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Transistores Bipolares:
Teoria e Práticas de
Laboratório
3
Fabiola Fernandes Andrade
Francisco José Alves de Aquino
Diodos e
Transistores Bipolares:
Teoria e Práticas de Laboratório
IFCE
Fortaleza, 2010
4
Sumário
CAPÍTULO 1 – SEMICONDUTORES ................................................................................................................... 7
Introdução ............................................................................................................................................................. 7
1.1 Materiais semicondutores ............................................................................................................................... 7
1.1.1 O átomo de silício .................................................................................................................................... 8
1.1.2 O átomo de germânio .............................................................................................................................. 9
Exercícios ........................................................................................................................................................... 10
1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ............................................................................................................... 11
1.1.4 O diodo .................................................................................................................................................. 12
1.2 Polarização do diodo .................................................................................................................................... 13
1.2.1 Polarização direta .................................................................................................................................. 14
1.2.2 Polarização reversa ................................................................................................................................ 14
Exercícios ........................................................................................................................................................... 15
1.3 Informações Práticas .................................................................................................................................... 16
Exercícios ........................................................................................................................................................... 18
Experiência no Laboratório ................................................................................................................................ 19
5
5.4 Circuito ressonante ....................................................................................................................................... 68
5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio............................................................................................... 70
Exercícios ........................................................................................................................................................... 71
Experiência no Laboratório ................................................................................................................................ 71
6
CAPÍTULO 1 – SEMICONDUTORES
Introdução
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua
importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro.
O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais
como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos,
no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores.
Como ocorreu a descoberta destes materiais?
Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell
Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que
eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o
engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns
materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora
conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores,
foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc.
Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em
sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria.
Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma
economia agrícola, produzia arroz, cana-de–açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970
investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o
desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de
parques tecnológicos (vale do silício).
Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em
semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em
2010.
Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância
para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como
o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro.
7
Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O,
P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q
P
O
N
M
L
K
núcleo
Quanto maior a
energia do elétron,
maior é o seu raio.
órbitas
1º órbita – 2 elétrons
2º órbita – 8 elétrons
3º órbita – 4 elétrons
+14
8
1.1.2 O átomo de germânio
1º órbita – 2 elétrons
2º órbita – 8 elétrons
3º órbita – 18 elétrons
4 ºórbita – 4 elétrons
+32
9
Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados, ou
seja, em uma forma bem definida. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura
amorfa.
Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (-
273 ºC), alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres, ou seja, passam para
a camada de condução (banda de condução), sendo capazes de se movimentar pelo material.
São estes elétrons livres que, sob a ação de um campo elétrico, formam a corrente elétrica.
O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna).
Na temperatura ambiente um cristal puro, ou seja, formado apenas por um tipo de
átomo, ocorre a formação de elétrons livres e lacunas, porém a quantidade de elétrons livres é
igual ao número de lacunas, por isso, a neutralidade deste cristal se mantém. (O número de
cargas positivas é igual ao número de cargas negativas).
Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons
livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício.
Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO, e quando se
tem um cristal puro, ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO.
Em um semicondutor intrínseco, como existem elétrons livres e lacunas formadas pela
energia térmica, os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal, que
ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). Quando isto ocorre temos o que
é chamado de RECOMBINAÇÃO. A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons
livres ocupam a lacuna, neste caso, o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo
desaparecimento da carga positiva. A neutralidade do cristal, deste modo é mantida.
O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA.
Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua
resistividade, dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura, ou
seja, qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência.
Sendo, portanto, diferente do comportamento elétrico dos metais comuns, uma vez que com o
aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar, já que o número de
elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação
de muitos elétrons a mais, mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação
térmica dos átomos.
Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. Os metais têm,
portanto, coeficiente positivo de temperatura.
Exercícios
1. Complete
10
d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________, necessitam de
mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.
e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação
___________________.
f) Na temperatura ambiente, alguns elétrons da camada de valência se tornam
____________________________.
g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________.
h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________.
i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________.
Elétron
livre
Si
Si Si
Sb
Si
A cada átomo pentavalente que é adicionado, sobra um elétron, pois apenas 4 elétrons
se ligam aos átomo de silício, pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons
para conseguir a configuração de gás nobre.
11
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a
quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas, como indica a Figura 1.6.
Si
Lacuna
Si Si
B
P
Si
Figura 1.7 – (a) Estrutura de silício dopada com boro (B), (b) material tipo P correspondente.
1.1.4 O diodo
12
+ _
_
+
_
+
Junção
PN
Figura 1.8 – Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P.
anodo
Anodo- material tipo P
Catodo – material tipo N
catodo
13
1.2.1 Polarização direta
N P
_
+
_
+
_
+
14
N P
+ _
_
+
_
+
Exercícios
a)
b)
15
1.3 Informações Práticas
- Diodo de germânio
Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas, mas pode operar em velocidades
muito altas, assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências
(rádio). Tipos conhecidos desta família são o 1N34, 1N60, OA79 etc.
Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem
americana temos a sigla “1N”, enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla
“AO” ou ainda “BA”.
São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade, da
ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V. São utilizados
em circuitos lógicos, circuitos de proteção de transistores, polarização etc. O 1N4148 é um dos
tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral.
Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões
relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V, quando polarizando
reversamente.
Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo “1N4000”e que começa com o
1N4001. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A, mas a
tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. A
Tabela 1 indica essa variação. A Figura 1.12 mostra a página de um datasheet do fabricante
Fairchild para esta série de diodos.
16
Figura 1.12. Características elétricas dos diodos da série 1N4000.
17
Exercícios
1.Complete
2.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados
tipos de materiais elétricos e magnéticos. Os diodos e os transistores, sejam os bipolares de
junção ou os de efeito de campo, utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. A
respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos, julgue os itens
subseqüentes.
II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga.
III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas.
IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn.
18
a. D1, D2 e D3 estão cortados;
b. D1, D2 e D3 estão conduzindo;
c. D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado;
d. D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo;
e. D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados.
Experiência no Laboratório
Material necessário:
19
Figura 1.12 Polarização reversa
20
CAPÍTULO 2 – TEORIA DOS DIODOS
Introdução
A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região
nordeste do Brasil). No entanto, a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma
tensão contínua para funcionar. O que fazer?
A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte
de alimentação. Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua, como
mostra a Figura 2.1.
Uma das principais aplicações do diodo, no qual, iremos estudar servirá para a
montagem de uma fonte de alimentação.
Polarização Polarização
reversa
I
direta
ruptura
21
2.2 Polarização Direta
Na polarização direta, será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo, no qual, o
pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo,
como mostra a figura 2.3.
Na polarização reversa, será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo, no qual, o
pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo
como mostra a figura 2.4.
22
Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na
polarização reversa como uma chave aberta, como mostra a figura 2.5b e 2.6b.
