIGGER: div; B , fallend, +1.5, pre 5 div,
single
Ajuste a relação de tensão do gerador de funções para 1:10, de modo que a tensão máxima da base
seja de 1 V. Comece com 0% de tensão e aumente o mais rápido possível para 100%. Se todas as
configurações foram ajustadas conforme mostrado, o osciloscópio deveria disparar um sinal de
trigger e mostrar uma curva. Copie o oscilograma obtido no campo a seguir.
Qual é a tensão de saída UA para 0% de tensão na base?
UA = _____V
Qual é a tensão de saída UA para uma tensão de base máxima?
A tensão de
saída do gerador
UA = ____ V
de funções é de
100% agora.
Em qual tensão de base UB a tensão de saída UA se altera?
UB = ____mV
Altere as configurações no gerador de funções conforme mostrado na tabela seguinte.

AMPLITUDE: 100 %
DÄMPFUNG: 1:10
FREQUENZ: 1 Hz
FUNKTION: Triangle


Messgeräte.
Channel A: 0,5 V / div; ; Y-POS:

Time: 200 ms / div
Mode: X/T
PRETRIGGER: div; B ,fallende Flanke ,7.5V,
25% Single
Configure a base de tempo do osciloscópio para 200 ms e clique novamente no botão POWER do
gerador de funções. Depois, registre a curva de tensão com o osciloscópio. Copie o oscilograma no
campo a seguir.
Em qual intervalo da tensão de entrada UE a tensão de saída é de aproximadamente 0 V?
A tensão na base
No intervalo do máximo da tensão de entrada (UEmax).
UB é descrita
No intervalo do mínimo da tensão de entrada (UEmin). como tensão de
entrada UE?
Qual é o comportamento básico deste circuito em relação a tensão entre entrada e saída?
Este circuito opera como chave, não inversor.

Este circuito opera como chave, inversor.
Transistor como amplificador
A reação de um transistor em relação às alterações da tensão de entrada na base é frequentemente

descrita de acordo com curvas características específicas. A curva característica de saída e a curva
característica de transferência estão entre as curvas características mais importantes.
A curva característica de saída seguinte representa a relação entre a corrente do coletor IC e a

tensão coletor-emissor UCE para diversos valores da corrente da base IB.
As linhas mostram uma forma típica: elas aumentam do ponto zero da corrente e da tensão até
surgir uma curvatura acentuada, a qual aparece normalmente em uma tensão realmente pequena de
aproximadamente 0,2 V. Depois deste ponto, a curva é achatada e a relação entre IC e UCE decorre
em uma linha reta (linearmente).
A curva característica de transferência representa a razão entre IC e a corrente de base IB e é

praticamente linear. Isto significa, que um sinal modificado na base é reproduzido exatamente pela
respectiva alteração do fluxo de corrente no coletor. A escala da razão é fornecida pelo chamado
Fator de amplificação. O fator de amplificação β da corrente é definido pela divisão da alteração da
corrente no coletor pela alteração da corrente na base: β = ΔIC/ΔIB.
Quando a relação entre a corrente da base e do coletor for linear, o valor do fator de amplificação é
constante.
Nos seguintes experimentos, um circuito emissor é utilizado como amplificador da tensão. O coletor
é conectado à tensão de alimentação pelo resistor de carga, o emissor é conectado a 0 Volt. Com
isso, há também valores-limites para a tensão de saída. Ela não pode subir além de +15 Volt ou cair
para valores abaixo de 0 Volt. Se o transistor já estiver conduzindo plenamente, um aumento da
tensão de base não possuirá nenhum efeito.
O circuito é dimensionado de modo que a tensão de saída UCE entre o coletor e o emissor seja
ajustada para o valor médio entre o valor-limite da parte superior e da parte inferior, que, neste caso,
é de 7,5 V. Quando se aplica um sinal simétrico na base, a tensão de saída pode ser aumentada em
7,5 V em ambas as direções, sem que isto leve a uma distorção. A tensão de saída pré-configurada
é descrita como ponto de operação do circuito do transistor.
Ajuste de bias (configuração do ponto de operação do transistor)

