UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO

ESCOLA DE ENGENHARIA DE SÃO CARLOS

DEPARTAMENTO DE ELETRICIDADE

ROTEIROS DE EXPERIÊNCIAS DE
CIRCUITOS ELETRÔNICOS

AMÍLCAR CARELI CÉSAR

DIÓGENES PEREIRA GONZAGA
JOSÉ CARLOS SARTORI

SÃO CARLOS
1987
C IU i f- ^. .... . •. .^ ^ /:d:-o^...'^r'-^

TODOS OS DIREITOS RESERVADOS - Nos termos

da Lei que resguarda os Direitos Autorais,

ë proibida a reprodução total ou parcial

deste trabalho, de qualquer forma ou por

qualquer meio - eletrõnico ou mecânico,!^

clusive através de processos xerograficos,

de fotocópia e de gravação - sem permis-

são, por escrito, do(s] autorfes].

 APRESENTAÇÃO

Esta publicação apresenta os roteiros de nove ex-

periëncias básicas de circuitos e1etrõni cos. O objetivo comum a

todas elas è a apresentação das características principais dos

componentes eletrõnicos mais comuns. Circuitos elementares com

os componentes são também ensaiados,,

Sugerimos que os alunos compareçam as práticas com

o conhecimento prévio das tarefas sugeridas nos roteiros correr

pendentes. Os relatórios técnicos devem ser redigidos segundo

as recomendações,

Os roteiros aqui reunidos são, em sua maior par-

te, baseados naqueles propostos em anos anteriores pêlos profes

sores Baker Jo Mass e José Carlos Pereira, ambos do Departamen-

to de Eletricidade da EESC-USP» Explicações e recomendaçóes adi

cionais- podem ser encontradas nas referencias bibliográficas ci

tadas no final de cada roteiroo

Os roteiros foram previamente revistos pelo Pro-

fessor Ruy Barboza, deste Departamento, a quem agradecemos a co

laboração e as sugestões,,

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 i -

ÍNDICE

EXPERIÊNCIA ? 1 : Amplificadores Operacionais ..... 1

2 : Diodo Semicondutor .............. 11

3 : Curvas Características de um

Transistor Bipolar .............. 23

4 : Transistor: Polarização, Retas

de Carga DC e AC ................ 35

5 : Transistor: Regiões de Operação:

Normal, Corte e Saturação........ 51

6 : Resposta em Frequência de Amp1í-

ficadores ....................... 59

7 : Amplificadores: Configurações

Em issor-Comum, Co 1etor-Comum

(Seguidor) e Base-Comum ......... ~J \

8 : Transistor de Efeito de Campo

(FET) ........................... 77

9 : Válvula Eletrônica-Triodo ....... 89

REDACÃO DOS RELATÓRIOS TÉCNICOS ................... 101

I.EXPERIENCIA ? 1: AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

1. OBJETIVO

Avaliação das características de um amplificador

ideal através de um amplificador operacional,

Características a serem verificadas:

Ganho de tensão

Resistência de entrada

Resistência de saída

2. INTRODUÇÃO

O amplificador operacional è um amplificador d i f e

rencial de alto ganho, acoplado diretamente (amplificador DC),

que utiliza rea1 imentaçao negativa para controlar suas caracte

rísticas de trabalho. Este dispositivo è muito utilizado por

ter parâmetros próximos aos ideais» O amplificador operacional

è capaz de amplificar, controlar, ou gerar formas de ondas se-

noidais ou não senoidais em uma ampla faixa de frequências. To

das as funções computacionais clássicas, tais como adição, sub

tração, multiplicação, divisão, integração e diferenciação são

possíveis de ser realizadas,, Portanto, apresenta inúmeras a-

plicaçoes em sistemas de controle, sistemas de regulação, pro-

cessamento de sinais, instrumentação e computação analógica,

3. EXPERIÊNCIA

3o1. IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3»1 <. 1. Consultar o manual do fabricante e localizar:

(a) A identificação dos terminais

(b) A aplicação típica sugerida

(c) Valores típicos recomendados para operaçio

segu ra
 2 -

(d) Valores máximos permitidos

(e) As curvas típicas fornecidas e quais são

suas finalidades. Citar as principais.

3«2. Verificação da Saturação

3«2.1 o Utilizando o circuito da Fig«1, aplicar na en-

trada uma tensão DC igual a IV (V,=1V) e medir a tensão de sai

da (V^).

RI

Vi

-VÍ-12V)

FIGURA 1 - Circuito para verificação da saturação na entrada

í nverso ra,

3.2,2. Utilizando o circuito da Fig,2, aplicar em V,

uma tensão DC igual a 1V e medir a tensão de saída (V_).

 3 -

l
-v

FIGURA 2 - Circuito para verificação da saturação na entrada

não i nve rsora «

3.2.3. Explicar os resultados obtidos nos itens 3.2.1

e 3.2.2

3.3. VERIFICAÇÃO DO GANHO E DEFASAGEM

3o3.1. Ganho de Tensão

Utilizando o circuito da Fig.3 com R.,=4?k e

R^ = 4?0k, aplicar no ponto A uma tensão DC de 12 Volts.

- Ajustar P, para que se obtenha V =500mV

Medir a tensão de saída V

o
- Verificar o ganho de tensão, fazendo A =V /V
 4 -

-o-A^A/
47 K

v<

rt? ,77 ,77

_v

FIGURA 3 ~ Circuito para verificação do ganho e defasagem.

3.3.1.2. Variar P, ate que a saída atinja a satu-

ração.-Qual o valor de V,?

3.3»1»3o Aplicar, no ponto A do circuito da Fig.

3, um sinal senoidal de lOOHz»

- Ajustar P, para que se obtenha V,=0,5V

Medir a tensão de saída V

o

- Verificar o ganho de tensão, A = V /V

3.3.2 - Defasagem

3»3»2,1. Para a mesma situação do item 3.3»1.3o,

verificar a defasagem entre o sinal de entrada (V,) e saída

<"0>-

3.3»3« Utilizando o circuito da Fig.3, com R,=471< e

R^=4?k, repetir os Ítens 3o3.1 e 3 o 3 . 2 .

3,4. VERIFICAÇÃO DA RESISTÊNCIA DE ENTRADA

3.2t •1. Aplicar, no ponto A do circuito da Fig o 4, um si

 5 -

na 1 seno i da 1 de 1KHz

Ajustar P, para que se obtenha V,=0,5V

Medir a tensão de salda V

o

Verificar o qanho de tensão A = V /V

'v " o' ' 1

- Medir a tensão entre a entrada não inversora (pi

no 3) e o ponto de terra,

- Medir a tensão entrada inversora e o ponto de

te rra.

47K

,77 ,77 rt7

FIGURA 4 - Circuito para verificação da resistência de entrada

e saída.

3»2i .2. Curto-circui ta r o resistor de 1KÏ2 (coloca-

do entre a entrada não i ri versara e terra) e repetir o ftem

3.^1.

3. íi •3» Através da comparação dos resultados obti-

dos nos Ítens 3.^»1 e 3o •4 . 2, qual a observação feita com re1a

cão ã resistência de entrada do amplificador?

 6 -

3.5" VERIFICAÇÃO DA RESISTÊNCIA DE SAÍDA

3.5"^. Utilizando o circuito da Fig,4, com R=4,7k ohm,

aplicar no ponto A um sinal senoidal de 1KHz

Ajustar P, para que se obtenha V,=0,5 V

Medir a tensão de saída.V

o

Verificar o aanho de tensão.A = V /V,.

v " o' ' 1

3.5.2„ Comparar os resultados obtidos nos itens 3^,}-,

e 3.5 •> 1' Qual a observação com relação ã resistência de saída

do amplificador?

3.6. ClRCU1TO DE APLICAÇÃO

O circuito apresentado na Fig, 5 è uma das aplica

coes do amplificador operacional - o circuito somador,

+12V

4,7 K

4,7 K

2,7K

,77 ,77
(a) (b)

FIGURA 5 - a) Circuito Somador e b) Divisor Resistivo.

3.6.1» Utilizar no circuito da Fig. 5(a), R^=R^=R^=47K

As tensões V, e V^ podem ser obtidas através do

 7 -

divisor resistivo mostrado na Fig. 5(b)

Verificar a tensão de saída

- Qual a relação entre a saída, V , e as entradas,

V1 e V2?

3.6»2 - Utilizando o circuito da Fig. 5(a), com R, =

R = R^ = 47k ohm, aplicar em V, um sinal senoidal de 1 KHz e

2V_, e em V^ um sinal com forma de onda Quadrada de 100Hz e

PP ~ "" '2

ítV__.
pp
Verificar a tensão de saída, Anotar a forma de

onda .

í». PERGUNTAS

I»,1, Determinar a expressão do ganho de tensão do amplifica

do r ope racional,

í» ,2. Considerando o circuito da Figo 5(a):

a) Calcular a tensão de saTda, quando R,=50K, R^=20K ,

R^=1OOK, V^=2V e V^=1V.

b) Calcular a tensão de saída, quando R,=R^=50K,

R^=100K e V^=V^=5V.

c) Esboçar a forma de onda da saída quando R,=R =R =

=100k e V, e V^ são entradas senoidais de 1kHz,

2V__ e ,»,....,
pp - 10kHz, • 1V__
-pp •respectivamente.
—^— . —„-,,—.

5. BIBLIOGRAFIA

5«1 - MILLMAN, Halkias; lntegrated E1ectroni es-Ana log a n d

Digital Circuits a nd Systems - McGraw-Hil] Kogakus

ha, Ltd „

5»2 - BOYLESTAD, Nashalsky; Dispositivos Eletrõnicos e Teo-

ria de Circuitos. Prentice/Ha11 do Brasil.

 8 -

5-3 ~ TOBEY, Graeme; 0_p erational Am pi i fie rs Dês i gn aji^d Ap

plications» McGraw-Hi11 Kogakusha, Ltd .

5.4 - STOUT, Kaufman; Handbook of Operational Amplifier

C i rcu i t Dês i gn - McGraw-HiU Book Campany.

6. EQUIPAMENTO E MATERIAL NECESSÁRIOS

1. Osciloscópio

2. Geradores de áudio

2. Fonte DC

1. Placa para as montagens (AMPLIFICADOR OPERACIONAL)

1. Fe r ro de Solda
 9 -

FOLHA - RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA ? 1 - AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Na(s) fo1ha(s)- respostas, devem constar as respos

tas as questões propostas no roteiro, na ordem especificada a

segui r :

3.1 - IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1.l(a), 3.1.1(b), 3«1,l(c), 3.1.1(d), 3.1.l(e)

3,2 - VERIFICAÇÃO DA SATURAÇÃO

3,2,1, 3.2,2, 3-2,3

3.3 - VERIFICAÇÃO DO GANHO E DEFASAGEM

3.3,1.1, 3 » 3.1.2, 3.3,1,3, 3.3,2,1, 3.3.3

3.4 - VERIFICAÇÃO DA RESISTÊNCIA DE ENTRADA

3»4,1, 3. A. 2, 3^.3

3.5 - VERIFICAÇÃO DA RESISTÊNCIA DE SArDA

3.5.1, 3.5.2

3»6 - CIRCUITO DE APLICAÇÃO

3.6.1, 3.6.2

4, PERGUNTAS

4.1 , ^2(a) , ^2(b) , 4.2(c)

 1 T -

EXPERIÊNCIA N? 2: DIODO SEMICONDUTOR

1. OBJETIVO

Estudo da característica estática, traçados das

retas de carga AC e DC e análise gráfica.

2. INTRODUÇÃO

O diodo semicondutor, constituído por uma junção

PN, pode ser considerado como sendo o elemento não linear mais

simples dentro da vasta família dos dispositivos semiconduto-

rés, que inclui transistores, tiristores e circuitos integra-

aos.. Dentre as aplicações em circuitos eletrõnicos. destacam-

se o uso em reti f icadores (fontes de alimentação, principal -

mente), demodu1adorés, moduladores, grampeadore s, limitado-

rés, etc« São elementos de dois terminais, cuja principal ca

racteristica e a de oferecer resistência quase nula a passa-

gem da corrente elètrica em um sentido, enquanto que no outro

e praticamente um circuito aberto.

3, EXPERIÊNCIA

3.1. IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1.1. Consultar o manual do fabricante e localizar

3.1.1.1., A aplicação típica sugerida,

3 f 1.1.2, os valores típicos recomendados para

operação segura e

3«1.1.3° os valores máximos permitidos,

3-1 .2 „ Q.uais as curvas típicas fornecidas e quais são

suas finalidades? Citar as principais.