POLARIZAÇÃO DIRETA
POLARIZAÇÃO REVERSA
POLARIZAÇÃO DIRETA
Na figura 2.7(a), temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura
2.7(b), o circuito equivalente para a polarização direta, no qual foi considerado a barreira
de potencial de 0,7V para o diodo de silício.
23
0.7V
Figura 2.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do
diodo
POLARIZAÇÃO REVERSA
Na figura 2.8(a), temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura
2.8(b), o circuito equivalente para a polarização reversa.
Figura 2.8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do
diodo
Exercícios
2. 5,6K
3.
4.
5V 3,9K
Figura 2.9
24
2. Considerando o segundo modelo para o diodo, calcule a tensão que o voltímetro deve
indicar (Figura 2.10).
Figura 2.10
Figura 2.11
Experiência no Laboratório
Nesta experiência, vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente
e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e, consequentemente desenhar a
curva característica do diodo.
Material necessário:
25
Procedimento:
Figura 2.12
VF A V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
26
Monte o circuito abaixo:
Figura 2.13
VF A V
1
2
3
4
5
Sequência de Leds
Neste circuito, você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada
diodo.
Matérial necessário:
-1 bateria de 12 V;
- 1 capacitor de 2200F, 16V;
- 1 resistor de 1,2K; 1/4W;
- 4 leds;
- 4 diodo 1N4001.
27
Figura 2.14
28
CAPÍTULO 3 – CIRCUITOS COM DIODOS
Introdução
Neste capítulo, vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem
de uma fonte de alimentação.
Vp
T(s)
T/2 T
-Vp
Vp
Wt = (rd)
2
-Vp
Onde:
Vp – tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa, que a tensão senoidal
pode atingir).
Vpp – Tensão de pico a pico (amplitude total, entre os valores máximos positivo e
negativo).
29
Matematicamente, os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular
podem ser representados, respectivamente, por:
Onde:
3.2 Transformador
O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão
alternada, aumentando ou diminuindo-a. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado
do primário, do circuito do lado do secundário, neste caso, a amplitude não será alterada.
Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente, montadas em um mesmo núcleo
de ferro (usado para concentrar as linhas de campo).
Os flybacks são
transformadores de alta
tensão presentes nos
televisores comuns de todos
os tipos e também nos
Vp monitores de vídeo de
Vs
computadores.
Na figura 3.3, observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada
(Vp) denomina-se primário, e segunda bobina, no qual foi criado a tensão induzida (Vs)
denomina-se secundário.
Funcionamento.
Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua. Quando uma corrente alternada
ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as
espiras do enrolamento secundário, causando o aparecimento de uma f.e.m induzida nos
terminais do secundário.
30
Ps = Pp
Pp = Vp.Ip
Logo:
Vp.Ip = Vs.Is
Valor eficaz
Para sinais senoidais, existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou
rms.
O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma
tensão contínua, de tal forma que, ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com
que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.
Vp = 2 Veficaz
Funcionamento
31
Figura 3.5 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo
positivo.
Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo
diodo fica contínua, mais precisamente contínua pulsante.
A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do
transformador) em contínua( sinal na carga).
Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor, já que a tensão é pulsante.?
O multímetro indicará o valor médio, calculado da seguinte forma:
f t dt
1 T
T 0
Vmed
32
onde f(t) = Vp sen no intervalo de 0 a e o período é de 2
Logo:
1 2
Vdc
2
0
Vpsenwtdt
Wt =
dwt d d
logo: dt
dt dt w
1
2w 0
Vdc Vpsend w
2
, e T = 2, logo w = 1
T
Vdc
Vp
2
cos I 0
Vdc
Vp
cos cos 0
2
Vp
Vdc =
Exemplo:
Solução:
Vp = Vst
2
Vp = 2 . 12 = 16,97V
33
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente
polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado.
PIV – O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo), funcionará como uma
chave aberta, com mostra a Figura 3.7.
Determinação do Io
Io - É a corrente média, quando o diodo está diretamente polarizado, logo a corrente que passa
por ele é igual a corrente que passa no resistor.
No semiciclo positivo o diodo conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente
no resistor.
No semiciclo negativo o diodo não conduz. Não tem corrente passando no diodo e
também não tem corrente no resistor.
34
Logo:
Io = Idc
Exemplo:
Solução:
Vp = Vst
2
Vp = 2 . 9 = 12,72V
Rl
35
Na montagem do circuito, utiliza-se de um transformador com derivação central,
conhecido também como tomada central ou, em inglês “central – tap”( Figura 3.9).
Nestes transformadores, o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro.
Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das
estremidades.
Ex:
9V
18V
9V
Funcionamento do circuito
+ Vst
+ T
-
Vdc
Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo positivo.
36
Vst
-
+ T
-
+
Vdc
Figura 3.11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo negativo
f t dt
1 T
T 0
Vdc
onde:
1 2
2 0
Vdc Vpsen Vpsen
Vdc
Vp
2 2 logo: Vdc 2
Vp
2
37
OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que:
Vp = 2 . Vst
2
Exemplo;
Solução:
2 . Vst 2 . 16
Vp = =
2 2
Vp = 11,31V
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
PIV – Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total
do secundário do transformador.
Figura 3.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no
semiciclo positivo
38
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
Solução:
2 . Vst 2 . 12
Vp = =
2 2
Vp = 8,48V
PIV = 2 . 12 = 16,97V
Io = 2m/2 = 1mA
39
3.5 Retificador Em Ponte
No circuito retificador em ponte (Figura 3.13), será utilizado quatro diodos para
aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. Outrosim, toda a tensão do
secundário do transformador chegue na carga.
D2
D1
D3
Rl
D4
Figura 3.14 (a)Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo positivo
40
Figura 3.15 (a) Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo negativo
Vdc = 2Vp
Exemplo:
Solução:
Vdc = 2VP/
Vp = 2 . 12 = 16,97V
41
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo está inversamente polarizado, denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor
médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado, denominado Io.
PIV- No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está
conduzindo, observe na Figura 3.12, que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário
do transformador.
PIV = Vpst
Io – Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1, mas tem corrente no resistor.
No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor, logo:
Io = Idc
2
Exemplo
Solução:
Vdc = 2VP/
Vp = 2 . 9 = 12,72V
PIV = 12,72V
Io = 3m/2 = 1,5mA
42
3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores
Vst
FORMA DE ONDA DA LINHA
+ T
2
-
Figura 3.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito
retificador de meia onda.
43
Vst
FORMA DE ONDA DA LINHA.
+ T
2
-
Figura 3.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito
retificador de onda-completa.
Exercícios
44
2. Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de
18V, sabendo que Rl = 6,8K. Calcule as especificações do diodo.
3. Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário
do transformador é de 25V. Sabendo que Rl = 5,6K. Calcule as especificações do diodo.
4. Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V,
sabendo que Rl = 8,2K. Calcule as especificações do diodo.
Figura 3.18
6. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tensão V1. Dado: Vst = 25V, R1 = 10k, R2 =
15k e R3 = 22K.