Como a tensão de saída depende da tensão de base, esta pode, por meio de um distribuidor de
tensão, ser ajustada para o valor que leve à tensão de saída desejada, como mostrado no diagrama
de circuito a seguir. Este método é descrito como ajuste de bias do ponto de operação; os resistores
que compõem o distribuidor de tensão são denominados resistores de bias. A calibragem exata
pode ser otimizada utilizando-se um potenciômetro.
Após ajustar-se a tensão de base para o valor desejado, podem-se aplicar pequenos sinais, através
dos quais, a tensão de base aumenta ou diminui. Estes sinais são reproduzidos e amplificados na
saída. Através da utilização de capacitores na entrada e na saída, os componentes da tensão CC
são suprimidos nos sinais.
Configuração do ponto de operação
Este experimento serve para a configuração do ponto de operação. Para tal, aplica-se uma tensão
de bias na base do transistor, para se configurar a tensão de saída UA no coletor para metade do
valor da tensão de alimentação.

RANGE: 20 V
MODE: AV
DC
Defina a tensão de saída máxima UAmax girando o potenciômetro.
UAmax = _____ V
Ajuste o ponto de operação do transistor girando o potenciômetro, de modo que a tensão entre o
coletor e o emissor corresponda, aproximadamente, à metade da tensão de alimentação. Observe
que um pequeno movimento do potenciômetro já é capaz de alterar a tensão de saída
consideravelmente. Por isso, esse procedimento deve ser executado com cuidado.
Qual é a maior tensão de saída UA de acordo com esta configuração?
UA = _____ V

AMPLITUDE: 20 %
DÄMPFUNG: 1:100
FREQUENZ: 1 kHz
FUNKTION: Sine


Messgeräte.
Channel A: 20 mV / div; AC; Y-POS:

Channel B: 2 V / div; AC; Y-POS:
Time: 500 �s / div
Mode: X/T
Trigger: CHANNEL B; ; LEVEL: div;
PRETRIGGER: div;
Com o gerador de funções, aplique um sinal de forma senoidal de 40 mVss (20% para uma razão de
1:100) e frequência de 1 kHz na base do transistor através do capacitor C1 e registre isto no canal A
do osciloscópio. Registre a saída no canal B. Copie o oscilograma obtido no campo seguinte.
Utilize a função do cursor do osciloscópio para definir os valores da tensão.
Defina o valor de pico-a-pico da tensão de saída UA.
UAss = ____ V
A partir do valor da tensão de saída obtido, o fator de amplificação AU pode ser calculado.
Calcule-o pela divisão da tensão de saída UA pela tensão de entrada UE.
Para ambas as
tensões, utilize o
AU = UA / UE = ____ V / ____ mV = ____
valor de pico-a-
pico.
Feche o osciloscópio.

RANGE: 20 V
MODE: AV
DC
Ajuste o ponto de operação do transistor girando o potenciômetro, de modo que a tensão no

coletor do transistor seja de +2 V.
Feche o voltímetro B e abra novamente o instrumento virtual na opção do menu Instrumentos |

Aparelhos de medição | Osciloscópio ou clicando no gráfico abaixo e selecionando as configurações
conforme mostrado na tabela seguinte.

Messgeräte.

Mode: X/T
PRETRIGGER: div;
Ligue o instrumento virtual gerador de funções novamente e aplique um sinal senoidal de 40 mVss
(20% para uma razão de 1:100) e frequência de 1 kHz na base do transistor através do capacitor C1.
Registre isso no canal A do osciloscópio. Registre a saída no canal B. Arraste o oscilograma obtido
para o gráfico do campo a seguir.
Avalie o oscilograma e escolha qual das seguintes afirmações está correta.
O sinal de saída permanece inalterado após o deslocamento

do ponto de operação.
O sinal de saída é deslocado para 0 V.
O sinal de saída é deslocado para +UB.
O sinal de saída é distorcido.
Um intervalo parcial da meia-onda positiva do sinal de saída
está cortado.
Um intervalo parcial da meia-onda negativa do sinal de
saída está cortado.
Por fim, encontre uma afirmação fundamental sobre este circuito.
O sinal de saída é invertido em relação ao sinal de entrada.