3»1.3- Citar um outro modelo que poderia ser emprega-

do como substituto, se necessário.

3.1•í( « Utilizar um ohmímetro para identificar os ter-

minais (lados P e N).

 12 -

3.2. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA TENSÃO - CORRENTE

O termo "estático" refere-se ao comportamento de

natureza resistiva que leva ao estabelecimento de modelos 1i-

nearizados resistivos. Valem, portanto, ate certos limites de

frequências onde não aparecem efeitos reativos. Os modelos

que incluem tais efeitos reativos são chamados de dinâmicos ,

Os modelos incrementais, diferenciais ou de pequenos sinais

são modelos lineares onde se relacionam pequenas variações em

torno dos valores de polarização. A característica estática

tensao-cor rente pode ser obtida através de qualquer um dos

métodos descritos a seguir,

3.2, Método Ponto-a-Ponto:

Utilizar o circuito da Fig.1 para construir a ta-

bela l c. Construir em papel mUimetrado o gráfico GR.l corres-

pendente.

270
-^vvs^-

^N4'148

FIGURA 1 - Circuito para obtenção da característica estática

tensão-corrente de diodos semicondutores pelo mé-

todo ponto-a-ponto,
 1 3 -

3 o 2.2 o Método da Varredura

Utilizar o circuito da Figura 2 para visualizar a

característica estática de um dïodo semicondutor. Observar os

modos de acoplamento dos sinais ao osciloscópio (DC ou AC). O

oscUador representa o "gerador de Varredura" e o osciloscó -

pio o "traçador de curvas" (modo XY) ,

TABELA l

CARACTERÍSTICA ESTÁTICA TENSÃO-CORRENTE DE DIODO

TENSÃO (V) CORRENTE (mA) TENSÃO (V) CORRENTE (mA)

0,45 0,66
0,ít7 0,67
0,^9 0,68
0,50 0,69
0,52 0,70
0,5^ 0,71
0,56 0,72
0,58 0,73
0,60 0,7Í4

0,61 0,75
0,62 0,76
0,63 0,77
0,64

0,65

3«2,2o1 o Se x(t) ê a tensão sobre o diodo, o que

representa o sinal y(t) ?

 14 -

GERADOR DE ÁUDIO OSCILOSCÓPIO

FIGURA 2 - Circuito para obtenção da característica estática

tensão-co rrente de diodo semicondutor pelo método

da va r redu ra o

3o2o3. No gráfico GR.l traçar duas assTntotas na re-

giáo direta da característica estática,, Indicar no próprio g rã

fico o valor da tensão correspondente ao ponto de cruzamento.

Quais são as duas regiões que ta1 valor separa?

3 . 2 o •4 o A equação (l) relaciona, aproximadamente, a cor

rente com a tensão em um diodo semicondutor:

Ip = l g (exp (Vp/nV^)- 1) 1)

onde

corrente através do diodo, A

VD = tensão sobre a junção, V

's = corrente de saturação reversa, A

VT = KT/q
-23
K = constante de Boltzmann, 1,38 x 10 jou1e/k
 15 -

T = temperatura absoluta, K

n = constante empírica, valor entre 1 e 2

-19
q = carga do eletron, 1,69 x 10 coulomb

3^2^4.,1. Determine a expressão de 1^ para as situa

coes :

(a) O < V« nV

(b) V » nV e

(c) V « -nV^. .

3«2o1» .2. Com os valores constantes na Tabela l tra

çar a característica estática em papel mono-1og, com a tensão

V^ na escala linear-

(a) Determinar graficamente a inclinação da seção

reta o

(b) Determinar anal i t icamente a inclinação da se-

cão reta

Sugestão: considerar que V » n V-p na equação

(1).
(c) Estimar graficamente o valor da corrente l c •

3o3o RETA DE CARGA DC

A partir das medidas obtidas através do circuito

da Fig, 3 realizar as seguintes operações:

 16 -

FONTE DC AJUSTAVEL

\7lN4148

rh

FIGURA 3 ~ Circuito para obtenção da reta de carga DC.

(a) Ajustar a fonte DC para que se obtenha V=3,5V

Medir V^ e 1^ (ponto Q.),

;Q ua

(b) Curto-circuitar o diodo (V^=0) e medir a nova

corrente l = Ip ,

(c) Abrir o diodo (1^=0) e medir a nova tensão

VD = VD •

(d) Em um gráfico (1 inear-1 inear) que contenha a

curva característica do diodo marcar os pon-

tos correspondentes a (V,!,, 1^=0) e (V^=0,l^).

Unir os dois pontos através de um segmento de

reta» A intersecção e o ponto de operação Q.

(quiescente)„ Verificar se os valores medi-

dos coincidem com os determinados graficamen-

te (ponto Q),
(e) Determinar a inclinação da reta de carga obti

da no item (d). Seu valor é nume r icamente i-

gua1 a que parâmetro do circuito? Q.ual seria

a inclinação da reta de carga na região de po^

 7 -

larizaçao reversa?

(f) Repetir os Ttens (a) a (d) para V^=2,5 V e V^=1,5V,

(g) Determinar graficamente o ponto Q para uma tensão

V = 1 ,0 V e

(h) supor que o fabricante de um determinado diodo não

forneça a curva característica estática e sim dois

valores de tensão correspondentes a dois valores de

corrente na região direta. Exemplo: V = 0,6V (0,6V

1

para 1mA) e V^ = 0,7V (0,7V para 10 m A). Seria

10
possível realizar qualquer analise gráfica nestas

condi coe s?

3.14- DETERMINAÇÃO GRÁFICA DA RESPOSTA A UMA EXCITAÇÃO

Considerar o circuito da Fig. b e realizar:

GERADOR DE SINAIS

AO OSCILOSSCÓPO

R|_ = 270

,77

FIGURA 4 - Circuito utilizado para a determinação gráfica da rés

posta a uma excitação senoidal,

 1

(a) Aplicar ao ponto (A) um sinal senoidal de 1KHz

e 0,75V de valor de pico (medir com a melhor

precisão possível). Verificar e esboçar a for

ma de onda sobre o resistor R,,

(b) Em um gráfico que contenha a curva caracterTs-

tica do diodo,determi na r graficamente a forma

de onda da corrente que flui pelo circuito,

(c) No mesmo gráfico determinar a forma de onda da

tensão sobre o resistor de 270 fi e

(d) Ainda no mesmo gráfi co,es boca.r a forma de onda

da tensão sobre o resistor de 270 ü obtida no

Ttem (a) „

3.5- ANALISE DE PEdUENOS SINAIS

Considerar o circuito da Figura 5 e realizar:

®
C2=47pF,16V
AO OSCILOSCCflO

GERADOR DE SINAIS FONTE DC

FIGURA 5 - Circuito para análise de pequenos sinais

 19 -

(a) com a chave S, aberta.a justar a fonte Vp^ para

que V = 2,5 V. Ajustar a fonte Vç para que

se obtenha no ponto (B) um sinal de 1KHz e ten

são de pico Vp, = 1 , OV,

(b) Medir 1^ e V^ (ponto Q).

(c) Com o osciloscópio na posição "Acoplamento DC"

verificar e esboçar as formas de onda nos pon-

tos (B) e (C).

(d) Com o auxít io do conceito de reta de carga DC

obter graficamente as formas de onda de ten-

são e corrente sobre R,.

(e) Esboçar no mesmo gráfico a forma de onda de

tensão sobre R, (ponto (c)) obtida no Ítem(c),

(f) A excursão máxima do sinal alternado em tomo

do ponto Q. determina dois pontos limites de

variação na curva característica do diodo- Pa

ra que se possa efetuar uma análise de peque-

nos sinais os dois pontos limites devem carac

terizar os extremos de um segmento de reta.Ve

rificar se o sinal estipulado no Ttem (a) pré

enche ta1 requisito» Em caso afirmativo deter

minar graficamente o valor do inverso da in-

dinação deste segmento de reta. Este valor

e nume r icamente igual ã resistência dinâmica

do diodo no ponto Q, dada por

AVD
r ,, = :2)
d ~ Ai
D ponto Q.

Em caso negativo.determina r a máxima excursão

do sinal.

(g) Ajustar a fonte Vp,^ para que se obtenha V^ =

1,OV. Manter inalterada a fonte V^. ,

 2Ü -

(h) Repetir os Ítens (b) a (e).

(i) Explicar, baseado em análise gráfica, a dife-

rença observada entre as formas de onda obti-

das para V^=2,5V e V,=1,OV,

3.6 - RETA DE CARGA AC

(a) Com a chave S, fechada no circuito da Fig.5,ajus

tar a fonte M^r- para que se obtenha Vp=2,5V e a-

justar também a fonte Vp para que a tensão a1ter

nada no ponto (B) seja 1KHz e amplitude Vn=1,OV,

(b) Medir lp^ e V (ponto 0)o

(c) com o osciloscópio na posição "acoplamento DC" .

verificar e esboçar as formas de ondas nos pon-

tos (B) , (C) e (D) „

(d) Em um gráfico que contenha a característica está

tica do diodo traçar a reta de carga DC,

(e) Considerar os capacitares C, e C^ como sendo cur

tos efetivos para a frequência de 1 KHz, Determi

nar a resistência efetiva vista pelo diodo. Tra-

çar uma reta passando pelo ponto Q com inclina -

cão cujo valor seja n ume r i carne n t e igual ao i n v ej"

só negativo da resistência efetiva» Esta e a re-

ta de carga AC.

(f) A partir da reta de carga AC traçada.determi na r

graficamente as formas de onda de corrente e ten

são correspondentes ao ponto (D),

(g) No mesmo gráfi co.esboça r a forma de onda de ten-

são no ponto (D) obtida experimentalmente no í-

tem (c) „

4. BIBLIOGRAFIA:

4.1o D.L. SCHILLING, C.BELOVE, Circuitos E1etronicos Dis

cretos e Integrados, R.J,, Guanabara, Dois, 1979

 21 -

4..2 - J. MILLMAN, C^C.HALKIAS, ELETRÕNICA, Vo1 s. 1 e 2. SP,

McGraw-Hi 1 1 do Brasi 1, 1981,

4.3 - H.A.LOUREIRO, L.E»P. FERNANDES, Laboratório de Dispo

sitivos EletrÔnicos, RJ, Guanabara Doïs, 1982.

5. EQUIPAMENTO E MATERIAL

1 osciloscópio duplo traço

1 gerador de sinais de audio

1 fonte DC ajustãvel

2 multimetros eletronicos

1 f er ro de solda

1 conjunto ponte de terminais

1 diodo: 1Nͻ148 ou equivalente

1 choque pa ra 1 KHz

Rés i stores :

1 de 270, 1 de 1K, 1 de 2 , 2KÍ2 , 1/4 WATT

Capacitares:

1 de 22yF, 16V e 1 de l<7vF, 16V,

1 potenciõmetro linear de 100Kn
 22 -

FOLHA-RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA N? 2: DIODO SEMICONDUTOR

Na(s) fo1ha(s)-respostas devem constar as respostas

as questões propostas no roteiro, na ordem especificada a se

gu t r o

3.1 - IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1.1.1, 3.1,1.2, 3.1-1-3, 3.1 o 2, 3.1,3 e 3.1^.

3.2 - CARACTERÍSTICA ESTÁTICA TENSÃO-CORRENTE

3.2.2.1, 3-2.3, 3.2^,1, 3 . 2 , 4,2, (a ) , (b) e (c)

3.3 - RETA DE CARGA DC

(a) V l (b) Ip, (c)Vp, (e), (f), (g), (h).

3.-4 - ANALISE DE PEQUENOS SINAIS

(a) l , Vp^, (f), (h), (I)

3.6 - RETA DE CARGA AC

(b) 1^, V^, (e)

 23 -

EXPERIÊNCIA ? 3 - CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UM TRANSISTOR

BI POLAR

l. OBJET ÍVO

Estudo das características estáticas-

2. INTRODUÇÃO

Os transistores bipolares são dispositivos basi-

cos importantes em eletronica e estão presentes em praticamen

te todos os sistemas, apresentando-se na forma discreta ou in

tegrada. Os transistores diferem entre si quanto a estrutura

física e ã aplicação. Podem ser do tipo bipolar, no qual a con

duçao ocorre devido a dois tipos de portadores, ou do tipo u-

nipolar ou de efeito de campo-. As aplicações determinam a das

se do dispositivo, tais como de pequenos sinais, de potência,

de baixa frequência, de microondas, etc^ A Fig. 1 mostra a es

trutura interna simplificada e a simbologia dos dois tipos de

transistores bipolares,.