Figura 3.19
45
V1
Figura 3.20
Figura 3.21
Figura 3.22
46
Experiência no Laboratório
Material necessário:
Procedimento:
Figura 3.23
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.
Material necessário:
47
- 1 transformador com derivação central, 110V/220V – 12V+12V, 500mA
- 2 diodos 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 10KΩ, 0,25W;
- 1 multímetro (analógico ou digital);
- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
Rl
Figura 3.24
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.
Material necessário:
48
Procedimento:
D2
D1
D3
Rl
D4
Figura 3.25
Capacitor variável
Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido, servindo para
substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia.
Material necessário:
2 baterias de 12V;
1 resistor de 8,2K 1/4W;
1 resistor de 1M;
1 potenciômetro de 1M;
1 diodo varicap ( qualquer um serve);
1 capacitor 10nF
Figura 3.26
49
CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM
FILTRO
Introdução
Nos circuitos retificadores visto até agora, verificamos que a tensão já é contínua, no
entanto, o sinal continua pulsando. O próximo passo para construirmos uma fonte de
alimentação é aplicar um filtro capacitivo, para que o sinal fique o mais próximo de uma
tensão contínua constante.
No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor
em paralelo a carga como mostra a Figura 4.1
50
Vst
Vdc
Vdc = Vp - Vond
2
De: I = C dV
Vond = I dt dV = Vond
FC
Onde:
Obs: Quanto maior = RC, menor será a tensão de ondulação, logo maior será a tensão Vdc e
mais contínua será a forma de onda no resistor.
51
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo está inversamente polarizado, denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor
médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado, denominado Io.
PIV
Figura 4.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo
PIV= 2Vps
Io
Io = Idc
Exemplo:
1)Dado o circuito, calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V e
Flinha = 60Hz
52
Figura 4.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo
Solução:
F= 60Hz
Vp = 2 . 12 = 16,97V
Vond = 3 = 0,5V
60.100
No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo, foi
introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.5.
53
D1
Rl
D2
Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo
Vst
Vdc
54
Logo:
Vdc = Vp - Vond
2
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo está inversamente polarizado, denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor
médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado, denominado Io.
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
1) Dado o circuito, calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz
D1
100F
5,6K
D2
Figura 4.7
55
Solução:
2 . Vst 2 . 12
Vp = =
2 2
Vp = 8,48V
PIV = 2 . 12 = 16,97V
Io = 1,5m/2 = 0,75mA
D2
D1
D3
Rl C
D4
56
No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem, logo o capacitor começa
a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. Quando Vst<Vpst, D2
e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.
No semiciclo negativo, quando Vst > Vc, D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a
carregar até atingir Vpst.
Novamente, quando Vst < Vp, D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo
resistor.
No semiciclo positivo, quando Vst> Vc, D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até
atingir Vpst, quando Vst<Vp =Vc, D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo
resistor e assim sucessivamente. como mostra a Figura 4.9.
Vst
Vdc
Logo:
Vdc = Vp - Vond
2
57
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo está inversamente polarizado, denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor
médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado, denominado Io.
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
1)Dado o circuito, calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz
D2
D1
D3
D4 5,6K 100F
Figura 4.10
Solução:
Vp = 2 . Vst = 2 . 12
Vp = 16,97V
I = Vp/R = 16,97/5,6K = 3 mA
58
Vond = 3m = 0,25V
120.100
PIV = 2 . 12 = 16,97V
Io = 3m/2 = 1,5mA
Exercícios
1. Preencha os espaços em branco.
A . Em todos os circuitos retificadores com filtro, observa-se que a forma de onda é a mesma
sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________
Onde Vond = ________________
B . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda
do circuito retificador de onda completa é a __________________________
C. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz, a
frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência
será__________________.
D. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________
E . O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________
2. Dado os circuitos das Figura 4.11, 4.12 e 4.12, calcule a tensão Vdc e as especificações do
diodo. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz
a)
47F
2,7 K
Figura 4.11
59
b) D1
47F
2,7K
D2
Figura 4.12
c)
D2
D1
c)
D3
D4 2,7K 47F
Figura 4.13
3. Dado o circuito da Figura 4.14, determine Vdc. Dado: Vst= 24sen100t, Rl = 15K e C=
1F
Figura 4.14
60
Dado: Vst = 40V, Rl = 3,9K.
Figura 4.15
5. A Figura 4.16, mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas,
alimentados por fontes de tensão senoidal V(t), com mesmas especificações e utilizando
diodos considerados ideais. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos
circuitos em cima das cargas Rl, obtendo:
V1 e f1 para C1
V2 e f2 para C2
Com relação às medidas obtidas, é correto afirmar que:
a) V2 = 2V1 e f2 = f1
b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1
c) V2 = 0,5 e f2 = f1
d) V2 = 0,5 e f2 = 0,5f1
e) V2 = V1 e f2 = f1
Figura 4.16
61
Experiência no Laboratório
Material necessário:
Procedimento:
Figura 4.17
62
Experiência 6 – Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro
capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.
Material necessário:
Procedimento:
Figura 4.18
63
Experiência 7 – Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.
Material necessário:
Procedimento:
D2
D1
D3
Rl C
D4
Figura 4.19
64
DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Acendendo um led com energia eólica
Figura 4.20
Neste circuito, a energia eólica fornecida pelo ventilador, servirá para mover um
alternador e desta forma gerar energia elétrica. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma
tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V), ao passar pelo circuito retificador em
ponte com filtro capacitivo, a tensão servirá para acender um led.
65
CAPÍTULO 5 – OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO
Introdução
Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. Os diodos de
pequena capacidade de corrente, por exemplo, chamados de diodo de sinal podem ser usados
como “detectores de envolvente” em circuitos de rádio.
antena
Diodo detector
filtro fone
CV
A antena capta os sinais emitidos pela estação, havendo então a indução de uma
corrente de alta frequência, que deve circular em direção á terra passando pela bobina e
capacitor que formam o circuito de sintonia:
Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência,
ou seja, da estação sintonizada, que são desviados para o diodo. O diodo funciona como
retificador de alta frequência, deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal, ou seja,
fazendo sua detecção. Este sinal que é composto de duas partes, uma de alta frequência que é a
“portadora”, e outra baixa que á a “modulada”, pode ser levado a um processo de separação.
O capacitor depois do diodo filtra o sinal, desviando para a terra a componente de alta
frequência e deixando apenas a envolvente, ou seja, a modulada, que corresponde justamente
ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas.
Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um
amplificador, podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio.
66
(+)
Carga indutiva
Diodo de
proteção
Circuito de
comutação
Leitura Complementar
5.3 Circuito Tanque
O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos
compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio, além de alguns circuitos
osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor – capacitor.
Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor.
67
Ao abrir o circuito da Figura 5.4. A energia armazenada no indutor volta ao circuito. A
tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos, mesmo
com a tensão na bobina de valor baixo.