O sinal de saída se dá na mesma fase do sinal de entrada.
Busca de erros
Dica:
Se você tiver dificuldade em localizar algum erro, deixe esta página e realize medições
comparativas com o circuito sem erros.
O ponto de operação permanece inalterado próximo ao

terra.
O ponto de operação permanece inalterado próximo a +UB.
O emissor do transistor está em aproximadamente +UB.
O coletor do transistor está aproximadamente no terra.
Nenhuma alteração da tensão na base do transistor apesar
da alteração da tensão no distribuidor da tensão ao girar P1.
Interrupção entre emissor e terra.

Interrupção entre coletor e R4.
Interrupção entre base e distribuidor da tensão.
Interrupção em P1.
Interrupção em R1 ou R2.
Circuito emissor sem retroalimentação negativa
Este experimento mostra o comportamento de um circuito emissor sem retroalimentação

negativa. Aqui, uma tensão alternada é aplicada na entrada e a tensão de saída UA é determinada
de acordo com o capacitor de acoplamento.
Como na tarefa anterior, configure o ponto de operação para a metade da tensão de alimentação.

Quando você tiver configurado o ponto de operação, abra o instrumento virtual Gerador de funções
na opção do menu Instrumentos | Fontes de tensão | Gerador de funções ou clique no gráfico abaixo
e selecione as configurações conforme mostrado na tabela seguinte. Depois, ligue o instrumento
pelo botão POWER.
AMPLITUDE: 10 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 1 kHz
FUNKTION: Sine

Com o gerador de funções, aplique um sinal de forma senoidal de 20 mVSS e de frequência de 1

kHz na base do transistor e grave isto no canal A do osciloscópio. Registre a tensão de saída no
canal B do osciloscópio. Aumente a tensão com o gerador de funções e observe em qual ponto o
sinal de saída começa a ser distorcido. Decida por você mesmo a partir de qual ponto o sinal não
apresenta mais nenhuma forma senoidal. Arraste o oscilograma obtido para o gráfico do campo a
seguir.
Aqueça o transistor com a sua respiração ou com um secador. (Não utilize nenhuma chama
diretamente.) Coloque a curva do osciloscópio que surgiu para o sinal de entrada e de saída
novamente no campo seguinte:
Qual das seguintes afirmações você pode observar no aquecimento?
O sinal de saída é estrangulado na meia-onda positiva.

O sinal de saída permanece inalterado.
O sinal de saída é estrangulado na meia-onda negativa.
Qual é a causa para a sua constatação?
Lembre-se
O ponto de operação desloca-se para +UB. também do
O ponto de trabalho permanece inalterado. experimento com
a configuração
O ponto de operação desloca-se para o terra. do ponto de
operação.
Qual das seguintes justificativas estão corretas?
O comportamento do transistor depende da temperatura.

Durante o aquecimento, o transistor conduz melhor e a
impedância do trecho entre coletor e emissor diminui.
Durante o aquecimento, o transistor conduz pior e a
impedância do trecho entre coletor e emissor aumenta.
Busca de erros
Dica:
X6 está no terra.
O coletor está no terra.
Base, emissor e P1 possuem o mesmo potencial.
Diferentes potenciais em P1 e da base.
Potencial em R4 está no terra.
Qual seria a possível causa de erro?
Curto-circuito entre base e emissor.
Interrupção na base.
Curto-circuito entre coletor e emissor.
Interrupção da alimentação de tensão para o circuito coletor.
Circuito emissor com retroalimentação de corrente negativa
Este experimento mostra o comportamento de um circuito emissor com retroalimentação de corrente

negativa. Nele, a conexão do emissor do transistor é conectada ao terra por um resistor de baixa
impedância. Depois, uma tensão alternada é aplicada na entrada do circuito e a tensão de saída UA
é determinada de acordo com o capacitor de acoplamento.
Monte o seguinte experimento com a placa “Circuitos de transistores” SO4203-7E. Para a primeira
medição, conecte apenas a ponte entre X44 e X45:

Configure o ponto de operação novamente para a metade da tensão de alimentação.
AMPLITUDE: 25 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 1 kHz
FUNKTION: Sine


Messgeräte.

