Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
INSTRUÇÕES:
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL.
VP = 110 V
VS1 = VS2 = 15 V
RL = 100 Ω
C = 1000 µF
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga?
R. C=Q/V = 10x10-6/100 = 100nF
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais?
R. V = Q/C = 50x10-6/100x10-9 = 500V
5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais
especificações, obtidas em um manual, são:
IFmáx = 1 A
VRmáx = 400 V
6. O que é dopagem?
R. É o processo pelo qual se introduzem impurezas (átomos diferentes do Si e do Ge) em uma rede
cristalina de um semicondutor de maneira a modificar adequadamente suas propriedades físicas de
forma controlada. Assim são constituídos semicondutores tipo P e N.
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos:
Vdc = 0
Vmáx = Vef /√2 = 50/√2 = 35,35V
T = 2µs
f = 1/T = 1/2µ = 500Hz
w = 2/ πf = 2/3,14x500 = 3141 rad/s