De acordo com a expressão 1, ao abrir o circuito, ocorre uma variação bastante alta da
corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave).
i
vL (1)
t
Durante o período no qual a chave está fechada, im = VF/R = 12/3 = 4ª. Após a
abertura da chave e decorrido 0,00004 segundos, a corrente no circuito foi reduzida para:
t 0,0004
il ime
= 4e 3,33
= 3,999A
Logo:
i = 4-3,999=1mA
t = 0,00004s
Li
v = -250V
t
68
Figura 5.5. Circuito tanque.
Xc = Xl 1/(2πFrC) = 2πFrL
Fr = 1/(2πLC)1/2
69
Na frequência de ressonância, a impedância é infinita, ou seja, a oposição à passagem
de corrente é infinita.
Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque, observamos que à medida que nos
aproximamos da freqüência de ressonância, a oposição começa a crescer até atingir o máximo
no valor exato desta freqüência. Depois deste ponto, a oposição começa novamente a diminuir.
Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos
sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. Se o
sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado, ele encontra forte
resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. Já se o sinal não
corresponde a esta freqüência, ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curto-
circuitado para o terra. Na Figura 5.7, temos um sintonizador de rádio simples.
Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena, a
onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada, sendo as demais
desviadas para o terra.
Em um rádio, o circuito tanque possui um capacitor variável, no qual, ao girar o botão
que altera o valor do capacitor, muda a freqüência de ressonância e, portanto, muda a
freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. É desta forma que este circuito
“sintoniza” as diferentes estações no rádio.
5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio
Aprendemos que em um circuito tanque, ao aplicar uma onda senoidal, ocorre uma
troca de energia entre o capacitor e o indutor, produzindo uma oscilação amortecida, com a
alternância de campo elétrico em magnético. Se este circuito for ligado a uma antena, a
energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética, ou seja,
ondas de rádio.
Para que a produção destas oscilações continue, deve-se repor a energia que vai sendo
perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor, quer seja porque é irradiada por uma
antena, quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito. Isto pode ser
feito com um amplificador.
70
Exercícios
1. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.8):
Figura 5.8
(A) é um oscilador ideal;
(B) tem fator de qualidade unitário;
(C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz;
(D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito
aberto;
(E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito.
Experiência no Laboratório
Experiência 8 – Rádio elementar ou rádio Galena
Material necessário
71
Procedimento:
Figura 5.9
Material necessário:
Fazendo a bobina
72
Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do
cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra,
encostadas mesmo, e uma volta não pode passar por cima da outra. Caso você esteja usando o
tubo, faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois
furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima). Se você
está usando o cabo de vassoura, prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante.
Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio.
Antena
Como o rádio não possui uma etapa de amplificação, a antena deve ser bastante
comprida para captar o máximo de energia da estação. Pode ser um fio esticado de 10m de
comprimento.
Figura 5.10
A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para
sintonizar em uma determinada frequência.
73
CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES
(CEIFADORES) E GRAMPEADORES
Introdução
Vent
R
+Vp
T
Vent Vsaída
Rl
-Vp
Vsaída
-Vp
Figura 6.1 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
74
Análise do circuito limitador positivo
Na Figura 6.2(a), temos um outro limitador positivo, no qual foi inserida uma fonte de
tensão em serie com o diodo. A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra
a Figura 6.2(b).
R Vent
Vp
Vent Vsaída T
Rl
V
-Vp
Vsaída
T
V
-Vp
Figura 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Nas Figuras 6.3, 6.4, 6.5, 6.6, 6.7, 7.8, 6.9 e 6.10 temos exemplos de outros circuitos
limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga., no qual o funcionamento é
semelhante aos circuitos já analisados.
75
Vent
Vp
Vent Vsaída
Rl -Vp
Vsaída
Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
Vent Vsaída T
Rl
-Vp
Vsaída
Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
76
V Vent
+Vp
T
Vent Rl Vsaída
-V
-Vp
-V
- Vp -V
Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
V +Vp
T
Vent Vsaída
Rl
-Vp
Vsaída
-V+Vp
T
-V
Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
77
Vent
V +Vp
Vent Vsaída
Rl
-Vp
Vsaída
+V-Vp
Figura 6.7 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
R +Vp
T
Vent Vsaída
Rl -Vp
Vsaída
+Vp
T
Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
78
Vent
+Vp
R
Vent Vsaída
Rl
-Vp
V Vsaída
+Vp
V T
Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
R
Vent
Rl Vsaída
V1 V2 -Vp
Vsaída
V2
V1
79
6.2 Circuitos Grampeadores
Algumas vezes, um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com
uma tensão CC. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda, a operação modifica o nível da
tensão de referência CC. Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC.
Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em
cinco constantes e tempo.
Vent
+Vp
C
Vent
Rl Vsaída -Vp
Vsaída
+2Vp
Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo, (b) Forma de onda na carga
80
Vp
- +
Vent
Rl Vsaída
No semiciclo positivo:
Vsaída = Vc + Vent
No semiciclo negativo:
Vsaída = Vc – Vent
Nas Figuras 6.13, 6.14, 6.15, 6.16 e 6.17, temos mais exemplos de circuitos
grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. A análise é semelhante as
análises já realizadas.
81
Vent
+Vp
C
Vent -Vp
R Vsaída
Vsaída
-2Vp
Figura 6.13 (a) Circuito grampeador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent
C
+Vp
T
Vent Vsaída
R
V
-Vp
Vsaída
-2Vp+V
Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
82
Obs: O capacitor se carrega com - ( Vp – V )
Vent
C +Vp
Vent Vsaída
R
V -Vp
Vsaída
+2Vp+V
V T
Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
C
T
-Vp
Vent Vsaída
R
V Vsaída
-V
T
-V-2Vp
Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
83
Vent
Vp
C
Vent Vsaída
R
V
Vsaída
+ 2Vp -V
-V
Figura 6.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Exercícios
1- Dado o circuito determine a forma de onda na saída.
R Vent
30V
Vent Vsaída T
Rl
4V
-30V
7V
Vsaída
T
Figura 6.18
84
Figura 6.19
Experiência no Laboratório
Material necessário:
- 1 gerador de áudio
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 1MΩ, 0,25W;
- 1 capacitor 470μF;
- 1 multímetro (analógico ou digital);
- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
1. Monte o circuito da Figura 6.20, no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em
1KHz e amplitude de 5V.
85
C
Vent
R Vsaída
Figura 6.20
2. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece
com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.
Neste circuito, você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família
TTL.
Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V.
Material necessário
86
Figura 6.21
87
CAPÍTULO 7 – DIODOS ESPECIAIS
Introdução
O diodo zener é um diodo especial, no qual, a sua principal aplicação é regular a tensão
na carga, ou seja, mantém a tensão constante na carga. Constitui o último componente em uma
fonte de alimentação.
anodo
catodo
Na figura 7.2, temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener,
ou seja, este gráfica representa o funcionamento do diodo zener.