Mode: X/T
PRETRIGGER: div; rising edge
Com o gerador de funções, aplique um sinal de forma senoidal de 500 mVss e de frequência de 1
kHz na entrada do circuito e grave isto no canal A do osciloscópio. Registre a tensão de saída no
canal B do osciloscópio.
Defina o valor de pico-a-pico da tensão de saída UA.
UA = ____ VSS
Qual é o fator de amplificação do circuito?
AU = ____
Aumente a tensão com o gerador de funções e observe em qual ponto o sinal de saída começa a ser
distorcido. Decida por você mesmo a partir de qual ponto o sinal não apresenta mais nenhuma forma
senoidal. Arraste o oscilograma obtido para o gráfico do campo a seguir.
Aqueça o transistor com a sua respiração ou com um secador (não utilize nenhum tipo de chama).
Coloque a curva do osciloscópio que surgiu para o sinal de entrada e de saída novamente no campo
seguinte.
Qual efeito o aquecimento do transistor possui no sinal de saída?

A meia-onda positiva do sinal de saída é distorcida.
A meia-onda negativa do sinal de saída é distorcida.
Qual é a causa para este efeito?
O ponto de operação desloca-se para +UB.

O ponto de operação permanece inalterado.
O ponto de operação desloca-se para o terra.
Altere a resistência do emissor ao retirar a ponte entre X44 e X45, inserindo-a entre X42 e X43. A
animação a seguir mostra essa alteração:
Com o voltímetro B, verifique se o ponto de operação deslocou. Se necessário, ajuste-o novamente

para a metade da tensão de alimentação.
Abra o osciloscópio com as configurações fornecidas. Como gerador de funções, aplique um sinal de
forma senoidal de 500 mVss e frequência de 1 kHz na entrada do circuito e grave isto no canal A do
osciloscópio, bem como a tensão de saída entre X25 e o terra no canal B. Copie o oscilograma
obtido novamente no campo seguinte.
Meça a tensão de saída UAss e defina novamente o fator de amplificação.
UAss = ____ V
AU = ____
Nos últimos experimentos, você terá concluído que o ponto de operação se estabilizou
termicamente por meio de um resistor do emissor. Tal estabilidade é atingida quando uma
corrente do emissor, que se torna mais intensa com o aquecimento e corresponde
aproximadamente à corrente do coletor, causa um aumento na queda de tensão no resistor
do emissor. Entretanto, como a tensão no distribuidor de tensão da base é constante, o
aumento leva a uma diminuição da tensão entre o emissor e a base. Assim, esta diminuição
atua contra o aumento da corrente. O ponto de operação está estável.
A desvantagem desta forma de estabilização é a diminuição nítida da amplificação. Porém,

como a estabilização é relevante somente para os potenciais de tensão CC, a resistência do
emissor é contornada capacitivamente no experimento seguinte para se permitir a
transferência da tensão CA.
Amplie o circuito através da inserção de uma ponte entre X48 e X49 e uma ponte entre X50 e X51. A
animação a seguir elucida esta ampliação:
O sinal de saída deve aumentar nitidamente e estar bastante distorcido. Agora, diminua o sinal de
entrada até que o sinal de saída não esteja mais distorcido. Ajuste as configurações do osciloscópio
de modo a otimizar a leitura do sinal de entrada e de saída. Arraste o oscilograma obtido novamente
para o gráfico do campo a seguir.
Defina novamente o fator de amplificação AU.
AU = ____
Busca de erros
Dica:
O potencial do ponto de operação é de aproximadamente 0

V.
O potencial do emissor é de aproximadamente 0 V.
O potencial em X6 é de 0 V.
O potencial na base é de 0 V.
O potencial do ponto de operação é de aproximadamente
+UB.
Qual seria a possível causa de erro?
Transposição de R6.
Circuito emissor com retroalimentação de tensão negativa
Este experimento mostra o comportamento de um circuito emissor com retroalimentação de tensão

negativa. Nele, o distribuidor da tensão de entrada que fornece a tensão de bias da entrada do
transistor é conectado à sua saída, o coletor. Depois, uma tensão alternada é aplicada na entrada e
a tensão de saída UA é determinada de acordo com o capacitor de acoplamento.
Monte o seguinte experimento com a placa “Circuitos de transistores” SO4203-7E.