^ p+

T
^
^ N+ ^
(b)
(a )

FIGURA 1 - Transistor b i po 1 ar. (a) estrutura interna e (b) Sim

bo 1 og ia .
 24 -

3» EXPERIÊNCIA

3.1. IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1.1. Consultar o manual do fabricante e localizar:

3-1.1^1, A aplicação típica sugerida,

3.1-1-2» os valores típicos recomendados para

operação segura,

3~ 1-1-,3" os valores máximos permitidos.

3.1.2. Quais as curvas típicas fornecidas e quais são

as finalidades? Citar as principais,

3.1<3. Citar um outro modelo que poderia ser emprega-

do como substituto, se necessariOc,

3.1»zt - Com o auxilio do manual, identificar os termi-

na i s do componente (tipo NPN),

3"1o5o Utilizar um ohmTmetro para estabelecer regras

de diferenciação entre terminais,

3.1o6. Fazer as mesmas medidas do item anterior para

um transistor do tipo PNP e relatar as diferen

ca s o

3.1o7« o método do ohmTmetro è apropriado para a iden

tificaçao (NPN/PNP) e/ou diferenciação (emis -

sor/base/co1 e to r) ?

3.2. CURVAS CARACTERÍSTICAS EM CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

Um conjunto de curvas características pode carac

terizar o comportamento estático do transistor. Cada caracte-

rística é composta por uma família de curvas paramétricas. As

correntes e tensões em um transistor estão indicadas na Fig.2

 25 -

/BC

EB E

FIGURA 2 - Correntes e tensões em um transistor,

São duas as famílias de curvas características

nesta configuração:

3.2.1, Característica de Entrada

Ë representada por

'B - f(VBE^ l V,, = cie 1)

(a) Montar o circuito da Figura 3'

-?
LB

€> BC-237 r-
1n
i^cc
v.CE(.V

VBE^
L_J.__1

FIGURA 3 - Circuito para medida da característica de entrada.

 26 -

(b) Obter a corrente de base, !„, desejada e me-

dir Vg^, monitorando V para que permaneça constante a cada

medida. Construir a Tabela l para dois valores distintos de

V^:0,0 e 5,0 V,

TABELA l

CORRENTE DE BASE X TENSÃO BASE-EMISSOR PARA V». CONSTANTE

'B VBE<V)
'B VBE""
(VA) V^=0,OV V^=5,OV (PA) V^=0,OV V(.E=5'OV

1 27
2 30
3 35
k 40
5 ^
6 50
7 55
8 60
9 65
10 70
12 80
15 90
17 100
20 120
22 150
25

(c) Construir em um gráfico as duas curvas cor-

respondentes as medidas da Tabela lo

(d) Imaginar que no circuito da Fi g o 3 a base es-

teja sendo excitada por uma fonte de corrente DC constante de

valor 30pAo Se, por algum motivo, V variar de 0,0 a 5,OV

qual será a variação correspondente de V,,,-?

 27 -

3,2-2. Ganho de Corrente DC

Será Construído um gráfico da função representada

por

C = f(IB)lv^ = cie

(a) Utilizando o mesmo circuito mostrado na Fig

3. construir a Tabela lio

TABELA l l

CORRENTE DE COLETOR X CORRENTE DE BASE PARA V CONSTANTE

VCE = 5'° v VCE = 5'° v

'B 'c
'B 'c

(VA) (mA) (PA) (mA)

1 30
2 35
3 40
4 í»5

5 50
6 55
7 60
8 65
9 70
10 75
12 80
15 85
17 90
20 100
22 1 20
25 150
27
 28 -

(b) Construir dois gráficos correspondentes â Ta

bela II: um em escalas 1;near-1inear e o ou-

tro em escalas 1og-1og.

(c) O valor do ganho de corrente DC, h = g, é

constante ao longo de toda a faixa de ly. me-

dida?

(d) Determinar a inclinação da curva no gráfico

construído em escala 1og-1og e a inclinação

para valores de 1^ ate 40yA no gráfico cons-

truïdo em escala 1 inear-1 inear, Comparar o

valor obtido com aquele fornecido pelo fabri

cante em um gráfico semelhante,

(e) Determinar com o auxilio do gráfico o valor

do ganho de corrente para Vp;-=5>OV e l^=2mA,

Comparar com o valor fornecido pelo fabrican

te .

(f) Determinar com o auxílio do gráfico o valor

do ganho de corrente para V^ = 5,OV e 1^. =

= 20 mA„ Comparar com o valor fornecido pelo

fab r i cante «

3.2.3 - CARACTERÍSTICA DE SAÍDA

É representada por

'C = f(VCE)l|,=cte (3)

(a) Montar p circuito da Figura i»

 29 -

ic

T<A>
-B

BC237[
^Lvcc
VCE

FIGURA 4 - Circuito para medida da característica de saída,

(b) Variar V,.,- e obter o valor da corrente de co

tetor» Construir a Tabela III para três valores distintos de

l g: 5,0, 10,0 e 15,OyA,

(c) Construir um gráfico com as três curvas cor-

respondentes aos dados da Tabela III.

(d) Utilizando o circuito da Figura 4 construir

a Tabela IV para quatro valores distintos de \^:20,Q, 30,0,

50,0 e lOOyA,
(e) Construir o gráfico com as quatro curvas cor

respondentes aos dados da Tabela IV.

(f) No mesmo gráfico, construir a curva de mãxi-

ma potência dissipada»
 30 -

TABELA l l i

CORRENTE DE COLETOR X TENSÃO COLETOR-EM lSSOR PARA !„ CONSTANTE

VCE l^(mA)

(v) l B = 5uA lg=10vA Ig = 15yA

0,10

0,15
0,20

0,25

0,30

0,35
0,40

0,45
O-, 5 O

0,60

0,70
0,80

0,90
1 ,00
 TABELA

CORRENTE DE COLETOR X TENSÃO COLETOR-EM lSSOR PARA !„ CONSTANTE

1^ (mA)
VCE
l = 20yA Ig = 30pA Ig = 50pA l„ = 1OOyA
(v)

0,15
0,20

0,25

0,30

0,35
0,40

0,50
0,60
0,70 -

0,80

0,90
1 ,00

1 ,20

1 ,50
2,00

2,50

3,00

3,50
4,00
*5,00

6,00
**7,00

***8,00

9,00
10,00

* Valor limite de V^^ para !„ = 100pA

** Valor limite de V^,- para !„ = 50yA

*** Valor limite de V^^ para lo = 30yA

 32 -

3.3» PERMUTA ENTRE COLETOR E EMISSOR

No circuito da Fig« k, para 20pA, medir a corren

te 1^ para dois valores distintos de V^c: ~1»° e-5,OV. Compa-

rar com os valores correspondentes de \^ para V^ >0 obtidos

na TABELA i V o Explicar a diferença entre os valores de 1^-

3.2(. UTILIZAÇÃO DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DC: MODELO DO

TRANSISTOR POR PARÂMETROS HÍBRIDOS, H,

Através das curvas características DC è possTvel esti

mar os valores dos parâmetros híbridos de um transistor na con

figuraçao emissor comum (é a que foi medida). Realizar:

(a) Representar um quadripolo qualquer por parâmetros h,

(b) definir os quatro parâmetros h do quadripoto,

(c) considerar o quadripolo como sendo um transistor na confi

guraçao emissor comum,

(d) definir os quatro parâmetros h correspondentes,

(e) considerar um ponto de operação. Q., definido por V^ =5,OV

-a

!„ = 20vA« Com o auxílio das curvas l^=f(V^^)

B BE VCE=cte

'C=f (VCE) estimar os valores

,=cte

(e, 1 ) A V
BE
A .

ponto Q.

(e.2) A i

AV
CE ponto Q

(f) A que parâmetro h correspondem os valores estimados?

(g) Comparar com os valores correspondentes fornecidos pelo

fabricante para f = IKHz.

 33 -

4. B lBLlOGRAFIA

ít.1. D.L^SCHILLING, C» BELOVE, Circuitos Eletronicos Dis-

cretos e integrados, R.J^ Guanabara Dois, 1979.

k.l. J. MILLMAN, C,C.HALKIAS, Eletronica, vo1 s. 1 e 2,SP,

McGraw-HiU do Brasil, 1981.

4.3. H.A.LOUREIRO, L.E.P.FERNANDES, Laboratório de Dispo-

sitivos Eletronicos, RJ, Guanabara Dois, 1982,

5. EQUIPAMENTO E MATERIAL

2 fontes DC
2 multimetros eletrõnicos

1 placa montada

1 ferro de solda

1 t rans i stor NPN

1 t rans i stor PNP

Resistores: 1Kíl, 180K, 470, 100, 1/2 Watt

1 potenciometro mu1tivo1tas 470K^.

1 potenc i õmet ro mu1tivo1tas 10kíï,

 34 -

FOLHA-RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA N? 3: CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UM TRANSISTOR

BIPOLAR

Na(s) fo1 ha(s)- respostas devem constar as res-

postas as questões propostas no roteiro, na ordem específica

da a segu i r „

3»1. IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1 «l .1 , 3o 1 » 1 o 2 , 3 . 1 o 1 . 3, 3.1.2, 3.1.3, 3.1.4, 3.1.5,

3»1.6 e 3.1,7,

3.2, CURVAS CARACTERÍSTICAS EM CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

3.2»1.(d), 3o2»2,(c), 3.2^2,(d), 3-2.2,(e) e 3.2,2.(f)

3.3. PERMUTA ENTRE COLETOR E EMISSOR

Explicar a diferença entre os valores de 1^.

3.4, UTILIZAÇÃO DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DC

(a), (b), (c), (d), (e), (f) e (g)

 35 -

EXPERIÊNCIA ? 4: TRANSISTOR: POLARIZAÇÃO, RETAS DE CARGA

AC e DC

1 ,. OBJETIVO

Estudo da polarização de transistores em função

de variações em seus parâmetros elètricos

2. INTRODUÇÃO

A seguir são estudadas a polarização simples, a

automática e as retas de carga AC e DC,

2,1. POLARIZAÇÃO SIMPLES

Seja PNP ou NPN, em aplicações usuais o transis-

tor apresenta sua junção coletor-base polarizada reversamen

te e sua junção base-emissor polarizada diretamente. A fig,

1 mostra um circuito de polarização simples e a Fig»2 as

curvas características de salda e reta de carga DC referen-

te ao circuito da Fiq,,1, Conhecido V , valem as relações,

ce '

'E = 'C + 'B n)

vcc = Rc " 'c + VCE

que è a equação da reta de carga

VCC = RB ' 'B + VBE (3

e, portanto,

vrr- - vt
RB = 'ccl_ 'BE (1<:
 38

2.2. POLARIZAÇÃO AUTOMÁTICA

As Figuras 3 e ^ são formas equivalentes do cir -

cuito de polarização automática. Como Ip = O pode-se então a^

plicar o teorema de Thévenin aos terminais B e T, resultando

VBB =R^ » VGC (8)

R, o R

"e-^^Í (9)

Do circuito da Fig. 3 tem-se que

VCC = RCOIC + RE°'E + VCE 00)

utilizando a eq. 1 em (10) resulta

VCC = (RC+RE)IC + VCE (n)

mas ,

VBB = RBOIB + VBE + RE (IC + 'B) (12)

Utilizando a eq. 4 na eq. 12 resulta

Ro + (fS+DR,
VBB = "B ' 7""E 'C + VBE (13)

se for considerado que

(B+1)R » R (14;

então a eq« 13 simplifica-se para

"BB--^ • RE • 'C + "BE <15

 39 -

mas, como g»1 finalmente tem-se que

R, C + VBE (16

o que mostra que o circuito assim considerado fica indepen

dente de g e, portanto, de sua variação. Obtem-se, então ,

com o sistema de equações (11) e (16) um ponto de operação

do t rans i stor Q.(V p rat!camente f i xo

CE'

?VCC>0

VCE

FIGURA 3 - Circuito de polarização automática no configura

cão em i ssor-comum,
 AO -

VCC>0

FIGURA 4 - Circuito de polarização automática equivalente ao

da Figura 3 onde foi aplicado o teorema de Théve-

n i n entre os pontos B e T,,

2,3» RETAS DE CARGA DC e AC

No item 2.1, a reta de carga considerada tem in-

clinação -1/R^. No caso, R^. representa a carga DC e AC. A

Figura 5 mostra o circuito de polarização simples com excita

cão senoidal de pequena amplitude, A Figura 6 mostra a carac

terïstica de transferencia do transistor bipolar. Na Figura

5, o capacitar C bloqueia a passagem da componente DC,de po

larização, para a fonte de sinal senoidat. Com relação ao

circuito representado na Fig, 3 ou 4, a carga AC e DC ê (R,-+

+R^) e a inclinação da reta de carga ê -1/(Rp+R ), como é vi_s

to na equação 11, Acrescen tando-se um capacitar CE, de capa-

citancia elevada, em paralelo com Rp, ter-se-ã como carga AC

apenas R^ (por quê?), enquanto que a carga DC fica sendo (R,-+

+R^), como mostrado nas Figs. 7 e 8o

 H

Vc>o
o

RB^B R4 ic+IC

S)VCE

í
ib-^E
ib(t)(^)CB ' VBE-

FIGURA 5 - Circuito de polarização simples com excitação se

noidal de pequena amplitude.