Polarização I Polarização
reversa direta
Ruptura
ou Vz
Iz(mín)
Iz(máx)
88
Quando se polariza diretamente o diodo zener, ele se comporta da mesma forma que
um diodo retificador, ou seja, conduz a partir do momento em que vence a barreira de
potencial.
Na polarização reversa, enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a
tensão de zener , ele funciona como uma chave aberta.
Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de
zener, ele passa a conduzir, observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando
apenas a corrente que passa por ele, e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta,
maior do que esta corrente o diodo zener será danificado.
CIRCUITO BÁSICO
Rs
Ve = RsIs +Vz
Ve Vz
Figura 7.3
Exemplo:
Tabela 7.1
1K Quando Ve = 1V Vz = 1V e Is = 0
Quando Ve = 2V Vz = 2V e Is = 0
Quando Ve = 3V Vz = 3V e Is = 0
Ve 5V6
Quando Ve = 4V Vz = 4V e Is = 0
Vz Quando Ve = 5V Vz = 5V e Is = 0
Quando Ve = 6V Vz = 5,6V e Is = 0,4m A
Quando Ve = 7V Vz = 5,6V e Is = 1,4mA
Figura 7.4 Quando Ve = 8V Vz = 5,6V e Is = 2,4mA
Quando Ve = 9V Vz = 5,6V e Is = 3,4mA
Quando Ve = 10V Vz = 5,6V e Is = 4,4mA
89
Is = Ve- Vz
Rs
Pz(máx) = Vz .Iz(máx)
A Figura 7.4, mosta o circuito regulador de tensão, para que possamos fazer
uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito.
Is
Rs
Iz
Ve Vz Rl Il Vl
Vth = R1 .Ve
Rl + Rs
90
Logo:
Is = Il + Iz
Onde:
Il = Vl Vl = Vz e Is = Ve - Vz
Rl Rs
Is
2,7K
Iz Il
15V 3V2 5,6K
Figura 7.6
Solução:
Il = 3,2/5,6K = 0,57mA
Is = 15 – 3,2 Is = 4,3mA
2,7K
91
Aplicação do Diodo Zener
D2 Rs
D1
D3
C
D4 Vz Rl
Exemplo:
1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5,6V à 6,3V e o diodo zener é de 3,2V, considerando
que a queda em Rs seja de 0,8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4,8 à 5,5V, então
a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3,2V.
SIMBOLOGIA
anodo
catodo
Figura 7.8
92
Na Figura 7.9, temos a curva característica para o led.
Polarização Polarização
reversa direta
v
1,5 a 2,5V
Figura 7.9
CIRCUITO BÁSICO:
93
Rs
Is = Ve - Vled
Is
Ve Rs
Figura 7.9
Exemplo:
1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.10), fique polarizado no seu ponto
quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA)
Is
6V
Figura 7.10
Solução:
Rs = Ve – Vled Rs = 6 – 2
Is 20m
Rs = 200
94
Ele foi desenvolvido pelo Dr. Leo Esaki em 1958 e , as vezes é chamado de diodo
Esaki, em homenagem ao seu descobridor.
SIMBOLOGIAS
Ip
Iv
V
VP Vv
Figura 7.12
APLICAÇÕES
95
7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC)
Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns, o
fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização. A Figura 7.14
mostra a simbologia para o diodo varicap.
Figura 7.15
APLICAÇÕES
O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por
tensão, circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos, dispositivos de
controle de frequência automáticos, filtros de banda passante ajustáveis etc.
96
Revisão
1. Dado o circuito da Figura 7.16, calcule as correntes Is, Iz e Il.
Is
3,9K
Iz Il
20V 5V6 10K
Figura 7.16
5. No circuito da Figura 7.18, V1 = 15V e no LED D1, Imin = 1mA, Imáx = 25mA e
Vled = 2V.
Figura 7.18
97
6. A Figura 7.19, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma
Ve(t) = 20sen(wt), onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. O sinal de saída
Vs(t) deverá ser, aproximadamente, da forma:
Figura 7.19
7. A Figura 7.120, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal, cujo valor
de pico é superior À tensão de diodo zener Z1, que pode ser considerado ideal. O sinal de
tensão Vs(t) deverá ter, aproximadamente, a forma:
98
Figura 7.20
Figura 7.21
99
Experiência no Laboratório
Experiência 10 – O diodo Zener
Neste circuito, deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender
o seu funcionamento.
Material necessário:
Procedimento:
Figura 7.22
Vf A Vz
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________
Material necessário:
Procedimento:
Figura 7.23
Figura 7.24
101
DIVERTINDO-SE COM A ELETRÔNICA
Alarme de subtensão
Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a
tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o
led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá
acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa.
Circuito 1
Material necessário
Figura 7.25
O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá
funcionar uma chave.
102
O funcionamento do circuito será da seguinte forma:
Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo
zener e 2V no resistor de 1K. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave
fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.
Figura 7.26
Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa
no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1K será zero e o transistor funcionará
como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá.
Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão
voltar a aumentar o led apaga.
Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar
uma lâmpada ficará acesa.
Material necessário
103
Figura 7.27
Neste circuito, figura , foi utilizado um SRC, no qual, quando a tensão cair abaixo de
12V, o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do
capacitor que dispara o SCR. A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do
relé fechado, a lâmpada é acesa.
104
CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR
Introdução
O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores. Foi
desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por
John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. Estes foram laureados
com o prêmio Nobel da Física em 1956. O transistor começou a se popularizar na década de
1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960. As principais aplicações do
transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos.
Fluxo de elétrons
105
.
Na Figura 8.2, o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. Comparando as três
camadas do transistor, elas não possui tamanhos iguais, nem apresentam a mesma dopagem.
O emissor é o mais dopado dos três, o que significa que, na formação do materal do tipo N, a
quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do
coletor. Portanto, no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor.
A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três.
coletor coletor
base base
emissor emissor
106
Figura 8.5- Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente
Pela Figura 8.5, observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão
aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. Uma forma de
visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o
catodo está no emissor e o anodo na base. A tensão positiva externa atrae o elétrons do
emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae
as lacunas, com isto aumenta a camada de depleção. Entre o coletor e base acontece o mesmo
procedimento. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está
ligado na base atrae as lacunas, aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a
fonte Vcb. Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as
corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente.
107
Na Figura 8.6, a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor
para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. Neste caso, haverá uma grande circulação
de corrente circulando pela base do transistor.
Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três. A fonte de tensão externa aplicada
entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a
base polariza o transistor reversamente, como mostra a Figura 8.7. A tensão Vcb faz com que
aumente a camada de depleção entre a base e o coletor. A tensão Veb ao polarizar o transistor
diretamente, faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. Se a tensão Veb for maior do
que a barreira de potencial , os elétrons passam do emissor para a base. Ao chegar na base
ocorre o inesperado, a maior parte dos elétrons passam para o coletor , sendo atraído pelos
íons positivo. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Apenas uma pequena
parcela desce pela base. Pode-se dizer que, na maioria das vezes aproximadamente de 95% a
99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1%
desce pela base. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que
ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons. O emissor é o mais dopado
ele tem com função emitir elétrons.