Determine, através do ajuste de P1, a tensão máxima do coletor sem a aplicação de uma tensão de
entrada. Então, ajuste o ponto de operação para a metade desta tensão máxima do coletor.
Quando você tiver configurado o ponto de operação, abra o instrumento virtual Gerador de funções
na opção do menu Instrumentos | Fontes de tensão | Gerador de funções ou clique no gráfico abaixo
e selecione as configurações conforme mostrado na tabela seguinte. Depois, ligue o instrumento
pelo botão POWER.
AMPLITUDE: 10 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 1 kHz
FUNKTION: Sine


Messgeräte.
Channel A: 50 mA / div; AC; Y-POS:

Mode: X/T

kHz na entrada do circuito e grave isto no canal A do osciloscópio. Registre a tensão de saída no
canal B do osciloscópio. Aumente a tensão com o gerador de funções e observe em qual ponto o
sinal de saída começa a ser distorcido. Decida por você mesmo a partir de qual ponto o sinal não
apresenta mais nenhuma forma senoidal. Arraste o oscilograma obtido para o gráfico do campo a
seguir.
Determine o fator de amplificação ao definir a tensão de entrada e saída.
AU = ____
Aqueça o transistor com a sua respiração ou com alguma outra fonte de calor (não utilize nenhum
tipo de chama). Coloque a curva do osciloscópio que surgiu para o sinal de entrada e de saída
novamente no campo seguinte:
Como o sinal de saída se alterou durante o aquecimento?
O sinal de saída está distorcido no intervalo da meia-onda

positiva.
O sinal de saída está distorcido no intervalo da meia-onda
negativa.
Qual das respectivas conclusões está correta?
O ponto de operação está deslocado na direção de +UB.

O ponto de operação está deslocado na direção do terra.
O ponto de operação permaneceu constante.
Busca de erros
Dica:
O potencial do ponto de operação é de aproximadamente

+UB.
O potencial em R1 é de 0,7 V.
O potencial no emissor é de +UB.
O potencial do ponto de operação é de 0 V.
O potencial na base é de +UB.
Curto-circuito entre coletor e emissor.

Interrupção no emissor.
Interrupção na base.
Curto-circuito entre base e emissor.
Curto-circuito entre coletor e base.
Circuito coletor
Este experimento mostra o comportamento de um circuito coletor. Neste caso, o terminal do emissor
forma a saída. Aqui, uma tensão alternada é aplicada na entrada e a tensão de saída UA é
determinada de acordo com o capacitor de acoplamento.
Antes de começar com a montagem deste experimento, não deixe, de maneira alguma, de
garantir que não haja mais nenhuma ponte entre X46 e X47, senão o transistor pode ser
destruído já durante a montagem.

Ajuste novamente o ponto de operação (X36) no terminal do emissor para a metade da tensão de
alimentação.
Quando você tiver configurado o ponto de operação no terminal do emissor, abra o instrumento
virtual Gerador de funções na opção do menu Instrumentos | Fontes de tensão | Gerador de funções
ou clique no gráfico abaixo e selecione as configurações conforme mostrado na tabela seguinte.
Depois, ligue o instrumento pelo botão POWER.
AMPLITUDE: 50 %
DÄMPFUNG:
FREQUENZ: 1 kHz
FUNKTION: Sine


Messgeräte.
Channel A: 2 V / div; AC; Y-POS:

Mode: X/T

kHz na entrada do circuito e grave isto no canal A do osciloscópio. Ao mesmo tempo, meça a tensão
de saída entre o emissor e o terra no canal B do osciloscópio. Arraste o oscilograma obtido para o
gráfico do campo a seguir.
Defina aqui também o fator de amplificação deste circuito ao determinar a tensão de

entrada e de saída.
AU = ____
Encontre a afirmação correta em relação ao comportamento entre a tensão de entrada e de

saída do circuito.
A tensão de saída não é invertida em relação à tensão de

entrada.
A tensão de saída é invertida em relação à tensão de
entrada.
Como nenhuma tensão é amplificada com este circuito, a sua aplicação estende-se principalmente à
de um conversor de impedância em estágios de entrada de baixa frequência. Neste caso, uma
resistência de entrada muito alta é uma vantagem para este circuito. Para aumentá-la ainda mais,
uma resistência em série de base ajustável é normalmente colocada apenas depois de +UB , como
mostrado no diagrama de circuito abaixo.
Busca de erros
Dica:
O potencial do ponto de operação é de +UB.

O potencial do coletor é de 0 V.
O potencial na base é de 0 V.
O potencial do ponto de operação é de 0 V.
O potencial do coletor é +UB.
Interrupção no coletor.
Interrupção em P1.
Interrupção no emissor.
Outros tipos de transistores
Além dos transistores bipolares já mencionados, há também o grupo dos transistores unipolares. Ao
grupo pertencem os transistores de efeito de campo (FET) e os transistores de unijunção (UJT). Ao
contrário dos transistores bipolares, que são controlados através da corrente, os transistores
unipolares são controlados através de uma tensão. A tensão forma uma campo elétrico nos
transistores. Este campo circunda um canal, cuja condutividade aumenta ou diminui, se ele for,
respectivamente, maior ou menor. Com isso, o controle se dá quase com uma condutividade quase
nula.
Transistores de efeito de campo

Transistores de efeito de campo dividem-se em dois grupos da região de depleção: FETs e
MOSFETs. Um panorama geral está representado no diagrama a seguir.
Exceto em tipos de configuração especiais, os transistores possuem três terminais. Esses são
descritos como fonte, porta e dreno. No caso dos transistores bipolares, o terminal fonte
correponde ao emissor, o porta à base e o terminal dreno, ao coletor.
Os símbolos de ligação correspondentes estão representados na tabela a seguir:
Descrição Tipo do canal N Tipo do canal P

Região de
depleção FET
Autocondutor
MOSFET
Autobloqueador
MOSFET
Transistor de unijunção
O transistor de unijunção também possui três terminais. Estes terminais são denominados emissor,
base 1 e base 2. Devido aos seus terminais, este transistor também é conhecido como diodo de
base dupla. Hoje em dia, ele quase não é mais utilizado e pode ser encontrado apenas em circuitos
de osciladores.
Símbolo de ligação
IGBT
Na eletrônica de potência, o IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor é cada vez mais utilizado. Ele
apresenta as vantagens do transistor de junção bipolar (com comportamento em polarização direta,
alta tensão reversa, robustez) e também as vantagens de um transistor de efeito de campo (controle
ocorre com uma potência quase nula). Ele também apresenta uma certa resistência a curtos-
circuitos. As descrições dos terminais são porta, coletor e emissor.
Símbolo de ligação
qual alteração surge quando o circuito seguinte é conectado à chave?
A tensão de saída UA sobe para aprox. 12 V.

O transistor é destruído.
A tensão UCE cai para aprox.. 0 V.
A tensão de saída UA cai para aprox. 0 V.
A corrente do coletor IC sobe para aprox. 1,2 mA.
Na imagem, os dados de um circuito de transistor estão marcados por números. Associe
corretamente as explicações seguintes com estes números.
Circuito elétrico 1 __
Corrente 5 __
Tensão 6 __
Corrente 4 __
Circuito elétrico 2 __
Tensão 3 __
Em qual circuito a lâmpada acende?
Dentre os pontos de medição inseridos, diversas tensões podem ser medidas. Determine
quais pontos de medição estão associados erroneamente à tensão.
correto falso
A tensão base-emissor entre os pontos de
medição 3 e 2.
A tensão coletor-emissor entre os pontos de
medição 1 e 4.
A tensão operacional entre os pontos de
medição 1 e 5.
A tensão coletor-base entre os pontos de
medição 4 e 3.
A tensão base-coletor entre os pontos de
medição 2 e 4,
Quais afirmações sobre um estágio de amplificação no circuito coletor estão corretas?
A posição de fase entre saída e entrada é de 180 graus.