ICQ+ictt)

ic

ic(t)

Q / '\ ,
ZCQ
7_ "^7"
z IB(
•B

IB t

\
.gjB
BQ

•b(t)

/
/
\
t

FIGURA 6 - Característica de transferënci a do transistor bipo

lar.
 í+2 -

ic IB4

IB3

ZB2

ÏBI

FIGURA 7 - Retas de carga do crcuito com polarização auto

ma t i ca .

ib(t) ^

FIGURA 8 - Circuito com polarização automática excitado com

sinal senoidal de baixa amplitude.

 ^3

3. PARTE EXPERIMENTAL

3c1 - POLARIZAÇÃO SIMPLES

O circuito de polarização simples mostrado na F

gura 9 foi calculado para operar em regime DC com

V^ = 10V e l, = 5mA ,
-Q l'Q

+15V

560k-n-< ik-n-

BC 237

FIGURA 9 - Circuito de polarização simples para teste.

3,1o1. Medir 1^ , 1^ e V, Ha coincidência entre

os valores med dos e projetados? Explicar as

eventuais dife-enças entre os valores.

3o1.2. Substituir o t-ansistor por outros dois da

mesma família 'i medir l „ , e V^ . Medi r,

'2 OL2

ainda, 1^. , t n e V^^ , Explicar as eventuais

'C3' rB3 ~ -CE3

diferenças ent-e os valores.

3«1"3. Com o cuidado (j e não tocar no transistor, a-

proximar um so'dador ligado e, nestas condi-

 - 44 -

coes, medir 1^ e V para o mesmo transistor do

4 ' ''4

item 3-1^1" Expticdr as eventuais diferenças en-

t re os valores.

3-1.^.Substituir o transi stor BC-237 por outro do tipo

PD-1001 e medir l„ , 1^ e V^^ , Explicar as e-

1C5* -B5 ~ 'CE5

ventuais diferenças entre os valores.

3.2. POLARIZAÇÃO AUTOMÁTICA

O circuito da Fig- 10 foi colocado para operar em

regime DC com V ^ e l respectivamente 10v e 5mA,

-Q LQ

;- r. v

47kJl ; 330-n-

BC 237

18k.a G80IL

FIGURA 10 - Circuito de Polarização Automática para Teste,

3.2.1. com o mesmo transistor utilizado no ftem 3.1.1.,

repetir as medidas sugeridas nos Itens 3.1.1. a

3»1.2+. Fazer uma -,:abe1a comparativa de valores

para os casos de polarização simples e automãti

ca ,.
 - 45 -

3 ,. 2 . 2 - A partir das medidas obtidas nos itens 3.1.1. a

3-1-4. e 3-2,1, e;;timar o ganho estático de cor

rente É5(h,_,-)o Fazer uma tabela comparativa de

valores para os casos de polarização simples e

au toma t i ca -

3.2.3. Medir as tensões V^, V,, e V^ ^

3-2.3-1- duais seriam tais valores se a junção

cdetor-base estivesse aberta?

3-ï - 3 - 2 . Qual a justificativa para o fato de se

ter V^ ?

3.3- RETAS DE CARGA DC e AC

3-3.1. com os valores obtidos nos itens 3.1.1. e 3.2.1

(neste Ítem, utilizar somente as primeiras medi

das), desenhar as retas de carga DC sobre as

curvas 1^ x V^,- obtidas na Experiência n° 3

3.3-2-. considerar o circuito da Fig11. Aplicar em sua

entrada um sinal senoidal de 1KHz, ajustando a

amplitude para que- a saída v(t) não se defor-

me. Desenhar a re i; a de carga AC sobre as curvas

l x V do Item ^i-3.1 - Estimar o ganho de ten

c —

são alternada med ndo as tensões de entrada e

sá i da -

560RJ1

SAÍDA

ENTRADA
lOyF

FIGURA 11 - Circuito de polarização simples a ser excitado com

sinal AC de baixa amplitude.,

 46 -

3.3.3. Considerar o circuito da Fiqura 12.

3.3.3.1. Com o capacitar C,- desligado, aplicar

um sinc1 senoida! de frequência 1KHz

a entrdda do circuito, ajustando sua

amplitude de modo a não deformar o si

nal de saída- Medir v, (t) e u _ (t) e

ce
v (t). Estimar o oanho de tensão a1-

te rnada.

3.3.3"2. Com o capacitar C ligado, repetir as

medidas sugeridas no item 3.3.3.1. Vê

rificar que as senóides v_(t) e v^(t)

estão defasadas de 180 . Exp1 icar o

mot i vo .

3.3.3.3- Traçar a reta de carga AC no gráfico

correspondente do Ttem 3.3-1.

3.3.3.^. Explicar a função do capacitar C^ no

circuito da Fig. 12.

3»3.3.5» Se no circuito da Fig. 12 o resistor

Rp fosse substituído pela associação

serie de dois outros resistores R

1
e Rp. , e o capacitar C,- 1 igado confor
-2 [- -

me mostra a Fig. 13, quais seriam as

a1te rações?
 ^7 -

47k.a

SAÍDA

ENTRADA -

FIGURA 12 - Circuito de polarizcção automática a ser excitado

com sinal A de baixa amplitude,

R •CE

FIGURA 13 ~ Alteração da resistência R,- e do posicionamento

do capacitar C,-.
 kQ -

b. B lBLlOGRAFl A

4,1. SCHILLING,D. e BELOVE,C., Circuitos Eletronicos Discre

tos e Integrados, R., J., Guanabara Dois, 1979.

4.2. MILLMAN,J. e HALKIAS,C.C,, Eletrônica, vo1. 1 e 2, SP,

McGraw-Hi11 do Brás i 1, 1981.

4.3. BOYLESTAD,R. e NASHELSKY, L,, Dispositivos Eletrônicos

e Teoria de Circuitos, R.J., Prentice Ha11 do Bra-

si 1, 1982.

5. EQUIPAMENTO E MATERIAL

1 fonte de tensão DC

1 Mu 1 t íme t ro digital

1 gerador de sinais de ãudio

1 osciloscópio

1 placa mon tada

1 ferro de solda
 2^9 -

FOLHA-RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA ? 4 : TRANSISTOR: 'OLARIZAÇÃO, RETAS DE CARGA DC

e AC

Na(s) fo1ha(s)-respostcis devem constar as respostas

as questões no roteiro, na ordem especificada a seguir

3.1. POLAR!ZACRO SIMPLES

3.1 - 1, 3.1.2, 3-13 e 3.1.4.

3.2. POLARIZAÇÃO AUTOMÁTICA

3.2.1., 3-2.2 e 3.2.3.

3.3. RETAS DE CARGA DC e AC

3.3.1, 3.3.2 e 3.3.3.

 51 -

EXPERIÊNCIA ? 5: TRANSISTOR - REGIÕES DE OPERAÇÃO

NORMAL, CORTE E SATURAÇÃO

1. OBJETIVO

Verificação do transistor operando nas regiões de

saturação, corte e ativa ou normal.

2. INTRODUÇÃO

Quando polarizado nas regiões de corte e satura -

cão o transistor pode ser encarado como uma chave.

No corte, ambas as junções (BE e BC) estão inver-

samente polarizadas. As correntes através do transistor são

muito pequenas e seu comportamento e praticamente o de uma

chave aberta.

Na saturação, ambas as junções estão diretamente

polarizadas. Como as tensões das junções são opostas, elas

quase se anulam de modo que a tensão V;- e pequena Assim o

transistor e praticamente uma chave fechada entre coletor e e

m 1ssor.

Os circuitos que usam o transistor como chave são

denominados "Circuitos Chaveados". Conforme a Figura 1-é pos-

síve1 separá-los em circuito de controle e em circuito chavea

do propriamente dito.

i CIRCUITO DE CARGA CARGA

l CONTROLE

|vcc
CONTROLEI[-\-y\

CIRCUITO
CHAVEADO j

FIGURA 1 - Circuito chaveado.

 52 -

A chave a transistor, em comparação com as chaves

mecânicas, apresenta as vantagens de comutação mais rápida,pe

quenas dimensões e controle eletronico-. Entretanto possui re-

sistência maior quando em condução (ON) e resistência muito

menor na condição de aberta (OFF), além de não suportar altas

correntes e ter problemas de ruptura das junçoes-

3. EXPERIÊNCIA

3.1. TRANSISTOR OPERANDO NA SATURAÇÃO

3.1.1. Utilizando o circuito da Fig. 2, ajustar R^ pa

ra que a corrente de base seja igual a 3 Ou A.

o+10 V

270 K

BC 237

FIGURA 2 - Circuito de polarização para verificação da satura

cão .

3.1.2. Medir V^, V^ e l,

"i.1.3. Construir a reta de carga sobre as curvas

1^ x V^p já obtidas na Experiência ? 3 e in

dicar o ponto de operação para os valores me

didos no item 3.1.2.

3.1.4. Variar a corrente de base através de R^ em

torno do valor previamente ajustado e verifi

 53 -

car as varia ç c. es na tensão Vp e na corren-

te l,.

3.1.5. No circuito da Fig. 2, substituir o resistor

de coletor (10k) por outro de 1K e proceder

da mesma forma que nos Itens 3-1.1, 3.1.2,

3.1.3. e 3.1.4.

3.2. TRANSISTOR OPERANDO NO CORTE

3.2 1. Utilizar o circuito da Figura 3(a).

O potenciõmetro Ro poderá ficar na mesma posição

que a utilizada no item 31.1-

-o-MOV
270 K
10K

RB L—^100K

BC237 BC 237

IV

(a)

FIGURA 3 ~ Circuitos de polariz.sçao para verificação do corte.

3.2.2. Medir Vg,, Ig, l, e V^ .

3.2.3. Utilizar os valores medidos no Item anterior e

a reta de carga obtida no item 3-. 1-3. para ve-

rificar o ponto de operação do transistor.

3.2.4. Polarizar inversamente a junção base-emissor

do transistor conforme a Fig.' 3(b) e medir

VBE' 'B' VCE e C-

 5^ -

3.2.5. Comparar os resultados obtidos nos Itens 3.2.2

e 3.2.4.

3.3. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIÃO NORMAL

3.3.1. Utilizar o circuito da Fig- 4.

Ajustar o potenciometro R para que a corrente

de base seja igual a 30 v A

Ajustar R,, para obter V^. = 5,0 V.

o+IOV

SAÍDA
ENTRADA
Ç

FIGURA 4 - Circuito de polarização para operação normal.

3.3.2. Medi r Vg^ e 1^ Traçar a reta de carga

do circuito sobre as curvas do transistor

(1^ X V,.,-), Transportar os valores medidos só

bre a reta de carga e verificar o ponto de ope

ração do transistor.

3.3.3• Aplicar um sinal senoidal de 1KHz e amplitude

igual a 30 mV__ na entrada do amplificador e

pp
verificar o sinal de saída. Calcular o ganho

de tensão A = V saída/ V ent.

v

3.3.^. Mantendo o sinal na entrada, variar o potência

metro R^ para se obter V^;- = O,8V e verificar

VCE
o sinal de saída.
 55 -

Explicar o que ocorre, esboçando graficamente

os sinais de ent-ada e saída, com auxilio da

reta de carga.

3.3.5. Variar o potenc i5metro R^. para se obter V =

9,0 V e proceder como no item 3.3.^. para es-

te ponto de operação.