108
Figura 8.8 Transistor NPN Figura 8.9 Transistor PNP
Transistor NPN
Ie = Ic +Ib
Vce = Vcb +Vbe
Transistor PNP
Ie = Ic + Ib
Vec = Vbc +Veb
109
Figura 8.10 Configuração Emissor comum
Nesta configuração na entrada temos ib, na saída Ic. Ie é comum ao sinal de entrada e de
saída.
Ganho de corrente
O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada.
O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib
Como esta configuração é a mais utilizada, os manuais dos fabricantes mostram este
ganho de corrente, pelo qual é simbolizado pela letra beta cc.
Logo: = Ic/Ib
Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor
comum, este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as
outras configurações.
Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada, entraremos com mais
detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída.
110
Figura 8.11 Curva característica do sinal de entrada
Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Para que os elétrons do
emissor passem para a base, deve-se vencer esta barreira. Com o transistor construído com
átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0,7V.
O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o
emissor e a base, o funcionamento é semelhante a de um diodo.
Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que
flui do emissor para base, ou seja, da corrente da base, o gráfico é construído para os vários
valores da corrente da base.
111
Observamos que, se a tensão entre o emissor e a base for zero, mesmo que a tensão
entre o coletor e o emissor seja um valor elevado, como não há corrente na base, também não
haverá corrente no coletor. O fato é que, a tensão entre o coletor e base, polariza o coletor e a
base reversamente, aumentando a camada de depleção. Quando uma tensão entre o emissor e a
base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente, a maior parte
dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. Quanto maior
for a corrente que passa para a base, maior será a corrente que também passa para o coletor.
Logo, a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce, mas também da corrente Ib.
Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie. Na saída está a tensão Vcb e a
corrente Ic.
Ganho de corrente
= Ic/Ie
Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração, pois será útil para
análise de circuitos para outras configurações.
Polarização da base
A Figura 8.15, mostra o circuito polarização da base
112
Figura 8.14 Circuito polarização da base
Malha de entrada
-Vbb + RbIb + Vbe = 0
Adotaremos Vbe sempre igual a 0,7V, qaunto a tensão Vbb for maior do que 0,7V, pois, entre
a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua.
Logo:
Vbb = RbIb + 0,7
Malha de saída
- Vce + RcIc + Vce = 0
Exercício Resolvido
Dado o circuito (Figura 8.15). determine Vce e Ic. Dado: Vbb = 6V, Rb = 220K, Rc = 3,3K,
Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.
Figura 8.15
Solução:
113
- Malha de entrada
6 = 220KIb + 0,7
Ib = 0,024mA
Reta de carga cc
Para saber os pontos de operação do transistor, faz-se necessário esboçar uma reta na
curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum, que intercepte
todos os possíveis pontos de operação do transistor. Esta reta é definida como reta de carga cc.
(Figura 8.16).
Região de corte
A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero
(idealmente) é consequentemente, Ic também é zero. Neste caso, o transistor funciona como
uma chave aberta.
114
Exemplo:
1) Dado o circuito (Figura 8.17), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 0,3V, Rb = 10K, Vcc =
10V, Rc = 2,2K e = 100.
Figura 8.17
Solução:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial, pois
entre a base e o emissor, o transistor funciona como um diodo. Logo Ib = 0
Como Ic = Ib e Ib = 0, Ic = 0, mesmo tendo um valor de tensão Vcc. Vce = Vcc = 10V
Neste caso, o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte.
Imagina-se o circuito da Figura 8.18.
Figura 8.18
Região de saturação
Um transistor está operando na região de saturação, quando a corrente Ib for um valor
tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada.
Exemplo
- Dado o circuito (Figura 8.19), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 12V, Rb = 3,3K, Vcc = 15V,
Rc = 2,2K e = 100.
115
Figura 8.19
Solução:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
12 = 3,3KIb +0,7 Ib = 3,42mA
Ic = 100. 3,42m = 342mA
Malha de saída
15 = 2,2K. 342m + Vce Vce = - 737,4V
Como um transistor não gera tensão. A única tensão que temos na malha de saída é de
15V para ser divida pelo resistor e transistor.
O que temos neste caso, é que a corrente da base é um valor bastante elevado, sendo
suficiente para saturar o transistor. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada
como mostra a Figura 8.20.
Figura 8.20
A corrente Ic será igual a Vcc/Rc, já que o transistor funciona como uma chave
fechada e desta forma a tensão Vce será zero. Observe que a corrente que circula no coletor é
o maior valor possível para este circuito.
Região ativa
A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação. Na região de
corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível. Na saturação a
tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito. Na região
ativa, existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o
máximo valor possível para o circuito.
116
Exemplo
1) Dado o circuito (Figura 8.21).determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 10V, Rb = 330K, Vcc =
15V, Rc = 2,2K e = 100.
Figura 8.21
Solução:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
10 = 330KIb + 0,7
Ib = 0.028mA
Ic = 2,8mA
Malha de saída
15 = 2.2K Ic + Vce Vce = 8,84V
Observe que, temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce, que não são zero
nem o máximo, logo, o transistor está operando na região ativa.
O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para
amplificar um sinal, ou seja, na construção de amplificadores.
117
Figura 8.22
Para determinar a reta de carga, deve-se calcular dois pontos. Iremos calcular na região
de corte e na região de saturação.
Na região de corte:
Ic = 0
Vce = Vcc
Na região de saturação
Vce= 0
Fechando a malha temos:
Vcc = Rc i c + Vce
Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc
Figura 8.23
Solução:
Na região de corte
118
Ic = 0
Vce = 15V
Na região de Saturação
Icsat = 15/3,3K = 4,54mA
Vce = 0
Figura 8.24
Polarização da base
O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.
119
transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte
de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então,
é desenhado como mostra a Figura 8.26.
Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor
para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir
um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor
para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é
alterado indo para a saturação.
Demonstração
Na primeira malha temos:
Vcc = Rb ib + Vbe
Na segunda malha:
Vcc = Rc ic + Vce
Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de
carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc.
Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic
também aumenta, uma vez que, ic = ib.
Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com
a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce
diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a
saturação.
Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até
conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos
analisar a evolução dos circuitos.
120
Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do
emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.
Malha I Temos:
Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exercício resolvido
Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce.
Figura 8.28
121
Solução:
Ic = Ib Ic = 1,34mA
R1.R 2
Rth = R1//R2 Rth
R1 R 2
122
R2
Vth Vcc
R1 R 2
Malha I Temos:
VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exercícios resolvidos
1.Dado o circuito (Figura 8.31), determine Vce e Ic. O ganho de corrente é igual a 100
123
Figura 8.31
Solução:
33K .3,3K
Rth = 3K
33K 3,3K
3,3K
Vth 12 1,09V
33K 3,3K
124
8.4 Transistor como Chave
A regra para projeto
Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação,
isto é, a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo
superior da reta de carga. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da
variação do ganho de corrente.