A posição de fase entre saída e entrada é de 0 grau.
A amplificação da corrente é praticamente igual à da tensão.
A resistência de saída possui menor impedância do que a da
entrada.
Quando uma grande amplificação de tensão é solicitada, o
circuito coletor pode preferir outros circuitos.
A amplificação da corrente é de aproximadamente 1.
A amplificação da tensão é de aproximadamente 1.
Em qual dos circuitos esquemáticos a seguir o transistor é operado corretamente no circuito
emissor?
Qual das propriedades mencionadas possui o circuito básico de transistor ilustrado?
Amplificação da corrente >1 e deslocamento de fase entre

U1 e U2 de aproximadamente 0 grau.
Amplificação da corrente e deslocamento de fase entre U1 e
U2 de aproximadamente 0 grau.
U1 e U2 de aproximadamente 0 grau.
Amplificação da corrente e deslocamento de fase entre U1 e
U2 de aproximadamente 180 graus.
U1 e U2 de aproximadamente 180 graus.
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Componentes semicondutores

Curso nº: CO4204-5A Versão 1.0.0.0

Autor: Frank Wulke

Copyright © 2017 LUCAS-NÜLLE GmbH.

All rights reserved.

Placa "Diodos Zener e componentes optoeletrônicos" 9

Placa "Circuitos de transistores" 10

Condutores, isolantes e semicondutores 13

Estrutura do cristal de silício 18

Resistência específica de semicondutores 20

Condutividade e comportamento da temperatura 22

Experimento com a polarização inversa 33

Experimento com a polarização direta 37

Registro das curvas características estáticas 49

Registro das curvas características dinâmicas 54

Limitação da tensão em tensão CC 70

Limitação da tensão em tensão CA 74

Dependência da tensão de entrada 92

Análise das correntes 98

Teste de conhecimentos 105

Outros diodos 109

Outros tipos de diodos 110

Componentes optoeletrônicos 118

Curva característica dinâmica de infravermelho 121

Análise do fototransistor 125

Comportamento como acoplador óptico 129

Busca de erros 136

Sensor fotoelétrico tipo garfo 138

Teste de conhecimentos 144

Introdução - Transistores bipolares 147

Circuitos básicos de transistores 149

Transistor como chave 151

Transistor como chave 153

Transistor como amplificador 159

Configuração do ponto de operação 162

Busca de erros 169

Busca de erros 176

Circuito emissor com retroalimentação de corrente negativa 178

Busca de erros 188

Circuito emissor com retroalimentação de tensão negativa 190

Busca de erros 195

Circuito coletor 197

Busca de erros 202

Outros tipos de transistores 204

Teste de conhecimentos 207

Bem-vindo ao curso UniTrain Componentes semicondutores! O time LUCAS-NÜLLE deseja-lhe

No curso UniTrain “Componentes semicondutores”, são realizados experimentos com diversos

CO4203- Bancada de experimentos

SO4203- Placa UniTrain “Diodos Zener /

SO4203- Placa UniTrain “Transistor -

Acessórios de medição UniTrain

LM2330 Multímetro Multi 13S opcional

É necessário ter o Flash-Player instalado para visualizar algumas animações.

Circuito I: 3 diodos diferentes com

160 x 100 mm (largura x altura)

Na parte inferior à esquerda, encontra-se um diodo com resistor de série.

A alimentação de tensão ocorre através de conectores de 2 mm.

A placa de experimento UniTrain “Diodos Zener e componentes optoeletrônicos” SO4203-

Circuito I: 2 diodos Zener para a

160 x 100 mm (largura x altura)

A alimentação de tensão da parte superior ocorre através de conectores de 2 mm.

A parte inferior é alimentada por um sistema bus.

A placa de experimento “Circuitos de transistores” SO4203-7E contém uma variante de circuito de