3.4. ClRCUITO DE APLlCACÃO

3 . ^ . 1 . O circuito apressntado na Fig. 5 é um circuito

típico empregado em sinalização-. Os componen -

tes C,, D,, Q^, i^, e C^ formam um circuito de-

tetor do tipo dobrador de tensão. Os diodos D

e D^ operam como reti f icadores e a constante

de tempo R, e C^ e ta1 que o sinal presente em

B acompanha a envoitoria do sinal aplicado a

entrada do circuito. Por isso, este circuito e

chamado de detetor de envoltoria.

Os transistores T, e T^ são utilizados como chá

vês para acionar o LED.i nd icando a presença ou

não de sinal na entrada,

o-MOV

ENTRADA DA

FIGURA 5 - Circuito de sinalização.

 56 -

3.4.2. Aplicar na entrada do circuito um sinal senoi-

da1 de IQKHz e G \1 _ _ (medir com circuito desco-

pp
n e c ta do ) -

a) Medir as tensses nos pontos A, B, C e D.

b) Medir a tensa:) sobre os terminais do LED e

a corrente de coletor de T^. Indicar se nes

ta situação o LED esta apagado ou aceso.

3.^.3' Retirar o sinal já entrada e repetir os itens

3.4.2 (a) e 3.2<-2 (b) .

3•it .4. Explicar o funcisnamento do circuito.

3 .^ . 5. Se no circuito da Fig» 5, as polaridades dos

diodos D, e D^ fossem invertidas, qual seria o

funcionamento do circuito?

3.4.6. Q.ua1 deveria ser o circuito a ser utilizado pa

ra que o efeito ia sinalização fosse invertido?

Isto e:

Circuito t\tua1 Circuito Proposto

LED aceso LED apagado

LED apagado LED aceso

4. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

4.1. D.L. SCHILLING, C. BELO\/E, Circuitos Eietrõnicos Dis-

cretos e Integrados - Ed. Guanabara Dois.

í».2. J. MILLMAN, C.C. HALKIA3, Eletrõnica, vo1 s. 1 e 2. Ed.

McRraw-H i 11 do Brás i 1 .

4.3. BOYLESTAD, NASHELSKY - Dispositivos Eletrônicos e Teo

ria de Circuitos - Ed. Prentice-Ha11 do Brasil.

4.^. H.A. LOUREIRO, L,E.P. FERNANDES - Laboratórios de Dis

po s i t i vos E 1 et r o n i^qs Ed.. Guanabara Dois.

 57 -

5. EQUIPAMENTO E MATERIAL NECESSÁRIOS

1 . Osc i 1oscop i o

1. Gerador de audio

2- Fontes DC

2. Multlmetros digitais

1. Ferro de solda

1. Placa para as montagens

 - 58 -

FOLHA - RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA ? 5 - TRANSISTOR - REGIÕES DE OPERAÇÃO:

NORMAL, CORTE e SATURAÇÃO

Na(s) fo1ha(s) respostas devem constar as respos

tas as questões propostas no roteiro, na ordem especificada a

seguir:

3.1. TRANSISTOR OPERANDO NA SATJRAÇÃO

3.1.2, 3.1.3, 3.1 ^, 3.1 -5.

3.2. TRANSISTOR OPERANDO NO CORTE

3.2.2. , 3.2.3. , 3.2.í». , 3.2.5,

3.3. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIÃO NORMAL

3.3.2, 3.3.3. , 3.3.^., 3.3.5.

3.4. CIRCUITO DE APLICAÇÃO

3.4»2.(a), 3.^.2.(b), 3.4.3-, 3.^ it., 3.4.5., 3•ít .6 .

 59

EXPERIÊNCIA ? 6: RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DE AMPLIFICADORES*

1. OBJETIVO

Construção da curva ganho x frequência, estimati-

va das frequências de corte pelo teste de onda quadrada e i-

dentificaçao dos parâmetros determinantes das frequências de

corte.

2. INTRODUÇÃO

Ha vários critérios que podem ser utilizados para

classificar um amplificador. Um deles, a resposta em frequën-

cia, subdivide os amplificadores em varias classes, a saber:

a) De corrente contínua

b) audio (20 a 20 KHz)

c) vídeo ou pulso (até alguns N Hz)
d) ráctio-ífreqü"ências (até centenas de MHz)

e) u1tra-a1tas-frequencias (milhares de MHz).

Em inúmeras aplicações ha necessidade de se a m p1 i

ficar um determinado sinal com jm mínimo de distorção. Em um

amplificador ideal (consideramos aqui aqueles que operam so-

bre uma porção linear de sua característica) a forma de onda

do sinal de salda e uma replica exata do sinal de entrada. En

tretanto, as características dos dispositivos ativos e os e1e

mentos do circuito associado desviam a característica do am-

plificador real em comparação com a do idealizado. As distor-

coes que podem ocorrer são do tipo distorção nao-linear, d i s -

torção de frequência e distorção de fase.

* Grande parte deste roteiro mantém a forma inicialmente pro-

posta pelo Prof. José Carlos Pereira.

 60 -

3. RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DE AMPLIFICADORES

A Fig. 1 mostra a curva de resposta em frequência

típica de um amplificador.

MODULO
DO
GANHO REGUO DE REGIAfi. DE
BMXfS FREQUÊNCIAS MEDIAS
FREOUËNCIAS REGIÃO DE
dB Potencn Corrente Tensâc
» ALTAS
o Ap Al Av FREQUÊNCIAS
-3 A£- Ai Av rl

2 \/1F \/Tr '!

FREQUÊNCIA
fi fs

FIGURA 1 - Curva ganho x frequência de um amplificador típico

As frequências de corte inferior, f;, e superior,

f_, delimitam três regiões distintas, a saber

a) Região de Baixas frequências: na qual o ganho decresce a

uma determinada taxa conforme a frequência se aproxima de

ze ro .

b) Região de Médias Frequências: na qual o ganho é praticamen

te con s tante.

c) Região de Altas Frequências: na qual o ganho decresce a u-

ma determinada taxa conforme a frequência aumenta.

Os limites que definem a região de frequências me

dias são especificados conforme a aplicação. .Geralmente, en -

tretanto, os limites são as frequências f. e f, nas quais o

ganho situa-se 3dB abaixo do valor correspondente ao da re-

gião de frequências médias. A 1ji_rgura de faixa (B) é a d i f e -

rença (f s - f i) .
 6

4. PARÂMETROS DETERMINANTES DAS FREQUÊNCIAS DE CORTE

Para se determinar a influencia dos componentes ex

temos ou dos elementos parasitários internos do elemento ati-

vo, o amplificador pode ser representado por circuitos equiva-

lentes, de acordo com a região considerada em questão na sua

curva de resposta em frequência.

Os amplificadores aqui considerados para ensaio são

do tipo emissor comum com acoplamento RC. Tais amplificadores

empregam capacitares de acoplamento entre estágios e capacitar

de passagem no emissor.

Os modelos empregados, com maior ou menor grau de

complexidade, são utilizados pai-a analisar o efeito destes e1e

mentos na resposta em frequënci.3, e para estabelecer critérios

de projetos simplificados, que ïliminem a s i mu 1taniedade de e-

feitos.

5. TESTE DE ONDA QUADRADA

A inspeçao da curva ganho x frequência e suficien-

te para a determinação das freqiJëncias de corte- Como a função

ganho ë complexa, também è possível estabelecer a curvade rés

posta em fase, função da frequência. Uma maneira alternativa

de determinar a fidelidade de um amplificador e verificar ares

posta a uma certa forma de onda particular na entrada. O de-

grau de tensão e uma forma de o i da conveniente pois permite e-

videnciar as pequenas distorçõe:;. Através do teste de onda qua

drada è possível estimar as frequências de corte f; e f .

A inspeçao da curva mostrada na Fig. 1 indica que

o amplificador comporta-se em baixas frequências como um fi1-

tro passa-altas (FPA)RC, e e n a!tas frequências como um filtro

passa-baixas (FPB)RC. As Fig. 2 e 3 mostram os dois filtros, o

modulo da função ganho e a resposta em frequência (módulo do

qanho x frequência)-
 62 -

IAi(jf)l
Cl
|Aj (jf) = [l-Kfi/f)2 ]-' ^ f i freq..
+c —11—® —< >+
ve Ri; Vo 9j =tg-1 (fi/f) '\ INCLINAÇÃO:

—c >— fi= V 2 rf R| (^ SdB/OTTAVA ou

20 dB/ DÉCADA

FIGURA 2 - Filtro passa-altas RC utilizado para simular o com

portamento do amplificador em baixas-freqüencias.

-%
R2 FREQ.
+o-^\^A^ -o + |As (jf)|=[l+(f/fs)2]

9s= - tg-1(f/fs)
C2-
|VQ
_,_ M
fs^ 1/2T1/R2 Cg INCLINAÇÃO :
-0- -o— -SdB/OITAVA ou
-ZOdB/OECADA

FIGURA 3 ~ Filtro passa-baixas RC utilizado para simular o com

portamento do amplificador em altas-frequëncias.

5.1. DECLIVE (D)

Se um degrau de tensão de amplitude V e aplicado

ao FPA da Figura 2, então a saída será dada por

V^ = V exp (-t/R,-C,)
o
(1)
 63 -

a função exp(x) pode ser escrita em uma série da forma

.2 ,3
exp(x) = 1+x+ ^— + —r + X < co (2)

a expressão (1) pode ser aproximada para

V^ = V . (1-1/R,C,) (3)

para t « R, C

A Fig, 4 mostra o gráfico correspondente ã expres

são (3) .

A porcentagem de dec1 ive em relação ao tempo t, è

dada por

vè

(b)
a)

FIGURA 4 - Resposta do FPA (a) ao degrau de tensão na entrada

(b).

v - v.
D = x 1 00 (ít)

Em t = t^, de (3) e (4:

D = x 1 00 (5)
R 1^1
 bk -

As expressões (lt) e (5) valem para o dec1ive de ca

da 1/2 ciclo de uma onda quadrada simétrica de valor pico-a-pi

co V, frequência f = 1/T, desde que t,=T/2. Assim,

t1 ... T
D = —— x 100 = —'• — x 100 = —;— x 100 (6)
R^ .C^ 2R1C1 2fR1c1

Portanto,

V - V, Hf ,
D = —L x 100 = —!- x 100 (7)
V f

o declive è proporcional a frequência de corte f;.

5.2. TEMPO DE SUBIDA (t,)

A resposta do FPB da Figura 3 a um degrau de ten-

são de amplitude V na entrada è dada por

V = V. [l-exp(-t/R^C^)] (8)

o gráfico mostrado na fig. 5 representa a resposta dada por

(8), o tempo de subida (t^.) é definido como sendo o intervalo

de tempo necessário para a resposta do circuito passar de

10% para 90^ do valor final. Assim, para

v
^ = 0,1V ^ t^ = 0,1 R^C^ (9)

v
^ = 0,9V ^ t^ = 2,3 R^C^ (10)

Portanto,

t,.^ (11)
s
 65 -

po 1 s ,

tr = t2-t1 = 2>2 R2C2 = J-1 12

2ïf
s

o tempo de subida è inversamente proporcional ã frequência de

corte f^. O tempo t^ é uma indicação da rapidez com que um am

plificador pode responder a uma desconti nu idade de tensão de

ent rada,

6. EXPERIÊNCIA

6.1. CONSTRUÇÃO DA CURVA DE RESPOSTA EM FREQUÊNCIA

O amplificador a ser ensaiado è do tipo emissor co

mum e está mostrado em Figura 6.

AMPLITUDE, V/V AMR-ITUOE,Vg

TEMPO TEMPO

(b)

FIGURA 5 - Resposta do FPB (a) ao degrau de tensão na entrada

(b).
 66 -

+15V

330 220^iF,25V
47 K

^
100pF,25V
BC -237

l 18K
680 Ce 220^F,25V

FIGURA 6 - Amplificador emissor comum.

6.1.1. Verificar qualitativamente a forma de onda do

sinal de saída fazendo uma varredura em freqüen

cia em toda a faixa coberta pelo gerador de si

na i s .

6.1.2. Identificar as frequências ou a faixa em que o

ganho do amplificador è máximo. Ajustar o ni-

ve1 de sinal senoidal de entrada para que não

ocorra distorção da forma de onda na saída.

6.1.3. Construir uma tabela em que conste frequência,

tensão de'entrada, tensão de saída, ganho e ga

nho em d8 „

Obs: adotar o numero de pontos necessário para

que a curva tenha o formato conveniente. A ve-

rificaçao qua1ita':iva feita nos Ítens (2) e (b)

auxiliarão a delimitar as regiões próximas das

frequências de co r te.