A saturação forte é a utilizada em circuitos, pois o transistor continua na saturação
mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura.
Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da
base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação.
Na saturação forte:
Ib = 0,1ic
Malha de entrada:
Vcc = Rb.ib+0,7
Malha de saída
Vcc = Rc. ic
Rb. Ib + 0 ,7 = Rc.ic
125
Desprezando 0,7V temos;
Rb. Ib = Rc. Ic
Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema.
- Os leds L-1 e L-2, da figura 9.5.1,necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa
luminosidade. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto l-2 uma queda de
2,5V. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura
8.34).
Observando a Figura 8.34, verificamos que na base existe uma tensão de 3V. Esta
tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3- 0,7. ou seja, a base amarra a tensão do
emissor.
Neste circuito, o transistor está funcionando como fonte de corrente, pois mesmo
alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma.
126
Os cálculos a seguir demonstram isto:
Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em
10mA, dimensionando o valor de Re.
Re = (3-0,7)/10mA Re = 230
Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. Logo, a
luminosidade do led2 não será diminuída.
Leitura Complementar
127
coletor
coletor
base
base
re`
emissor emissor
Onde:
Onde:
q .V
I Is
k .T (1)
e 1
I = corrente total do diodo
Is = corrente de saturação reversa
V = tensão total através da camada de depleção
q = carga de um elétron (1,6 10-19 Coulomb)
k = constante de Boltzmann (1,38 10-23 Joules/Kelvin)
T = temperatura absoluta (ºK)
A descrição da Eq.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção, por
isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível.
À temperatura de 25C, q/kT é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI,
SANDRINI, 2001: 98) e a Eq.1 torna-se:
I = Is(e40V – 1)
Para obter re`, do modelo de Erbers Moll, diferencia-se a Eq.1 com relação a V.
dI/dV = 40Ise40V
128
Tomando-se o inverso resulta o valor de re`
re´ = 25mV/ I
re´ = 25mV/Ie
Variáveis:
v1 = tensão de entrada
v2 = tensão de saída
i1 = corrente de entrada
i2 = corrente de saída
Convenção:
i1 i2
+ +
v1 Circuito v2
_ Elétrico _
Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de
funções lineares, fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes.
De acordo com essa escolha, tem-se modelo matemático de quadripolos. Para o
modelamento do transistor, a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2
como variáveis independentes (CUTLER,1997).
129
5.4.1 Modelamento matemático do quadripolo
v1 = f1 (i1,v2)
i2 = f2 (i1, v2)
Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como
variáveis dependentes, e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis
independentes, é denominado modelo híbrido, exatamente por misturar tensão e corrente como
variáveis dependentes e independentes (BADHERT, 1995).
Para relacionar essas tensões e correntes, o quadripolo deve ser formado por
quatro parâmetros h internos e constantes, denominados h11, h12, h21 e h22, definindo as duas
funções lineares f1 e f2 da seguinte forma :
v1= h11.i1 + h12.v2
i2 = h21.i1 + h22.v2
- h12 e h22
Para i1 = 0. As equações se reduzem a
v1 = h12.v2
e
i2 = h22.v2
Logo:
130
i1 hi i2
+ +
v1 hr v2 hf i1 h0 v2
_ _
Figura 37 – Modelo híbrido para o transistor
Exercícios
1. Dado o circuito da Figura 8.38, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
Dado: R1= 10K, R2 = 3,9K, R3 = 2,2K , R4 = 820 , Vcc = 12V e beta = 100.
Figura 8.38
2. Dado o circuito da Figura 8.39, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
131
Dado: Rc = 3,7K; Rb = 330K; Re = 820; Vcc = +12V; Vee = -5V e ganho de corrente de
120
Figura 8.39
3. Considere o circuito da Figura 8.40. O beta na região ativa é de 100. Determine a reta de
carga cc , indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.
Figura 9.40
132
figura 8.41
Sabendo-se, no Transistor Tr1, Beta = 40 e Vbe = 0,6V, qual a corrente, em Amperes, exibida
pelo Amperímetro A1, para temperatura de 50°C no RTD?
6. A Figura 8.55, mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0,7V
e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente. Determine:
a) O ganho de corrente (cc).
b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110K, R2 = 40K e Re = 340,. Determine
os valores aproximadamente de Rc em , e Ib, em A.
133
Figura 8.44
T1 de 0s a 1s
T2 de 1s a 3s
T3 de 4s a 6s
É correto afirmar que os estados do transistor, nos intervalos T1, T2 e T3, respectivamente,
são:
Figura 8.45
134
Figura 8.46
Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0,7V, Quais os valores
dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms?
9. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8.47. Algum led irá aceder? Explique o que
acontecerá.
Dado: Vcc = 12V. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1,7V.
Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada
led.
Figura 8.47
135
Figura 8.48
11. O circuito da figura 8.49, mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de
tensão nominal de 8,2V e um transistor com = 100 e Vbe = 0,7V. Determine, os valores de
tensão de saída Vo, em volts, e da corrente Iz no Zener, em mA.
Figura 8.49
12. Dado o circuito(Figura 8.50), determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o
circuito está representando.
Figura 8.50
13- Dado o circuito (Figura 8.51), calcule o valor do resistor da base, para que a corrente que
circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado.
OBS. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave reed switch. Existem
chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. No circuito foi utilizada uma
136
chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao
aproximar do imã a chave fecha.
Figura 8.51
14- Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. No circuito foi utilizado um
LDR, no qual com a incidência de luz a resistência é de 400 e na ausência de luz a
resistência é de 1M. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja
energizado. A resistência do relé é de 100. (Figura 8.52).
Figura 8.52
15. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA. Ele deve ser acionado por um
circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída, conforme o esquema abaixo. Usando
a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington, especifique
os resistores Rb eRc. (Figura 8.53).
137
Figura 8.53
Experiência no Laboratório
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor irá operar como chave.
Material necessário:
Procedimento:
138
Figura 8.54
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor irá operar como fonte de
corrente.
Material necessário:
Procedimento:
139
Figura 8.55
Neste circuito, você vai montar um alarme para porta, no qual a porta deve estar
fechada e ao abri-la, deve acionar um buzzer.
Material necessário:
140
Figura 8.56
Figura 8.57
Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao
bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa.
Material necessário
141
-1 bateria de 12V;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 lâmpada de 12V;
- 1 resistores de 68K, 1/4W;
- 2 resistores 1K; 1/4W;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 100F, 16V;
- 1 capacitor 0,01F, 16V;
- 1 fototransistor (qualquer um serve);
- 1 CI 555;
- 1 relé 12V.
