Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
INSTRUÇÕES:
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL.
VP = 110 V
VS1 = VS2 = 15 V
RL = 100 Ω
C = 1000 µF
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga?
Q = C*V
C = Q/V
C = 10/100
C = 0,1 µC.
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais?
C = Q/V
V = Q/C
-6 -9
V = 50*10 /100*10
3
V = 0,5*10
V = 500V
5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais
especificações, obtidas em um manual, são:
IFmáx = 1 A 1A
VRmáx = 400 V
400V
0,7V
6. O que é dopagem?
Quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou
restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas
elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o
germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dot
á-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de
portadores de carga o u tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente
para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos
elementares de circuitos.
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos:
T = 50ms
Vdc = 0
Vmáx = Vef /√2 = 50/√2 = 35,35V
T = 2µs
f = 1/T = 1/2µ = 500Hz
w = 2/ πf = 2/3,14x500 = 3141
rad/s.