6.1.4. Construir o gráfico ganho (dB) x frequência (Hz)

em papel mono-1og (ganho na escala linear).
 67 -

6.1.5. Identificar as frequências de corte f, e f_.

i - s

6.1.6. Delimitar as regiões de baixas, médias e altas

frequências.

0.1.7- Estimar a largura de faixa.

6.2. PARÂMETROS QUE DETERMINAM AS FREQUÊNCIAS DE CORTE

6.2.1. A partir de medidas de ganho, calcular as fre-

qüencias de corte f: e f^.

i ~ ' s

6.2.2. Substituir o capacitar C por outros dois de

valores C_ = 5yF» C_ = 2,7vF. Calcular as

e1 " e e2

novas frequências de corte if. e f .

~ ' s '

Estimar as novas larguras de faixa.

6.2.3. Q.ue parâmetros determinam as frequências de cor

te f, e f.?
IS

6.3. TESTE DE ONDA OUADRADA

6.3.1. Aplicar uma onda quadrada na entrada do amr1i-

ficador mostrado na Fia.6, com amplitude e fre

qüëncia convenientes. Medir o declive, D, e o

tempo de subida t ^.

6.3.2. Estimar as frequências f. e f_ a partir de D

et,.

6.3.3. Estimar a largura de faixa

6.3•í< • Comparar os valores obtidos com os medidos no

Ítem 6.1.

7. BIBLIOGRAFIA

7.1. D.L.SCHILLING, C.BELOVE, Circuitos Eletronicos Discre

tos e Integrados, R.J-, Guanabara Dois, 1979.

7.2. J.MILLMAN, C.C.HALKIAS, Eletronica, vo1s. 1 e 2, SP,

McGraw-Hi11 do Brasi 1, 1981.

 68 -

8. MATERIAL E EQUIPAMENTO

l osciloscópio duplo traço

1 gerador de sinais

1 fonte DC

2 multímetros eletrõnicos

1 transistor BC-237» ou equivalente

1 Resistor: 330, 680, 18K e 4?Kn, 1/4 W.

Capacitares: 1 x 2,2pF, 1 x 5vF e 1 x 100yF e 2 x 220yF,

25V.
 69 -

FOLHA-RESPOSTA

EXPERIÊNCIA ? 6 : RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DE AMPLIFICADORES

Na(s) foi ha (s)-respostas devem constar as rés

postas as questões propostas no roteiro, na ordem especifica

da a seguir.

6.1. Construção da Curva de Resposta em Frequência

As respostas aos itens 6.1.5. a 6.1.7. devem

ser indicadas no gráfico correspondente (Ttem 6.1.4.).

6.2. PARÂMETROS dUE DETERMINAM AS FREQUÊNCIAS DE CORTE

6.2.1 a 6.2.3.

6.3. TESTE DE ONDA QUADRADA

6.3.2. a 6.3.ít.
 71 -

EXPERIÊNCIA ? 7: AMPLIFICADORES: CONFIGURAÇÕES EM lSSOR-COMUM,

COLETOR-COMUM E BASE-COMUM

1. OBJETIVO

Estudo comparativo dos parâmetros das três con

fidurações básicas de amplificadores.

2. EXPERIÊNCIA

2.1. EMISSOR COMUM (EC)

Considerar o circuito da Fig. 1.

2.1.1. Medir o ponto de po1ar ização.Q. (l p, lo' vrc)-

2.1.2. Aplicar um sinal senoidal de frequência iKHz e

amplitude tal que não ocasione distorção no si

na1 de saída.

(a) Medir as impedancias de entrada e de saída.

(b) Medir as tensões e correntes de entrada e

saída e calcular os ganhos.

2.1.3. Estimar as frequências de corte inferior e su-

perior e a faixa de passagem.

2.2. BASE-COMUM (BC)

Considerar o circuito da Fig. 2.

2.2.1. Medir o ponto de polarização Q. ( l ^, I ^V^) .

2.2.2. Repetir os itens 2.1.2 e 2.1.3.

 72 -

0+15V

180
100K
10^;

lOjjF
^-
SAÍDA 470

ENTRADA
{$- 237
o

o
15K
+
1,2K 820
"220 yF

FIGURA 1 - Circuito emissor-comum.

0-H5V

470
lOpF IO^IF

^
BC-237

-)
ENTRADA SAÍDA
470
8,2K
o
^w\^

<?K

" 25)<F

FIGURA 2 - Circuito base-comum.

 73 -

2.3. COLETOR COMUM (SEGUIDOR DE EMISSOR:

Considerar o circuito dei Fia. 3.

2.3.1. Medir o ponto de polariza ç ao, Q. (l,., 1^, V^)

2.3.2. Repetir os Ítens 2.1.2 e 2.1.3.

O +^5 V

470
2!i pF
8,2K

IQpF
BC -237

10 yp
ENTRADA

o 15K
SAÍDA ,470
+ 1,5K
1,2K Ç

FIGURA 3 - Circuito co 1etor-comum.

3. Fazer uma tabela comparativa entre os parâmetros medidos

das três configurações.

4. BIBLIOGRAFIA

4.1. BOYLESTAD e NASHELSKY, Dispositivos Eletrônicos e Teo

ria de Circuitos, Prentice Ha11 do Brasil, 1984.

4.2. MILLMAN e HALKIAS, Integrated Electronics, McGraw-Hi11,

1972.
 7^ -

4.3. SCHILLING e BELOVE, Circuitos Etetrônicos Discretos e

Integrados, Guanabara Dois, 1979.

5. EQUIPAMENTO E MATERIAL

1 osciloscópio duplo traço

1 gerador de sinais de áudio

1 fonte DC ajustãvel

2 multímetros eletrõnicos

1 p 1aca-montagem
 75 -

FOLHA-RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA ? 7: AMPLIFICADORES: CONFIGURAÇÕES EM t SSOR-COMUM,

COLETOR-COMUM e BASE-COMUM

Na(s) Fo1ha(s)-respostas devem constar as res-

postas ás questões propostas no roteiro, na ordem especifica-

da a seguir.

2.1. EMISSOR-COMUM

2.1.1. , 2.1.2 e 2.1.3.

2.2. BASE-COMUM

2.2.1 e 2.2.2.

2.3. COLETOR-COMUM

2.3.1 e 2.3.2.

3. Tabela comparativa.
 77 -

EXPERIÊNCIA ? 8: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET;

1. OBJETIVO

Verificação dos itens seguintes:

Características de safda (corrente de DRENO X TENSÃO

DRENO-FONTE) e transferência dinâmica.

Transcondutãncia e resistência incrementai

Po 1 a r izacao

tmpedãncia de entrada

Ganho do amplificador

Funcionamento do dispositivo como resistência variã-

vê 1.

2. INTRODUÇÃO

O transistor de efeito de campo FET(F i eld-effect

transistor), é um dispositivo semicondutor que oferece ã corren

te eletrica uma resistência que è função da intensidade de cam-

po elètrico transversal.

A operação desse dispositivo de junção única ë

baseado num processo chamado modulação de condutãncia.

Nesse processo, a variação da profundidade da

região de depleção associada a uma região PN polarizada inver-

samente, faz variar a condutãncia de uma pequena barra semicon

dutora (canal). Como esta profundidade é função da tensão de

polarização inversa, a conduta n c. i a do canal por onde circula

a corrente pode ser variada em função daquela tensão.

O transistor de efeito de campo difere do tran-

sistor de junção bipolar nas seguintes caracterFsticas :

Sua operação depende somente do fluxo de portadores majoritá

rios sendo.portanto, um dispositivo unipoiar (um tipo de

portador).

Possui resistência de entrada extremamente alta, com valor

típico da ordem de 100 M ohms.

- Ê menos ruidoso que o transistor bipolar.

 7!

- Não possui tensão de "off-set" quando usado como chave (ou

reco r tado r).

- £ um elemento sensível ã tensão enquanto o transistor bipo-

1ar e sensível à corrente.

- Ë mais simples de ser fabricado e ocupa menos espaço quando

na forma integrada.

A1r;umas desvantagens do FET são: o produto ga-

nho-largura de faixa e relativamente pequeno em comparação ao

transistor bipolar e é mais suscetfvel a danos quando manuseado

Ha duas espécies de transistor de efeito de cam

po: o FET de junção (abreviado JFET, ou simplesmente FET) e o

FET de porta isolada (IGFET, mais comumente chamado de meta1-

óxido-semicondutor-MOSFET). Nesta prática apenas o JFET será u

ti 1 i zado.

3. EXPERIÊNCIA

3.1. IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1.1. Consultar o manual do fabricante e localizar:

a) A identificação dos terminais

b) A aplicação tTpica sugerida

c) Valores típicos recomendados para operação

segura

d) Valores máximos permitidos

e) As curvas típicas fornecidas e quais são as

finalidades. Citar as principais.

3.2. CURVAS CARACTERÍSTICAS

3.2.1. Característica Dreno-Fonte !„ = f (V^^.)

v
GS=CTE

!„ = corrente de dreno

V^= tensão entre dreno e fonte

V^= tensão entre porta e fonte

 79 -

3.2.1.1. Utilizar o circuito da Fig. l(a)

mA

DRENO
10K
PORTA (DRAIN)
(GATE)

R3NTE
v./. -^ (v ) y VQD.15V (SOURCE;

CURTO -CIRCUITO (b)

VER ITEM 3.2.1.2

(o )

FIGUR-A 1 - a) Circuito para levantamento das curvas caracte-

rísticas e b) Símbolo do JFET.

3.2.1.2. Medir as tensões e co r rentes conforme indica-

do na Fig. 1(a) para obter os valores da Ta-

bela l. Para V^.^=0 os terminais de porta e

fonte deverão ser curto-circuitados.

A corrente de dreno devera ser ajustada para

os valores i nd icados.através do potenciome -

tro de 10K. Se essa variação não for sufici-

ente,atuar também no valor de V^p, e conciU-

ar os dois ajustes.
 80 -

TABELA - CORRENTE DE DRENO X TENSÃO DRENO FONTE PARA TENSÃO PORTA-FONTE

CONSTANTE

VGS=0 VGS=-°-^ VGS=-1'° VGS=-1'5

VD(V) Ip(mA) Ip(mA) Ip(mA) Ip(mA)

0,2

0,4
0,6

0,8

1 ,0

1 ,2

1,^

1,6

1,8

2,0

2,2

2,^

2,6

2,8

3,0

VGS=0 VGS=-°-5 VGS=-1'°

vcs=-'^5__

yv) lp(mA) Ip(mA) l (mA) Ip(mA)

3,5
^,0

^,5
5,0

5,5
6,0

7,0
8,0
9,0

10,0

1 1 ,0

12,0

13,0
1 í(,0

15,0
 81 -

3.2.1.3. Construir em um mesmo gráfico as 4 cur

vás co rresoondentes aos valores da ta-

bela l

3.2.2. CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA

3.2.2.1. A característica de transferencia e um

gráfico que mostra a variação da corrente de dreno (ip,) sm fun

cão da tensão porta-fonte V , para um valor constante da ten-

são dreno-fonte V^^.

Dois pontos importantes da característica de transfe -

rëncia são l^cc e ^^ ^ncc e a corrente de saturação dreno-fon

te e
e V,,
Vp ==V^(.,(OFF)
V^ é a tensão de estrangulamento ou de corte

porta-fonte.

3.2.2.2. Utilizar o circuito da Figura 1 (a) pa

ra obter o valor de V .
p
a) Ajustar o circuito de polarização dreno-fonte (po -

tenciometro de 10K e V^) para que a tensão V^c- se mantenha

constante e igual a 8,OV.

b) Ajustar a tensão V^ até que a corrente 1^ atinja

um valor bem baixo (alguns microamperes). Anotar o valor de

Vr.c ; este valor representa a tensão V^.

OBS: Para se conseguir corrente de dreno nula ou muito baixa o

valor de V^ medido e muito incerto.

3.2.2.3. -Através do gráfico obtido no ftem 3.2.

1.3. determinar o valor de 1^^^.

3.2.2.4. Com os resultados obtidos nos Ítens

3.2.1.3., 3.2.2.2. e 3.2.2.3., construir a curva de transferên-

cia para V^c- = 8V.

