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INSTRUÇÕES:
Esta Avaliação contém 10 (dez) questões, totalizando 10 (dez) pontos;
Baixe o arquivo disponível com a Atividade de Pesquisa;
Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação:
o Nome / Data de entrega.
As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta;
Ao terminar grave o arquivo com o nome Atividade Prática;
Envio o arquivo pelo sistema no local indicado;
Em caso de dúvidas consulte o seu Tutor.
Tabela 1
3. Analise o circuito a seguir e complete as tabelas de acordo com o que for pedido em
cada componente:
a) Calcule o valor da corrente quiescente no coletor (I CQ) e a tensão quiescente (VCEQ) entre coletor e
emissor e anote suas respostas na tabela 2.
b) Calcule a anote na tabela 2, a compliance CA (variação de pico a pico do sinal) na saída e a corrente
de dreno (IF) do estágio. Veja no final desta experiência, comentários sobre a corrente de dreno.
c) Calcule a potência máxima dissipada pelo transistor, a potência máxima na carga sem ceifamento, a
potência CC de entrada do estágio e a eficiência do estágio. Anote suas respostas teóricas na coluna
correspondente da tabela 3.
d) Monte, no EWB, o circuito. Reduza o sinal do gerador a zero. Use o multímetro para medir I CQ e
VCEQ, e anote esses valores na tabela 2.
e) Use o osciloscópio para observar a tensão na carga. Ajuste o gerador de sinal até que o ceifamento
inicie em ambos os semiciclos. Deve-se observar que a forma de onda fica quadrada na parte superior
e alongada na parte inferior. A causa desta distorção não linear é a grande variação de r e quando o
coletor se aproxima do corte e da saturação.
f) Reduza o sinal do gerador até que não haja mais ceifamentos, de forma que o sinal na saída tenha a
aparência de uma senóide perfeita. Meça e anote na tabela 2, a tensão CA de pico a pico. Este valor
medido é uma aproximação da compliance do sinal CA de saída (pico a pico).
h) Calcule e anote os valores experimentais listados na tabela 3, usando os dados medidos e anotados
na tabela 3.
TABELA 2
VALORES CALCULADO EXPERIMENTAL
ICQ 1mA 1,1mA
VCEQ 9,87 V 9,9V
PP (compliance) 19,74 V 19,8V
IF 2,1mA 2,1mA
TABELA 4
VALORES CALCULADOS VALORES MEDIDOS
IB1 75A 75A
IB2 0A 0A
IC1 2,10A 23,10A
IC2 400A -400,6A
IE1 98A 97,66A
IE2 876A -876,3A
VE1 15V 14,39V
VE2 15V 14,39V
VB1 74,5mV -74,62mV
VB2 0V 0V
VC1 230mV 229,4mV
VC2 4V 3,933V
5. Calcule os valores de tensão pedidos na Tabela 5, onde os valores medidos serão obtidos a
partir da construção do circuito abaixo no programa EWB. Calcule também os valores de
resistência de entrada, resistência de saída e o ganho de tensão para o circuito abaixo e compare
com o valor experimental. Considere o sinal do gerador 1Vpp a uma freqüência de 10kHz.
Tabela 5
6. Explique como se comportará um diodo ao ser alimentado de forma direta e reversa. Qual
costuma ser a queda de tensão de um diodo ao ser alimentado de forma direta?
Polarização direta: Neste tipo de polarização, o ânodo da fonte de tensão é conectado ao lado P do
diodo. Isso torna o lado positivo; torna-se mais positivo, enquanto o lado N é mais negativo. A carga
pode passar pela barreira que existe entre o lado P e o lado N do diodo, então há condução de corrente;
Polarização reversa, quando atua como um isolador elétrico e atua como uma chave aberta em um
circuito, é inserido no loop do diodo. A corrente será próxima de 0 A, ou seja, qualquer carga ou
dispositivo em série com o diodo retificador deixará de funcionar. A queda de tensão do diodo é de
cerca de 0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício)
TABELA 6
9. Calcule os resistores e capacitores para o oscilador ponte de Wien abaixo para as freqüências
de 2kHz e 10kHz. Em seguida meça os valores obtidos através da montagem do circuito no EWB.
Esse valores devem ser apresentados nas Tabelas 6 e 7.
f R1 R2 R3 R4 C1 C2
10. Monte, no EWB, o circuito abaixo e complete a Tabela 9 para cada transistor solicitado. Por fim,
Analise os valores calculados e medidos na Tabela 9 e apresente suas conclusões.
OBS: para efeito de cálculo da corrente IC, considere a queda de tensão nos extremos do led = 1,6V.
TABELA 9
CALCULADO MEDIDO
TRANSISTOR IB IC VCE IB IC VCE
BC337 1,41mA -14,10mA 165mV 1,428mA -14,11mA 165,3mV
BC547 1,40mA -1,70mA 12,5V 1,435mA -1,748mA 12,58V
BC548 1,40mA -1,70mA 12,5V 1,435mA -1,748mA 12,58V