Circuito
Figura 8.58
Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no
fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave
fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1K. No pino 2 do CI 555, tem-se uma
alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V.
Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e
entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai
uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é
acionado e a lâmpada de 12V é acesa.
O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão:
142
CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS
Introdução
Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes
eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos
osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados.
Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.
Junção pn
B2
B2
E E
Bastão de
alumínio
B1
Silício tipo n
B1
(a) (b)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.
9.1.1 Funcionamento
Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o
diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula
pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase R BB. O
valor de RBB fica normalmente entre 4 kΩ e 9 kΩ.
Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por:
RB1
VRB1 VBB VBB .
RB1 RB 2
143
B2
RB2
VBB
IE
E RBB = RB1 + RB2
(IE = 0)
VE
RB1
ηVBB
B1
(a) (b)
Figura 9.2 TUJ: (a) equivalente elétrico, (b) circuito de teste.
O valor η (“eta”) é a razão intrínseca do TUJ, isto é, a razão entre RB1 e RBB. O valor
de η pode variar, tipicamente, entre 0,55 e 0,85. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais
a tensão de polarização do diodo do emissor, ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e
passa a circular uma corrente maior pelo TUJ.
Na Figura 9.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ. Nesse circuito, o capacitor
vai se carregando através do resistor R1. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico
para a condução, isto é, quando VE > VD + VRB1, ocorre uma injeção de lacunas na região N
correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente. Isso faz com que o capacitor se
descarregue rapidamente através do resistor Rb1. A frequência desse oscilador é
aproximadamente dada por:
1
f .
1
R1C1 ln
1
A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC,
estando fora do escopo deste livro.
Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. Esses pulsos podem ser usados para
ativar um outro dispositivo, o SCR (silicon controlled rectifier), que será estudado mais
adiante. Antes, porém, estudaremos um componente mais “simples”, o diodo de quatro
camadas Schockley.
144
9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS
O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família, o
diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky, diodo com
duas camadas, usado em aplicações que exigem altas freqüências, como, por exemplo, em
computadores). A Figura 9.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos
estudar) e do diodo Schottly.
145
Analisado a Figura 9.3-(c), observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na
base do transistor NPN. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP.
Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. Se a corrente da base do
transistor NPN aumentar, a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará,
consequentemente, a corrente na base do transistor PNP também aumentará. A corrente na
base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em
saturação, funcionado como uma chave fechada.
Por outro lado, se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir, a
corrente do coletor também diminuíra. Como conseqüência, a corrente da base do transistor
PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP.
O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. Teremos uma
chave aberta.
O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção,
conhecida como tensão de breakover (UBO). A tensão de breakover significa aplicar uma
tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP, de forma a
saturar os dois transistores. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo, ou aplicar uma
corrente na base do transistor NPN. Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma
chave fechada.
O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. Significa
reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de
manutenção (UH). A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9.5.
146
9.3 Diodo controlado de silício (SCR)
O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone
Laboratory (EUA) em 1957. É um dos mais usados e difundidos tiristores. Tiristor é um nome
genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas
(PNPN). Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência.
Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado
um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por
injeção de corrente. A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9.6 e seu
funcionamento é explicado a seguir.
Figura 9.6 (a) Camadas e junções do SCR, (b) símbolo do componente, (c) exemplo de
encapsulamento (TO220).
Figura 9.7 SCR polarizado diretamente, mas com corrente de porta nula.
147
Quando o circuito mostrado na Figura 9.7 é montado em laboratório, verifica-se que o
SCR funciona como uma chave aberta. Este estado é alterado após um disparo de corrente no
gate. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. Por esta razão, é
necessário pelo menos uma tensão de 0,7V para disparar o SCR. Além disso, será necessário
uma corrente mínima, que irá depender do SCR utilizado, ou seja, a corrente de disparo será
especificada pelo fabricante.
Após disparar, o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. A
tensão de anodo cai para um valor baixo (0,5V a 1,5V ). O SCR só volta a cortar quando a
tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção, U H
(IH) cujo valor depende do tipo de SCR. Por exemplo, o TIC106 tem IH 0,5mA enquanto o
TIC116 tem IH 15mA.
Como vimos anteriormente, um diodo de quatro camadas pode ser representado por
dois transistores ligados com realimentação de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro
eletrodo, a porta, poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro
camadas. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da
ordem de A no caso do TIC 106.
Em CC deve ser previsto circuito de reset após o SCR disparar. No circuito da Figura
9.8, a chave A é usada para disparar e a chave B para resetar o SCR.
Bloqueio por capacitor. Para o circuito mostrado na Figura 9.9, a analise de funcionamento
leve em conta os seguintes passos:
a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas;
b) fechando a chave Ch1;
c) fechando a chave Ch2;
148
Figura 9.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.
9.4 Diac
(a) (b) .
149
Figura 9.11. Curva característica do diac.
O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em
qualquer sentido. Uma vez que o diac está conduzindo, a única forma de abri-lo é através de
um desligamento por baixa corrente. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de
manutenção especificada pelo componente.
9.5 Triac
Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC, com corrente nos dois
sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo, como mostra a
Figura 9.12, ou usar um TRIAC, também mostrado na Figura 9.12. O TRIAC, desta forma,
pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR’s ligados em antiparalelo.
Figura 9.12. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs, (b) símbolo do TRIAC.
O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um
terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão. Como
o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo
(terminal +) e catodo (terminal - ), ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal
principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2).
150
9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC
A seguir, apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC.
CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA
O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em
relação à chave mecânica. Permite, por exemplo, controlar grandes potências a partir de
potências relativamente pequenas, TRIAC não apresenta “trepidação” (o que acontece com
um relé) ao conduzir, não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé),
permitindo um grande número de operações. A grande desvantagem é a dissipação de calor,
sendo necessário o uso de um dissipador. Outra desvantagem é a possibilidade de
aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez, principalmente
no caso de circuitos resistivos. A Figura 9.13 ilustra essa aplicação.
151
Figura 9.14. Chave síncrona com TRIAC.
152
A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio
freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede. O
indutor Lf e o capacitor Cf, mostrados na Figura 9.16, funcionam como um filtro que reduzem
essas interferências a níveis aceitáveis.
A Figura 9.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado
angulo de disparo.
153
Exercícios
Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Considere a tensão de interrupção do
diodo de 12V e a queda tensão de 1,2V; R = 1,2 kΩ.
a) Para Vf = 8V
b) Para Vf = 20V
Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento
do diodo por baixa corrente. Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda
de tensão de 0,6V no ponto de desligamento. R= 2,2KΩ.
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BIBLIOGRAFIA CONSULTADA
MALVINO, Albert Paul; LEACH, Donald P. Eletrônica - v.1 . São Paulo (SP): Makron
Books, 1987. v.1. ISBN 85-346-0455-X.
SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica . São Paulo (SP): Pearson Education
do Brasil, 2000. ISBN 85.346.1044-4.
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