3.2.2.5. A corrente de dreno 1^ pode ser obtida

através da expressão:
 82 -

=1-^(1- ^-s)2
D ~ 'DSS " - V;
(1)

Verificar se a curva experimental 1^ x V^^. confere com

a teórica.

3.3. TRANSCONDUTÃNCIA

3.3.1. A transcondutãncia,gm, muitas vezes especifica-

da como y .p ou g^:^, ë uma indicação da amplificaçao AC do FET.

Al
qm = :2)
AV
GS VDS=CTE

3.3.2. Determinar o valor de am para V^=8,OV e V^ç. =

1,OV. Para isso.uti1 izar a curva de transferencia obtida no

'tem 3.2.2.4.

3.í». RESISTÊNCIA DRENO-FONTE

3 . it. 1 . O parâmetro rd, representa a resistência de dre

no ou resistência de saída e è definido como:

AV
DS :3)
rd =

VGS - tTE

O inverso de rd, a condutãncia de dreno gd, è geralmen

te especificada por Q__ (condutancia de saída).

os

3.í+.2. RESISTÊNCIA INCREMENTAI. NA ORIGEM

3.'4.2.1. Para valores de V^c. pequenos (próximo

da origem nos gráficos) o FET se comporta como um resistor va-

riãvel com a tensão de entrada V. Nestas condições a resis-

Ij 5

tëncia incrementai na origem e igual ã resistência total.

v
DS (4)
rd
VDS=0
 3.4.2.2. Através das curvas obtidas no gráfico

do Item 3.2.1.3., determinar os valores de r _, em tomo da ori

ge m para cada valor de V^c.

3.14.2.3 • Com os valores obtidos no item 3.ít. 2 . 2

traçar um gráfico de r^ em função de V para Vp^=0

3.5. POLARIZAÇÃO

3.5.1. POLARIZAÇÃO SIMPLES

A Figura 2 mostra um amplificador com FET que

utiliza uma única fonte de tensão e um resistor de autopolari

zaçao (P^) para se obter a tensão de polarização porta-fonte.

+15V

ENTRADA SAII
SAÍDA
10)JF [lOpF

-Js^-IO BF 245
IM

FIGURA 2 - Amplificador com polarização simples.

3.5.1.1. Medir: V^, V^ e D"

3.5.1.2. Marcar os valores medidos no tem

3.5.1-1 sobre as curvas jã obtidas (ip, x V^p e de transfe -

rëncia) e comparar com os respectivos valores obtidos anal i t i

camente (utilizar reta de carga).

 84 -

3.5.1.3. Aproximar do corpo do FET, por

alguns instantes, um soldador (não encostar diretamente) e ve-

rificar a alteração dos valores medidos com a variação da tem-

pêra tu r.a .

3.5.2. POLARIZAÇÃO COM DIVISOR RESISTIVO

O circuito da figura 3 produz uma estabilidade

de polarização DC maior que o circuito da Figura 2.

G +15V

IM
10 pF

^]j—o SAÍDA
a/^-iu
IM

FIGURA 3 ~ Amplificador utilizando polarização com divisor re-

sístivo na porta.

3.5.2.1. Repetir os Ttens 3.5.1.1., 3.5.1.2. e

3.5.1.3. .

3.6. - GANHO E IMPEDÂNCIA DE ENTRADA

3.6.1. Utilizar o circuito da Fig.2 com o potenciôme -

tro curto-circuitado e aplicar na entrada um sinal senoidal de

1KHz e amplitude ta1 que o sinal de saída apareça sem distor-

cão .
 85

3.6.1.1. Retirar o sinal de saída no dreno e

verificar o ganho de tensão.

A., = V_,^/V_^ (5)

v salda'"e n t.

3.6.1.2. Colocar em paralelo com o resistor de

fonte (Re.) um capacitar de 220pF e verificar o ganho de ten -

são, ainda com o sinal retirado no dreno.

Oua1 a relação entre A e gm.R ?

3.6.1.3. Desligar o capacitar de 220yF do cir-

cuito de fonte e retirar o sinal de saída sobre o resistor R,. .

Verificar o ganho de tensão. Nesta configuração

o amplificador è utilizado como seguidor de fonte ou dreno co-

müm.

3.6.1.4. Variar o potenci orne t ro de entrada, me-

dir as tensões nos pontos A e B e daí verificar a impedãncia

de entrada.

3.6.1.5. Repetir o Ítem 3.6.1.4. com o potência

metro todo aberto (R=1M ohm) e com o capacitar 220pF ligado

em paralelo com Rç.

3.6.2. Utilizar o circuito da Fig.3 e repetir os Ttens

3.6.1.1., 3.6.1.2., 3.6.1.3, 3.6.1.í» e 3.6.1.5.

3.6.2.1. Q.ua1 dos dois circuitos (Fig. 2 e Fig.

3) apresenta maior impedãncia ce entrada?

3.6.2.2. O que pode ser feito no circuito da

Fig. 3 para elevar sua impedãncia de entrada? Verificar.

3.7. ClRCUITO DE APLI CAÇÃO

Para pequenos valores de tensão V, a caracteristica

de dreno do FET (1^ x V^p) é linear e a inclinação é determi-

nada pela tensão V . Desta forma, o FET nesta região e um r e_

 86 -

sistor controlado por tensão. Esta propriedade do FET e muito

útil, porque permite variar características de um circuito u-

tilizando controle essencialmente elètrico.

Algumas aplicações sao:Contro1e automático de

ganho, atenuadores variáveis, filtros sintonizáveis, etc.

A Fig. 4 mostra um circuito de aplicação onde

o FET atua como resistor variável controlado por tensão no di

visar resistivo.

c LT
l 1K

VsAr
V=-5V 10K

FIGURA 4 - FET utilizado como resistor controlado por tensão-

3.7.1. Aplicar uma tensão de 1OV na entrada, variar a

tensão de porta de O a -5V e medir a saída.

3.7.2. Repetir o item 3.7.1. para um sinal de entrada

de 1KHz e 200 mV__.

pp

4. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

4.1. D.L.SCHlLLING, C.BELOVE, Circuitos Eletronicos Discre

tos e Integrados. Ed.Guanabara Dois.

4.2. MILLMAN,C.C. HALKIAS, Eletrônica, Vo1 s. 1 e 2. Ed.Mc.

Graw-H i 11 do Brasil.

í».3. BOYLESTAD, NASHELSKY - Dispositivos Eletrônicos e Teo

ria de Circuitos - Ed. Prentice-Ha11 do Brasil.

 87 -

5. EQUIPAMENTO E MATERIAL NECESSÁRIOS

1. Osciloscópio

1. Ge rador de ãud i o

2. Fontes DC

2. Multímetros digitais

1. Ferro de solda

1. Placa para as montagens

 88 -

FOLHA-RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA ? 8: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET)

Na(s) fo1ha(s) r.sspostas devem constar as res-

postas as questões propostas no roteiro, na ordem especificada

a seguir:

3.1. IDENTIFICAÇÃO DO COMPONENTE

3.1.1.(a), 3.1.1.(b), 3.1.1.(c), 3.1.1.(d), 3.1.1.(e).

3.2. CURVAS CARACTERÍSTICAS

3.2.1.2, 3.2.1.3, 3.2.2.2, 3.2.2.3, 3.2.2.4, 3.2.2.5.

3.3. TRANSCONDUTÃNCIA

3.3.2.

3.4. RESISTÊNCIA DRENO-FONTE

3.4.2.2. , 3.ít.2.3.

3.5. POLARIZAÇÃO

3.5.1.1., 3.5.1.2., 3.5.1.3 . , 3.5.2.1.

3.6. GANHO E IMPEDANCIA DE ENTRADA

3.6.1.1., 3.6.1.2., 3.6.1.3., 3.6.1.4., 3.6.1.5., 3.6.2,

3.6.2.1., 3.6.2.2.

3.7. CIRCUITO DE APLICAÇÃO

3.7.1., 3.7.2.
 - 89 -

EXPERIÊNCIA ? 9: A VÁLVULA ELE~RONI,CA - TRIODO*

1. OBJETIVO

Estudo do amplificador ;a triodo, avaliação da distor-

cão harmónica em amplificador a triodo.

2. INTRODUÇÃO

O triodo a vácuo foi inventado em 1906. Foi o primei-

ro elemento ativo usado para amptificaçao de sinais. Com o a

parecimento do transistor em 19Í+8, as válvulas a vácuo foram

substituídas em várias aplicações. Sua utilização restringe -

se hoje as áreas de altas frequências e altas potências. Po-

tëncia consumida elevada e tempo de vida relativamente curto

são as duas principais .desvantagens que apresentam as vã1vu -

1as ã vácuo em comparação ao transistor. Como elemento de cir

cuito,seu comportamento assemelha-se ao FET, apresentando sen

s i bi 1 idade a tensão e alta impedãncia de entrada.

3. DIODO E TETRODO

A Figura 1 mostra a simbologia do diodo a vácuo,o cir

cuito básico e a característica v x i. A relação entre a ten-

são e a corrente é regida pela lei de ChNd-Langmuir,

•p °G • V3P^2 '"

onde G è uma constante que depende da geometria e do material

do catado, i_ e o valor instantâneo do corrente de placa e

v,,,/ è o valor instantâneo da tensão placa-cãtodo.

* Este roteiro trata-se de um resumo inicialmente escrito pelo

Prof. José Carlos Pereira.

 9 O -

i'P,mA

CORRENTE
DE PLACA,
Ip

w
.+PLACA, P

V-CATODO,K

ALIMENTAÇÃO
DE FILAMÏNTO
v^,/ v

FIGURA 1 - O diodo a vácuo (a) (; sua característica vxi (b),

O triodo, mostrado na Fig. 2, è basicamente um

diodo a vácuo acrescido de uma grade de controle,colocada

próxima ao catado. Através do potencial de grade pode-se con-

trotar o fluxo de elétrons que alcançará a placa Cãnodo). Pe-

quenas variações na tensão de g-ade proporcionarão orandes va

riaçoes na tensão de placa. A -elaçao entre a corrente de

placa, a tensão placa-catodo e a tensão grade-catodo è dada

po r

ip=G-(VPK+PVGK) • VGK<0' VPK>-°' ip>° (2)

onde p è o fator de amplificaçao.

 9

ip,rTiA
+•10

VGK=OV

-4
-6

-8
VGG^
-40

100 200 300 VpK,V

(a) (b)

FIGURA 2-0 triodo a vácuo (a) e sua característica v x i de

placa (b).

A. PARÂMETROS DE PEQUENOS SINAIS

O modelo de pequenos sinais da válvula a vácuo

è semelhante ao do FET, conforme ilustra a Fiqura 3.

p rp ip

l Go- -OP GO

T
9m*vg^-

^ :rP V,p k

K KO- -0>< K O

VGK^O VGK<O jj = rp.gm

(a ) ( b) (c)

FIGURA 3-0 triodo (a) e os circuitos equivalentes (b) e (c'.

 92 -

;t.1. RESISTÊNCIA DE PLACA (r_): e a inclinação da caracteristica

vxi, medida no ponto de operação, Q. Assim,

Av
PK
(3)
Ai VGK = cte

4.2. CONDUTÃNCIA MOTUA OU TRAMSCONDUTANC l A (gm)

É a relação entre a variação ocorrida na corrente de

placa devida a uma variação unitária na tensão grade-catodo ,

com VQ^ mantido constante, ou s e: j a,

Ai
g m =
Av
(^)
GK
PK=cte

4.3. FATOR DE AMPLIFICACÃO (i. )

E utilizado sobretudo em análise de circuitos a triodo

e também pode ser avaliado a D a r ti r das curvas características

vxi. É dado por

Av
PK
v = g r = - (5
m p
Avf:l/
1\ i p=cte

5. AMPLIFICADOR CATODO COMUM

A Figura ^ mostra um amplificador catado comum típico

Ta1 amplificador será aquele utilizado nesta prática,

6. DISTORÇÃO HARMONICA

A distorção resultante de efeitos nao-lineares na vã1-

vu1a a vácuo, assim como no FET, e significativa. Considere u

ma tensão da forma
 93 -

v(t) = V. cos u,t

c ' "' 'm * ~ ~ "o
(6)

aplicada ã entrada do circuito amplificador da Figura b. O sinal

de saída sobre o resistor de carga apresenta-se distorcido,

como o mostrado na Figura 5.

+ 155 V

v, ^.,
'SAÍDA

FIGURA 4 - Amplificador catado comum.

 -94-

,VL(t)

- V|_2

FIGURA 5 - Safda do amplificador cátodo comum da Fig. íf

apresentando distorção

Este sinal pode ser representado por uma serie de Fou

r i er,

(t) = AQ+A^COS u^t + A^cos2[d^t + A^cos3u^t +

. . A,,cosNu _ t (7)
o
 95 -

A distorçáo mais significativa é aquela provocada pe-

los harmônicos de ordem 2 e 3. Fazendo A,=0 para £>4, e esco-

1 hendo valores convenientes para (a)_t), é possível determinar

os valores dos coeficientes A_,.,.,A,. Assim, pode-se esco-

Iher

v. (0) » v, , v, (ï/3) « v. ,v. (V2) = V, =0 e

•l ' '-3 '" l-i<

v,(U) • -V, (8)

-2

onde os valores V, ,,.»V, são medidos conforme indicado na

•l l-í»

Figura 5.
Substituindo (8) em (7) obtêm-se um sistema de quatro

equações e quatro incógnitas, que resolvido fornecerá

A, . ——í (9.a)

Ai - —-+i5- vi + ? vi 0-b)
•l i, - 12 -L^ 3 -L^

V ~ VL.
A • ———i (9.c)

VL. VL. •

A, - —i + —l - 4 V. (9»d)
H 12 3 'L3

A distorção harmõnica total dado por aqueles de ordem

2 e 3 ê

(A^/f?)2 + (A /NÍ?)2 1/2 (A^ + A|)'/2

D » — - — (10)
A,/Í? A1
 9 6 -

7. TETRODO E PENTODO

A adição de mais uma grade ao triodo leva a um novo

disposti tivo: o tetrodo. A grade auxiliar reduz a capacitãncia

grade-placa e amplia a faixa de resposta em frequência do trio

do. Entretanto, o tetrodo apresenta um problema adicional: os

elètrons secundários que deixam a placa e são coletados pelo

grade auxiliar reduzem a corrente de placa. A supressão de ta1

inconveniência é conseguida com a inserção de uma terceira grj^

de, chamada de g r a d e s u p rés só ra, entre a grade auxiliares p1a

ca. O novo dispositivo, de características as mais próximas as

do FET, è o pentodo.

8. EXPERIÊNCIA

8.1. IDENTIFICAÇÃO DO DISPOSITIVO

8.1.1. Com o auxilio da folha de dados fornecida pelo

fabricante, identificar os terminais do dispo-

S í tIVO.

8. 1 „ 2. Q.ua1 a principal utilização sugerida pelo fabrj^

cante?

8.1.3. Citar os valores dos principais parâmetros para

operação segura»

8.1.^. Quais as curvas típicas fornecidas pelo fabri -

cante?

8.2. IDENTIFICAÇÃO DO PONTO DE OPERAÇÃO

Medir as seguintes tensões e correntes:

8.2.1. Tensão de alimentação, V

8.2.2. Tensão de placa, V

8.2.3. Tensão de catado, V

8.2.4o Tensão de grade, V

8.2.5. Tensão grade-cãtodo, V

 97 -

8.2.6. Tensão p 1aca-cãtodo, V

8.2.7. Corrente de placa, l

8.2.8. Corrente de grade, l

8.3. GANHO DE TENSÃO

Aplicar na entrada do amplificador um sinal senoidal

de frequência 10 KHz e amplitude suficientemente baixa para

não produzir distorção no sinal de salda. Medir:

8«3.1. A tensão pico-a-pico na entrada

8.3.2, A tensão pico-a-pico na saída

Calcular:

8,3.3. O ganho de tensão do circuito amplificador.

8.4. DISTORÇÃO HARMONICA

Aplicar na entrada do amplificador um sinal senoidal

de frequência 10 KHz e amplitude a máxima possível, desde que

não produza corte ou saturação no sinal de salda» Medir, de a

corda com a Figura 5:

8.4»1„ V, (0) = V,
1
8,4.2» V, (n) = V,
•2

8.4.3. V, (V3) = V,
•3

8.4»4» V, (V2) ^ V,
-4

Calcular:

8.4.5» Os valores A^,«..,A-, e D através das equações

(9) e (10).

Esboça r:

.k o 6. Esboçar as formas de onda dos sinais de entra

da e sá i da .
 98 -

8.5. RETAS DE CARGAS AC E DC

8.5.1. Escrever as equações das retas de cargas AC e

DC e também da malha de grade do circuito da

Figura ^ o

8.5.2. Com o auxílio da característica vxi de placa

fornecida pelo fabricante identificar o ponto

de operação e traçar as retas de cargas AC e

DC.

8.5-3. No mesmo gráfico, esboçar as formas de onda dos

sinais de entrada e saída dos Ítens 8,3 e 8,4,

8.6. PARÂMETROS DE PEQUENOS SINAIS

Com o auxílio da característica vxi de placa fornecida

pelo fabricante e com o ponto de operação dado, estimar os va-

1ores de r, q e pc
p " "m

9. B lBLlOGRAFIA

9.1. D.LoSCHlLLlNG e C.BELOVE, Circuitos Etetrõnicos Discre

tos e Integrados, Guanabara Dois, RJ, 1979.

9.2. H.A.LOUREIRO e L„E.P.FERNANDES, Laboratório de Disposi

tivos Eletronicos, Guanabara Dois, R,J., 1982.

9.3. J.MILMAN e C.HALKIAS, Eletronica, vol. 1 e 2, McGraw

Hi 11 , 1979.

10. MATERIAL E EQ.UiPAMENTO

1 osciloscópio duplo traço 3 capacitares 10pF, 64V

1 gerador de sinais de áudio 1 resistor 330, 10K, 1 5 K e

1 muttímetro eletrõnico IMO, 1/2ai

1 fonte de tensão DC

1 fonte de alta tensão

1 ferro de soldar

1 válvula (dupla) triodo 12AU7, ou equivalente

 9 -

FOLHA-RESPOSTAS

EXPERIÊNCIA ? S: A VÁLVULA ELETRONlCA-TRlODO

Na(s) fo1ha(s)-respostas devem constar as rés

postas as questões propostas no roteiro, na ordem especifica

da a seguir:

8.1. IDENTIFICAÇÃO DO DISPOSITIVO

8.1.1., 8.1.2., 8.1.3 e 8.1.4.

8.2. IDENTIFICAÇÃO DO PONTO DE OPERAÇÃO

J .ï

8.2.1 a 8.2.8.

8.3. GANHO DE TENSÃO

8.3.1., 8.3.2 e 8.3.3.

Q.H. DISTORÇÃO HARMONICA

8.4.1 a 8.4.6.

8.5. RETAS DE CARGAS AC E DC

8.5.1 a 8.5.3.

8.6. PARÂMETROS DE PEQUENOS SINAIS

r^ , g_ e v
p' am
 101 -

. REDAC.ÃO DOS RELATÓRIOS TÉCNICOS

Os relatórios técnicos das experiências devem

apresentar a seguinte divisão:

(1) Página de Rosto

(2) Resumo
(3) Índice
(4) l n t rodução
(5) Desenvolvimento

(6) Conclusões
(7) Fo1 hás - Rés cos tas

(8) Bibliografia
(9) Apêndice

RECOMENDAÇÕES:

(1) PAGINA DE ROSTO

Deve apresentar o nome da universidade, da unidade, do

departamento, o numero e o titulo da experiência, o nome e o

número dos autores, a turma, o nome do professor responsável e

a data de realização. Também deve constar a disciplina e seu

código.

(2) RESUMO

Deve ser de tamanho reduzido, escrito em linguagem c1a

ra e concisa. O resumo deve oferecer ao leitor uma nítida vi-

são de todo o trabalho. Deve situá-lo na área correspondente

ao assunto, citar a metodologia empregada e os resultados mais

relevantes. E através do resumo que o leitor decide se há ou

não interesse na leitura completa do texto.

 1 0-2 -

(3) ÍNDICE

Deve propiciar uma visão panorâmica do texto, listados

os itens principais e com numeração adequada para facilitar o

acesso ás subdiv i soes .

(4) INTRODUÇÃO

Deve indicar em que área do conhecimento a experiência

está inserida, quais as áreas a e1a relacionadas, sua relevãn-

cia, o objetivo, a extensão e os resultados que se espera ob-

ter .

(5) DESENVOLVIMENTO

A partir deste ponto será relatada a experiência. Pode con-

ter'(nao necessariamente) um breve resumo dos aspectos teóri -

cos. O relato deverá ser breve e claro, contendo todas as in-

formações necessárias a sua reprodução. Os diagramas eletricos

devem conter o tipo e/ou valor dos componentes e as ligações

dos aparelhos de medidas. Estes podem ser mencionados (tipo,mo

de1o, marca) no próprio diagrama, em nota de pé de pagina ou

no Apêndice. Durante o relato poderão ser feitos comentários ,

comparações, etc.

(6) CONCLUSÕES

Este é um dos itens mais importantes do relatório. De

vê ser escrito em linguagem objetiva e em forma concisa, man-

tendo a sequência da experiência e dos resultados obtidos. Os

resultados mais relevantes devem ser citados e brevemente co-

mentados. £ sempre interessante apresentar valores percentuais

dos desvios das medidas em relação aos valores esperados. As

principais relações provadas ou observadas devem ser citadas.

 103 -

(7) FOLHAS-RESPOSTAS

Em cada experiência serão especificadas as in-

formações que devem constar nas fo1 hás-respostas. Via de re-

gra, estas informações serão as respostas ao questionário pró

posto e os principais resultados.

(8) BIBLIOGRAFIA

Deve ser indicada no texto por um número entre

!" ^ _ - _
cotchetes ; J e constar nesta relação através de indicação

padronizada, conforme ilustram os exemplos a seguir. Maiores

detalhes poderão ser obtidos junto a Biblioteca Central da

EESC-USP.

A bib1 iografia indicada de forma desordenada

ou incompleta pode dificultar ou mesmo impossibilitar o aces-

só ao texto citado. Alguns exemplos de citação padronizada:

1. R.E.COLLIN, Fie1d Theory of Guided Waves. New York, McGraw-

H;11, 1960 , cap.11, pp. A70-í»73.

2. R.M.KNOX, 'Dielectric Waveguide microwave integrated circuits

- An overview", IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vot.MTT-

24, pp. 806-814, nov. 1976.

3. E.A.0.Silva, Princípios de Eletrõnica, USP, EESC, Departamen

to de E1etricidade. São Carlos, SP, 1980, apostila.

(9) APÊNDICE

Deste item devem constar todas as tabelas, qrãfi

cos, as listas de material e equipamento empregados, bem como

folhas de dados de componentes e diagramas adicionais. Também

devem constar as deduções de relações que, embora importantes ,

possam desviar a atenção do texto principal.

Em seguida são apresentadas as paginas correspon

dentes as subdivisoes e a indicação do espaço ideal e máximo dês

tinado a cada uma delas.

UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO
ESCOLA DE ENGENHARIA DE SÃO CARLOS
RESUMO
DEPARTAMENTO DE ELETRt CIDADE
SEL-XXX : LABORATÓRIO DE...
(TEXTO)

EXPERIÊNCIA N? X
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES

AUTORES:
ESPAÇO IDEAL: ATÉ MEIA PAGINA
NOME - NÚMERO

NOME - NUMERO
o
NOME - NUMERO v-n

TURMA X, 5a. FEIRAS, PERÍODO X

PROFESSOR RESPONSÁVEL: NOME

DATA DE REALIZAÇÃO: X

ESPAÇO MÁXIMO: UMA PAGINA COMPLETA

 ÍNDICE INTRODUÇÃO

TÍTULO E SUBTÍTULO n? da pág

(TEXTO)

o
a>
l

ESPAÇO MÁXIMO: UMA PAGINA COMPLETA ESPAÇO MÁXIMO: UMA PÁGINA COMPLETA
 A EXPERIÊNCIA CONCLUSÕES

(TEXTO) (TEXTO)
(TEORIA E RELATO)

o
~^1

QUANTAS PAG. FOREM NECESSÁRIAS ATÉ O MÂX ESPAÇO MÁXIMO: UMA PAGINA COMPLETA.
MO DE 10.
 FOLHA-RESPOSTA BIBLIOGRAFIA

(TEXTO E QUADROS COMPLETOS CONFORME PRO-

POSTOS NO ROTEIRO)

ESPAÇO MÁXIMO: O NECESSÁRIO

APÊNDICE

ESPAÇO MÁXIMO: DEFINIDO NO ROTEIRO ESPAÇO MÁXIMO: O NECESSÁRIO